JP2018006890A - 画像読取装置及び画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光を光電変換素子に結像する複数のレンズの配列間隔が光電変換素子における複数の画素の配列間隔の整数倍になっていなくても、高精度に濃度基準部材及びガラスの異物を検知する。
【解決手段】光を照射する照射部が照射する光の反射光を配列された複数の画素ごとに光電変換し、複数の画素それぞれの画素値を出力する光電変換素子と、反射光を光電変換素子に結像する略同じ直径の配列された複数のレンズと、注目画素からレンズの配列間隔分離れた位置の画素値を比較画素の画素値として生成する比較画素生成部と、照射部が濃度基準部材に照射する光の反射光をレンズそれぞれが光電変換素子に結像した場合に光電変換素子が出力した注目画素の画素値と、比較画素生成部が生成した比較画素の画素値とを比較する比較部と、比較部が比較した注目画素の画素値が異物の影響を受けた画素値であるか否かを判定する異物判定部と、を有する。
【選択図】図６

Description

本発明は、画像読取装置及び画像形成装置に関する。

画像読取装置においては、読取光学系の主走査方向における光源の光量ばらつきやセンサチップの画素毎の感度のばらつきを補正するために、濃度基準部材を読み取ったシェーディングデータが用いられる。このシェーディングデータを生成する場合、濃度基準部材の汚れの影響を低減するために、従来は、イメージセンサと濃度基準部材の相対的な位置を変える可動機構が設けられていた。

しかしながら、原稿を読み取るための密着型イメージセンサ（ＣＩＳ：Contact Image Sensor）等の読取モジュールは、ＡＤＦ（Auto Document Feeder）装置内の小スペースに設けられることが多く、可動式に変更されるとＡＤＦの複雑化・大型化・コスト高を招いてしまう。

そこで、可動機構が設けられなくても濃度基準部材の汚れの影響を低減する技術として、例えば特許文献１には、予め不揮発性のメモリに製品製造時の清浄な濃度基準部材で取得した初期のシェーディングデータを格納しておき、原稿を読取る直前に取得した汚れが付着した原稿読取時シェーディングデータを、汚れのない初期のシェーディングデータに置き換える際に、初期データのレンズピッチムラを、現在データのレンズピッチムラの位相に合うように補正するシェーディング補正装置が開示されている。

また、製品製造時に取得する初期のシェーディングデータが異物の影響を受けていると、シェーディングデータの正常な補正ができない可能性があるため、特許文献２には、白基準部材からの反射光を読取デバイスに受光させ、当該読取デバイスから出力された画素列のデータを、白基準データとして取得するデータ取得処理と、その白基準データに基づき、画素列の各画素を対象画素とし、対象画素と、当該対象画素からレンズの配列間隔の整数倍だけ離れた受光素子に対応する対比画素との画素値の差の絶対値が、閾値を超える場合に異常画素であると判定する異常判定処理を実行する画像読取装置が開示されている。

しかしながら、注目画素からロッドレンズの配列間隔の整数倍だけ離れた位置に近い受光素子に対応する画素を比較画素として異常画素を判定する従来の方法では、ロッドレンズ配列間隔が完全に整数画素間隔と一致しないことから、高精度な異物検知ができないという問題があった。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、光を光電変換素子に結像する複数のレンズの配列間隔が光電変換素子における複数の画素の配列間隔の整数倍になっていなくても、高精度に濃度基準部材及びガラスの異物を検知することができる画像読取装置及び画像形成装置を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、一方向に延びて光を照射する照射部と、前記照射部が照射する光の反射光又は透過光を配列された複数の画素ごとに光電変換し、複数の画素それぞれの画素値を出力する光電変換素子と、前記照射部が照射する光の反射光又は透過光を前記光電変換素子に結像する略同じ直径の配列された複数のレンズと、前記照射部が濃度基準部材に照射した光の反射光を前記レンズそれぞれが前記光電変換素子に結像した場合に前記光電変換素子が出力した複数の画素値を用いて、注目画素から前記レンズの配列間隔分離れた位置の画素値を比較画素の画素値として生成する比較画素生成部と、前記照射部が濃度基準部材に照射する光の反射光を前記レンズそれぞれが前記光電変換素子に結像した場合に前記光電変換素子が出力した注目画素の画素値と、前記比較画素生成部が生成した比較画素の画素値とを比較する比較部と、前記比較部が比較した結果と所定の閾値とに基づいて、前記比較部が比較した注目画素の画素値が異物の影響を受けた画素値であるか否かを判定する異物判定部と、を有する。

本発明によれば、光を光電変換素子に結像する複数のレンズの配列間隔が光電変換素子における複数の画素の配列間隔の整数倍になっていなくても、高精度に濃度基準部材及びガラスの異物を検知することができるという効果を奏する。

図１は、実施形態にかかる画像読取装置の構成を例示する断面図である。 図２は、画像読取装置を制御するコントローラ及びその周辺の概要を示すブロック図である。 図３は、第２読取部の電気回路の要部を例示するブロック図である。 図４は、ＡＤＦがシェーディングデータを生成する動作の概要を示すフローチャートである。 図５は、第２読取部及びその周辺の構成と、第２読取部の出力レベルとの関係を示す図である。 図６は、ＡＤＦが異物を検出するために有する機能の概要を示すブロック図である。 図７は、ＡＤＦがシェーディングデータにおける異物の有無を判定する処理例を示すフローチャートである。 図８は、注目画素位置からロッドレンズの配列間隔であるＤ＋ｄ離れた位置における最も近い４画素の位置を示す図である。 図９は、補正係数を示す図である。 図１０は、主走査方向に配列された複数のセンサの出力レベルを模式的に示す図である。 図１１は、ＡＤＦが異物を検出するために有する機能の第１変形例を示すブロック図である。 図１２は、ＡＤＦが異物を検出するために有する機能の第２変形例を示すブロック図である。 図１３は、異物判定機能の第２変形例における画素値を生成する位置を示す図である。 図１４は、異物判定機能の第２変形例が異物の有無を判定する処理を示すフローチャートである。 図１５は、比較画素生成部が行う処理を示すフローチャートである。 図１６は、ＡＤＦが異物を検出するために有する機能の第３変形例を示すブロック図である。 図１７は、異物判定機能の第３変形例における画素値を生成する位置を示す図である。 図１８は、センサの軸とロッドレンズアレイの中心軸を示す図である。 図１９は、シェーディングデータを主走査方向に分割した状態を示す図である。 図２０は、ＡＤＦがシェーディングデータにおける異物の有無を判定する処理例を示すフローチャートである。 図２１は、複数のセンサの出力レベルを例示する図である。 図２２は、注目画素が位置する範囲を示す図である。 図２３は、注目画素と比較画素の位置を示す図である。 図２４は、注目画素と比較画素の位置を示す図である。 図２５は、センサ端部の画素値がその他画素値に比べて低い場合を例示する図である。 図２６は、閾値変更範囲を示す図である。 図２７は、閾値を例示する図である。 図２８は、ＡＤＦの他の動作例を示すフローチャートである。 図２９は、ＡＤＦを有する画像形成装置の構成を示す図である。

以下に添付図面を参照して、画像読取装置の実施形態を詳細に説明する。図１は、実施形態にかかる画像読取装置１０の構成を例示する断面図である。実施形態にかかる画像読取装置１０は、例えば画像形成装置３００（図２９参照）の上部に設けられて画像を読み取る機能を備えた自動原稿搬送装置（ＡＤＦ：Auto Document Feeder）である。また、図２は、画像読取装置１０を制御するコントローラ１１及びその周辺の概要を示すブロック図である。以下、画像読取装置１０をＡＤＦ１０と記して説明する。

