JP2017525999A - 多層スタックを有する極紫外線反射素子、及び極紫外線反射素子を製造する方法 - Google Patents

Abstract

極紫外線反射素子を製造する装置及び方法は、基板と、基板上の多層スタックであって、ブラッグリフレクタを形成するために、シリコンから形成された第１の反射層と、ニオブ又は炭化ニオブから形成された第２の反射層とを有する複数の反射層ペアを含む、多層スタックと、酸化及び物理的腐食を減らすことによって多層スタックを保護するための、多層スタックの、及び多層スタックの上のキャッピング層とを含む。【選択図】図３

Description

［０００１］本発明は概して極紫外線リソグラフィに関し、より具体的には、極紫外線リソグラフィの極紫外線反射素子のための多層スタック、製造システム、及びリソグラフィシステムに関する。

［０００２］現代の消費者用及び工業用電子システムは、これまで以上に複雑なものになりつつある。電子デバイスにおいては、高密度の電子部品をより小さく、さらに柔軟な形でパッケージ化することが求められる。部品の密度が上がれば、小さな形状の高密度デバイスの要求を満たすために、技術に変革が求められる。ソフトＸ線投影リソグラフィとしても知られる極紫外線リソグラフィとは、０．１３ミクロン、及びこれより小さい最小形状の半導体デバイスを製造するためのフォトリソグラフィプロセスである。

［０００３］一般に５から５０ナノメートル（ｎｍ）であってよい波長範囲の極紫外線は、ほとんどの物質によって強く吸収される。この理由により、極紫外線システムは、光の透過よりも反射によって機能する。極紫外線放射線は、ミラーアセンブリ、非反射マスクパターンでコーティングされたマスクブランクを含む一連の反射部品を介して投影され、高密度で形状の小さい半導体デバイスを形成するために半導体ウエハ上に当てられうる。

［０００４］極紫外線リソグラフィシステムの反射部品には、多層反射コーティング材料が含まれ得る。極紫外線の高い電力レベルのために、他の反射していない極紫外線により加熱が起こり、この加熱により、時間と共に反射部品の反射率が劣化する場合があり、その結果反射部品の寿命が短くなる場合がある。

［０００５］電子部品の形状を更に小さくする必要を考慮すると、これらの問題への答えを見つけることが更に重要になってくる。かつてないほどの消費市場での競争圧力と共に、消費者の期待の高まりを考慮すると、これらの問題への答えを見つけることは益々重要である。加えて、コストを下げて、効率性及び性能を改善し、競争圧力に対抗する必要性により、これらの問題への答えを見つける必要の重要性にさらに高い緊急性が増し加わる。

［０００６］これらの問題への解決法が長く求められてきたが、以前の開発状況ではいかなる解決法も教示又は提案されてこなかったため、当業者はこれらの問題への解決法を長く見い出せずにいた。

［０００７］本発明の実施形態は、極紫外線反射素子を製造する方法を提供し、本方法は、基板を提供することと、基板に多層スタックを形成することであって、多層スタックが、ブラッグリフレクタを形成するために、シリコンから形成された第１の反射層と、ニオブ又は炭化ニオブから形成された第２の反射層とを有する複数の反射層ペアを含む、形成することと、酸化と物理的腐食を減らすことによって多層スタックを保護するために、多層スタックに、及び多層スタックの上にキャッピング層を形成することとを含む。

［０００８］本発明の実施形態は、極紫外線反射素子を提供し、極紫外線反射素子は、基板と、基板上の多層スタックであって、ブラッグリフレクタを形成するために、シリコンから形成された第１の反射層と、ニオブ又は炭化ニオブから形成された第２の反射層とを有する複数の反射層ペアを含む、多層スタックと、酸化と物理的腐食を減らすことによって多層スタックを保護するために、多層スタックの、及び層スタックの上のキャッピング層とを含む。

［０００９］本発明の実施形態は、極紫外線反射素子作製システムを提供し、極紫外線反射素子作製システムは、基板に多層スタックを堆積させるための第１の堆積システムであって、多層スタックが、ブラッグリフレクタを形成するために、シリコンから形成された第１の反射層と、ニオブ又は炭化ニオブから形成された第２の反射層とを有する複数の反射層ペアとを含む、第１の堆積システムと、酸化及び物理的腐食を減らすことによって多層スタックを保護するために、多層スタックにキャッピング層を形成するための第２の堆積システムとを含む。

［００１０］本発明の特定の実施形態は、上述したものに加えて、又はその代わりに他の段階又は要素を有する。添付の図面を参照しながら、以下の詳細説明を読むことで、段階又は要素が当業者に明らかとなるだろう。

本発明の第１の実施形態の極紫外線リソグラフィシステムの例図である。 極紫外線反射素子作製システムの一例を示す図である。 極紫外線反射素子の一例を示す図である。 多層スタックの第２の例を示す図である。 多層スタックの第３の例を示す図である。 製造のプロビジョニング段階にある図３の構造を示す図である。 製造の層形成段階にある図６の構造を示す図である。 製造の保護段階にある図７の構造を示す図である。 製造のプリパターニング段階にある図８の構造を示す図である。 製造のプロビジョニング段階にある図４の構造を示す図である。 製造の層形成段階にある図１０の構造を示す図である。 製造の堆積段階にある図１１の構造を示す図である。 製造の仕上げ段階にある図１２の構造を示す図である。 本発明の別の実施形態の極紫外線反射素子を製造する方法を示すフロー図である。

［００２５］以下の実施形態を、当業者が本発明を作製し使用することが可能になるように、十分詳細に説明する。本開示に基づいて、他の実施形態も明白であり、システム又はプロセスの変更、或いは機械的変更は、本発明の実施形態の範囲から逸脱せずに行われ得ることを理解するべきである。

［００２６］以下の記載では、本発明の完全な理解を促すために多数の具体的な詳細が記載されている。しかしながら、本発明がこれら具体的な詳細なしに実施可能であることが明らかになるであろう。本発明の実施形態が曖昧になるのを避けるために、幾つかの周知の素子、システム設定、及びプロセス段階は詳細には開示されない。

［００２７］システムの実施形態を示す図面は、やや概略的なものであり、原寸に比例するものではない。特に、幾つかの寸法は、明確に表示するために、図面において拡大して示されている。同様に、説明しやすくするために、図面はおおむね同じような配向で示されているが、このような図示はほとんどの部分において任意のものである。本発明は概して、いかなる配向においても動作可能である。

［００２８］幾つかの共通している特徴を有する複数の実施形態が開示され、記載されるが、これら実施形態の例示、説明を明解にし、簡単に理解できるようにするために、同様の似ている特徴は同じ又は類似の参照番号で記載される。

