JP2018003096A - 基板挟持装置、成膜装置及び成膜方法 - Google Patents

基板挟持装置、成膜装置及び成膜方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2018003096A
JP2018003096A JP2016131736A JP2016131736A JP2018003096A JP 2018003096 A JP2018003096 A JP 2018003096A JP 2016131736 A JP2016131736 A JP 2016131736A JP 2016131736 A JP2016131736 A JP 2016131736A JP 2018003096 A JP2018003096 A JP 2018003096A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
pressing portion
small
pressing
support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016131736A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6843533B2 (ja
Inventor
信朗 塩入
Noburo Shioiri
信朗 塩入
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Tokki Corp
Original Assignee
Canon Tokki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Tokki Corp filed Critical Canon Tokki Corp
Priority to JP2016131736A priority Critical patent/JP6843533B2/ja
Priority to KR1020170075926A priority patent/KR102264459B1/ko
Priority to CN201710518669.3A priority patent/CN107557747B/zh
Publication of JP2018003096A publication Critical patent/JP2018003096A/ja
Priority to JP2021027154A priority patent/JP2021101471A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6843533B2 publication Critical patent/JP6843533B2/ja
Priority to KR1020210073416A priority patent/KR102355444B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】基板を押圧具に貼り付かせることなく、挟持状態から解放状態に移行できる基板挟持装置の提供。【解決手段】基板1を支持する支持具2と、この支持具2に対向配置され、前記基板1を押圧する押圧具3とを有し、前記支持具2と前記押圧具3とで前記基板1を挟持する基板挟持装置であって、前記押圧具3には、大押圧部4と、この大押圧部4より基板1との接触面積が小さい小押圧部5とを設け、前記大押圧部4には、前記小押圧部5を前記基板1側に付勢する小押圧部付勢機構を備える。【選択図】図1