ＡＤＦ１０は、被読取原稿を固定された読取装置部に搬送し、所定の速度で搬送しながら画像読取を行う。コントローラ１１は、例えばＣＰＵ及びメモリを備え、ＡＤＦ１０を構成する各部を制御する。

ＡＤＦ１０は、原稿セット部Ａ、分離給送部Ｂ、レジスト部Ｃ、ターン部Ｄ、第１読取搬送部Ｅ、第２読取搬送部Ｆ、排紙部Ｇ、及びスタック部Ｈを有する。原稿セット部Ａは、読取原稿束をセットする。分離給送部Ｂは、セットされた原稿束から一枚毎に原稿を分離して給送する。レジスト部Ｃは、給送された原稿を一次突当整合する働きと、整合後の原稿を引き出し搬送する働きを有する。ターン部Ｄは、搬送される原稿をターンさせて、原稿面を読取り側（下方）に向けて搬送する。第１読取搬送部Ｅは、原稿の表面画像を、コンタクトガラスの下方より読取を行わせる。第２読取搬送部Ｆは、読取後の原稿の裏面画像を読み取る。排紙部Ｇは、表裏の読取が完了した原稿を機外に排出する。スタック部Ｈは、読取完了後の原稿を積載保持する。

読取を行う原稿束１３０をセットするのは、可動原稿テーブル１３１を含む原稿テーブル１３２上で、原稿面を上向きの状態でセットする。更に原稿束１３０の幅方向をサイドガイドによって搬送方向と直行する方向の位置決めを行う。原稿のセットはセットフィラー１３３、原稿セットセンサ１００により検知され、Ｉ／Ｆ１１４により本体制御部１２２に送信される。

更に原稿テーブル１３２面に設けられた原稿長さ検知センサ１３４又は１３５（反射型センサ又は、原稿１枚も検知可能なアクチュエーター・タイプのセンサが用いられる）により原稿の搬送方向長さの概略が判定される。

可動原稿テーブル１３１は、底板上昇モータ１１２により図に示すａ、ｂ方向に上下動可能な構成になっていて、原稿がセットされた事をセットフィラー１３３、原稿セットセンサ１００により検知すると底板上昇モータ１１２を正転させて原稿束１３０の最上面がピックアップローラー１４８と接触するように可動原稿テーブル１３１を上昇させる。ピックアップローラー１４８は、ピックアップモータ１０８によりカム機構で図に示すｃ、ｄ方向に動作すると共に、可動原稿テーブル１３１が上昇し可動原稿テーブル１３１上の原稿上面により押されてｃ方向に上がり給紙適正位置センサ１０２により上限を検知可能となっている。

操作部１２１よりプリントキーが押下され、本体制御部１２２からＩ／Ｆ１１４を介してコントローラ１１に原稿給紙信号が送信されると、ピックアップローラー１４８は給紙モータ１０９の正転によりコロが回転駆動し、原稿テーブル１３２上の数枚（理想的には１枚）の原稿をピックアップする。回転方向は、最上位の原稿を給紙口に搬送する方向である。なお、操作部１２１は、ユーザによる入力に応じて、ＡＤＦ１０に対する設定それぞれを行う設定部としての機能と、ユーザに対する表示を行う表示部（出力部）としての機能とを備えている。

給紙ベルト１３６は、給紙モータ１０９の正転により給紙方向に駆動され、リバースローラー１３７は給紙モータ１０９の正転により給紙と逆方向に回転駆動され、最上位の原稿とその下の原稿を分離して、最上位の原稿のみを給紙できる構成となっている。さらに詳しく説明すると、リバースローラー１３７は給紙ベルト１３６と所定圧で接し、給紙ベルト１３６と直接接している時、又は原稿１枚を介して接している状態では給紙ベルト１３６の回転につられて反時計方向に連れ回りし、原稿が２枚以上給紙ベルト１３６とリバースローラー１３７の間に侵入した時は連れ回り力がトルクリミッターのトルクよりも低くなるように設定されており、リバースローラー１３７は本来の駆動方向である時計方向に回転し、余分な原稿を押し戻す働きをし、重送が防止される。

給紙ベルト１３６とリバースローラー１３７との作用により１枚に分離された原稿は給紙ベルト１３６によって更に送られ、突き当てセンサ１０５によって先端が検知され更に進んで停止しているプルアウトローラー１３８に突き当たる。その後突き当てセンサ１０５の検知から所定量定められた距離送られ、結果的には、プルアウトローラー１３８に所定量撓みを持って押し当てられた状態で給紙モータ１０９を停止させることにより、給紙ベルト１３６の駆動が停止する。この時、ピックアップモータ１０８を回転させることでピックアップローラー１４８を原稿上面から退避させ原稿を給紙ベルト１３６の搬送力のみで送ることにより、原稿先端は、プルアウトローラー１３８の上下ローラー対のニップに進入し、先端の整合（スキュー補正）が行われる。

プルアウトローラー１３８は、スキュー補正機能を有すると共に、分離後にスキュー補正された原稿を中間ローラー１３９まで搬送するためのローラーで、給紙モータ１０９の逆転により駆動される。またこの時（給紙モータ１０９逆転時）、プルアウトローラー１３８と中間ローラー１３９は駆動されるが、ピックアップローラー１４８と給紙ベルト１３６は駆動されていない。

原稿幅センサ１０４は奥行き方向に複数個並べられ、プルアウトローラー１３８により搬送された原稿の搬送方向に直行する幅方向のサイズを検知する。また、原稿の搬送方向の長さは原稿の先端後端を突き当てセンサ１０５で読取ることによりモータパルスから原稿の長さを検知する。

プルアウトローラー１３８及び中間ローラー１３９の駆動によりレジスト部Ｃからターン部Ｄに原稿が搬送される際には、レジスト部Ｃでの搬送速度を第１読取搬送部Ｅでの搬送速度よりも高速に設定して原稿を読取部へ送り込む処理時間の短縮が図られている。原稿先端が読取入口センサ１０３により検出されると、読取入口ローラー１４０の上下ローラー対のニップに原稿先端が進入前に、原稿搬送速度を読取搬送速度と同速にする為に減速を開始すると同時に、読取モータ１１０を正転駆動して読取入口ローラー１４０、読取出口ローラー１４１、ＣＩＳ出口ローラー１４２を駆動する。原稿の先端をレジストセンサ１０７にて検知すると、所定の搬送距離をかけて減速し、読取位置１４３の手前で一時停止すると共に、本体制御部１２２にＩ／Ｆ１１４を介してレジスト停止信号を送信する。

続いて本体制御部１２２より読取り開始信号を受信すると、レジスト停止していた原稿は、読取位置に原稿先端が到達するまでに所定の搬送速度に立上がるように増速されて搬送される。読取モータ１１０のパルスカウントにより検出された原稿先端が読取部に到達するタイミングで、本体制御部１２２に対して第１面の副走査方向の有効画像領域を示すゲート信号が、第１読取部を原稿後端が抜けるまで送信される。

片面原稿読取りの場合には、第１読取搬送部Ｅを通過した原稿は第２読取部１１３を経て排紙部Ｇへ搬送される。この際、排紙センサ１０６により原稿の先端を検知すると、排紙モータ１１１を正転駆動して排紙ローラー１４４を反時計方向に回転させる。また、排紙センサ１０６による原稿の先端検知からの排紙モータパルスカウントにより、原稿後端が排紙ローラー１４４の上下ローラー対のニップから抜ける直前に排紙モータ駆動速度を減速させて、排紙トレイ１４５上に排出される原稿が飛び出さない様に制御される。

