CN107557747A - 基板夹持装置、成膜装置及成膜方法 - Google Patents

基板夹持装置、成膜装置及成膜方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107557747A
CN107557747A CN201710518669.3A CN201710518669A CN107557747A CN 107557747 A CN107557747 A CN 107557747A CN 201710518669 A CN201710518669 A CN 201710518669A CN 107557747 A CN107557747 A CN 107557747A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
press section
small
big
pressing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710518669.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107557747B (zh
Inventor
盐入信明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Tokki Corp
Original Assignee
Tokki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokki Corp filed Critical Tokki Corp
Publication of CN107557747A publication Critical patent/CN107557747A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107557747B publication Critical patent/CN107557747B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供一种能够使基板不粘附于按压用具地从夹持状态向释放状态转移的基板夹持装置。基板夹持装置具有支承基板(1)的支承用具(2)和与该支承用具(2)相向配置并按压所述基板(1)的按压用具(3),通过所述支承用具(2)和所述按压用具(3)来夹持所述基板(1),其中,在所述按压用具(3)设有大按压部(4)和与该大按压部(4)相比与基板(1)接触的接触面积小的小按压部(5),所述大按压部(4)具备对所述小按压部(5)向所述基板(1)侧施力的小按压部施力机构。

Description

基板夹持装置、成膜装置及成膜方法
技术领域
本发明涉及基板夹持装置、成膜装置及成膜方法。
背景技术
在诸如专利文献1公开的将夹紧构件按压于基板来夹持基板的外周部的基板夹持机构中,例如,当使夹紧构件从夹持有基板的状态从基板分离而成为不夹持基板的释放状态时,有时在按压于基板的夹紧构件的接触面产生剥离带电而使基板粘附于要分离的夹紧构件。
这种情况下,存在基板落下或破损之虞,因此希望是不会产生剥离带电的结构。
【在先技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】日本特开2006-172930号公报
发明内容
【发明要解决的课题】
本发明鉴于上述那样的现状而作出,其目的在于提供一种能够使基板不粘附于按压用具地从夹持状态向释放状态转移的基板夹持装置、成膜装置及成膜方法。
【用于解决课题的方案】
一种基板夹持装置,所述基板夹持装置具有支承基板的支承用具和与该支承用具相向配置并按压所述基板的按压用具,通过所述支承用具和所述按压用具来夹持所述基板,其特征在于,在所述按压用具设有大按压部和与该大按压部相比与基板的接触面积小的小按压部,所述大按压部具备对所述小按压部向所述基板侧施力的小按压部施力机构。
【发明效果】
本发明如上所述构成,因此形成能够使基板不粘附于按压用具地从夹持状态向释放状态转移的基板夹持装置、成膜装置及成膜方法。
附图说明
图1是本实施例的概略说明剖视图。
图2是本实施例的工序概略说明图。
图3是本实施例的工序概略说明图。
图4是本实施例的工序概略说明图。
【符号说明】
1 基板
2 支承用具
3 按压用具
4 大按压部
5 小按压部
6 施力体
7 真空槽
具体实施方式
基于附图展示本发明的作用,从而简单说明被认为是优选的本发明的实施方式。
当从通过利用按压用具3对支承于支承用具2的基板1进行按压而夹持基板1的夹持状态开始,使大按压部4分离而解除大按压部4的按压时,被向基板1侧施力的小按压部5从大按压部4的与基板1接触的接触面向基板1侧突出而按压基板1,由此能够防止基板1粘附于欲分离的大按压部4的情况。
并且,通过在大按压部4从基板1分离之后使小按压部5从基板1分离,能够在不产生由剥离带电引起的基板1的粘附的情况下转移到释放状态。在此,小按压部5只要能够防止大按压部4分离时的基板1的粘附即可,可以是具有极小接触面积的例如销形状,从而容易形成为不会将小按压部5粘附于基板1的结构。
【实施例】