［００２９］解説のために、本明細書で使用する「水平」という語は、その配向性と関係なく、マスクブランクの面又は表面に平行する面として定義される。「垂直」という語は、ここで定義されたように水平に対して垂直の方向を指すものである。例えば「上（ａｂｏｖｅ）」、「下（ｂｅｌｏｗ）」、「底部（ｂｏｔｔｏｍ）」、「上部（ｔｏｐ）」、（「側壁」等における）「側方（ｓｉｄｅ）」、「高い（ｈｉｇｈｅｒ）」、「低い（ｌｏｗｅｒ）」、「上方（ｕｐｐｅｒ）」、「上側（ｏｖｅｒ）」、「下側（ｕｎｄｅｒ）」等の語は、図に示すように、水平面に対して定義される。

［００３０］「の上（ｏｎ）」という語は、要素間で直接の接触があることを示す。「すぐ上、真上（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ）」という語は、介在する要素がない要素間での直接の接触を示す。

［００３１］本明細書で使用する「処理（ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）」という語は、材料の堆積、又は材料のフォトレジスト、パターニング、露出、開発、エッチング、スパッタリング、洗浄、注入、及び／又は除去、又は上記構造を形成するために要求されるフォトレジストを含む。「約（ａｂｏｕｔ）」及び「おおよそ（ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ）」という語は、要素のサイズが工学的許容範囲内で決定されうることを示す。

［００３２］ここで、本発明の第１の実施形態の極紫外線リソグラフィシステム１００の例図を示す図１を参照する。極紫外線リソグラフィシステム１００は、極紫外線１１２を発生させるための極紫外線源１０２と、反射素子のセットと、ターゲットウエハ１１０とを含みうる。反射素子は、コンデンサー１０４、反射マスク１０６、光学縮小アセンブリ１０８、マスクブランク、ミラー、又はこれらの組み合わせを含みうる。

［００３３］極紫外線源１０２は、極紫外線１１２を生成しうる。極紫外線１１２は、５〜５０ナノメートルの範囲の波長を有する電磁放射線である。例えば、極紫外線源１０２は、レーザー、レーザー生成プラズマ、放電生成プラズマ、自由電子レーザー、シンクロトロン放射線、又はこれらの組み合わせを含みうる。

［００３４］極紫外線源１０２は、様々な特徴を有する極紫外線１１２を生成しうる。極紫外線源１０２は、ある波長範囲にわたる広帯域の極紫外線放射線を発生させうる。例えば、極紫外線源１０２は、５〜５０ｎｍの範囲の波長を有する極紫外線１１２を生成しうる。

［００３５］極紫外線源１０２は、狭い帯域幅を有する極紫外線１１２を発しうる。例えば、極紫外線源１０２は、１３．５ｎｍの極紫外線１１２を生成しうる。波長ピークの中心は、１３．５ｎｍである。

［００３６］コンデンサー１０４は、極紫外線１１２を反射させ、焦点を合わせるための光学ユニットである。コンデンサー１０４は、反射マスク１０６を照らすために、極紫外線源１０２からの極紫外線１１２を反射させ、焦点を合わせうる。

［００３７］コンデンサー１０４を単一素子として示したが、当然ながら、コンデンサー１０４は、極紫外線１１２を反射させ集中させるための、凹面ミラー、凸面ミラー、平面ミラー、又はこれらの組み合わせ等の一又は複数の反射素子を含みうる。例えば、コンデンサー１０４は、凸面、凹面及び平面光学素子を有する単一の凹面ミラー又は光学アセンブリであってよい。

［００３８］反射マスク１０６とは、マスクパターン１１４を有する極紫外線反射素子である。反射マスク１０６により、ターゲットウエハ１１０に形成される回路のレイアウトを形成するために、リソグラフパターンが作成される。反射マスク１０６は極紫外線１１２を反射させうる。

［００３９］光学縮小アセンブリ１０８とは、マスクパターン１１４の画像を縮小するための光学ユニットである。光学縮小アセンブリ１０８によって、極紫外線１１２の反射マスク１０６からの反射が縮小され、ターゲットウエハ１１０に反映されうる。光学縮小アセンブリ１０８は、マスクパターン１１４の画像サイズを縮小するために、ミラーと他の光学素子を含みうる。例えば、光学縮小アセンブリ１０８は、極紫外線１１２を反射させ、焦点を合わせるために、凹面ミラーを含みうる。

［００４０］光学縮小アセンブリ１０８により、ターゲットウエハ１１０上のマスクパターン１１４の画像サイズが縮小されうる。例えば、マスクパターン１１４によって表される回路をターゲットウエハ１１０に形成するために、光学縮小アセンブリ１０８によってターゲットウエハ１１０に４：１の比率でマスクパターン１１４が結像されうる。極紫外線１１２は、ターゲットウエハ１１０にマスクパターン１１４を形成するために、ターゲットウエハ１１０と同期して反射マスク１０６をスキャンしうる。

［００４１］ここで、極紫外線反射素子作製システム２００の一実施例を示す図２を参照する。極紫外線反射素子は、極紫外線を反射させうる。極紫外線反射素子は、マスクブランク２０４、極紫外線（ＥＵＶ）ミラー２０５、又は他の反射素子を含みうる。

［００４２］極紫外線反射素子作製システム２００により、マスクブランク、ミラー、又は図１の極紫外線１１２を反射させる他の素子が作製されうる。極紫外線反射素子作製システム２００は、ソース基板２０３に薄いコーティングを塗布することによって極紫外線反射素子を作製しうる。

［００４３］マスクブランク２０４とは、図１の反射マスク１０６を形成するための多層構造である。マスクブランク２０４は、半導体製造技法を使用して形成されうる。反射マスク１０６は、電子回路を示すためにマスクブランク２０４上に形成された図１のマスクパターン１１４を有しうる。

［００４４］極紫外線ミラー２０５とは、極紫外線の範囲において反射させる多層構造である。極紫外線ミラー２０５は、半導体製造技法を使用して形成されうる。マスクブランク２０４と、極紫外線ミラー２０５は同様の構造であってよいが、極紫外線ミラー２０５はマスクパターン１１４を有さない。

［００４５］極紫外線反射素子は、極紫外線１１２の効率的なリフレクタである。マスクブランク２０４と極紫外線ミラー２０５は、６０％を超える極紫外線反射率を有しうる。極紫外線反射素子が６０％を超える極紫外線１１２を反射させる場合、極紫外線反射素子は効率的である。

［００４６］極紫外線反射素子作製システム２００は、ソース基板２０３がロードされ、極紫外線反射素子がアンロードされるウエハローディング及びキャリアハンドリングシステム２０２を含む。大気ハンドリングシステム２０６により、ウエハハンドリング真空チャンバ２０８へのアクセスが提供される。ウエハローディング及びキャリアハンドリングシステム２０２は、基板を大気からシステム内部の真空へ移送するための基板搬送ボックス、ロードロック、及び他の部品を含みうる。マスクブランク２０４が非常に小さい寸法のデバイスを形成するのに使用されるため、真空システムでマスクブランク２０４を処理して汚染及び他の欠陥を防止する必要がある。

［００４７］ウエハハンドリング真空チャンバ２０８は、第１の真空チャンバ２１０と第２の真空チャンバ２１２の２つの真空チャンバを含みうる。第１の真空チャンバ２１０は第１のウエハハンドリングシステム２１４を含んでいてよく、第２の真空チャンバ２１２は第２のウエハハンドリングシステム２１６を含んでいてよい。２つの真空チャンバを有するウエハハンドリング真空チャンバ２０８が記載されているが、当然ながらシステムはいかなる数の真空チャンバも有していてよい。

［００４８］ウエハハンドリング真空チャンバ２０８は、様々な他のシステムを取り付けるためにその外縁に複数のポートを有しうる。第１の真空チャンバ２１０は、ガス抜きシステム２１８、第１の物理的気相堆積システム２２０、第２の物理的気相堆積システム２２２、及び予洗浄システム２２４を有しうる。ガス抜きシステム２１８は、基板から水分を熱的に脱着させるためのものである。予洗浄システム２２４は、ウエハ、マスクブランク、ミラー、又は他の光学部品の表面を洗浄するためのものである。

［００４９］ソース基板２０３に材料の薄膜を形成するために、第１の物理的気相堆積システム２２０と第２の物理的気相堆積システム２２２等の物理的気相堆積システムが使用されうる。例えば、物理的気相堆積システムは、マグネトロンスパッタリングシステム、イオンスパッタリングシステム、パルス状レーザー堆積、カソードアーク堆積又はこれらの組み合わせ等の真空堆積システムを含みうる。マグネトロンスパッタリングシステム等の物理的気相堆積システムは、ソース基板２０３にシリコン、金属、合金、化合物、又はこれらの組み合わせの層を含む薄い層を形成しうる。

［００５０］物理的気相堆積システムにより、反射層、キャッピング層、及び吸収層が形成されうる。例えば、物理的気相堆積システムにより、シリコン、モリブデン、ルテニウム、ニオブ、クロム、タンタル、窒化物、炭素、化合物、又はそれらの組み合わせの層が形成されうる。幾つかの化合物を酸化物として記載したが、当然ながら、化合物には酸化物、二酸化物、酸素原子を有する原子混合物、又はこれらの組み合わせを含みうる。

［００５１］第２の真空チャンバ２１２は、第２の真空チャンバ２１２に接続された第１のマルチカソードソース２２６、化学気相堆積システム２２８、硬化チャンバ２３０、及び超平滑堆積チャンバ２３２を有しうる。例えば、化学気相堆積システム２２８は、流動性化学気相堆積システム（ＦＣＶＤ）、プラズマ支援化学気相堆積システム（ＣＶＤ）、エアロゾル支援ＣＶＤ、ホットフィラメントＣＶＤシステム、又は同様のシステムを含みうる。別の実施例では、化学気相堆積システム２２８、硬化チャンバ２３０、及び超平滑堆積チャンバ２３２は、極紫外線反射素子作製システム２００とは別のシステムであってよい。

［００５２］化学気相堆積システム２２８は、ソース基板２０３に材料の薄膜を形成しうる。例えば、化学気相堆積システム２２８は、ソース基板２０３に、単結晶層、多結晶層、アモルファス層、エピタキシャル層、又はこれらの組み合わせを含む材料の層を形成するために使用されうる。化学気相堆積システム２２８は、シリコン、酸化ケイ素、炭素、タングステン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化チタン、金属、合金、及び化学気相堆積に適切な他の材料の層を形成しうる。例えば、化学気相堆積システムは平坦化層を形成しうる。

［００５３］第１のウエハハンドリングシステム２１４は、連続的な真空下で大気ハンドリングシステム２０６と、第１の真空チャンバ２１０の外縁の様々なシステムとの間でソース基板２０３を移動させることができる。第２のウエハハンドリングシステム２１６は、連続的な真空下にソース基板２０３を維持している間に、第２の真空チャンバ２１２の周辺でソース基板２０３を移動させることができる。極紫外線反射素子作製システム２００は、連続的な真空条件において第１のウエハハンドリングシステム２１４と第２のウエハハンドリングシステム２１６との間でソース基板２０３とマスクブランク２０４を移送することができる。

［００５４］ここで、極紫外線反射素子３０２の一例を示す図３を参照する。極紫外線反射素子３０２は、図２のマスクブランク２０４、又は図２の極紫外線ミラー２０５であってよい。マスクブランク２０４及び極紫外線ミラー２０５は、図１の極紫外線１１２を反射するための構造である。

［００５５］極紫外線ミラー２０５等の極紫外線反射素子３０２は、基板３０４、多層スタック３０６、及びキャッピング層３０８を含みうる。極紫外線ミラー２０５は、図１のコンデンサー１０４、又は図１の光学縮小アセンブリ１０８に使用するための反射性構造を形成するのに使用されうる。

［００５６］マスクブランク２０４は、基板３０４、多層スタック３０６、キャッピング層３０８、及び吸収層３１０を含みうる。マスクブランク２０４は、必要とされる回路のレイアウトを用いて吸収層３１０をパターニングすることによって図１の反射マスク１０６を形成するために使用されうる。

［００５７］以下のセクションでは、簡単にするために、マスクブランク２０４という語が、極紫外線ミラー２０５という語と交互に使用されうる。マスクブランク２０４は、図１のマスクパターン１１４の形成に加えて、吸収層３１０が追加された極紫外線ミラー２０５の部品を含みうる。

［００５８］マスクブランク２０４は、マスクパターン１１４を有する反射マスク１０６を形成するのに使用される光学的に平坦な構造である。例えば、マスクブランク２０４の反射面により、図１の極紫外線１１２等の入射光を反射させるための平坦な焦点面が形成されうる。

［００５９］基板３０４は、極紫外線反射素子３０２を構造的に支持する要素である。基板３０４は、温度が変化する間の安定性を付与するために、低い熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する材料からできていてよい。基板３０４は、機械的循環、熱循環、結晶形成、又はこれらの組み合わせに対する安定性等の特性を有しうる。基板３０４は、シリコン、ガラス、酸化物、セラミック、又はこれらの組み合わせ等の材料から形成されうる。