両面原稿読取りの場合には、排紙センサ１０６にて原稿先端を検知してから読取モータ１１０のパルスカウントにより第２読取部１１３に原稿先端が到達するタイミングで第２読取部１１３に対してコントローラ１１から副走査方向の有効画像領域を示すゲート信号が第２読取部１１３を原稿後端が抜けるまで送信される。第２読取部１１３に対向する濃度基準部材１４６は、第２読取部１１３における原稿の浮きを抑えると同時に、第２読取部１１３におけるシェーディングデータを取得する為の固定された板状の基準白部である。

図３は、第２読取部１１３の電気回路の要部を例示するブロック図である。図３に示すように、第２読取部１１３は、ＬＥＤ、蛍光灯、又は冷陰極管などからなる光源部５００を有する。なお、光源部５００は、図５に示した光源部４０及び導光体４１に相当し、導光体などと共に光を主走査方向に照射する照射部を構成する。また、図３に示した第２読取部１１３を構成する各部は、コントローラ１１の制御によって動作する。

また、第２読取部１１３は、主走査方向（原稿幅方向に対応する方向）に並ぶ複数のセンサ（センサチップ：光電変換素子）４３、それぞれのセンサ４３に個別に接続された複数のアンプ回路５０２、それぞれのアンプ回路５０２に個別に接続された複数のＡ／Ｄ変換部５０３も有している。Ａ／Ｄ変換部５０３の出力信号には、信号成分以外に黒レベルオフセットがある。第２読取部１１３は、黒レベルオフセットを除去する黒補正部５０４を有している。黒補正部５０４の出力信号に対し、光源部５００のムラやセンサ４３の感度不均一による画像データへの影響の除去をする白補正を白補正部５０５が行う。また、白補正部５０５は、濃度基準部材１４６を読み取り、この濃度基準部材１４６の読み取り結果と過去の濃度基準部材１４６の読み取り結果との比較に基づいて光量低下の度合い（補正係数）を求め、シェーディング補正データによる補正結果にさらに補正する機能も搭載していてもよい。更に、第２読取部１１３は、画像処理部５０６、フレームメモリ５０７、出力制御回路５０８、Ｉ／Ｆ回路５０９なども有している。

センサ４３は、例えば等倍密着イメージセンサ（ＣＩＳ）と称される光電変換素子と集光レンズ（ロッドレンズ）とを具備する。第２読取部１１３による読取位置に原稿が進入するのに先立って、コントローラ１１から光源部５００に点灯ＯＮ信号が送られる。これにより、光源部５００が点灯し、その光を原稿に向けて照射する。

原稿で反射した反射光は、複数のセンサ４３において、集光レンズによって光電変換素子に集光されて画像情報として読み取られる。それぞれのセンサ４３で読み取られた画像情報は、アンプ回路５０２によって増幅された後、Ａ／Ｄ変換部５０３によってデジタル画像情報（複数の画素それぞれの画素値）に変換される。デジタル画像情報は、例えば８ｂｉｔで示される場合には、黒の画素値が０となり、白の画素値が２５５となる。

これらデジタル画像情報は、黒補正部５０４によりオフセット成分を除去（黒補正）され、白補正部５０５により補正され、画像処理部５０６に入力されてライン間補正などが施された後、フレームメモリ５０７に一時記憶される。

その後、デジタル画像情報は、出力制御回路５０８によって本体制御部１２２に受入可能なデータ形式に変換された後、Ｉ／Ｆ回路５０９を経由して本体制御部１２２に出力される。なお、コントローラ１１からは原稿の先端が第２読取部１１３による読取位置に到達するタイミング（そのタイミング以降の画像データが有効データとして扱われる）を知らせるためのタイミング信号や光源の点灯信号、電源等が出力されるようになっている。

図４は、ＡＤＦ１０がシェーディングデータを生成する動作の概要を示すフローチャートである。ＡＤＦ１０は、センサ４３がもつオフセット成分を除去するために、光源部５００を消灯させてセンサ４３が読取ったデータを画素毎の黒レベルデータとして取得する（Ｓ１００）。次に、ＡＤＦ１０は、光源部５００を点灯させ（Ｓ１０２）、センサ４３が濃度基準部材１４６を読み取って（Ｓ１０４）、読取ったデータから黒レベルデータを減算して（黒補正を行い）、シェーディングデータを生成する（Ｓ１０６）。

次に、ＡＤＦ１０が生成するシェーディングデータについて詳述する。図５は、第２読取部１１３及びその周辺の構成と、第２読取部１１３の出力レベルとの関係を示す図である。第２読取部１１３は、例えば一方向に延びるロッドレンズアレイを用いた密着型イメージセンサ（ＣＩＳ：Contact Image Sensor）である読取モジュールとなっている。

第２読取部１１３においては、例えばＬＥＤなどの光源部４０が主走査方向に延びる導光体４１の端部（両端）に設けられている。導光体４１、ロッドレンズアレイ４２及びセンサ４３は、それぞれ略平行に配置されている。光源部４０及び導光体４１は、一方向に延びて光を照射する照射部（光源部５００：図３）となっている。ロッドレンズアレイ４２は、主走査方向に配列された略同じ直径の複数のロッドレンズ４２０を有する。なお、略同じとは、差分が所定の閾値以下であることをいう。センサ４３には、複数の画素４３０が主走査方向に配列されている。ロッドレンズアレイ４２は、照射部が照射した光の原稿や濃度基準部材１４６による反射光（又は透過光）をセンサ４３へ結像する。各センサ４３０は、ロッドレンズアレイ４２により結像された光の光量を、主走査方向に配列された複数の画素４３０の電気信号に変換する。

ロッドレンズ４２０は、中心付近では光を集光し易く出力レベルが高いが、端部においては出力レベルが低下する。そのため、ロッドレンズアレイ４２は、ロッドレンズ４２０の配列間隔に応じて出力レベルの高い位置と低い位置が周期的に発生する。また、ロッドレンズ４２０の配列間隔が例えば０．３ｍｍである場合、画素解像度６００ｄｐｉに換算すると、ロッドレンズ４２０の配列間隔当たりの画素数は、７．０９画素となり、必ずしも整数画素とはならない。つまり、ある注目画素での画素値と、注目画素からロッドレンズ４２０の配列間隔だけ離れた位置に近い比較画素の画素値との差分を求めて、差分が所定の閾値を超えているか否かを判定しても、濃度基準部材１４６に異物などが付着しているか否かを正確に検知することはできない。

そこで、ＡＤＦ１０は、以下に示す処理を行って濃度基準部材１４６に異物などが付着しているか否かを判定し、異物などの影響を低減させたシェーディングデータを生成することにより、画像読取精度を向上させている。まず、図６〜図９を用いて、ＡＤＦ１０が異物を検出（有無を判定）する処理例について説明する。

図６は、ＡＤＦ１０が異物を検出（有無を判定）するために有する機能（異物判定機能）の概要を示すブロック図である。図７は、ＡＤＦ１０がシェーディングデータにおける異物の有無を判定する処理例を示すフローチャートである。図６に示すように、ＡＤＦ１０は、第１記憶部６０、第２記憶部６１、比較画素生成部６２、比較部６３及び異物判定部６４を有する。比較画素生成部６２、比較部６３及び異物判定部６４は、例えばコントローラ１１が備えるＣＰＵが実行するプログラム、又はハードウェアによって一部又は全部が構成される。第１記憶部６０及び第２記憶部６１は、例えばコントローラ１１が備えるメモリによって構成される。