Description

本発明は、基板挟持装置、成膜装置及び成膜方法に関するものである。
例えば、特許文献1に開示されるような、クランプ部材を基板に押し付けて基板の外周部を挟持する基板挟持機構において、基板を挟持した状態から、クランプ部材を基板から離間させて基板を挟持しない解放状態にする際、基板に押し付けていたクランプ部材の接触面に剥離帯電が生じ、離間するクランプ部材に基板が貼り付いてしまう場合がある。
この場合、基板の落下や破損のおそれがあることから、剥離帯電が生じない構成が要望されている。
特開2006−172930号公報
本発明は、上述のような現状に鑑みなされたもので、基板を押圧具に貼り付かせることなく、挟持状態から解放状態に移行できる基板挟持装置、成膜装置及び成膜方法を提供するものである。
基板を支持する支持具と、この支持具に対向配置され、前記基板を押圧する押圧具とを有し、前記支持具と前記押圧具とで前記基板を挟持する基板挟持装置であって、前記押圧具には、大押圧部と、この大押圧部より基板との接触面積が小さい小押圧部とが設けられ、前記大押圧部には、前記小押圧部を前記基板側に付勢する小押圧部付勢機構を備えたことを特徴とする基板挟持装置に係るものである。
本発明は上述のように構成したから、基板を押圧具に貼り付かせることなく、挟持状態から解放状態に移行できる基板挟持装置、成膜装置及び成膜方法となる。
本実施例の概略説明断面図である。 本実施例の工程概略説明図である。 本実施例の工程概略説明図である。 本実施例の工程概略説明図である。
好適と考える本発明の実施形態を、図面に基づいて本発明の作用を示して簡単に説明する。
支持具2に支持された基板1を押圧具3で押圧することで基板1を挟持した挟持状態から、大押圧部4を離間させて大押圧部4による押圧を解除する際、基板1側に付勢される小押圧部5が大押圧部4の基板1との接触面から基板1側に突出して基板1を押圧することで、基板1が離間しようとする大押圧部4に貼り付くことを防止できる。
そして、大押圧部4が基板1から離間した後、小押圧部5を基板1から離間させることで、剥離帯電による基板1の貼り付きを生じさせることなく、解放状態に移行することが可能となる。ここで、小押圧部5は、大押圧部4が離間する際の基板1の貼り付きを防止できれば良く、ごく小さい接触面積を有する例えばピン形状で良いから、小押圧部5を基板1に貼り付かない構成とすることは容易である。
本発明の具体的な実施例について図面に基づいて説明する。
本実施例は、図1に図示したように、真空槽7内に、基板1とマスク8とを配置して蒸発源9等から成る成膜機構を用いて成膜を行う成膜装置に本発明を適用した例である。この成膜装置には、蒸発源9から射出された蒸発粒子の蒸発レートをモニタする膜厚モニタ、真空槽7外に設けたモニタした蒸発粒子の量を膜厚に換算する膜厚計、換算された膜厚が所望の膜厚になるように成膜材料の蒸発レートを制御するために蒸発源9を加熱するヒータ用電源等が設けられる。この成膜装置は、例えば、有機エレクトロルミネッセンス表示装置のための表示パネルの製造に用いられる。
具体的には、真空槽7には、マスク8がマスク支持体10に支持された状態で配置され、このマスク8と基板1との相対距離を変化させる移動機構18が設けられている。
移動機構18は、その固定部が真空槽7の壁面に取り付けられ、真空槽7の壁面に対して接離移動するように固定部に進退自在に設けられた移動部の先端部に基板支持体11が設けられている。従って、移動部を進退移動させることで、基板支持体11に支持された基板1がマスク8に対して接離移動する。
基板支持体11には、基板1の下面外周部と接触して基板1を支持する支持具2と、この支持具2と対向配置され、即ち、基板1を挟むように基板1の上面側に設けられ基板1を支持具2に押圧する押圧具3とを備えている。
また、基板支持体11は、胴部の左右に袖部が垂設された断面視略コ字状体であり、袖部の先端から内方に突出するように支持具2が設けられている。また、この支持具2に夫々対向するように押圧具3が突没自在に設けられた基部12が設けられている。
押圧具3は、基部12から突出して基板1を支持具2に押し付けることで基板1を挟持するように構成されている。この支持具2及び押圧具3により、押圧具3を基板1に押圧した挟持状態と、基板1から押圧具3を後退させて基板1を挟持しない解放状態とに適宜切り替えることが可能となる。
支持具2及び押圧具3は、基板1の複数の辺部に当接するように複数設けられている。本実施例では、支持具2及び押圧具3は基板1の対向する一対の辺部に当接するように一対設けられている。
また、本実施例では、1つの辺部に対して当該辺部の長手方向略全体に当接するように前記一対の支持具2及び押圧具3が夫々構成されている。なお、1つの辺部に対して複数の支持具2及び押圧具3を設けて1つの辺部を多数点で支持及び挟持する構成としても良い。また、基板1の角部を複数箇所挟持する構成としても良い。
押圧具3には、図2〜4に図示したように、大押圧部4と、この大押圧部4より基板1との接触面積が小さい小押圧部5とが設けられている。小押圧部5は基板1の大押圧部4への張り付きを防止できれば良く、小押圧部5の接触面積は、大押圧部4の接触面積の1%以下となるように設定されている。
前記小押圧部5は、前記大押圧部4の前記基板1の押圧領域の内側を押圧するようにこの大押圧部4に設けられている。具体的には、大押圧部4の基板1との接触面に、小押圧部5が突没自在に設けられている。
本実施例においては、大押圧部4は基体13と、基板1との接触面を有する接触板部14とで構成されている。この大押圧部4の基体13に小押圧部5が配設される小押圧部配設孔15が設けられており、接触板部14に小押圧部5の先端部が挿通する挿通孔16が設けられている。また、小押圧部5の基端側に設けた径大部17は前記挿通孔16を挿通し得ない径に設定され、小押圧部5の脱落が防止されるように構成している。
また、大押圧部4には、小押圧部5を基板1側に付勢する小押圧部付勢機構が設けられている。具体的には、押圧具3は、基板1を大押圧部4と小押圧部5とで支持具2に押圧した状態から大押圧部4を離間させてこの大押圧部4による押圧を解除する際、小押圧部5を大押圧部4の基板1との接触面から基板1側に突出させて基板1を押圧するように構成されている。
小押圧部付勢機構は、小押圧部5を基板1側に付勢する付勢体6(コイルスプリング)を有している。付勢体6は、小押圧部配設孔15に配設され、この付勢体6により小押圧部5は大押圧部4の接触面から基板1側に突出するように常時付勢されている。
本実施例においては、付勢体6の一端側は小押圧部5側に連結され、他端側は大押圧部4側に連結されている。具体的には、付勢体6の一端が小押圧部5の基端に固定され、付勢体6の他端が大押圧部4の小押圧部配設孔15の底部に固定されている。従って、大押圧部4を基板1に対して接離移動させた際、付勢体6及び小押圧部5が大押圧部4と共に移動する。即ち、大押圧部4の基体13を移動制御することで、押圧具2全体を移動制御できる。
本実施例においては、小押圧部5は1つの大押圧部4に1つ設ける構成としているが、複数の小押圧部5を1つの大押圧部4に設ける構成としても良い。
以上の構成の成膜装置において、蒸発源6を用いての成膜工程を行うに先立ち、基板1とマスク8とのアライメント工程等において行われる基板1の挟持工程及び解放工程は以下のようにして行うことができる。
支持具2に支持された基板1を押圧具3で押圧することで基板1を挟持する際、大押圧部4を移動させることで小押圧部5も共に移動する。ここで、小押圧部5は付勢体6による付勢により、大押圧部4の基板1との接触面から突出しているため(図2)、基板1に先行して接触押圧するが(図3)、付勢体6の付勢力に抗して大押圧部4を基板1に押圧していくことで大押圧部4内に没入し、大押圧部4も基板1を押圧する(図4)。
図4の挟持状態から、押圧具2を離間させるために大押圧部4を離間させ押圧を解除すると、付勢体6の付勢により小押圧部5が大押圧部4の基板1との接触面から突出し(図3)、基板1を支持具2側へ押し付けるため、大押圧部4への基板1の貼り付きが防止される。この状態から更に大押圧部4を基板1から離間させると小押圧部5は大押圧部の離間に伴い基板1から離間して小押圧部5による押圧も解除され、基板1が解放状態となる(図2)。
本発明は、本実施例に限られるものではなく、各構成要件の具体的構成は適宜設計し得るものである。
1 基板
2 支持具
3 押圧具
4 大押圧部
5 小押圧部
6 付勢体
7 真空槽

