JP2017536065A - 分離型同期整流制御回路、その制御装置、及び、分離型同期整流制御方法 - Google Patents

分離型同期整流制御回路、その制御装置、及び、分離型同期整流制御方法 Download PDF

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Abstract

本発明は、分離型同期整流制御回路、その制御装置、及び、分離型同期整流制御方法を提供する。本発明に係る制御回路は、給電モジュール、基準モジュール、コンパレータモジュール、一次側導通判断ユニット、二次側不連続予測ユニット、ロジックユニット及び駆動ユニットを備える。本発明に係る制御装置は、変圧器、安定した電圧を提供するためのバイパスコンデンサ、一次側が導通される時定数の設定及び二次側の不連続時間予測の判断に用いられる時定数設定用抵抗、時間設定用端子から流れた電流に基づいて、一次側が導通されているか否かを判断し、二次側の不連続時間を予測し、当該判断及び当該予測の結果に基づいて導通又は遮断のロジック制御信号を生成して同期整流トランジスタを駆動するための同期整流制御回路、及び、同期整流制御回路の電圧端子と接続され、コンデンサの出力のために用いられる出力コンデンサを備える。本発明は、一次側導通判断回路、二次側の不連続時間予測回路及びデュアル電圧の判断メカニズムを採用することにより、同期整流トランジスタは、複雑なシステム作業の状況において精確に動作することができる。

Description

本発明は、同期整流制御回路の技術分野に関し、特に分離型同期整流制御回路、その制御装置、及び、分離型同期整流制御方法に関する。
現在、分離型同期整流の目的は、主に低電圧大電流が出力される場合において、二次側のショットキーバリアダイオードを代替することにある。これにより、効率が高まり、体積をコンパクト化することができ、システムコストを低減することができる。低電圧降下であるショットキーバリアダイオードの順方向電圧降下は、0.2〜0.3V前後である。一方、同期整流トランジスタの電圧降下は、設計が合理的な場合において0.15V以下とすることができる。これにより、整流トランジスタ自体の消耗が大幅に低減され、システムの効率が向上する。
図1は、現在市販されている同期整流制御装置を示す。当該装置は、変圧器101、同期整流トランジスタ102、出力コンデンサ103、VCC給電抵抗104、VCCバイパスコンデンサ105、時定数設定用抵抗108、時定数設定用抵抗107及び同期整流制御チップ106を備えている。時定数設定用抵抗108及び時定数設用定抵抗107から構成された抵抗ネットワークは、一次側導通判断を共に確定する。同期整流制御チップ106は、DET及びAEピンを介して積分を構成して一次側パワートランジスタの導通を判断する。VCCピンは、チップ給電ピンである。
しかしながら、上記の制御方法では、部品が多く、制御方法が複雑である。しかも、VCCピンの電力は、出力Voutから供給され、制御システム全体が低出力電圧モードにおいて動作する場合、VCCが給電不足となって、同期整流制御チップ106が動作しないことがある。この場合、整流トランジスタが寄生するボディダイオードを介して整流機能を維持するほかなく、発熱量が多くなり、効率が低下してしまう。
図2は、現在市販されているもう1つの同期整流制御装置を示す。当該装置は、変圧器201、出力コンデンサ202、VCCバイパスコンデンサ203、同期整流駆動チップ204及びフィルタコンデンサ205を備えている。このような構成では、完全に判断電圧に頼って同期整流トランジスタの導通及び遮断を制御することにより、一次側の導通識別メカニズムに欠け、同期整流トランジスタの誤操作を招きやすく、爆発現象に繋がる。
従って、現在の同期整流制御回路は、複雑なシステム作業の状況において精確に動作することができず、デュアル電圧の判断メカニズムを具備せず、作業効率が低い。
従来技術の不足を克服するため、本発明は、従来の同期整流制御回路が一次側の導通識別メカニズムに欠けることにより、同期整流トランジスタの誤操作又は重度な発熱を招き、効率が損失する問題を解決することができる、分離型同期整流制御回路、その制御装置、及び、分離型同期整流制御方法を提供する。