まず、コントローラ１１は、シェーディングデータを揮発性メモリである第１記憶部６０に格納し、注目画素となる画素位置のポインタＰを初期化する（Ｓ２００）。上述したように、ロッドレンズ４２０の配列間隔を所定解像度における画素数に換算すると整数にはならないため、ここでは画素数（画素幅）の整数部をＤ、小数部をｄと定義し、決定する（Ｓ２０２）。

例えば、ロッドレンズ４２０の配列間隔が０．３ｍｍの場合、ロッドレンズ４２０の配列間隔は、６００ｄｐｉの画素数に換算すると７．０９画素になるので、この場合はＤ＝７、ｄ＝０．０９となる。後述する補間演算は、このＤとｄの値に基づいて行われる。このＤ及びｄのパラメータは、ロッドレンズ４２０の直径の製造上の個体ばらつきや密着型イメージセンサ（ＣＩＳ：Ｃｏｎｔａｃｔ Ｉｍａｇｅ Ｓｅｎｓｏｒ）の組立時のばらつきによって一定ではないため、操作部１２１が受入れる操作入力に応じて変更可能にされてもよい。この場合には、操作部１２１が配列間隔設定部となって操作入力が比較画素生成部６２に対して入力される。

コントローラ１１は、ポインタＰ、Ｐ＋Ｄ−１、Ｐ＋Ｄ、Ｐ＋Ｄ＋１、Ｐ＋Ｄ＋２の画素値を読み出す（Ｓ２０４）。ここで、ポインタＰの画素位置における画素値をＳ（Ｐ）とする。また、ポインタＰは、注目画素位置を示しており、Ｐ＋Ｄ−１、Ｐ＋Ｄ、Ｐ＋Ｄ＋１、Ｐ＋Ｄ＋２の４点については、図８に示すように、注目画素位置Ｐからロッドレンズ４２０の配列間隔であるＤ＋ｄ離れた位置における最も近い４画素の位置を示している。

比較画素生成部６２は、ポインタＰ＋Ｄ−１、Ｐ＋Ｄ、Ｐ＋Ｄ＋１、Ｐ＋Ｄ＋２の位置における画素値計４点を用いて、仮想の画素位置における画素値（これを比較画素値と呼ぶ）を生成（算出）する（Ｓ２０６）。この画素値をＳ（Ｐ＋Ｄ＋ｄ）と呼ぶ。比較画素値は、注目画素からロッドレンズ４２０の配列間隔（Ｄ＋ｄ）離れた位置における画素値である。

比較部６３は、Ｓ２０４及びＳ２０６の処理で求めた２つの画素値を比較、例えば差分を取り、これをΔＳ（＝Ｓ（Ｐ）−Ｓ（Ｐ＋Ｄ＋ｄ））とする（Ｓ２０８）。このとき、Ｓ（Ｐ）とＳ（Ｐ＋Ｄ＋ｄ）は、ロッドレンズ４２０の配列間隔（Ｄ＋ｄ）離れた位置の画素値であるため、センサ４３の出力値は同等となるが、濃度基準部材１４６に異物があると差が生じる。

コントローラ１１は、Ｓ２０８の処理で算出したΔＳが所定の閾値を超えていた場合、異物があると判定して処理を終了し（Ｓ２１０：Ｙｅｓ）、閾値を超えていなければ正常と判定してＳ２１２の処理に進む（Ｓ２１０：Ｎｏ）。

コントローラ１１は、ポインタＰが最終画素位置でない場合は（Ｓ２１２：Ｎｏ）、ポインタＰの値を１インクリメントし（Ｓ２１６）、Ｓ２０４の処理に戻り、主走査方向の次の画素について、異物の有無の判定を行う。また、コントローラ１１は、ポインタＰが最終画素位置である場合は（Ｓ２１２：Ｙｅｓ）、この時点でシェーディングデータに異物の影響がなかったことになるので、第１記憶部６０に格納されているシェーディングデータを不揮発性メモリである第２記憶部６１に格納し、処理を終了する（Ｓ２１４）。

なお、比較画素生成部６２は、例えばバイキュービック法（３次関数コンボリューション法）を用いて注目画素からロッドレンズ４２０の配列間隔（Ｄ＋ｄ）離れた位置（図８に白丸で示した比較画素位置）における画素値を求める。例えば、ポインタＰ＋Ｄ−１、Ｐ＋Ｄ、Ｐ＋Ｄ＋１、Ｐ＋Ｄ＋２が示す画素位置における画素値をそれぞれ、Ｓ（Ｐ＋Ｄ−１）、Ｓ（Ｐ＋Ｄ）、Ｓ（Ｐ＋Ｄ＋１）、Ｓ（Ｐ＋Ｄ＋２）とすると、求める比較画素位置における画素値Ｓ（Ｐ＋Ｄ＋ｄ）は、下式１によって表される。

Ｓ（Ｐ＋Ｄ＋ｄ）＝ Ｗ１・Ｓ（Ｐ＋Ｄ−１）＋Ｗ２・Ｓ（Ｐ＋Ｄ）
＋Ｗ３・Ｓ（Ｐ＋Ｄ＋１）＋Ｗ４・Ｓ（Ｐ＋Ｄ＋２） ・・・（１）

ここで、Ｗ１〜Ｗ４は補正係数である。画素数の小数部ｄに対して、１／３２画素（≒０．０３１画素）までの分解能に対応可能にする場合、補正係数Ｗ１〜Ｗ４はの図９に示されたようになる。

ロッドレンズ４２０の配列間隔に対応する画素数の小数部ｄは、正の値だけでなく、負の値となることがある。例えば、ロッドレンズ４２０の配列間隔が６．９画素分である場合、Ｄ＝７、ｄ＝−０．１とすることがある。ｄが負の値の場合、図８に示した比較画素位置は、Ｐ＋Ｄの画素位置よりも図中の左側になる。よって、バイキュービック法で用いる画素位置は図８の例の画素位置から１画素分ずれたＰ＋Ｄ−２、Ｐ＋Ｄ−１、Ｐ＋Ｄ、Ｐ＋Ｄ＋１の４点となる。

また、ここでは比較部６３が注目画素と比較画素との差を取っているが、注目画素と比較画素との比をとることによっても、同様の方法で異物検知をすることが可能である。

このように、ＡＤＦ１０は、注目画素からロッドレンズ４２０の配列間隔だけ離れた位置における画素値を生成し、注目画素との比較対象にすることにより、ロッドレンズ４２０に対して配列間隔離れた位置関係の画素値を比較でき、高精度に濃度基準部材１４６及び読取位置のガラス面の異物を検出可能である。

次に、ＡＤＦ１０が異物を検出するために有する機能（異物判定機能）の第１変形例について説明する。図１０は、主走査方向に配列された複数のセンサ４３の出力レベル（シェーディングデータ）を模式的に示す図である。

シェーディングデータは、ロッドレンズアレイ４２の構造に起因する比較的高周波な変動成分の他に、導光体４１を含む光源部５００の構造に起因する照明ムラなどの影響によって、主走査方向に比較的緩やかな変動（低周波成分）を持つことが知られている。特に、主走査方向の両端部では、図１０（ａ）に示すように、出力レベルが低下する。