［００６０］多層スタック３０６は、極紫外線１１２を反射させる構造である。多層スタック３０６は、第１の反射層３１２と第２の反射層３１４の交代反射層を含む。

［００６１］第１の反射層３１２と第２の反射層３１４は、反射ペア３１６を形成しうる。多層スタック３０６は、４０〜６０の反射ペア３１６、最大合計１２０の反射層を含みうる。しかしながら、必要に応じて、それより多い又は少ない層が使用されうることを理解すべきである。

［００６２］第１の反射層３１２と第２の反射層３１４は、様々な材料から形成されうる。例えば、第１の反射層３１２と第２の反射層３１４はそれぞれ、シリコンとニオブから形成されうる。ニオブの光学特性により、反射層が多層スタックにおいてどれほど良好に作用するかが決まる。屈折率の実数成分の虚数成分は、モリブデンと同様である。第１の反射層３１２は、シリコンから形成されうる。第２の反射層３１４は、ニオブから形成されうる。

［００６３］シリコンから形成された第１の反射層３１２と、ニオブから形成された第２の反射層３１４を有する多層スタック３０６を説明したが、他の構成も可能である。例えば、第１の反射層３１２はニオブから形成され得、第２の反射層３１４はシリコンから形成されうる。

［００６４］しかしながら、他の材料から交代層を形成することができる。別の実施例では、第２の反射層３１４は炭化ニオブで形成されうる。

［００６５］マスクブランク２０４と、極紫外線ミラー２０５の反射率は、層間インターフェースのシャープネスと、層の粗度によって決定される。多層スタック３０６を形成するために使用される材料を変更することで、インターフェースのシャープネス又は層の粗度が改善され、多層の反射率が上がりうる。

［００６６］多層スタック３０６は、ブラッグミラー（Ｂｒａｇｇ ｍｉｒｒｏｒ）を作製するために異なる光学特性を有する材料の薄い交代層を有することによって反射性構造を形成する。交代層は各々、極紫外線１１２に対して異なる光学定数を有しうる。

［００６７］多層スタック３０６は、様々な方法で形成されうる。例えば、第１の反射層３１２と第２の反射層３１４は、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリングシステム、パルス状レーザー堆積、カソードアーク堆積、又は層堆積技法を用いて形成されうる。

［００６８］一例では、マグネトロンスパッタリング等の物理的気相堆積技法を使用して、多層スタック３０６が形成されうる。多層スタック３０６の第１の反射層３１２と第２の反射層３１４は、正確な厚さ、低粗度、及び層間の清浄インターフェースを含む、マグネトロンスパッタリング技法によって形成されることによる特性を有しうる。多層スタック３０６の第１の反射層３１２と第２の反射層３１４は、正確な厚さ、低粗度、層間の清浄インターフェースを含む物理的気相堆積によって形成されることによる特性を有しうる。

［００６９］物理的気相堆積技法を使用して形成された多層スタック３０６の層の物理的寸法を正確に制御して、反射率を上げることができる。例えば、例えばシリコンの層等の第１の反射層３１２は、３．５ｎｍの厚さを有しうる。ニオブの層等の第２の反射層３１４は、３．５ｎｍの厚さを有しうる。しかしながら、工学的必要性、極紫外線１１２の波長、及び層材料の光学特性に基づいて、第１の反射層３１２と第２の反射層３１４の厚さを変更しうることを理解すべきである。別の実施例では、第２の反射層３１４が、３．５ｎｍの厚さを有する炭化ニオブで形成されうる。

［００７０］別の例として、第１の反射層３１２と第２の反射層３１４はそれぞれ、シリコンと炭化ニオブから形成されうる。シリコン層等の第１の反射層は、４．１５ｎｍの厚さを有しうる。炭化ニオブ層等の第２の反射層３１４は、２．８ｎｍの厚さを有しうる。

［００７１］シリコン及びニオブで多層スタック３０６を形成することで、多層スタック３０６でもシリコン及びモリブデンと同様の反射率が得られることが分かっている。多層スタック３０６は、ニオブ及びシリコンの屈折率、及び他の物理特性の基づき、モリブデン及びシリコンの反射率に匹敵する反射率を有する。

［００７２］シリコン及び炭化ニオブで多層スタック３０６を形成することで、シリコン及びモリブデンと同様の反射率が多層スタック３０６でも得られることが分かっている。４．１５ｎｍのシリコン層と２．８ｎｍの炭化ニオブ層を有する多層スタック３０６は、炭化ニオブとシリコンの屈折率、及び他の物理特性に基づき、モリブデンとシリコンの反射率に匹敵する反射率を提供する。

［００７３］炭化ニオブを用いて多層スタック３０６を形成することで、多層スタック３０６の信頼性が高まることがわかっている。炭化ニオブの硬度により、多層スタック３０６が保護され、動作寿命が延びる。

［００７４］キャッピング層３０８は、極紫外線１１２に対して透明な保護層である。キャッピング層３０８は、多層スタック３０６のすぐ上に形成されうる。キャッピング層３０８は、多層スタック３０６を汚染及び機械的損傷から保護しうる。例えば、多層スタック３０６は、酸素、炭素、炭化水素又はこれらの組み合わせによる汚染に影響される場合がある。キャッピング層３０８は、汚染物質と相互作用してこれらを中和しうる。

［００７５］キャッピング層３０８は、極紫外線１１２に対して透明な光学的に均一な構造である。極紫外線１１２はキャッピング層３０８を通過して、多層スタック３０６で反射されうる。

［００７６］キャッピング層３０８は、滑らかな表面を有する。例えば、キャッピング層３０８の表面は、０．２ｎｍＲＭＳ（二乗平均平方根粗度測定）未満の粗度を有しうる。別の実施例では、キャッピング層３０８の表面は、１／１００ｎｍ〜１／１μｍの特有の表面粗度長に対して０．０８ｎｍＲＭＳの粗度を有しうる。

［００７７］キャッピング層３０８は、様々な方法で形成されうる。例えば、キャッピング層３０８は、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリングシステム、イオンビーム堆積、エレクトロンビーム蒸発、高周波（ＲＦ）スパッタリング、原子層堆積（ＡＬＤ）、パルス状レーザー堆積、カソードアーク堆積、物理的気相堆積又はこれらの組み合わせで、多層スタック３０６のすぐ上に形成されうる。キャッピング層３０８は、正確な厚み、低粗度、及び層間の清浄インターフェースを含む、マグネトロンスパッタリング技法によって形成されたことによる物理特性を有しうる。

［００７８］反射率低下の原因の１つは、定期的な洗浄処理に起因する多層スタック３０６の酸化である。この酸化を防ぐために、吸収層３１０を形成する前に、多層スタック３０６のすぐ上にキャッピング層３０８を形成しうる。