本発明は、以下の技術的解決手段を採用して上記技術的問題を解決する。本発明に係る分離型同期整流制御回路は、電力を供給するための給電モジュールと、少なくとも第1基準電圧及び第2基準電圧を生成するための基準モジュールと、当該制御回路の電圧端子の電圧と前記第1基準電圧とを比較するための導通コンパレータ及び前記電圧端子の電圧と前記第2基準電圧とを比較するための第1遮断コンパレータを含むコンパレータモジュールと、当該制御回路の時間設定用端子から流れた電流により電流の積分を取得し、当該電流の積分と設定値との大きさを比較するための一次側導通判断ユニットと、前記一次側導通判断ユニットが取得した電流の積分に基づいて同期整流トランジスタの導通に必要な時間を予測し、当該予測した同期整流トランジスタの導通に必要な時間に基づいて遮蔽時間を提供し、前記遮蔽時間と前記同期整流トランジスタの導通に実際に必要な時間との長さを比較するための二次側不連続予測ユニットと、前記導通コンパレータの比較結果及び前記一次側導通判断ユニットの比較結果に基づいて、前記同期整流トランジスタを導通させるためのロジック制御信号を生成し、前記第1遮断コンパレータの比較結果及び前記二次側不連続予測ユニットの比較結果に基づいて、前記同期整流トランジスタを遮断するためのロジック制御信号を生成するためのロジックユニットと、前記ロジックユニットが生成したロジック制御信号に基づいて、前記同期整流トランジスタを駆動するための駆動ユニットとを備えている。
さらに、本発明の好ましい技術的解決手段として、前記コンパレータモジュールは、前記電圧端子の電圧と前記基準モジュールが生成した第3基準電圧とを比較するための第2遮断コンパレータをさらに含む。
さらに、本発明の好ましい技術的解決手段として、前記分離型同期整流制御回路は、前記同期整流トランジスタの誤導通を防止するためのクランプ回路をさらに備える。
さらに、本発明の好ましい技術的解決手段として、前記一次側導通判断ユニットは、積分コンデンサと、2つのNMOS(N−Metal−Oxide−Semiconductor)トランジスタから構成された第1カレントミラーと、2つのPMOSトランジスタから構成された第2カレントミラーと、コンパレータユニットと、プルダウンNMOSトランジスタとを含む。前記基準モジュールは、第1基準電圧をさらに生成する。前記第1カレントミラーは、前記時間設定用端子が高電位であるときに電流を生成し、さらに前記第2カレントミラーを介して前記積分コンデンサを充電するために用いられる。前記コンパレータユニットは、前記積分コンデンサの電圧と前記第1基準電圧とを比較し、当該比較結果に基づいて電位信号を出力するために用いられる。前記プルダウンNMOSトランジスタは、各導通/遮断周期が終了する際に、前記積分コンデンサにおける電圧をクリアするために用いられる。
さらに、本発明の好ましい技術的解決手段として、前記二次側不連続予測ユニットは、ゼロクランプを実現するためのNPNトランジスタと、2つのPMOSトランジスタから構成された第3カレントミラーと、2つのNMOSトランジスタから構成された第4カレントミラーと、コンパレータユニットとを含む。前記基準モジュールは、第2基準電圧をさらに生成する。前記第3カレントミラーは、前記時間設定用端子が低電位であるときに電流を生成し、前記第4カレントミラーを介して積分コンデンサに放電するために用いられる。前記コンパレータユニットは、前記積分コンデンサの電圧と前記第2基準電圧とを比較し、当該比較結果に基づいて電位信号を出力するために用いられる。
さらに、本発明の好ましい技術的解決手段として、前記給電モジュールは、前記電圧端子が高電位であるときに電流を生成するための起動回路と、電圧を生成するための変調抵抗と、電圧の受取及び導通のために用いられる高電圧PMOSトランジスタと、2つの分圧抵抗と、高電圧NMOSトランジスタと、前記電圧端子が起動電圧に達したときに、前記2つの分圧抵抗の電圧と基準電位とを比較し、当該比較結果に基づいて電圧信号を出力して前記高電圧NMOSトランジスタの遮断を制御するためのオペアンプ回路とを含む。
さらに、本発明の好ましい技術的解決手段として、前記給電モジュールは、当該制御回路の電源端子から前記電圧端子への電流の逆流を防止するためのNPNトランジスタをさらに含む。
