JPH0637039A - スパッタ装置 - Google Patents
スパッタ装置Info
- Publication number
- JPH0637039A JPH0637039A JP18847592A JP18847592A JPH0637039A JP H0637039 A JPH0637039 A JP H0637039A JP 18847592 A JP18847592 A JP 18847592A JP 18847592 A JP18847592 A JP 18847592A JP H0637039 A JPH0637039 A JP H0637039A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- clamp ring
- semiconductor substrate
- stage
- sputtering apparatus
- releasing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタ装置のステージに載置した被処理物
を固定するクランプリングの構造の改良に関し、半導体
基板に形成された被膜によるクランプリングと半導体基
板との固着を解除する手段の提供を目的とする。 【構成】 処理室１の上部にターゲット２を備え、下部
には半導体基板６を載置するステージ３を備え、このス
テージ３の周囲にこの半導体基板６をこのステージ３の
表面に固定するクランプリング４を具備するスパッタ装
置において、スパッタ処理時に、内蔵している弾性体に
被膜が形成されない、このクランプリング４と半導体基
板６との固着状態を解除することが可能な手段をこのク
ランプリング４に具備するように構成する。
を固定するクランプリングの構造の改良に関し、半導体
基板に形成された被膜によるクランプリングと半導体基
板との固着を解除する手段の提供を目的とする。 【構成】 処理室１の上部にターゲット２を備え、下部
には半導体基板６を載置するステージ３を備え、このス
テージ３の周囲にこの半導体基板６をこのステージ３の
表面に固定するクランプリング４を具備するスパッタ装
置において、スパッタ処理時に、内蔵している弾性体に
被膜が形成されない、このクランプリング４と半導体基
板６との固着状態を解除することが可能な手段をこのク
ランプリング４に具備するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタ装置のステー
ジに載置した被処理物を固定するクランプリングの構造
の改良に関するものである。
ジに載置した被処理物を固定するクランプリングの構造
の改良に関するものである。
【０００２】近年のスパッタ装置は、半導体基板等の被
処理物の周辺部のパターン形成密度の向上に伴い被処理
物を固定するクランパーの小型化が要求されているの
で、被処理物に密着する構造の小型のクランプリングが
用いられるようになったが、密着部分で被処理物とクラ
ンプリングとが固着し、クランプリング開放時に被処理
物がクランプリングに付着し、ステージ上から浮き上が
る障害が発生している。
処理物の周辺部のパターン形成密度の向上に伴い被処理
物を固定するクランパーの小型化が要求されているの
で、被処理物に密着する構造の小型のクランプリングが
用いられるようになったが、密着部分で被処理物とクラ
ンプリングとが固着し、クランプリング開放時に被処理
物がクランプリングに付着し、ステージ上から浮き上が
る障害が発生している。
【０００３】以上のような状況から、クランプリングに
固着した被処理物とクランプリングとの固着状態を解除
することが可能となるスパッタ装置が要望されている。
固着した被処理物とクランプリングとの固着状態を解除
することが可能となるスパッタ装置が要望されている。
【０００４】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造に用いるスパッ
タ装置のクランプリングの構造及び作動状態について図
２〜図３により詳細に説明する。
タ装置のクランプリングの構造及び作動状態について図
２〜図３により詳細に説明する。
【０００５】図２はスパッタ装置の概略構造を示す側断
面図、図３は従来のスパッタ装置のクランプ機構の作動
状態の詳細を示す側断面図である。図２に示すように、
スパッタ装置は処理室１の上部にターゲット２を備え、
下部には半導体基板６を載置するステージ３が設けられ
ており、クランプリング４によって半導体基板６をステ
ージ３の表面に固定し、半導体基板６の表面にターゲッ
ト２を構成する材料の被膜を形成している。
面図、図３は従来のスパッタ装置のクランプ機構の作動
状態の詳細を示す側断面図である。図２に示すように、
スパッタ装置は処理室１の上部にターゲット２を備え、
下部には半導体基板６を載置するステージ３が設けられ
ており、クランプリング４によって半導体基板６をステ
ージ３の表面に固定し、半導体基板６の表面にターゲッ
ト２を構成する材料の被膜を形成している。
【０００６】クランプリング４により半導体基板６をス
テージ３の表面に固定するには、図３(a) に示すように
クランプリング４を支持部５により支持して固定し、半
導体基板６をステージ３の表面に搭載し、図３(b) に示
すようにステージ３を上昇してクランプリング４の下面
をステージ３の表面に載置した半導体基板６の表面に接
触させ、更にステージ３を上昇させて、クランプリング
４を支持部５から浮き上がらせ、自重により半導体基板
６をステージ３の表面に固定している。
テージ３の表面に固定するには、図３(a) に示すように
クランプリング４を支持部５により支持して固定し、半
導体基板６をステージ３の表面に搭載し、図３(b) に示
すようにステージ３を上昇してクランプリング４の下面
をステージ３の表面に載置した半導体基板６の表面に接
触させ、更にステージ３を上昇させて、クランプリング
４を支持部５から浮き上がらせ、自重により半導体基板
６をステージ３の表面に固定している。
【０００７】クランプを解除する場合には、この逆にス
テージ３を下降させてクランプリング４を支持部５にて
支持し、更にステージ３を下降させて図３(a) に示すよ
うに半導体基板６とクランプリング４とを分離してい
る。
テージ３を下降させてクランプリング４を支持部５にて
支持し、更にステージ３を下降させて図３(a) に示すよ
うに半導体基板６とクランプリング４とを分離してい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来のス
パッタ装置においては、半導体基板をクランプリングの
自重によりステージに固定している状態で、半導体基板
の表面にターゲットの材料を構成する材料の被膜を形成
しているが、クランプリングと半導体基板との密着部分
にも被膜が形成されて固着し、ステージを下降させた場
合に、図４に示すようにクランプリングに半導体基板が
付着したままになり、半導体基板をクランプリングから
取り外すことが困難になるという問題点があった。
パッタ装置においては、半導体基板をクランプリングの
自重によりステージに固定している状態で、半導体基板
の表面にターゲットの材料を構成する材料の被膜を形成
しているが、クランプリングと半導体基板との密着部分
にも被膜が形成されて固着し、ステージを下降させた場
合に、図４に示すようにクランプリングに半導体基板が
付着したままになり、半導体基板をクランプリングから
取り外すことが困難になるという問題点があった。
【０００９】本発明は以上のような状況から、半導体基
板に形成された被膜によるクランプリングと半導体基板
との固着を解除する手段の提供を目的としたものであ
る。
板に形成された被膜によるクランプリングと半導体基板
との固着を解除する手段の提供を目的としたものであ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタ装置
は、処理室の上部にターゲットを備え、下部には被処理
物を載置するステージを備え、このステージの周囲にこ
の被処理物をこのステージの表面に固定するクランプリ
ングを具備するスパッタ装置において、スパッタ処理時
に、内蔵している弾性体に被膜が形成されない、このク
ランプリングと被処理物との固着状態を解除することが
可能な手段をこのクランプリングに具備するように構成
する。
は、処理室の上部にターゲットを備え、下部には被処理
物を載置するステージを備え、このステージの周囲にこ
の被処理物をこのステージの表面に固定するクランプリ
ングを具備するスパッタ装置において、スパッタ処理時
に、内蔵している弾性体に被膜が形成されない、このク
ランプリングと被処理物との固着状態を解除することが
可能な手段をこのクランプリングに具備するように構成
する。
【００１１】
【作用】即ち本発明においては、クランプリングと半導
体基板との接触部に、クランプリングとこの半導体基板
との固着状態を解除する手段、例えば弾性を有する板ば
ね等を具備しているので、半導体基板をステージととも
に下降させた場合に、この固着状態を解除する手段によ
り、半導体基板をクランプリングから取り外すことがで
き、半導体基板がステージの表面から浮き上がるのを防
止することが可能となる。
体基板との接触部に、クランプリングとこの半導体基板
との固着状態を解除する手段、例えば弾性を有する板ば
ね等を具備しているので、半導体基板をステージととも
に下降させた場合に、この固着状態を解除する手段によ
り、半導体基板をクランプリングから取り外すことがで
き、半導体基板がステージの表面から浮き上がるのを防
止することが可能となる。
【００１２】
【実施例】以下図１により本発明の一実施例について詳
細に説明する。図１は本発明による一実施例のスパッタ
装置のクランプ機構の作動状態の詳細を示す側断面図で
ある。
細に説明する。図１は本発明による一実施例のスパッタ
装置のクランプ機構の作動状態の詳細を示す側断面図で
ある。
【００１３】本発明による一実施例においては図１に示
すようにクランプリング14の半導体基板６を固定する面
に板ばね14a を備えているので、クランプリング14によ
り半導体基板６をステージ13の表面に固定するには、ま
ず図１(a) に示すようにクランプリング14を支持部15に
より支持して固定し、半導体基板６をステージ13の表面
に搭載し、図１(b) に示すようにステージ13を上昇して
板ばね14a を半導体基板６の表面に接触させる。
すようにクランプリング14の半導体基板６を固定する面
に板ばね14a を備えているので、クランプリング14によ
り半導体基板６をステージ13の表面に固定するには、ま
ず図１(a) に示すようにクランプリング14を支持部15に