［００７９］ほとんどの材料が極紫外線１１２に対して不透明であるため、極紫外線システムの大まかな汚染レベルを最小限まで抑えなければならない。従って、反射マスク１０６は他のリソグラフィシステムより更に頻繁に洗浄されなければならない。使用中に反射マスク１０６で良く見つかる小粒子及び他の汚染物質を除去するために、洗浄方法は強力なものである必要がある。しかしながら、メガソニックプロセス等の強すぎる洗浄方法は、多層スタック３０６の反射率低下及び酸化につながりうるキャッピング層３０８のくぼみ形成及び劣化の原因となりうる。

［００８０］キャッピング層３０８は、洗浄中における浸食に耐えるのに十分な硬度を有する様々な材料から形成されうる。例えば、ルテニウムは良好なエッチング停止材であり、動作条件下で比較的不活性であるため、キャッピング層の材料として使用可能である。しかしながら、他の材料をキャッピング層３０８を形成するのに使用しうることを理解すべきである。キャッピング層３０８は、２．０ｎｍ〜３ｎｍの厚みを有しうる。別の実施例では、キャッピング層の厚さは通常、ルテニウムについては２．５ｎｍであってよい。

［００８１］炭化ニオブでキャッピング層３０８を形成することで多層スタック３０６を保護することによって、極紫外線反射素子３０２の信頼性が高まることが分かっている。炭化ニオブの硬度により多層スタック３０６の浸食及び酸化が低減することによって、多層スタック３０６が保護され、動作寿命が延びる。

［００８２］追加の炭化ニオブ層でキャッピング層３０８を形成することで多層スタック３０６を保護することによって、極紫外線反射素子３０２の信頼性が高まることが分かっている。炭化ニオブの硬度により多層スタック３０６の浸食及び酸化が低減することによって、多層スタック３０６が保護され、動作寿命が延びる。

［００８３］洗浄後、キャッピング層３０８は、洗浄プロセスに暴露されたことによる物理特性を有しうる。キャッピング層３０８は、浸食マーク、厚さの縮小、損耗のばらつき、溶剤残留物、吸収層３１０からの残留物、又はそれらの組み合わせの物理特性を有しうる。キャッピング層３０８は、洗浄溶剤とキャッピング層３０８の材料の相互作用によって生じる化学残留物を含む追加の物理特性を呈しうる。

［００８４］極紫外線ミラー２０５等の極紫外線反射素子３０２は、基板３０４、多層スタック３０６、及びキャッピング層３０８で形成されうる。極紫外線ミラー２０５は光学的に平坦な表面を有し、極紫外線１１２を効率的に、また均一に反射させうる。

［００８５］キャッピング層３０８を用いて多層スタック３０６を保護することによって、反射率の劣化が防止される。キャッピング層３０８により、製造工程及び洗浄工程の間に多層スタック３０６への損傷が防止されうる。キャッピング層３０８は酸化を防いで、使用及び洗浄中に多層スタック３０６の反射率を維持し、反射率の低下を防止しうる。

［００８６］例えば、多層スタック３０６は、６０％を超える反射率を有しうる。物理的気相堆積を使用して形成された多層スタック３０６は、６３％〜６８％の反射率を有しうる。より硬い材料を用いて多層スタック３０６の上にキャッピング層３０８を形成することで反射率が１％〜２％下がりうるが、キャッピング層３０８により多層スタック３０６への損傷が防止され、多層スタック３０６の反射率の低下が防止される。ある場合には、粗度の低い層、層間の清浄インターフェース、改善された層材料、又はこれらの組み合わせを使用して、最大７０％の反射率が達成されうる。

［００８７］吸収層３１０は、極紫外線１１２を吸収しうる層である。吸収層３１０は、極紫外線１１２を反射させないエリアを提供することによって、反射マスク１０６にパターンを形成するように使用されうる。吸収層３１０は、例えば約１３．５ｎｍ等の極紫外線１１２の特定の周波数に対して高い吸収係数を有する材料であってよい。一実施例では、吸収層３１０は、クロム、タンタル、窒化物、ニッケル、合金、又はこれらの組み合わせから形成されうる。別の実施例では、吸収層は、様々な比率のタンタル、ホウ素、及び窒素の合金から形成されうる。

［００８８］吸収層３１０は、キャッピング層３０８のすぐ上に形成されうる。吸収層３１０は、フォトリソグラフィプロセスを使用してエッチングされ、反射マスク１０６のパターンが形成されうる。

［００８９］例えばマスクブランク２０４等の極紫外線反射素子３０２は、基板３０４、多層スタック３０６、キャッピング層３０８、及び吸収層３１０で形成されうる。マスクブランク２０４は、光学的に平坦な表面を有し、極紫外線１１２を効率的に、また均一に反射させうる。マスクパターン１１４は、マスクブランク２０４の吸収層３１０で形成されうる。

［００９０］多層スタック３０６の上部とキャッピング層３０８との間に炭素の介在層を加えることで反射率が上がりうることが分かっている。多層スタック３０６の上に炭素の層を形成することで、反射率が上がることが分かっている。

［００９１］多層スタック３０６の上部とキャッピング層３０８との間に炭素又は炭化ニオブの介在層を加えることで、反射率が上がりうることが分かっている。多層スタック３０６の上に炭素又は炭化ニオブの層を形成することで、反射率が上がることが分かっている。

［００９２］多層スタック３０６の上にニオブ又は炭化ニオブでキャッピング層３０８を形成することで、反射率が上がり、動作寿命が延びることが分かっている。炭化ニオブは、硬い保護層を提供する。ニオブ又は炭化ニオブからキャッピング層３０８を形成することで、モリブデン及びシリコン層から形成された多層スタック３０６が保護されうる。ニオブ又は炭化ニオブから形成されたキャッピング層３０８は、ルテニウムから形成されたキャッピング層３０８に加えて、又はその代わりに使用されうる。

［００９３］第１の反射層３１２、第２の反射層３１４、キャッピング層３０８、及び吸収層３１０は、物理的気相堆積システムを用いて形成されうる。物理的気相堆積システムは、図２の第１の物理的気相堆積システム２２０、又は図２の第２の物理的気相堆積システム２２２等の物理的気相堆積システム、又はこれらの組み合わせを含みうる。

［００９４］基板３０４、多層スタック３０６、キャッピング層３０８、及び吸収層３１０を有する極紫外線反射素子を示したが、他の層も含みうることを理解すべきである。追加の保護層、パッシベーション層、又は他の層が含まれ得る。例えば、極紫外線反射素子は、多層スタック３０６の下に平坦化層を含みうる。

［００９５］ここで、多層スタック４０６の第２の実施例を示す図４を参照する。多層スタック４０６は、図３の多層スタック３０６と同様のものであり、同じ素子番号を使用する。