本発明は、前記分離型同期整流制御回路の制御装置をさらに提供する。本発明に係る制御装置は、二次側出力巻線の一端が前記分離型同期整流制御回路の接地端子及びバイパスコンデンサと接続され、前記二次側出力巻線の他端が地面に接続されている変圧器と、前記分離型同期整流制御回路の電源端子と接続され、前記分離型同期整流制御回路に安定した電圧を提供するためのバイパスコンデンサと、前記分離型同期整流制御回路の時間設定用端子と接続され、一次側が導通される時定数及び二次側の不連続時間予測の判断を設定するために用いられる時定数設定用抵抗と、前記時間設定用端子から流れた電流に基づいて、一次側が導通されているか否かを判断し、二次側の不連続時間を予測し、当該判断及び当該予測の結果に基づいてロジック制御信号を生成して前記同期整流トランジスタの導通又は遮断を駆動するための前記分離型同期整流制御回路と、前記電圧端子と接続され、コンデンサの出力のために用いられる出力コンデンサとを備えている。
本発明は、分離型同期整流制御方法をさらに提供する。本発明に係る制御方法は、一次側が導通される時定数を設定し、制御回路へ流れ込んだ電流により電流の積分を取得するステップと、前記電流の積分と設定値とを比較し、前記制御回路の電圧と基準電圧との大きさにより同期整流トランジスタの導通を制御するステップと、前記電流の積分に基づいて前記同期整流トランジスタの導通に必要な時間を予測し、当該予測した同期整流トランジスタの導通に必要な時間に基づいて遮蔽時間を提供するステップと、前記同期整流トランジスタの導通に実際に必な時間が前記遮蔽時間を超え、且つ、前記制御回路の電圧が前記基準電圧より大きい場合、前記同期整流トランジスタの遮断を制御するステップとを含む。
さらに、本発明の好ましい技術的解決手段として、前記同期整流トランジスタの導通に必要な時間は、前記時間設定用端子と出力グランドとが、二次側が電流を流し続ける際に生じた負の圧力差を推定することによって取得される。
本発明は、上記技術的解決手段を採用することにより、以下の技術的効果を奏する。本発明に係る分離型同期整流制御回路、その制御装置、及び、分離型同期整流制御方法によれば、一次側導通判断の方式により、同期整流トランジスタの誤導通が防止され、また、二次側の電流維持予測の方式により、同期整流トランジスタの早期誤遮断が防止される。改善されたVCC給電回路を採用することにより、電源システム作業の様々なモードにおいて十分な給電が保証される。また、精確な一次側導通判断回路、二次側の電流維持時間予測回路及びデュアル電圧の判断メカニズムを採用することにより、同期整流トランジスタは、複雑なシステム作業の状況において精確に動作することができる。
従来技術における1つの同期整流制御装置の構成概略図である。 従来技術におけるもう1つの同期整流制御装置の構成概略図である。 本発明に係る分離型同期整流制御装置の構成概略図である。 本発明に係る分離型同期整流制御回路の構成概略図である。 本発明における一次側導通判断ユニット及び二次側不連続予測ユニットの電気回路概略図である。 本発明における給電モジュールの電気回路概略図である。 本発明に係る各信号の波形図である。
以下、明細書の図面と併せて、本発明の実施形態について説明する。
図3に示すように、本発明に係る分離型同期整流制御装置は、分離型同期整流制御回路301、変圧器302、バイパスコンデンサ303、出力コンデンサ304、時定数設定用抵抗305を備えている。ここで、分離型同期整流制御回路301は、GND接地端子、VCC電源端子、AE時間設定用端子及びD電圧端子を備えている。変圧器302における二次側出力巻線は、非ドット端子が分離型同期整流制御回路301のGND接地端子及びバイパスコンデンサ303の一端と接続され、ドット端子が地面に接続されている。バイパスコンデンサ303の他端は、分離型同期整流制御回路301のVCC電源端子と接続されている。分離型同期整流制御回路301は、AE時間設定用端子が時定数設定用抵抗305と接続された後地面に接続され、D電圧端子が出力コンデンサ304と接続された後地面に接続されている。バイパスコンデンサ303は、作業するときの分離型同期整流制御回路301に安定した電圧を提供する。