Claims (6)

  1. 基板を支持する支持具と、この支持具に対向配置され、前記基板を押圧する押圧具とを有し、前記支持具と前記押圧具とで前記基板を挟持する基板挟持装置であって、前記押圧具には、大押圧部と、この大押圧部より基板との接触面積が小さい小押圧部とが設けられ、前記大押圧部には、前記小押圧部を前記基板側に付勢する小押圧部付勢機構を備えたことを特徴とする基板挟持装置。
  2. 前記小押圧部付勢機構は、前記小押圧部を前記基板側に付勢する付勢体を有することを特徴とする請求項1に記載の基板挟持装置。
  3. 前記付勢体の一端側は前記小押圧部側に連結され、他端側は前記大押圧部側に連結されていることを特徴とする請求項2に記載の基板挟持装置。
  4. 前記小押圧部は、前記大押圧部による前記基板の押圧領域の内側を押圧するようにこの大押圧部に設けられていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の基板挟持装置。
  5. 真空槽内に設けられた基板に成膜を行う成膜装置であって、請求項1〜4のいずれか1項に記載の基板挟持装置が設けられていることを特徴とする成膜装置。
  6. 基板に成膜を行う成膜方法であって、
    基板を挟持する挟持工程と、
    前記挟持工程で挟持された前記基板を挟持しない解放状態とする解放工程とを有し、
    前記挟持工程は、基板を支持する支持具と、この支持具に対向配置され、前記基板を押圧する、大押圧部及びこの大押圧部より基板との接触面積が小さい小押圧部を有する押圧具とから成り、前記支持具と前記押圧具とで前記基板を挟持する基板挟持装置を用いて行い、
    前記解放工程は、前記押圧具の前記大押圧部による基板の押圧を解除した後、前記小押圧部による基板の押圧を解除することで行うことを特徴とする成膜方法。
JP2016131736A 2016-07-01 2016-07-01 成膜装置及び成膜装置の制御方法 Active JP6843533B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016131736A JP6843533B2 (ja) 2016-07-01 2016-07-01 成膜装置及び成膜装置の制御方法
KR1020170075926A KR102264459B1 (ko) 2016-07-01 2017-06-15 기판 협지 장치, 성막 장치 및 성막 방법
CN201710518669.3A CN107557747B (zh) 2016-07-01 2017-06-30 成膜装置及成膜装置的控制方法
JP2021027154A JP2021101471A (ja) 2016-07-01 2021-02-24 成膜装置
KR1020210073416A KR102355444B1 (ko) 2016-07-01 2021-06-07 기판 협지 장치, 성막 장치 및 성막 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016131736A JP6843533B2 (ja) 2016-07-01 2016-07-01 成膜装置及び成膜装置の制御方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021027154A Division JP2021101471A (ja) 2016-07-01 2021-02-24 成膜装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018003096A true JP2018003096A (ja) 2018-01-11
JP6843533B2 JP6843533B2 (ja) 2021-03-17

Family

ID=60944837

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016131736A Active JP6843533B2 (ja) 2016-07-01 2016-07-01 成膜装置及び成膜装置の制御方法
JP2021027154A Pending JP2021101471A (ja) 2016-07-01 2021-02-24 成膜装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021027154A Pending JP2021101471A (ja) 2016-07-01 2021-02-24 成膜装置

Country Status (3)

Country Link
JP (2) JP6843533B2 (ja)
KR (2) KR102264459B1 (ja)
CN (1) CN107557747B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117448757A (zh) * 2023-10-25 2024-01-26 安徽凤玻智能科技有限公司 一种low-e玻璃溅射镀膜生产线

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0637039A (ja) * 1992-07-16 1994-02-10 Fujitsu Ltd スパッタ装置
JPH0936211A (ja) * 1995-07-24 1997-02-07 Yamaha Corp クランプリング
JP2008007857A (ja) * 2006-06-02 2008-01-17 Sony Corp アライメント装置、アライメント方法および表示装置の製造方法
JP2011233510A (ja) * 2010-04-05 2011-11-17 Canon Inc 蒸着装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4553124B2 (ja) 2004-12-16 2010-09-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空蒸着方法及びelディスプレイ用パネル
JP4773834B2 (ja) * 2006-02-03 2011-09-14 キヤノン株式会社 マスク成膜方法およびマスク成膜装置
JP2010086809A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Canon Anelva Corp 保持装置、マスクのアライメント方法、基板処理装置、電子放出素子ディスプレイの生産方法及び有機elディスプレイの生産方法
JP2011106017A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Canon Inc 押圧装置およびそれを備えた成膜装置、および成膜方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0637039A (ja) * 1992-07-16 1994-02-10 Fujitsu Ltd スパッタ装置
JPH0936211A (ja) * 1995-07-24 1997-02-07 Yamaha Corp クランプリング
JP2008007857A (ja) * 2006-06-02 2008-01-17 Sony Corp アライメント装置、アライメント方法および表示装置の製造方法
JP2011233510A (ja) * 2010-04-05 2011-11-17 Canon Inc 蒸着装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117448757A (zh) * 2023-10-25 2024-01-26 安徽凤玻智能科技有限公司 一种low-e玻璃溅射镀膜生产线
CN117448757B (zh) * 2023-10-25 2024-05-17 安徽凤玻智能科技有限公司 一种low-e玻璃溅射镀膜生产线

Also Published As

Publication number Publication date
KR102355444B1 (ko) 2022-01-24
JP2021101471A (ja) 2021-07-08
CN107557747B (zh) 2020-08-28
JP6843533B2 (ja) 2021-03-17
KR102264459B1 (ko) 2021-06-11
CN107557747A (zh) 2018-01-09
KR20210071898A (ko) 2021-06-16
KR20180003994A (ko) 2018-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6631888B2 (ja) 被加工物保持装置及びレーザカット加工方法
JP6582059B2 (ja) アライナ構造及びアライン方法
TWI571523B (zh) 用於包含沉積遮罩之製程之裝置
KR102270080B1 (ko) 박막 증착 장치
KR102355444B1 (ko) 기판 협지 장치, 성막 장치 및 성막 방법
KR102292888B1 (ko) 박막 증착용 필름 지그장치
JP2021064813A5 (ja)
KR101960169B1 (ko) 기판 협지 장치, 성막 장치 및 성막 방법
JP2010000538A (ja) プロジェクションナットの溶接装置および溶接方法
JP2015229796A (ja) 成膜装置
JP2009141043A5 (ja)
JP2010528474A5 (ja)
KR20140148202A (ko) 필름 부착 장치
KR101403850B1 (ko) 대면적 기판 홀딩 장치
CN108473316B (zh) 抽出装置及抽出方法
WO2018181951A1 (ja) ベルト接合装置
JP2018135193A (ja) 搬送装置
JP3204761U (ja) 部材一定押圧保持具
JP5535864B2 (ja) 基板固定機構
KR101741080B1 (ko) 디본딩 워크의 이송 기구용 로봇 핸드
JP2010087425A (ja) 基板保持部材および接合装置
JP6044570B2 (ja) 基板保持部材および接合装置
CN210690936U (zh) 显微镜拍照辅助装置
JP3207424U (ja) 溶接部材保持具
KR20120109878A (ko) 임프린트 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181218

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190909

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190912

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191111

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200305

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200424

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200803

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200902

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20201104

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20210115

TRDD Decision of grant or rejection written
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20210122

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210126

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210224

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6843533

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250