［００９６］多層スタック４０６は、図２のマスクブランク２０４、又は図２の極紫外線ミラー２０５等の極紫外線反射素子４０２の一部であってよい。マスクブランク２０４及び極紫外線ミラー２０５は、図１の極紫外線１１２を反射させるための構造である。

［０１００］極紫外線ミラー２０５は、基板４０４、多層スタック４０６、及びキャッピング層４０８を含みうる。マスクブランク２０４は、基板４０４、多層スタック４０６、キャッピング層４０８、及び吸収層４１０を含みうる。マスクブランク２０４は、吸収層４１０を要求される回路のレイアウトでパターニングすることによって、図１の反射マスク１０６を形成するために使用されうる。

［０１０１］以下のセクションでは、マスクブランク２０４という用語は、簡単にするために極紫外線ミラー２０５という用語と交互に使用されうる。マスクブランク２０４は、図１のマスクパターン１１４を形成するために更に、吸収層４１０が追加された極紫外線ミラー２０５の部品を含みうる。

［０１０２］マスクブランク２０４は、マスクパターン１１４を有する反射マスク１０６を形成するために使用される光学的に平坦な構造である。基板４０４は、極紫外線反射素子４０２を支持するための構造要素である。

［０１０３］吸収層４１０は、極紫外線１１２を吸収しうる層である。吸収層４１０は、極紫外線１１２を反射させないエリアを提供することによって反射マスク１０６にパターンを形成するために使用されうる。

［０１０４］キャッピング層４０８は、極紫外線１１２に対して透明な保護層である。キャッピング層４０８は、多層スタック４０６のすぐ上に形成されうる。キャッピング層４０８は、多層スタック４０６を汚染物質及び機械的損傷から保護しうる。

［０１０５］多層スタック４０６は、極紫外線１１２を反射させる構造である。多層スタック４０６は、各交代層の間にバリア層４１８を有する、第１の反射層４１２と第２の反射層４１４の交代反射層を含みうる。多層スタック４０６は任意選択的に、第１の反射層４１２とキャッピング層４０８との間、及び第２の反射層４１４と基板４０４との間にバリア層４１８を含みうる。

［０１０６］バリア層４１８は保護層である。バリア層４１８は、第１の反射層４１２と第２の反射層４１４とを離して、層間の化学的相互作用を最小限に抑えるためのものである。例えば、バリア層４１８は、炭素、炭化ニオブ、又は同様の特性を有する材料から形成されうる。

［０１０７］第１の反射層４１２と第２の反射層４１４により、反射ペア４１６が形成されうる。多層スタック４０６は、４０〜６０個、合計で最大１２０個の反射ペア４１６を含みうる。しかしながら、必要に応じて、それより多い又は少ない層が使用されうることを理解すべきである。

［０１０８］第１の反射層４１２と第２の反射層４１４は、様々な材料から形成されうる。例えば、第１の反射層４１２と第２の反射層４１４はそれぞれ、シリコンとニオブから形成されうる。

［０１０９］多層スタック４０６は、様々な構成を有しうる。例えば、第１の反射層４１２はシリコンから形成され得、第２の反射層４１４はニオブ又は炭化ニオブから形成されうる。別の実施例では、第１の反射層４１２はニオブ又は炭化ニオブから形成され得、第２の反射層４１４はシリコンから形成されうる。

［０１１０］シリコンから形成された第１の反射層４１２と、ニオブから形成された第２の反射層４１４を有する多層スタック４０６を記載したが、他の構成も可能である。例えば、第１の反射層４１２はニオブから形成され得、第２の反射層４１４はシリコンから形成されうる。

［０１１１］しかしながら、多層スタック４０６は他の材料からも形成されうることを理解すべきである。別の実施例では、第２の反射層４１４は炭化ニオブを用いて形成されうる。炭化ニオブが高い硬度を有するため、多層スタック４０６をシリコン及びモリブデンから製造し、ニオブ又は炭化ニオブの層で覆うことができる。これを、ルテニウムから形成されたキャッピング層４０８に加えて、又はその代わりに使用しうる。

［０１１２］マスクブランク２０４と極紫外線ミラー２０５の反射率は、層間インターフェースのシャープネスと、層の粗度によって決定される。多層スタック４０６を形成するのに使用される材料を変更することで、インターフェースのシャープネスと層の粗度が改善され、多層の反射率が上がりうる。

［０１１３］ほとんどの材料が極紫外線波長で光を吸収するため、使用される光学素子は、他のリソグラフィシステムにおいて使用されるような透過性でなく、反射性を有する必要がある。多層スタック４０６により、ブラッグリフレクタ又はミラーを作るために異なる光学特性を有する材料の薄層を交互に有することによって、反射性構造が形成される。

［０１１４］交代層は各々、極紫外線１１２に対して異なる光学定数を有しうる。反射ペア４１６の厚さの周期が極紫外線１１２の波長のおおよそ半分である時に、交代層により建設的干渉が起こる。例えば、波長１３ｎｍの極紫外線１１２に対し、反射ペア４１６は約６．５ｎｍの厚さであってよい。

［０１１５］多層スタック４０６は、様々な方法で形成されうる。例えば、第１の反射層４１２、第２の反射層４１４、及びバリア層４１８は、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリングシステム、パルス状レーザー堆積、カソードアーク堆積、又はこれらの組み合わせで形成されうる。

［０１１６］一実施例では、多層スタック４０６は、物理的気相堆積技法、例えばマグネトロンスパッタリングを使用して形成されうる。多層スタック４０６の第１の反射層４１２、第２の反射層４１４、及びバリア層４１８は、正確な厚さ、低い粗度、及び層間の清浄インターフェースを含むマグネトロンスパッタリング技法によって形成されたことによる特性を有しうる。

［０１１７］物理的気相堆積技法を使用して形成された多層スタック４０６の層の物理寸法を正確に制御して、反射率を上げることができる。例えば、例えばシリコンの層等の第１の反射層４１２は、３．５ｎｍの厚さを有しうる。ニオブの層等の第２の反射層４１４は、３．５ｎｍの厚さを有しうる。炭素の層等のバリア層４１８は、１〜５オングストロームの厚さを有しうる。しかしながら、工学的必要性、極紫外線１１２の波長、及び層材料の光学特性に基づいて、第１の反射層４１２と第２の反射層４１４の厚さを変更しうることを理解すべきである。

［０１１８］キャッピング層４０８で多層スタック４０６を保護することで、反射率が上がる。キャッピング層４０８により、製造工程及び洗浄工程の間に多層スタック４０６への損傷が防止されうる。キャッピング層４０８は、多層スタック４０６のすぐ上に装着されうる、又はバリア層４１８のすぐ上に装着されうる。