時定数設定用抵抗305は、分離型同期整流制御回路301内部の一次側導通回路の時定数及び二次側の不連続時間予測回路の判断を設定することができる。分離型同期整流制御回路301は、時間設定用端子から流れた電流に基づいて、一次側が導通されているか否かを判断し、二次側の不連続時間を予測し、当該判断及び当該予測の結果に基づいてロジック制御信号を生成して同期整流トランジスタの導通又は遮断を駆動するために用いられる。出力コンデンサ304は、分離型同期整流制御回路301の電圧端子と接続され、コンデンサの出力のために用いられる。
本発明に係る分離型同期整流制御回路301について、具体的な実施形態を挙げて説明するが、この実施形態に限定されない。図4に示された構成を参照されたい。分離型同期整流制御回路301は、給電モジュール401、基準モジュール405、導通コンパレータ402及び第1遮断コンパレータ403から構成されたコンパレータモジュール、一次側導通判断ユニット406、二次側不連続予測ユニット407、ロジックユニット408及び駆動ユニット409を含む。ここで、給電モジュール401は、一端が同期整流トランジスタ410のゲート電極及び分離型同期整流制御回路301のD電圧端子と接続され、他端が分離型同期整流制御回路301のVCC電源端子と接続され、分離型同期整流制御回路301に電圧を提供するために用いられる。基準モジュール405は、分離型同期整流制御回路301のVCC電源端子と接続され、少なくとも第1基準電圧及び第2基準電圧を生成するために用いられる。コンパレータモジュールは、入力端が同期整流トランジスタ410のゲート電極及び基準モジュール405のそれぞれと接続され、出力端がロジックユニット408の入力端と接続されている。導通コンパレータ402は、分離型同期整流制御回路301のD電圧端子の電圧と第1基準電圧とを比較するために用いられる。第1遮断コンパレータ403は、分離型同期整流制御回路301のD電圧端子の電圧と第2基準電圧とを比較するために用いられる。一次側導通判断ユニット406は、入力端が分離型同期整流制御回路301のAE時間設定用端子と接続され、出力端がロジックユニット408の入力端と接続され、分離型同期整流制御回路301のAE時間設定用端子から流れ込んだ電流に基づいて電流の積分を取得し、当該電流の積分と設定値との大きさを比較するために用いられる。二次側不連続予測ユニット407は、入力端が分離型同期整流制御回路301のAE時間設定用端子と接続され、出力端がロジックユニット408の入力端と接続されている。二次側不連続予測ユニット407は、一次側導通判断ユニット406が取得した電流の積分に基づいて同期整流トランジスタ410の導通に必要な時間を予測し、当該予測した同期整流トランジスタ410の導通に必要な時間に基づいて遮蔽時間を提供し、当該遮蔽時間と同期整流トランジスタの導通に実際に必要な時間との長さを比較するために用いられる。ロジックユニット408の出力端は、駆動ユニット409の入力端と接続され、上記の比較結果に基づいて導通又は遮断ロジック制御信号を生成する。駆動ユニット409の出力端は、同期整流トランジスタ410のゲート電極と接続されている。同期整流トランジスタ410のゲート電極は、分離型同期整流制御回路301のGND接地端子と接続されている。駆動ユニット409は、ロジックユニット408が生成した導通又は遮断ロジック制御信号により同期整流トランジスタ410を駆動するために用いられる。
一次側制御器が動作し始める際に、図4における分離型同期整流制御回路301のD電圧端子から高電圧が発生し始め、給電モジュール401を介して、VCC電源端子が安定した電圧を確立する。一次側制御器が導通される際に、電気回路のAE時間設定用端子及び図3における接地端子は、図3における時定数設定用抵抗305の作用により、電流が一次側導通判断ユニット406に流れ込んだ後電流の積分を取得する。電流の積分が設定値を超えた場合に、このときの分離型同期整流制御回路301におけるD電圧端子の電圧が第1基準電圧より小さければ、ロジックユニット408は、ロジック制御信号を生成し、駆動ユニット409を介して同期整流トランジスタ410を導通させる。二次側不連続予測ユニット407は、電流の積分に基づいて、同期整流トランジスタ410の導通に必要な時間Tpを事前に予測し、当該予測した同期整流トランジスタ410の導通に必要な時間Tpに基づいて遮蔽時間を提供するために用いられる。同期整流トランジスタ410の実際の導通時間が提供された遮蔽時間を超え、且つ、分離型同期整流制御回路301のD電圧端子の電圧が第2基準電圧より大きい場合、ロジックユニット408は、ロジック制御信号を生成し、駆動ユニット409を介して同期整流トランジスタ410を遮断する。