このシェーディングデータの変動が考慮されなければ、異物がない範囲でも注目画素値と比較画素値の差が大きくなり、異物があると誤検出が発生する可能性がある。そこで、ＡＤＦ１０は、図１０（ａ）に示したシェーディングデータから、図１０（ａ）に示したシェーディングデータを平滑化したデータ、すなわち図１０（ｂ）に示した変動成分（低周波成分）を減算して除去する。この結果、図１０（ｃ）に示したように、ロッドレンズアレイ４２による変動成分と異物による変動成分を含むデータが抽出される。

図１１は、ＡＤＦ１０が異物を検出（有無を判定）するために有する機能の第１変形例を示すブロック図である。なお、ＡＤＦ１０が有する機能であって実質的に同一のものには、同一の符号が付してある。図１１に示すように、異物判定機能の第１変形例では、ＡＤＦ１０は、第１記憶部６０、第２記憶部６１、比較画素生成部６２、比較部６３、異物判定部６４及び高周波成分抽出部６５を有する。

高周波成分抽出部６５は、平滑部６５０及び減算部６５２を有する。平滑部６５０は、シェーディングデータを平滑化する。減算部６５２は、平滑部６５０が平滑化したデータをシェーディングデータから減算する。つまり、コントローラ１１は、第１記憶部６０からシェーディングデータを読み出し、高周波成分抽出部６５においてシェーディングデータの低周波成分を除去した後、上述した異物判定を行う。

次に、ＡＤＦ１０が異物を検出（有無を判定）するために有する機能（異物判定機能）の第２変形例について説明する。図１２は、ＡＤＦ１０が異物を検出（有無を判定）するために有する機能の第２変形例を示すブロック図である。図１２に示すように、異物判定機能の第２変形例では、ＡＤＦ１０は、第１記憶部６０、第２記憶部６１、比較画素生成部６２−１〜６２−２ｎ、比較部６３、異物判定部６４、比較画素数設定部６６及び平均化部（第１平均化部）６７を有する。

また、図１３は、異物判定機能の第２変形例における画素値を生成する位置を示す図である。図１４は、異物判定機能の第２変形例が異物の有無を判定する処理を示すフローチャートである。シェーディングデータは、各ロッドレンズ４２０の主走査方向の同じ位置における各画素値を比べると、センサ４３のランダムノイズの影響などにより、完全に画素値が一致するわけではない。そこで、異物判定機能の第２変形例では、注目画素に対する比較画素を数点取得し、その数点の比較画素を平均化して、注目画素と比較する。

図１４に示すように、コントローラ１１は、シェーディングデータを揮発性メモリである第１記憶部６０に格納し、注目画素となる画素位置のポインタＰを初期化する（Ｓ３００）。次に、コントローラ１１は、ロッドレンズ４２０の配列間隔（Ｄ＋ｄ）の画素数（画素幅）の整数部をＤ、小数部をｄと定義し、注目画素からの平均化範囲ｎを決定する（Ｓ３０２）。ｎは、注目画素の周り何周期までを比較画素の対象とするかを示すパラメータであり、例えばｎ＝２であれば、注目画素位置Ｐから周り２周期までを比較画素の対象とするため、比較画素生成部６２−１〜６２−２ｎが生成する比較画素はそれぞれ計４点となる。パラメータｎは、比較画素数設定部６６が設定する。

比較画素生成部６２−１〜６２−２ｎは、各比較画素を生成する処理を行う（Ｓ４０）。ここで、比較画素生成部６２−１〜６２−２ｎが行うＳ４０の処理については、図１５を用いて詳述する。図１５は、比較画素生成部６２−１〜６２−２ｎが行う処理を示すフローチャートである。

まず、コントローラ１１は、パラメータｋの値を−ｎに決定する（Ｓ４００）。パラメータｋとは、注目画素に対してどこの周期の比較画素値を生成するかを示す。例えばｎ＝２の場合、ｋ＝−２となり、図１３に示したように、注目画素位置Ｐからセンサ（センサチップ）４３の先端側（図１３の左側）２周期離れた位置における画素値を生成することを示す。

次に、コントローラ１１は、その時のｋの正負を判断する（Ｓ４０２）。ここでは、図８に示したバイキュービック法を使用しており、求める比較画素位置の画素値を周りの４点の画素値を使用して生成するが、注目画素からセンサ４３の先端側（図１３の左側）の画素値を生成するか、センサ４３の後端側（図１３の右側）の画素値を生成するかで、生成に使用する４点の画素位置を示すポインタがそれぞれ異なるため、ｋの正負を判断している。

Ｓ４０４及びＳ４２２の処理では、画素数の小数部ｄの整数倍が１画素を超えていないかを判断する。１画素以上を超えている場合は、超えている整数画素分（Ｃとする：Ｓ４１６、Ｓ４２８）だけ画素値の生成に使用する４点の画素位置を示すポインタがずれるため、Ｓ４０４及びＳ４２２の判定が必要となる。

コントローラ１１は、ポインタが示す比較画素周りの４画素の画素値を読み出す（Ｓ４０６、Ｓ４１８、Ｓ４２４、Ｓ４３０）。

コントローラ１１は、その４つの画素値から仮想の画素値（比較画素値）を図１２の比較画素生成部にて生成する（Ｓ４０８、Ｓ４２０、Ｓ４２６、Ｓ４３２）。

そして、コントローラ１１は、ｋ＝ｎであるか否かを判定する（Ｓ４１０）。コントローラ１１は、ｋ＝ｎでなければ（Ｓ４１０：Ｎｏ）、ｋをインクリメントし（Ｓ４１２）、再び隣の周期の比較画素値を生成する（図１３の場合は、次に隣のｋ＝−１の画素値を生成）。

コントローラ１１は、ｋが０ではないことを判定する（Ｓ４１４）。コントローラ１１は、ｋ＝０である場合、それは注目画素位置を示しており、画素値を生成する必要はないため、再びＳ４１２の処理に進んでｋをインクリメントする（Ｓ４１４：Ｎｏ）。また、コントローラ１１は、ｋ≠０である場合、Ｓ４０２の処理に進む。

また、コントローラ１１は、ｋ＝ｎであると判定した場合（すべての比較画素値を生成した場合）、Ｓ３０４の処理に進む。

そして、コントローラ１１は、Ｓ４０の処理で生成した画素値の平均値Ｓ（Ａｖｅ）を平均化部６７に算出させる（図１４：Ｓ３０４）。

コントローラ１１は、ポインタＰの画素位置における画素値Ｓ（Ｐ）を算出する（Ｓ３０６）。比較部６３は、２つの画素値の差分を取り、ΔＳ＝Ｓ（Ｐ）−Ｓ（Ａｖｅ）を算出する（Ｓ３０８）。

コントローラ１１は、Ｓ３０８の処理で算出したΔＳが所定の閾値を超えていた場合、異物があると判定して処理を終了し（Ｓ３１０：Ｙｅｓ）、閾値を超えていなければ正常と判定してＳ３１２の処理に進む（Ｓ３１０：Ｎｏ）。

コントローラ１１は、ポインタＰが最終画素位置でない場合は（Ｓ３１２：Ｎｏ）、ポインタＰの値を１インクリメントし（Ｓ３１６）、Ｓ４０の処理に戻り、主走査方向の次の画素について、異物の有無の判定を行う。また、コントローラ１１は、ポインタＰが最終画素位置である場合は（Ｓ３１２：Ｙｅｓ）、この時点でシェーディングデータに異物の影響がなかったことになるので、第１記憶部６０に格納されているシェーディングデータを不揮発性メモリである第２記憶部６１に格納し、処理を終了する（Ｓ３１４）。