［０１１９］例えば、多層スタック４０６は、６０％を超える反射率を有しうる。物理的気相堆積を使用して形成された多層スタック４０６は、６３％〜６７％の反射率を有しうる。より堅い材料で形成されたキャッピング層４０８を多層スタック４０６の上に形成することで、反射率が改善されうる。ある場合には、粗度の低い層、層間の清浄インターフェース、改善された層材料、又はこれらの組み合わせを使用して、最大７０％の反射率が達成されうる。

［０１２０］炭素又は炭化ニオブから形成されたバリア層４１８を有する多層スタック４０６を形成することで、反射率が上がり、信頼性が高まることが分かっている。バリア層４１８により、ケイ素化合物の形成が低減し、より滑らかな層が形成されうる。

［０１２１］ここで、多層スタック５０６の第３の実施例を示す図５を参照する。多層スタック５０６は、図３の多層スタック３０６と同様のものであり、同じ素子番号を使用する。

［０１２２］多層スタック５０６は、図２のマスクブランク２０４、又は図２の極紫外線ミラー２０５等の極紫外線反射素子５０２の一部であってよい。マスクブランク２０４及び極紫外線ミラー２０５は、図１の極紫外線１１２を反射させるための構造である。

［０１２３］多層スタック５０６は、基板５０４、多層スタック５０６、キャッピング層５０８、及び吸収層５１０を含みうる。多層スタック５０６は、反射ペア５１６を形成する第１の反射層５１２と第２の反射層５１４とを含みうる。

［０１２４］多層スタック５０６は、シリコンから形成された第１の反射層５１２と、ニオブから形成された第２の反射層５１４を有しうるが、他の構成も可能である。例えば、第１の反射層５１２はニオブ又は炭化ニオブから形成され得、第２の反射層５１４はシリコンから形成されうる。

［０１２５］多層スタック５０６は、極紫外線１１２を反射させる構造である。多層スタック５０６は、各交代層の間に境界層５２０を有する第１の反射層５１２と第２の反射層５１４の交代反射層を含みうる。多層スタック５０６は任意選択的に、第１の反射層５１２とキャッピング層５０８との間に、また第２の反射層５１４と基板５０４との間に境界層５２０を含みうる。

［０１２６］境界層５２０は、第１の反射層５１２と第２の反射層５１４との間の層である。境界層５２０は、第１の反射層５１２と第２の反射層５１４の材料間の化学反応の結果である。例えば、境界層５２０はケイ素化合物であってよい。ケイ素化合物は、シリコンと、ニオブ等の金属から形成されうる。

［０１２７］多層スタック５０６は、バリア層５１８を含みうる。バリア層５１８は保護層である。例えば、バリア層５１８は、１〜５オングストロームを含めた厚さを有する炭素から形成されうる。バリア層５１８は、多層スタック５０６とキャッピング層５０８との間に形成されうる。別のバリア層５１８が、多層スタック５０６と基板５０４との間に形成されうる。

［０１２８］境界層５２０を改善するために、第１の反射層５１２と第２の反射層５１４との間にバリア層５１８が形成されうる。バリア層５１８により、ケイ素化合物の形成を阻止され、境界層５２０の厚さが減少しうる。

［０１２９］ここで、製造のプロビジョニング段階にある、図３の構造を示す図６を参照する。プロビジョニング段階は、基板３０４を提供する方法を含みうる。例えば、プロビジョニング段階では、シリコンから形成された基板３０４が提供されうる。

［０１３０］ここで、製造の層形成段階にある図６の構造を示す図７を参照する。層形成段階は、基板３０４のすぐ上に多層スタック３０６を形成する方法を含みうる。多層スタック３０６は、基板３０４に第１の反射層３１２と第２の反射層３１４の交代層を形成しうる。例えば、多層スタック３０６は、４０〜８０のニオブ及びシリコンの交代層を有しうる。

［０１３１］ここで、製造の保護段階にある、図７の構造を示す図８を参照する。保護段階は、多層スタック３０６にキャッピング層３０８を形成する方法を含みうる。多層スタック３０６は、基板３０４に第１の反射層３１２と第２の反射層３１４との交代層を含みうる。例えば、保護段階では、マグネトロンスパッタリングを使用して、多層スタック３０６に金属材料が堆積されうる。

［０１３２］ここで、製造のプリパターニング段階にある、図８の構造を示す図９を参照する。プリパターニング段階は、キャッピング層３０８のすぐ上に吸収層３１０を形成する方法を含みうる。例えば、プリパターニング段階では、キャッピング層３０８に吸収層３１０が形成されうる。

［０１３３］キャッピング層３０８は、多層スタック３０６の上にある。多層スタック３０６は、基板３０４に第１の反射層３１２と第２の反射層３１４との交代層を含みうる。

［０１３４］ここで、製造のプロビジョニング段階にある、図４の構造を示す図１０を参照する。プロビジョニング段階は、基板４０４を提供する方法を含みうる。例えば、プロビジョニング段階では、超低熱膨張材料から形成された基板４０４が提供されうる。別の実施例では、基板４０４は、シリコン、ガラス、又はそれらの組み合わせから形成されうる。

［０１３５］ここで、製造の層形成段階にある、図１０の構造を示す図１１を参照する。層形成段階は、基板４０４に第２の反射層４１４を形成する方法を含みうる。

［０１３６］ここで、製造の堆積段階にある図１１の構造を示す図１２を参照する。堆積段階は、第２の反射層４１４に第１の反射層４１２とバリア層４１８とを形成する方法を含みうる。

［０１３７］図４の多層スタック４０６の図４の反射ペア４１６の基板４０４への形成を完成させるために、必要に応じた回数だけ、層形成段階及び堆積段階が繰り返され得る。例えば、多層スタック４０６は、４０〜６０の、間に炭素層を有するシリコンとニオブの交代層を有しうる。多層スタック４０６は、基板４０４に形成されうる。

［０１３８］ここで、製造の仕上げ段階にある図１２の構造を示す図１３を参照する。仕上げ段階は、多層スタック４０６にキャッピング層４０８を、またキャッピング層４０８のすぐ上に吸収層４１０を形成する方法を含みうる。多層スタック４０６は、層間にバリア層４１８を有する、第１の反射層４１２と第２の反射層４１４とを含みうる。

［０１３９］ここで、本発明の別の実施形態における極紫外線反射素子を製造する方法１４００のフロー図である図１４を参照する。方法１４００は、ブロック１４０２において、基板を提供することと、ブロック１４０４において、基板に多層スタックを形成することであって、多層スタックが、ブラッグリフレクタを形成するために、シリコンから形成された第１の反射層と、ニオブ又は炭化ニオブから形成された第２の反射層とを有する複数の反射層ペアを含む、形成することと、ブロック１４０６において、酸化と物理的浸食を減らすことによって多層スタックを保護するために、多層スタックに、及び多層スタックの上にキャッピング層を形成することとを含む。