コンパレータモジュールは、第2遮断コンパレータ404をさらに含む。基準モジュール405は、第3基準電圧をさらに生成する。同様に、第2遮断コンパレータ404は、入力端が同期整流トランジスタ410のゲート電極及び基準モジュール405のそれぞれと接続され、出力端がロジックユニット408の入力端と接続されている。第2遮断コンパレータ404は、分離型同期整流制御回路301のD電圧端子の電圧と第3基準電圧とを比較するために用いられる。第2遮断コンパレータ404の作用により、分離型同期整流制御回路301のD電圧端子の電圧が同期整流トランジスタ410の導通に必要な時間Tpにおいて第3基準電圧より大きい場合においても、ロジックユニット408は、ロジック制御信号を生成し、駆動ユニット409を介して同期整流トランジスタ410を直接に遮断する。
チップがパワーオンのときに、同期整流トランジスタ410自身の寄生コンデンサによる誤導通を防止するために、分離型同期整流制御回路301は、クランプ回路411をさらに含んでもよい。クランプ回路411は、一端が同期整流トランジスタ410のゲート電極と接続され、他端が分離型同期整流制御回路301の接地端子と接続されている。これにより、同期整流トランジスタ410の誤導通が防止される。
本発明に係る電気回路における一次側導通判断ユニット及び二次側不連続予測ユニットについても、具体的な実施形態を挙げて説明するが、当該実施形態に限定されない。図5に示す電気回路を参照されたい。一次側導通判断ユニットは、NMOSトランジスタ501及びNMOSトランジスタ502から構成された第1カレントミラーと、PMOSトランジスタ503及びPMOSトランジスタ504から構成された第2カレントミラーと、積分コンデンサ505と、プルダウンNMOSトランジスタ506と、コンパレータユニット507とを含む。第1カレントミラーは、入力端が分離型同期整流制御回路301のAE時間設定用端子と接続され、出力端が第2カレントミラーの入力端と接続されている。第2カレントミラーの出力端は、積分コンデンサ505の一端及びコンパレータユニット507の第1入力端のそれぞれと接続されている。積分コンデンサ505の他端は、分離型同期整流制御回路301のGND接地端子と接続されている。プルダウンNMOSトランジスタ506は、積分コンデンサ505の両端と並列接続されている。コンパレータユニット507の第2入力端は、基準モジュールと接続されている。基準モジュールは、第1基準電圧を生成する。一次側スイッチトランジスタが導通される際に、分離型同期整流制御回路301のAE時間設定用端子は、高電位であり、NMOSトランジスタ501及びNMOSトランジスタ502から構成された第1カレントミラーは、電流を生成し始め、第2カレントミラーを介して積分コンデンサ505を充電する。コンパレータユニット507は、積分コンデンサ505の電圧と基準モジュールが生成した第1基準電圧Vref1とを比較する。積分コンデンサ505の電圧が第1基準電圧Vref1より高い場合、コンパレータユニット507は、高電位信号PBを出力する。このとき、一次側スイッチトランジスタが導通される。プルダウンNMOSトランジスタ506は、各導通周期が終了する際に、積分コンデンサ505における電圧をクリアするために用いられる。各導通周期は、同期整流トランジスタが導通されるときを示す。
図5に示すように、二次側不連続予測ユニットは主に、PMOSトランジスタ508及びPMOSトランジスタ509から構成された第3カレントミラーと、NMOSトランジスタ510及びNMOSトランジスタ511から構成された第4カレントミラーと、コンパレータユニット512と、NPNトランジスタ513とを含む。NPNトランジスタ513は、エミッタ電極が分離型同期整流制御回路301のAE時間設定用端子と接続され、コレクタ電極が第3カレントミラーの入力端と接続されている。第3カレントミラーの出力端は、第4カレントミラーの入力端と接続されている。第4カレントミラーの出力端は、コンパレータユニット512の第1入力端及び積分コンデンサ505と接続されている。コンパレータユニット512の第2入力端は、基準モジュールと接続されている。基準モジュールは、第2基準電圧を生成する。同期整流トランジスタが導通される際に、分離型同期整流制御回路301のAE時間設定用端子は、低電位であり、NPNトランジスタ513を介してゼロクランプを実現する。このときに、PMOSトランジスタ508及びPMOSトランジスタ509から構成された第3カレントミラーが電流を生成し始め、当該電流は、NMOSトランジスタ510及びNMOSトランジスタ511から構成された第4カレントミラーを介して積分コンデンサ505に流れ始める。コンパレータユニット512は、積分コンデンサ505の電圧と基準モジュールが生成した第2基準電圧Vref2とを比較する。積分コンデンサ505の電圧が第2基準電圧Vref2より低い場合、コンパレータユニット512は、低電位信号SBを出力する。電気回路は、二次側の不連続時間が実際の不連続時間に近づいていると判断した場合、このときの電気回路におけるD電圧端子の電圧が第2基準電圧より高ければ、同期整流トランジスタを遮断する。
本発明は、給電モジュールにおける具体的な実施形態をさらに提供するが、この実施形態に限定されない。図6に示すように、給電モジュールは、高電圧PMOSトランジスタ601、NPNトランジスタ602、変調抵抗603、起動抵抗604、オペアンプ回路605、分圧抵抗606、分圧抵抗607、高電圧NMOSトランジスタ608、NMOSトランジスタ609、NMOSトランジスタ610及びプルダウントランジスタ611を含む。起動抵抗604、NMOSトランジスタ609、NMOSトランジスタ610及びプルダウントランジスタ611から構成された起動回路において、NMOSトランジスタ609及びNMOSトランジスタ610は、第5カレントミラーを形成する。分離型同期整流制御回路301のD電圧端子が高電位である場合、電気回路がパワーオンされる前に、起動回路のEN端子は、低電位信号であり、起動抵抗604及びNMOSトランジスタ610から構成された電気回路は、電流を生成する。NMOSトランジスタ609を介して電気回路をプルダウンし、変調抵抗603において電圧を生成する。これにより、高電圧PMOSトランジスタ601を導通させる。分離型同期整流制御回路301のVCC電源端子の電圧が起動電圧に達する際に、起動回路のEN端子は、高電位信号であり、NMOSトランジスタ611は導通され、NMOSトランジスタ609は電流をプルダウンしない。このときの分離型同期整流制御回路301のVCC電源端子の電圧は、分圧抵抗606及び分圧抵抗607から構成された分圧抵抗ネットワーク及び基準モジュールが生成した基準電位と比較される。分離型同期整流制御回路301のVCC電源端子の電圧が設定値を超えた際に、オペアンプ回路605は、低電圧信号を出力する。これにより、高電圧NMOSトランジスタ608が遮断され、変調抵抗603において電圧降下がなく、高電圧PMOSトランジスタ601は遮断される。これにより、分離型同期整流制御回路301のVCC電源端子が安定した電圧を出力することが実現される。NPNトランジスタ602は、ダイオード接続であり、分離型同期整流制御回路301のVCC電源端子からD電圧端子への電流の逆流を防止する。
本発明に係る分離型同期整流制御回路及びその制御装置に基づいて、図7に示された波形図を取得することができる。ここで、pwm信号は、一次側パワートランジスタの駆動信号である。gnd信号は、二次側の出力グランドが分離型同期整流制御回路のGND接地端子に対する波形である。gnd信号の陰部分の積分面積が特定値より大きいことは、同期整流トランジスタを導通させるための必要な条件であり、これによりDCMが干渉する際の誤判断が防止される。D信号は、同期整流トランジスタのドレイン端子が分離型同期整流制御回路のGND接地端子に対する波形である。DRV信号は、図4における同期整流トランジスタの駆動信号である。
本発明は、分離型同期整流制御方法をさらに提供する。当該方法は、本発明に係る分離型同期整流制御回路及びその制御装置に用いられることが可能であり、具体的には、一次側が導通される時定数を設定し、制御回路へ流れ込んだ電流により電流の積分を取得するステップと、当該電流の積分と設定値とを比較し、制御回路の電圧と基準電圧との大きさにより同期整流トランジスタの導通を制御するステップと、制御回路の電圧が基準電圧より小さい場合、同期整流トランジスタの導通を制御するステップとを含む。
電流の積分に基づいて同期整流トランジスタの導通に必要な時間を予測し、当該予測した同期整流トランジスタの導通に必要な時間に基づいて遮蔽時間を提供する。同期整流トランジスタの導通に実際に必要な時間が遮蔽時間を超え、且つ、制御回路の電圧が基準電圧より大きい場合、同期整流トランジスタの遮断を制御する。
好ましくは、上記方法において、一次側が導通される時定数の設定は、同期整流制御回路の時間設定用端子と出力グランドとの間に接続された時間設定抵抗を調整することにより、一次側の導通に必要な判断基準を調整する。同期整流トランジスタの導通に必要な時間は、同期整流制御回路の時間設定用端子と出力グランドとが、二次側が電流を流し続ける際に生じた負の圧力差を推定することによって取得される。
従って、本発明は、一次側導通判断回路、二次側の電流維持時間予測回路及びデュアル電圧の精確な判断メカニズムを同時に採用することにより、同期整流トランジスタが複雑なシステム作業の状況において精確に動作することを保証することができる。
以上、図面と併せて本発明に係る実施形態につい詳細に説明した。しかしながら、本発明は、上記実施形態に限定されない。当業者が有する知識範囲内において、本発明の趣旨から逸脱しない限り、様々な変更を行うことができる。

Claims (10)

  1. 電力を供給するための給電モジュールと、
    少なくとも第1基準電圧及び第2基準電圧を生成するための基準モジュールと、
    当該制御回路の電圧端子の電圧と前記第1基準電圧とを比較するための導通コンパレータ及び前記電圧端子の電圧と前記第2基準電圧とを比較するための第1遮断コンパレータを含むコンパレータモジュールと、
    当該制御回路の時間設定用端子から流れた電流により電流の積分を取得し、当該電流の積分と設定値との大きさを比較するための一次側導通判断ユニットと、
    前記一次側導通判断ユニットが取得した電流の積分に基づいて同期整流トランジスタの導通に必要な時間を予測し、当該予測した同期整流トランジスタの導通に必要な時間に基づいて遮蔽時間を提供し、前記遮蔽時間と前記同期整流トランジスタの導通に実際に必要な時間との長さを比較するための二次側不連続予測ユニットと、
    前記導通コンパレータの比較結果及び前記一次側導通判断ユニットの比較結果に基づいて、前記同期整流トランジスタを導通させるためのロジック制御信号を生成し、前記第1遮断コンパレータの比較結果及び前記二次側不連続予測ユニットの比較結果に基づいて、前記同期整流トランジスタを遮断するためのロジック制御信号を生成するためのロジックユニットと、
    前記ロジックユニットが生成したロジック制御信号に基づいて、前記同期整流トランジスタを駆動するための駆動ユニットとを備えることを特徴とする分離型同期整流制御回路。
  2. 前記コンパレータモジュールは、前記電圧端子の電圧と前記基準モジュールが生成した第3基準電圧とを比較するための第2遮断コンパレータをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の分離型同期整流制御回路。
  3. 前記同期整流トランジスタの誤導通を防止するためのクランプ回路をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の分離型同期整流制御回路。