基于附图,说明本发明的具体的实施例。
如图1所图示,本实施例是将本发明应用于下述成膜装置的例子,所述成膜装置在真空槽7内配置有基板1和掩模8,并使用由蒸发源9等形成的成膜机构进行成膜。在该成膜装置中设有膜厚监控器、膜厚计、以及加热器用电源等,所述膜厚监控器对从蒸发源9射出的蒸发粒子的蒸发率进行监控,所述膜厚计设置在真空槽7外并将所监控的蒸发粒子的量换算成膜厚,所述加热器用电源为了控制成膜材料的蒸发率以使所换算的膜厚成为所希望的膜厚而对蒸发源9进行加热。该成膜装置用于制造例如有机场致发光显示装置用的显示面板。
具体而言,在真空槽7中,以支承于掩模支承体10的状态配置掩模8,并设有使该掩模8与基板1的相对距离产生变化的移动机构18。
移动机构18的固定部安装于真空槽7的壁面,在移动机构18的移动部的前端部设置有基板支承体11,该移动部以相对于真空槽7的壁面进行接触分离移动的方式进退自如地设置于固定部。从而,通过使移动部进退移动,使支承于基板支承体11的基板1相对于掩模8进行接触分离移动。
基板支承体11具备支承用具2和按压用具3,所述支承用具2与基板1的下表面外周部接触而对基板1进行支承,所述按压用具3与该支承用具2相向配置,即,设置在基板1的上表面侧并将基板1向支承用具2按压以夹持基板1。
另外,基板支承体11是在主体部的左右下垂设置有袖部的剖视大致形状体,并以从袖部的前端向内方突出的方式设置支承用具2。而且,以与该支承用具2分别相向的方式设置基部12,按压用具3突出缩入自如地设置于基部12。
按压用具3通过从基部12突出并将基板1向支承用具2按压而夹持基板1。通过该支承用具2及按压用具3,能够适当切换成将按压用具3按压于基板1的夹持状态与使按压用具3从基板1后退而不夹持基板1的释放状态。
支承用具2及按压用具3以与基板1的多条边部抵接的方式设置多个。在本实施例中,支承用具2及按压用具3以与基板1的一对相向的边部抵接的方式设置一对。
另外,在本实施例中,相对于1条边部,以与该边部的长边方向大致整体抵接的方式分别构成所述一对支承用具2及按压用具3。需要说明的是,也可以相对于1条边部设置多个支承用具2及按压用具3而以多个点来支承及夹持1条边部。另外,也可以形成为对基板1的角部进行多部位夹持的结构。
如图2~4所图示,在按压用具3设有大按压部4和与该大按压部4相比与基板1的接触面积小的小按压部5。小按压部5只要能够防止基板1向大按压部4粘附即可,小按压部5的接触面积被设定为大按压部4的接触面积的1%以下。
所述小按压部5以按压所述大按压部4的对所述基板1的按压区域的内侧的方式设于该大按压部4。具体而言,小按压部5以突出收缩自如的方式设于大按压部4的与基板1接触的接触面上。
在本实施例中,大按压部4由基体13和具有与基板1接触的接触面的接触板部14构成。在该大按压部4的基体13设有用于配设小按压部5的小按压部配设孔15,在接触板部14设有供小按压部5的前端部插通的插通孔16。而且,在小按压部5的基端侧设置的大径部17的直径被设定为无法插通所述插通孔16,从而能够防止小按压部5的脱落。
另外,在大按压部4设有对小按压部5向基板1侧施力的小按压部施力机构。具体而言,按压用具3被构成为,在从通过大按压部4和小按压部5将基板1按压于支承用具2的状态使大按压部4分离而解除该大按压部4的按压时,使小按压部5从大按压部4的与基板1接触的接触面向基板1侧突出来按压基板1。
小按压部施力机构具有对小按压部5向基板1侧施力的施力体6(螺旋弹簧)。施力体6配设于小按压部配设孔15,该施力体6始终以使小按压部5从大按压部4的接触面向基板1侧突出的方式对该小按压部5施力。
在本实施例中,施力体6的一端侧连结于小按压部5侧,另一端侧连结于大按压部4侧。具体而言,施力体6的一端固定于小按压部5的基端,施力体6的另一端固定于大按压部4的小按压部配设孔15的底部。从而,在使大按压部4相对于基板1进行接触分离移动时,施力体6及小按压部5与大按压部4一起移动。即,通过对大按压部4的基体13进行移动控制而能够对按压用具2整体进行移动控制。
在本实施例中,在1个大按压部4上设置1个小按压部5,但是也可以将多个小按压部5设置于1个大按压部4。
在上述结构的成膜装置中,在进行使用蒸发源6的成膜工序之前,可以如下进行在基板1与掩模8的对准工序等中进行的基板1的夹持工序及释放工序。
当通过利用按压用具3对支承于支承用具2的基板1进行按压来夹持基板1时,通过使大按压部4移动而使小按压部5也一起移动。在此,小按压部5由于施力体6的施力而从大按压部4的与基板1接触的接触面突出(图2),因此先接触按压于基板1(图3),但是由于通过抵抗施力体6的作用力而将大按压部4向基板1按压,小按压部5收缩到大按压部4内,大按压部4也按压基板1(图4)。
从图4的夹持状态开始,当为了使按压用具2分离而使大按压部4分离来解除按压时,由于施力体6的施力而使小按压部5从大按压部4的与基板1接触的接触面突出(图3),将基板1向支承用具2侧按压,因此能够防止基板1向大按压部4的粘附。当从该状态开始进一步使大按压部4从基板1分离时,小按压部5伴随着大按压部的分离而从基板1分离,小按压部5的按压也被解除,基板1成为释放状态(图2)。
本发明并不局限于本实施例,各构成要件的具体结构可适当设计。