［０１４０］従って、本発明の実施形態の極紫外線反射素子システムにより、重要で、これまで知られず、利用できなかった極紫外線反射素子作製システム向けの解決策、能力、及び機能的態様が提供されることが分かっている。結果的な方法、プロセス、装置、デバイス、製品、及び／又はシステムは、単純で、費用効率が高く、複雑でなく、非常に万能で効果的であり、既知の技術を適合させることによって驚くほどに、また非自明に実行され得、従って、従来の製造方法又はプロセス及び技術に十分対応する極紫外線反射素子作製システムを効率的及び経済的に製造するのにまさに適切である。

［０１４１］本発明の実施形態の別の重要な態様は、費用の削減、製造の簡略化、及び性能の改善の歴史的トレンドを有用にサポートし、また支援することである。本発明の実施形態のこれらの及び他の有用な態様により結果的に、技術段階が少なくとも次のレベルまで引き上げられる。

［０１４２］本発明を特定の最良モードと併せて説明してきたが、当然ながら、前述の説明に照らせば、多数の代替例、修正例、及び変形例が当業者に明らかとなるであろう。従って、本発明は、添付の特許請求の範囲内の全ての上記代替例、修正例、及び変形例を包含するものである。本明細書にこれまでに記載された、又は添付の図に示された全ての事項は、単なる実例であり非限定的なものとして解釈されるべきである。

Claims (15)

1. 極紫外線反射素子を製造する方法であって、
   基板を提供することと、
   前記基板に多層スタックを形成することであって、前記多層スタックが、ブラッグリフレクタを形成するために、シリコンから形成された第１の反射層と、ニオブ又は炭化ニオブから形成された第２の反射層とを有する複数の反射層ペアを含む、形成することと、
   酸化と物理的浸食を減らすことによって前記多層スタックを保護するために、前記多層スタックに、及び前記層スタックの上にキャッピング層を形成することと
   を含む方法。
2. 前記多層スタックを形成することが、３．５から４．１５ナノメートルの厚さを有するシリコンから前記第１の反射層を形成することと、３．５ナノメートルの厚さのニオブから、又は２．８ナノメートルの厚さの炭化ニオブから形成された前記第２の反射層を形成することを含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記多層スタックを形成することが、前記第１の反射層と前記第２の反射層との間にバリア層を形成することを含み、前記バリア層は、１オングストロームと５オングストロームの間の厚さを有する炭素から形成され、前記バリア層は、ケイ素化合物の形成を低減するためである、請求項１に記載の方法。
4. 前記多層スタックを形成することが、前記多層スタックと前記キャッピング層との間にバリア層を形成することを含み、前記バリア層は、ケイ素化合物の形成を低減するために１オングストロームと５オングストロームの間の厚さを有する炭素から形成される、請求項１に記載の方法。
5. 前記多層スタックを形成することが、前記多層スタックと前記基板との間にバリア層を形成することを含み、前記バリア層は、ケイ素化合物の形成を低減するために１オングストロームと５オングストロームの間の厚さを有する炭素から形成される、請求項１に記載の方法。
6. 極紫外線反射素子であって、
   基板と、
   基板上の多層スタックであって、ブラッグリフレクタを形成するために、シリコンから形成された第１の反射層と、ニオブ又は炭化ニオブから形成された第２の反射層とを有する複数の反射層ペアを含む多層スタックと、
   酸化及び物理的浸食を減らすことによって前記多層スタックを保護するための、前記多層スタックの、及び前記多層スタックの上のキャッピング層と
   を備える、極紫外線反射素子。
7. 前記多層スタックが、３．５から４．１５ナノメートルの厚さを有するシリコンから形成された前記第１の反射層と、３．５ナノメートルの厚さのニオブから、又は２．８ナノメートルの厚さの炭化ニオブから形成された前記第２の反射層を含む、請求項６に記載の極紫外線反射素子。
8. 前記多層スタックが、前記第１の反射層と前記第２の反射層との間にバリア層を含み、前記バリア層は、１オングストロームと５オングストロームの間の厚さを有する炭素から形成され、前記バリア層は、ケイ素化合物の形成を低減するためである、請求項６に記載の極紫外線反射素子。
9. 前記多層スタックが、前記多層スタックと前記キャッピング層との間にバリア層を含み、前記バリア層は、ケイ素化合物の形成を低減するために１オングストロームと５オングストロームの間の厚さを有する炭素から形成される、請求項６に記載の極紫外線反射素子。
10. 前記多層スタックが、前記多層スタックと前記基板との間にバリア層を含み、前記バリア層は、ケイ素化合物の形成を低減するために１オングストロームと５オングストロームの間の厚さを有する炭素から形成される、請求項６に記載の極紫外線反射素子。
11. 極紫外線反射素子作製システムであって、
    基板に多層スタックを堆積させるための第１の堆積システムであって、前記多層スタックが、ブラッグリフレクタを形成するために、シリコンから形成された第１の反射層と、ニオブ又は炭化ニオブから形成された第２の反射層とを有する複数の反射層ペアを含む、第１の堆積システムと、
    酸化及び物理的浸食を減らすことによって前記多層スタックを保護するために、前記多層スタックにキャッピング層を形成するための第２の堆積システムと
    を備えるシステム。
12. 前記第１の堆積システムは、３．５から４．１５ナノメートルの厚さを有するシリコンから前記第１の反射層を形成するため、及び３．５ナノメートルの厚さのニオブから又は２．８ナノメートルの厚さの炭化ニオブから前記第２の反射層を形成するためのものである、請求項１１に記載の極紫外線反射素子作製システム。
13. 前記第１の堆積システムが、前記第１の反射層と前記第２の反射層との間にバリア層を形成するためのものであり、前記バリア層は、１オングストロームと５オングストロームの間の厚さを有する炭素から形成され、前記バリア層は、ケイ素化合物の形成を低減するためのものである、請求項１１に記載の極紫外線反射素子作製システム。
14. 前記第１の堆積システムが、前記多層スタックと前記キャッピング層との間にバリア層を形成するためのものであり、前記バリア層は、ケイ素化合物の形成を低減するために、１オングストロームと５オングストロームとの間の厚さを有する炭素から形成される、請求項１１に記載の極紫外線反射素子作製システム。
15. 前記第１の堆積システムが、前記多層スタックと前記基板との間にバリア層を形成するためのものであり、前記バリア層が、ケイ素化合物の形成を低減するために１オングストロームと５オングストロームとの間の厚さを有する炭素から形成される、請求項１１に記載の極紫外線反射素子作製システム。

Images