なお、ＡＤＦ１０は、シェーディングデータを複数回（数ライン分）取得し、画素毎に平均化した後に、異物判定機能の第２変形例による処理を行ってもよい。この場合、例えば第１記憶部６０に入力される入力データを平均化するライン平均化部が設けられてもよい。ＡＤＦ１０は、シェーディングデータを平均化した後に、異物判定を行うことにより、センサ４３のランダムノイズや光源部５００の光量の経時変化の影響を軽減してさらに精度の高い異物判定（異物検知）を行うことが可能となる。

次に、ＡＤＦ１０が異物を検出（有無を判定）するために有する機能（異物判定機能）の第３変形例について説明する。図１６は、ＡＤＦ１０が異物を検出（有無を判定）するために有する機能の第３変形例を示すブロック図である。図１７は、異物判定機能の第３変形例における画素値を生成する位置を示す図である。図１６に示すように、異物判定機能の第３変形例では、ＡＤＦ１０は、第１記憶部６０、第２記憶部６１、比較画素生成部６２−１〜６２−ｎ’、比較部６３、異物判定部６４、比較画素数設定部６６、平均化部６７及び平均化部（第２平均化部）６７ａを有する。

異物判定機能の第２変形例では、注目画素に対する比較画素について平均値をとることによってノイズの影響を抑え、異物検知精度を上げたが、異物判定機能の第３変形例では、注目画素の平均値を算出することによって注目画素自体のノイズの影響を低減する。

具体的には、異物判定機能の第３変形例では、コントローラ１１は、注目画素Ａに対して、周りの画素Ｂ・画素Ｃを用いて注目画素平均値を求め、画素Ａ、Ｂ、Ｃに対してロッドレンズ４２０の配列間隔分離れた位置における画素Ａ’、Ｂ’、Ｃ’の画素値をバイキュービック法で生成する。そして、コントローラ１１は、それらの平均値（比較画素平均値）を算出した後、平均化部６７ａが算出した注目画素平均値と、平均化部６７が算出した比較画素平均値の差分を比較部６３が算出し、異物判定部６４が異物判定を行う。

なお、注目画素及び比較画素をそれぞれ何点取得し平均化するかは、比較画素数設定部６６がパラメータｎ’を設定することによって決める。例えば、図１７に示した画素Ａ，Ｂ，Ｃの画素値の平均値と画素Ａ’、Ｂ’、Ｃ’の画素値の平均値を比較する場合、ｎ’＝３である。

なお、ここでは注目画素・比較画素をそれぞれ３点の画素値で平均化したが（ｎ’＝３）、ｎ’が大きすぎると異物の影響も平均化され異物検知精度が下がるので最大ロッドレンズ１周期間隔分が妥当である。

また、ＡＤＦ１０は、第２読取部１１３の密着型イメージセンサの組立時において、ロッドレンズアレイ４２がたわんで配置される場合がある。例えば、図１８に示すように、ロッドレンズアレイ４２のたわみにより、センサ４３の軸に対して、ロッドレンズアレイ４２の中心軸がずれていることがある。

図１８に示されたように、ロッドレンズ４２０の幅に対応する画素数が場所によって異なる。ロッドレンズアレイ４２端部側の画素数ａとロッドレンズアレイ４２中央側の画素数ｂとでは差異（ａ＜ｂ）が生じている。つまり、場所によって画素数の小数部を表すパラメータｄに差異が生じ、異物検知に影響を与えうる。

そこで、ＡＤＦ１０は、図１９に示したように、シェーディングデータを主走査方向にＺブロックに分割し、各々のブロックでロッドレンズ４２０の配列間隔（Ｄ＋ｄ）の整数部Ｄ、小数部ｄを任意に設定可能にされてもよい。例えば、１ブロックはＤ１，ｄ１、２ブロックはＤ２，ｄ２、・・・、ＺブロックはＤＺ，ｄＺのように、ブロックごとに整数部Ｄ，小数部ｄが個別に設定されてもよい。

この場合、コントローラ１１は、図２０に示した処理を行う。つまり、コントローラ１１は、シェーディングデータを揮発性メモリである第１記憶部６０に格納し、注目画素となる画素位置のポインタＰを初期化し（Ｓ５００）、ブロック分割数Ｚ、及び画素数（画素幅）の整数部Ｄ、小数部ｄをブロックごとに定義し、決定する（Ｓ５０２）。

コントローラ１１は、ポインタＰ、Ｐ＋Ｄ−１、Ｐ＋Ｄ、Ｐ＋Ｄ＋１、Ｐ＋Ｄ＋２の画素値を読み出し、ポインタＰの画素位置における画素値をＳ（Ｐ）とする（Ｓ５０４）。

比較画素生成部６２は、ポインタＰ＋Ｄ−１、Ｐ＋Ｄ、Ｐ＋Ｄ＋１、Ｐ＋Ｄ＋２の位置における画素値計４点を用いて、仮想の画素位置における画素値Ｓ（Ｐ＋Ｄ＋ｄ）を生成（算出）する（Ｓ５０６）。

比較部６３は、Ｓ５０４及びＳ５０６の処理で求めた２つの画素値を比較、例えば差分を取り、これをΔＳ（＝Ｓ（Ｐ）−Ｓ（Ｐ＋Ｄ＋ｄ））とする（Ｓ５０８）。このとき、Ｓ（Ｐ）とＳ（Ｐ＋Ｄ＋ｄ）は、ロッドレンズ４２０の配列間隔（Ｄ＋ｄ）離れた位置の画素値であるため、センサ４３の出力値は同等となるが、濃度基準部材１４６に異物があると差が生じる。

コントローラ１１は、Ｓ５０８の処理で算出したΔＳが所定の閾値を超えていた場合、異物があると判定して処理を終了し（Ｓ５１０：Ｙｅｓ）、閾値を超えていなければ正常と判定してＳ５１２の処理に進む（Ｓ５１０：Ｎｏ）。

コントローラ１１は、ポインタＰが最終画素位置でない場合（Ｓ５１２：Ｎｏ）、Ｓ５１６の処理に進む。コントローラ１１は、分割した各ブロックの最終画素であるか否かを判定し（Ｓ５１６）、最終画素であれば（Ｓ５１６：Ｙｅｓ）、Ｓ５１８の処理でＺをインクリメントし、隣のブロックの異物判定を開始する。また、コントローラ１１は、最終画素でなければ（Ｓ５１６：Ｎｏ）、ポインタＰの値を１インクリメントし（Ｓ５２０）、Ｓ５０４の処理に戻り、主走査方向の次の画素について、異物の有無の判定を行う。

また、コントローラ１１は、ポインタＰが最終画素位置である場合は（Ｓ５１２：Ｙｅｓ）、この時点でシェーディングデータに異物の影響がなかったことになるので、第１記憶部６０に格納されているシェーディングデータを不揮発性メモリである第２記憶部６１に格納し、処理を終了する（Ｓ５１４）。

また、第２読取部１１３の密着型イメージセンサは、複数の画素４３０を有するセンサ（チップ）４３が複数個、主走査方向に配列された構成であるため、センサ４３ごとの感度差（ばらつき）により、入射光量が均一であったとしても、図２１に示したように隣り合うセンサ４３同士で画素値が相違する場合がある。

さらに、図２１に示したように、センサ４３のつなぎ目には物理的に例えば１画素分の間隙が存在する。そのため、注目画素や比較画素同士でセンサ４３間を跨がる場合、センサ４３同士の感度差の影響や１画素分の間隙による画素間隔のずれの影響が含まれてしまうため、異物検知には避ける必要がある。そこで、ＡＤＦ１０は、センサ４３を跨がずに異物判定をするようにされている。

ここでは、注目画素周り１周期までを比較画素の対象とする場合（ｎ＝１）を例に説明する。上述したようにロッドレンズ４２０の配列間隔をＤ＋ｄ（Ｄ：整数部、ｄ：画素小数点部）とし、センサ４３あたりＸ画素あるとすると、図２２の灰色で示す範囲に注目画素の位置を示すポインタＰがある場合は各センサ４３中央側から比較画素値を生成することによって、センサ４３ごとの感度差の影響を回避することができる。

具体的には、図２２に示すように、センサ４３のＮチップ目に対する適応範囲は、注目画素位置を示すポインタＰが下式２のときは、センサ４３の先端側（図２２のチップの左側）から比較画素を生成しない。

（Ｎ−１）・Ｘ＋１≦ Ｐ ≦（Ｎ−１）・Ｘ＋Ｄ ・・・（２）

また、注目画素位置を示すポインタＰが下式３のときは、センサ４３の後端側（図２２のチップの右側）から比較画素を生成しない（図２３参照）。

Ｎ・Ｘ−Ｄ＋１≦ Ｐ ≦Ｎ・Ｘ ・・・（３）

ここでは、注目画素周り１周期までを比較画素の対象とする場合（ｎ＝１）を示しているが、注目画素周り数周期（ｎ≧２）の範囲を比較画素の対象とする場合は、ポインタＰが下式４又は５のときすべてに対して、センサ４３中央側の比較画素値を生成するのではなく、図２４に示したように可能な限りセンサ４３端部側の画素値を生成するようにすればより比較データが増えて検知精度が上がる。

（Ｎ−１）・Ｘ＋１≦ Ｐ ≦（Ｎ−１）・Ｘ＋ｎＤ ・・・（４）
Ｎ・Ｘ−ｎＤ＋１≦ Ｐ ≦Ｎ・Ｘ ・・・（５）
（ただし、ｎ・ｄが１画素を超えないとき）

さらに、ＡＤＦ１０は、以下のように異物判定を行う場合の閾値を変更するようにされてもよい。例えば、センサ４３の内部回路構成に起因して、センサ４３内の所定の画素領域が、その他画素群とは異なるリニアリティ特性を示す場合がある。図２５は、センサ４３端部の画素値がその他画素値に比べて低い場合を例示する図である。

図２５に示したように、注目画素又は比較画素が、画素値が低下する範囲（以下、減少範囲と呼ぶ）にある場合、比較結果が大きく出てしまい、異物の誤検知をする可能性がある。そこで、ＡＤＦ１０は、減少範囲において異物判定の閾値を変更するように構成されている。異物検知の閾値変更範囲は、図２６にも示したように、減少範囲をａ画素分とすると、画素位置Ｐ’が下式６又は７によって示される範囲である。

（Ｎ−１）・Ｘ＋１≦ Ｐ’ ≦（Ｎ−１）・Ｘ＋ａ ・・・（６）
Ｎ・Ｘ−ａ＋１≦ Ｐ’ ≦Ｎ・Ｘ ・・・（７）

より具体的には、図２７に示したように、通常は異物検知の閾値を０±１ｄｉｇｉｔとしていても、注目画素が減少範囲に含まれている場合には異物検知の閾値を−５±１ｄｉｇｉｔとする。

また、ＡＤＦ１０は、比較画素が減少範囲に含まれる場合も同様に異物検知の閾値を変化させられてもよい。また、比較画素生成時に用いる画素値が減少範囲にどれほど含まれているかによって、比較結果（図２７のΔＳ）が変動するため、減少範囲はマスク（比較画素を生成するための画素値として対象から除外）されてもよい。

次に、ＡＤＦ１０の他の動作例について説明する。図２８は、ＡＤＦ１０の他の動作例を示すフローチャートである。コントローラ１１は、シェーディングデータを揮発性メモリである第１記憶部６０に格納し、注目画素となる画素位置のポインタＰを初期化し（Ｓ６００）、画素数（画素幅）の整数部をＤ、小数部をｄと定義し、決定する（Ｓ６０２）。

コントローラ１１は、ポインタＰ、Ｐ＋Ｄ−１、Ｐ＋Ｄ、Ｐ＋Ｄ＋１、Ｐ＋Ｄ＋２の画素値を読み出し、ポインタＰの画素位置における画素値をＳ（Ｐ）とする（Ｓ６０４）。

比較画素生成部６２は、ポインタＰ＋Ｄ−１、Ｐ＋Ｄ、Ｐ＋Ｄ＋１、Ｐ＋Ｄ＋２の位置における画素値計４点を用いて、仮想の画素位置における比較画素値Ｓ（Ｐ＋Ｄ＋ｄ）を生成（算出）する（Ｓ６０６）。

比較部６３は、Ｓ６０４及びＳ６０６の処理で求めた２つの画素値を比較、例えば差分を取り、これをΔＳ（＝Ｓ（Ｐ）−Ｓ（Ｐ＋Ｄ＋ｄ））とする（Ｓ６０８）。

コントローラ１１は、Ｓ６０８の処理で算出したΔＳが所定の閾値を超えていた場合（Ｓ６１０：Ｙｅｓ）、異物があると判定してＳ６１８の処理に進む。コントローラ１１は、Ｓ６１８の処理において、異物を検知したこと及びその位置を操作部１２１に表示させる。また、コントローラ１１は、Ｓ６０８の処理で算出したΔＳが所定の閾値を超えていなければ正常と判定してＳ６１２の処理に進む（Ｓ６１０：Ｎｏ）。

コントローラ１１は、ポインタＰが最終画素位置でない場合は（Ｓ６１２：Ｎｏ）、ポインタＰの値を１インクリメントし（Ｓ６１６）、Ｓ６０４の処理に戻り、主走査方向の次の画素について、異物の有無の判定を行う。また、コントローラ１１は、ポインタＰが最終画素位置である場合は（Ｓ６１２：Ｙｅｓ）、この時点でシェーディングデータに異物の影響がなかったことになるので、第１記憶部６０に格納されているシェーディングデータを不揮発性メモリである第２記憶部６１に格納し、処理を終了する（Ｓ６１４）。

このように、ＡＤＦ１０は、注目画素と比較画素との比較結果が閾値を超え、異物が検知された場合、操作部１２１に異物を検知したこと及びその位置を表示することにより、異物を検知したことをユーザに知らせることができる。

次に、ＡＤＦ１０を有する画像形成装置３００について説明する。図２９は、ＡＤＦ１０を有する画像形成装置３００の構成を示す図である。画像形成装置３００は、給紙部３０３、画像形成装置本体３０４、スキャナ（画像読取装置）２００及びＡＤＦ１０を有する。

画像形成装置本体３０４内には、タンデム方式の作像部３０５とこの作像部３０５に給紙部３０３から搬送路３０７を介して記録紙を供給するレジストローラ３０８と、光書き込み装置３０９と、定着、搬送部３１０と、両面トレイ３１１とを備えている。

作像部３０５には、ＹＭＣＫ４色に対応して４本の感光体ドラム３１２が並設され、各感光体ドラム３１２の回りは帯電器、現像器３０６、転写器、クリーナ、及び除電器を含む作像要素が配置されている。