  4. 前記一次側導通判断ユニットは、積分コンデンサと、2つのPMOSトランジスタから構成された第2カレントミラーと、2つのNMOS(N−Metal−Oxide−Semiconductor)トランジスタから構成され、前記時間設定用端子が高電位であるときに電流を生成し、さらに前記第2カレントミラーを介して前記積分コンデンサを充電するための第1カレントミラーと、前記積分コンデンサの電圧と前記基準モジュールがさらに生成した第1基準電圧とを比較し、当該比較結果に基づいて電位信号を出力するためのコンパレータユニットと、各導通周期が終了する際に、前記積分コンデンサにおける電圧をクリアするためのプルダウンNMOSトランジスタとを含むことを特徴とする請求項1に記載の分離型同期整流制御回路。
  5. 前記二次側不連続予測ユニットは、ゼロクランプを実現するためのNPNトランジスタと、2つのNMOSトランジスタから構成された第4カレントミラーと、2つのPMOSトランジスタから構成され、前記時間設定用端子が低電位であるときに電流を生成し、前記第4カレントミラーを介して積分コンデンサに放電するための第3カレントミラーと、前記積分コンデンサの電圧と前記基準モジュールがさらに生成した第2基準電圧とを比較し、当該比較結果に基づいて電位信号を出力するためのコンパレータユニットとを含むことを特徴とする請求項1に記載の分離型同期整流制御回路。
  6. 前記給電モジュールは、前記電圧端子が高電位であるときに電流を生成するための起動回路と、電圧を生成するための変調抵抗と、電圧の受取及び導通のために用いられる高電圧PMOSトランジスタと、2つの分圧抵抗と、高電圧NMOSトランジスタと、前記電圧端子が起動電圧に達したときに、前記2つの分圧抵抗の電圧と基準電位とを比較し、当該比較結果に基づいて電圧信号を出力して前記高電圧NMOSトランジスタの遮断を制御するためのオペアンプ回路とを含むことを特徴とする請求項1に記載の分離型同期整流制御回路。
  7. 前記給電モジュールは、当該制御回路の電源端子から前記電圧端子への電流の逆流を防止するためのNPNトランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の分離型同期整流制御回路。
  8. 二次側出力巻線の一端が前記分離型同期整流制御回路の接地端子及びバイパスコンデンサと接続され、前記二次側出力巻線の他端が地面に接続されている変圧器と、
    前記分離型同期整流制御回路の電源端子と接続され、前記分離型同期整流制御回路に安定した電圧を提供するためのバイパスコンデンサと、
    前記分離型同期整流制御回路の時間設定用端子と接続され、一次側が導通される時定数及び二次側の不連続時間予測の判断を設定するために用いられる時定数設定用抵抗と、
    前記時間設定用端子から流れた電流に基づいて、一次側が導通されているか否かを判断し、二次側の不連続時間を予測し、当該判断及び当該予測の結果に基づいてロジック制御信号を生成して前記同期整流トランジスタの導通又は遮断を駆動するための前記分離型同期整流制御回路と、
    前記電圧端子と接続され、コンデンサの出力のために用いられる出力コンデンサとを備えることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の分離型同期整流制御回路の制御装置。
  9. 一次側が導通される時定数を設定し、制御回路へ流れ込んだ電流により電流の積分を取得するステップと、前記電流の積分と設定値とを比較し、前記制御回路の電圧と基準電圧との大きさにより同期整流トランジスタの導通を制御するステップと、
    前記電流の積分に基づいて前記同期整流トランジスタの導通に必要な時間を予測し、当該予測した同期整流トランジスタの導通に必要な時間に基づいて遮蔽時間を提供するステップと、前記同期整流トランジスタの導通に実際に必要な時間が前記遮蔽時間を超え、且つ、前記制御回路の電圧が前記基準電圧より大きい場合、前記同期整流トランジスタの遮断を制御するステップとを含むことを特徴とする分離型同期整流制御方法。
  10. 前記同期整流トランジスタの導通に必要な時間は、前記制御回路の時間設定用端子と出力グランドとが、二次側が電流を流し続ける際に生じた負の圧力差を推定することによって取得されることを特徴とする請求項9に記載の分離型同期整流制御方法。
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