Claims (7)

1.一种基板夹持装置,所述基板夹持装置具有支承基板的支承用具和与该支承用具相向配置并按压所述基板的按压用具,通过所述支承用具和所述按压用具来夹持所述基板,其特征在于,
在所述按压用具设有大按压部和与该大按压部相比与基板的接触面积小的小按压部,所述大按压部具备对所述小按压部向所述基板侧施力的小按压部施力机构。
2.根据权利要求1所述的基板夹持装置,其特征在于,
所述小按压部施力机构具有对所述小按压部向所述基板侧施力的施力体。
3.根据权利要求2所述的基板夹持装置,其特征在于,
所述施力体的一端侧连结于所述小按压部侧,另一端侧连结于所述大按压部侧。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的基板夹持装置,其特征在于,
所述小按压部以按压所述大按压部对所述基板的按压区域的内侧的方式设置于该大按压部。
5.一种成膜装置,所述成膜装置在设置于真空槽内的基板上进行成膜,其特征在于,
设有权利要求1~3中任一项所述的基板夹持装置。
6.一种成膜装置,所述成膜装置在设置于真空槽内的基板上进行成膜,其特征在于,
设有权利要求4所述的基板夹持装置。
7.一种成膜方法,在基板上进行成膜,其特征在于,包括:
夹持基板的夹持工序;及
使通过所述夹持工序夹持的基板成为未夹持的释放状态的释放工序,
使用基板夹持装置进行所述夹持工序,该基板夹持装置包括支承用具和按压用具,通过所述支承用具和所述按压用具来夹持所述基板,所述支承用具支承基板,所述按压用具与该支承用具相向配置,按压所述基板,且具有大按压部以及与该大按压部相比与基板接触的接触面积小的小按压部,
通过在解除了所述按压用具的所述大按压部对基板的按压之后,解除所述小按压部对基板的按压来进行所述释放工序。
CN201710518669.3A 2016-07-01 2017-06-30 成膜装置及成膜装置的控制方法 Active CN107557747B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016131736A JP6843533B2 (ja) 2016-07-01 2016-07-01 成膜装置及び成膜装置の制御方法
JP2016-131736 2016-07-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107557747A true CN107557747A (zh) 2018-01-09
CN107557747B CN107557747B (zh) 2020-08-28