また、転写器と感光体ドラム３１２との間には両者のニップに挟持された状態で駆動ローラと従動ローラとの間に張架された中間転写ベルト３１３が配置されている。

このように構成されたタンデム方式の画像形成装置３００では、ＹＭＣＫの各色毎に各色に対応する感光体ドラム３１２に光書き込みを行い、現像器３０６で各色のトナー毎に現像し、中間転写ベルト３１３上に例えばＹ，Ｍ，Ｃ，Ｋの順で１次転写する。

そして、１次転写により４色重畳されたフルカラーの画像を記録紙に２次転写した後、定着して排紙することによりフルカラーの画像を記録紙上に形成する。

以上説明したように、ＡＤＦ１０は、例えば製品製造時、第２読取部１１３及び濃度基準部材１４６の交換時などにおいて、シェーディングデータの注目画素からロッドレンズ４２０の配列間隔だけ離れた位置における画素値を生成し注目画素との比較対象にすることにより、高精度に濃度基準部材１４６及びガラス面上に異物が付着していたか否かを検出することができる。

１０ ＡＤＦ（画像読取装置）
１１ コントローラ
４２ ロッドレンズアレイ
４３ センサ
６０ 第１記憶部
６１ 第２記憶部
６２ 比較画素生成部
６２−１〜６２−２ｎ 比較画素生成部
６２−１〜６２−ｎ’ 比較画素生成部
６３ 比較部
６４ 異物判定部
６５ 高周波成分抽出部
６６ 比較画素数設定部
６７ 平均化部
６７ａ 平均化部
１１３ 第２読取部
１２１ 操作部
１４６ 濃度基準部材
３００ 画像形成装置
４２０ ロッドレンズ
４３０ 画素
５００ 光源部
６５０ 平滑部
６５２ 減算部

特開２０１６−０３９４１６号公報 特開２０１３−１５７９２２号公報

Claims (15)

1. 一方向に延びて光を照射する照射部と、
   前記照射部が照射する光の反射光又は透過光を配列された複数の画素ごとに光電変換し、複数の画素それぞれの画素値を出力する光電変換素子と、
   前記照射部が照射する光の反射光又は透過光を前記光電変換素子に結像する略同じ直径の配列された複数のレンズと、
   前記照射部が濃度基準部材に照射した光の反射光を前記レンズそれぞれが前記光電変換素子に結像した場合に前記光電変換素子が出力した複数の画素値を用いて、注目画素から前記レンズの配列間隔分離れた位置の画素値を比較画素の画素値として生成する比較画素生成部と、
   前記照射部が濃度基準部材に照射する光の反射光を前記レンズそれぞれが前記光電変換素子に結像した場合に前記光電変換素子が出力した注目画素の画素値と、前記比較画素生成部が生成した比較画素の画素値とを比較する比較部と、
   前記比較部が比較した結果と所定の閾値とに基づいて、前記比較部が比較した注目画素の画素値が異物の影響を受けた画素値であるか否かを判定する異物判定部と、
   を有することを特徴とする画像読取装置。
2. 前記照射部が濃度基準部材に照射した光の反射光を前記レンズそれぞれが前記光電変換素子に結像した場合に、前記光電変換素子が出力した複数の画素値を平滑化する平滑部と、
   前記平滑部が平滑化した複数の画素値を、前記照射部が濃度基準部材に照射した光の反射光を前記レンズそれぞれが前記光電変換素子に結像した場合に前記光電変換素子が出力した複数の画素値から減算する減算部と、
   をさらに有し、
   前記比較画素生成部は、
   前記減算部が減算した複数の画素値を用いて、比較画素の画素値を生成し、
   前記比較部は、
   前記減算部が減算した注目画素の画素値と、前記比較画素生成部が生成した比較画素の画素値とを比較すること
   を特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
3. 前記比較画素生成部は、
   前記照射部が濃度基準部材に照射した光の反射光を前記レンズそれぞれが前記光電変換素子に結像した場合に前記光電変換素子が出力した注目画素の周囲の複数の画素値を用いて補間を行うことにより、比較画素の画素値を生成すること
   を特徴とする請求項１又は２に記載の画像読取装置。
4. 注目画素に結像させる前記レンズの周囲の他の前記レンズが結像させて前記光電変換素子が出力した複数の画素値を用いて、注目画素から前記レンズの配列間隔の整数倍分離れた位置の画素値を比較画素の画素値として生成する他の比較画素生成部と、
   前記比較画素生成部及び前記他の比較画素生成部が生成した複数の比較画素の画素値を平均化する第１平均化部と、
   をさらに有し、
   前記比較部は、
   前記照射部が濃度基準部材に照射する光の反射光を前記レンズそれぞれが前記光電変換素子に結像した場合に前記光電変換素子が出力した注目画素の画素値と、前記第１平均化部が平均化した画素値とを比較すること
   を特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像読取装置。
5. 注目画素の周囲の画素値も複数の注目画素とみなして平均化する第２平均化部をさらに有し、
   前記比較画素生成部及び前記他の比較画素生成部は、
   注目画素の周囲の画素値も複数の注目画素とみなして、比較画素の画素値を生成し、
   前記比較部は、
   前記第１平均化部が平均化した画素値と、前記第２平均化部が平均化した画素値とを比較すること
   を特徴とする請求項４に記載の画像読取装置。
6. 前記レンズ当たりの画素数を表す整数部及び小数部を設定する設定部をさらに有し、
   前記比較画素生成部は、
   前記設定部が設定した整数部及び小数部に基づいて、注目画素から前記レンズの配列間隔分離れた位置の画素値を比較画素の画素値として生成すること
   を特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像読取装置。
7. 前記設定部は、
   複数のブロックに分割された複数の画素ごとに前記レンズ当たりの画素数を表す整数部及び小数部を設定すること
   を特徴とする請求項６に記載の画像読取装置。
8. 前記光電変換素子は、
   前記照射部が延びる方向に群をなして複数配列されており、
   前記設定部は、
   前記比較画素生成部が用いる複数の画素値の取得範囲が複数の前記光電変換素子の群同士を跨がないように設定すること
   を特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像読取装置。
9. 前記設定部は、
   前記異物判定部の閾値を所定の領域ごとに異ならせるように設定すること
   を特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の画像読取装置。
10. 前記設定部は、
    前記光電変換素子の所定の画素を前記異物判定部が判定する画素値の対象外とする設定を行うこと
    を特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の画像読取装置。
11. 前記比較画素生成部は、
    前記照射部が濃度基準部材に照射した光の反射光を前記レンズそれぞれが前記光電変換素子に複数回結像した場合に前記光電変換素子が複数回出力した複数の画素値を用いて、注目画素から前記レンズの配列間隔分離れた位置の画素値を比較画素の画素値として生成すること
    を特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の画像読取装置。
12. 前記比較部は、
    前記照射部が濃度基準部材に照射する光の反射光を前記レンズそれぞれが前記光電変換素子に結像した場合に前記光電変換素子が出力した注目画素の画素値と、前記比較画素生成部が生成した比較画素の画素値とを、差分を算出することによって比較すること
    を特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の画像読取装置。
13. 前記比較部は、
    前記照射部が濃度基準部材に照射する光の反射光を前記レンズそれぞれが前記光電変換素子に結像した場合に前記光電変換素子が出力した注目画素の画素値と、前記比較画素生成部が生成した比較画素の画素値とを、比を算出することによって比較すること
    を特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の画像読取装置。
14. 前記異物判定部が判定した結果を表示する表示部をさらに有すること
    を特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の画像読取装置。
15. 請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の画像読取装置を有する画像形成装置。