より支持して固定し、半導体基板６をステージ13の表面
に搭載し、図１(b) に示すようにステージ13を上昇して
板ばね14a を半導体基板６の表面に接触させる。
【００１４】この板ばね14a は、クランプリング14の自
重により完全に撓んでクランプリング14に設けた空隙内
に収容されるようになっている。つぎに図１(c) に示す
ようにステージ13を更に上昇させてクランプリング14を
支持部15から浮き上がらせると、板ばね14a が完全に変
形し、クランプリング14の自重により半導体基板６と接
触する面で半導体基板６をステージ13に固定することが
可能となる。
重により完全に撓んでクランプリング14に設けた空隙内
に収容されるようになっている。つぎに図１(c) に示す
ようにステージ13を更に上昇させてクランプリング14を
支持部15から浮き上がらせると、板ばね14a が完全に変
形し、クランプリング14の自重により半導体基板６と接
触する面で半導体基板６をステージ13に固定することが
可能となる。
【００１５】この状態で半導体基板６の表面に被膜を形
成した後、ステージ13を下降させてクランプリング14を
支持部15で支持すると、図１(b) に示すように板ばね14
a により半導体基板６はクランプリング14の固定面から
取りはずされる。
成した後、ステージ13を下降させてクランプリング14を
支持部15で支持すると、図１(b) に示すように板ばね14
a により半導体基板６はクランプリング14の固定面から
取りはずされる。
【００１６】その後更にステージ13を下降させると図１
(a) に示すように半導体基板６が板ばね14a から離れ、
ステージ13の表面に半導体基板６が搭載された状態にな
る。このように半導体基板６がクランプリング14との間
に形成された被膜により固着されていても、板ばね14a
の弾性によりクランプリング14と半導体基板６との固着
状態が確実に解除されるので、処理後に半導体基板６が
ステージ13の表面から浮き上がるのを防止することが可
能となる。
(a) に示すように半導体基板６が板ばね14a から離れ、
ステージ13の表面に半導体基板６が搭載された状態にな
る。このように半導体基板６がクランプリング14との間
に形成された被膜により固着されていても、板ばね14a
の弾性によりクランプリング14と半導体基板６との固着
状態が確実に解除されるので、処理後に半導体基板６が
ステージ13の表面から浮き上がるのを防止することが可
能となる。
【００１７】本実施例では固着を解除する手段として板
ばねを用いているが、板ばねに限定されるものではな
く、つる巻きばね等の他の弾性を有する手段を用いるこ
とも可能である。
ばねを用いているが、板ばねに限定されるものではな
く、つる巻きばね等の他の弾性を有する手段を用いるこ
とも可能である。
【００１８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によればクランプリングの極めて簡単な構造の改良によ
り、クランプリングに半導体基板が付着してステージ上
から浮き上がるのを防止することが可能となる利点があ
り、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待できる
スパッタ装置の提供が可能である。
によればクランプリングの極めて簡単な構造の改良によ
り、クランプリングに半導体基板が付着してステージ上
から浮き上がるのを防止することが可能となる利点があ
り、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待できる
スパッタ装置の提供が可能である。
【図１】 本発明による一実施例のスパッタ装置のクラ
ンプ機構の作動状態の詳細を示す側断面図、
ンプ機構の作動状態の詳細を示す側断面図、
【図２】 スパッタ装置の概略構造を示す側断面図、
【図３】 従来のスパッタ装置のクランプ機構の作動状
態の詳細を示す側断面図、
態の詳細を示す側断面図、
【図４】 従来のスパッタ装置のクランプ機構の問題点
を示す側断面図、
を示す側断面図、
１は処理室、 ２はターゲット、 3,13はステージ、 4,14クランプリング、 14aは板ばね、 5,15は支持部、 ６は半導体基板、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｓ 8422−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】 処理室(1)の上部にターゲット(2)を備
え、下部には被処理物(6)を載置するステージ(3) を備
え、該ステージ(3) の周囲に前記被処理物(6)を前記ス
テージ(3)の表面に固定するクランプリング(4)を具備す
るスパッタ装置において、 スパッタ処理時に、内蔵している弾性体に被膜が形成さ
れない、前記クランプリング(4) と被処理物(6) との固
着状態を解除することが可能な手段を前記クランプリン
グ(4) に具備することを特徴とするスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18847592A JPH0637039A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18847592A JPH0637039A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | スパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637039A true JPH0637039A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16224378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18847592A Pending JPH0637039A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | スパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637039A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6635853B2 (en) | 1909-08-09 | 2003-10-21 | Ibiden Co., Ltd. | Hot plate unit |
| US8572828B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-11-05 | Aisan Kogyo Kabushiki Kaisha | Component mounting structures |
| KR20180003994A (ko) * | 2016-07-01 | 2018-01-10 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 기판 협지 장치, 성막 장치 및 성막 방법 |
| CN107579033A (zh) * | 2016-07-05 | 2018-01-12 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种压环、反应腔室和半导体加工设备 |
| CN108796466A (zh) * | 2017-04-26 | 2018-11-13 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种机械卡盘及半导体加工设备 |
-
1992
- 1992-07-16 JP JP18847592A patent/JPH0637039A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6635853B2 (en) | 1909-08-09 | 2003-10-21 | Ibiden Co., Ltd. | Hot plate unit |
| US6639191B2 (en) | 1999-01-25 | 2003-10-28 | Ibiden Co., Ltd. | Hot plate unit |
| US6646236B1 (en) | 1999-01-25 | 2003-11-11 | Ibiden Co., Ltd. | Hot plate unit |
| US8572828B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-11-05 | Aisan Kogyo Kabushiki Kaisha | Component mounting structures |
| KR20180003994A (ko) * | 2016-07-01 | 2018-01-10 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 기판 협지 장치, 성막 장치 및 성막 방법 |
| JP2018003096A (ja) * | 2016-07-01 | 2018-01-11 | キヤノントッキ株式会社 | 基板挟持装置、成膜装置及び成膜方法 |
| KR20210071898A (ko) * | 2016-07-01 | 2021-06-16 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 기판 협지 장치, 성막 장치 및 성막 방법 |
| JP2021101471A (ja) * | 2016-07-01 | 2021-07-08 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置 |
| CN107579033A (zh) * | 2016-07-05 | 2018-01-12 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种压环、反应腔室和半导体加工设备 |
| CN108796466A (zh) * | 2017-04-26 | 2018-11-13 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种机械卡盘及半导体加工设备 |
| CN108796466B (zh) * | 2017-04-26 | 2020-06-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种机械卡盘及半导体加工设备 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981027 |