Family

ID=60944837

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710518669.3A Active CN107557747B (zh) 2016-07-01 2017-06-30 成膜装置及成膜装置的控制方法

Country Status (3)

Country Link
JP (2) JP6843533B2 (zh)
KR (2) KR102264459B1 (zh)
CN (1) CN107557747B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117448757B (zh) * 2023-10-25 2024-05-17 安徽凤玻智能科技有限公司 一种low-e玻璃溅射镀膜生产线

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0936211A (ja) * 1995-07-24 1997-02-07 Yamaha Corp クランプリング
CN101013274A (zh) * 2006-02-03 2007-08-08 佳能株式会社 掩模成膜方法及掩模成膜设备
JP2008007857A (ja) * 2006-06-02 2008-01-17 Sony Corp アライメント装置、アライメント方法および表示装置の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0637039A (ja) * 1992-07-16 1994-02-10 Fujitsu Ltd スパッタ装置
JP4553124B2 (ja) 2004-12-16 2010-09-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空蒸着方法及びelディスプレイ用パネル
JP2010086809A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Canon Anelva Corp 保持装置、マスクのアライメント方法、基板処理装置、電子放出素子ディスプレイの生産方法及び有機elディスプレイの生産方法
JP2011106017A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Canon Inc 押圧装置およびそれを備えた成膜装置、および成膜方法
JP2011233510A (ja) * 2010-04-05 2011-11-17 Canon Inc 蒸着装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0936211A (ja) * 1995-07-24 1997-02-07 Yamaha Corp クランプリング
CN101013274A (zh) * 2006-02-03 2007-08-08 佳能株式会社 掩模成膜方法及掩模成膜设备
JP2008007857A (ja) * 2006-06-02 2008-01-17 Sony Corp アライメント装置、アライメント方法および表示装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102264459B1 (ko) 2021-06-11
CN107557747B (zh) 2020-08-28
JP2018003096A (ja) 2018-01-11
KR20210071898A (ko) 2021-06-16
KR102355444B1 (ko) 2022-01-24
KR20180003994A (ko) 2018-01-10
JP2021101471A (ja) 2021-07-08
JP6843533B2 (ja) 2021-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101414518B (zh) 电脑键盘及成型工艺
JP2013138183A5 (zh)
US10204816B2 (en) Substrate retaining carrier, method for retaining and separating substrate and method for evaporation
CN107557747A (zh) 基板夹持装置、成膜装置及成膜方法
CN104335692A (zh) 元件插装装置
CN105208846A (zh) 元件压接装置
CN103282170A (zh) 装饰件的制造方法
TW200707744A (en) Semiconductor device and process for producing the same
CN103135865A (zh) 触控模组及其制备方法
CN102729604B (zh) 热转印装置以及热转印方法
CN107557746A (zh) 基板夹持装置、成膜装置及成膜方法
WO2008088068A1 (ja) 微小構造体の製造方法,微小構造体およびマイクロデバイス
JP2018029171A5 (zh)
JP2010528474A5 (zh)
CN203358010U (zh) 覆膜件固定机构
CN104210217B (zh) 贴附装置
WO2009120967A3 (en) Method of manufacturing a substrate for a microelectronic device, and substrate formed thereby
JP5528780B2 (ja) 成形同時転写用金型及び成形同時転写品の製造方法
CN101740970B (zh) 可换插头式充电器
CN109429438A (zh) 薄膜显示器与软性电路板的压合方法及其压合装置
US11213997B2 (en) Transfer apparatus and transfer method
KR101113059B1 (ko) 사출금형 및 사출성형 방법
CN103648238B (zh) Fpc异形定位热压机
KR101410302B1 (ko) 밴딩형 fpc 본딩장치
CN206122524U (zh) 拉伸模具管位机构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant