JP2017520405A - サファイアのレーザー加工方法、設備及び記録媒体 - Google Patents
サファイアのレーザー加工方法、設備及び記録媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017520405A JP2017520405A JP2016569063A JP2016569063A JP2017520405A JP 2017520405 A JP2017520405 A JP 2017520405A JP 2016569063 A JP2016569063 A JP 2016569063A JP 2016569063 A JP2016569063 A JP 2016569063A JP 2017520405 A JP2017520405 A JP 2017520405A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sapphire
- image
- tear
- laser processing
- coordinates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 19
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 169
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 169
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 15
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 2
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/351—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for trimming or tuning of electrical components
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
- B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
- C03C23/0025—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by a laser beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
Description
前記サファイアを加工する時の前記サファイアの画像を取得することと、
前記画像のエッジ検出を行うことにより、裂け目の座標を得ることと、
前記裂け目の座標に基づいて、偏移パラメーターを確定することと、
前記偏移パラメーターに基づいて、レーザーの加工位置を調整することと、
調整した前記レーザーの加工位置に従って、前記サファイアを引き続き加工することと、
を含むことを特徴とするサファイアのレーザー加工方法。
前記指令が前記プロセッサーにより実行される時、
前記サファイアを加工する時の前記サファイアの画像を取得するステップと、
前記画像についてエッジ検出を行うことにより、裂け目の座標を得るステップと、
前記裂け目の座標に基づいて、偏移パラメーターを確定するステップと、
前記偏移パラメーターに基づいて、レーザーの加工位置を調整するステップと、
調整した前記レーザーの加工位置に従って、前記サファイアを引き続き加工するステップと、
を実行させることを特徴とするサファイアのレーザー加工設備。
前記コンピューターにより実行可能な指令が1つ又は複数のプロセッサーにより実行される時、1つ又は複数の前記プロセッサーに、
サファイアを加工する時の前記サファイアの画像を取得するステップと、
前記画像のエッジ検出を行うことにより、裂け目の座標を得るステップと、
前記裂け目の座標に基づいて、偏移パラメーターを確定するステップと、
前記偏移パラメーターに基づいて、レーザーの加工位置を調整するステップと、
調整した前記レーザーの加工位置に従って、前記サファイアを引き続き加工するステップと、
を実行させることを特徴とする記録媒体。
サファイアを加工する時のサファイアの画像を取得するステップと、
画像のエッジ検出を行うことにより、裂け目の座標を得るステップと、裂け目の座標に基づいて、偏移パラメーターをするステップと、
偏移パラメーターに基づいて、レーザーの加工位置を調整するステップと、
調整したレーザーの加工位置に従って、サファイアを引き続いて加工するステップと、
を実行させることを特徴とするサファイアのレーザー加工設備を提供する。
任意のスクライブラインの中間位置点に沿ってサファイアを加工してサファイアに裂け目を発生させることと、
裂け目が発生したサファイアの画像を取得することと、
を含む。
光源から発出した光を、裂け目が発生したサファイアに照射させるように光源を制御することと、
光により照射されている時のサファイアの画像を取得することと、
を含む。
画像のグレースケールのヒストグラムを生成することと、
グレースケールのヒストグラムに従って画像の標準化処理を行うことと、
標準化処理が行われた画像についてエッジ検出を行って裂け目の座標を得ることと、
を含む。
標準化処理が行われた画像において希望エリアを描くことと、
希望エリアに対してエッジ検出を行って裂け目の座標を得ることと、
を含む。
画像のエッジ検出を行って裂け目の輪郭を取得することと、
画像における裂け目の輪郭の座標を抽出することと、
を含む。
画像の中心座標を取得することと、
裂け目の座標の平均値を算出することと、平均値と中心座標に基づいて、偏移パラメーターを取得することと、
を含む。
平均値と中心座標との差の値を算出することと、
その差の値に基づいて偏移方向と偏移距離を含めた偏移パラメーターを確定することと、
を含む。
偏移パラメーターから偏移方向及び偏移距離を抽出することと、
レーザーの加工位置を偏移方向に向かって偏移距離と等しい距離を移動させることと、
を含む。
1つ又は複数のプロセッサーに、サファイアを加工する時のサファイアの画像を取得するステップと、
画像のエッジ検出を行い裂け目の座標を得るステップと、
裂け目の座標に基づいて偏移パラメーターを確定するステップと、
偏移パラメーターに基づいてレーザーの加工位置を調整するステップと、
調整したレーザーの加工位置に従ってサファイアを引き続いて加工するステップとを実行させることを特徴とする記録媒体を提供する。
Claims (21)
- サファイアのレーザー加工方法であって、
前記サファイアを加工する時の前記サファイアの画像を取得することと、
前記画像のエッジ検出を行うことにより、裂け目の座標を得ることと、
前記裂け目の座標に基づいて、偏移パラメーターを確定することと、
前記偏移パラメーターに基づいて、レーザーの加工位置を調整することと、
調整した前記レーザーの加工位置に従って、前記サファイアを引き続き加工することと、を含むことを特徴とするサファイアのレーザー加工方法。 - 請求項1に記載されているサファイアのレーザー加工方法であって、
前記サファイアを加工する時の前記サファイアの画像を取得することは、
任意のスクライブラインの中間位置点に沿って前記サファイアを加工して、前記サファイアに前記裂け目を発生させることと、
前記裂け目が発生した前記サファイアの画像を取得することと、
を含むことを特徴とするサファイアのレーザー加工方法。 - 請求項2に記載されているサファイアのレーザー加工方法であって、
前記裂け目が発生した前記サファイアの画像を取得することは、
光源から発出した光を、前記裂け目が発生した前記サファイアに照射させるように前記光源を制御することと、
前記光により照射されている時の前記サファイアの画像を取得することと、
を含むことを特徴とするサファイアのレーザー加工方法。 - 請求項3に記載されているサファイアのレーザー加工方法であって、
前記光により照射されている時の前記サファイアの画像を取得することは、CCDカメラに画像収集指令を送信し、前記CCDカメラが前記画像収集指令に従って視界における光に照射されている時の前記サファイアの画像を収集することを含むことを特徴とするサファイアのレーザー加工方法。 - 請求項1に記載されているサファイアのレーザー加工方法であって、
前記画像のエッジ検出を行うことにより、前記裂け目の座標を得ることは、
前記画像のグレースケールのヒストグラムを生成することと、
前記グレースケールのヒストグラムに従って前記画像の標準化処理を行うことと、
前記標準化処理が行われた画像についてエッジ検出を行って裂け目の座標を得ることとを、
含むことを特徴とするサファイアのレーザー加工方法。 - 請求項5に記載されているサファイアのレーザー加工方法であって、
前記標準化処理が行われた画像について前記エッジ検出を行って前記裂け目の座標を得ることは、
前記標準化処理が行われた画像において希望エリアを描くことと、
前記希望エリアに対してエッジ検出を行って前記裂け目の座標を得ることと、
を含むことを特徴とするサファイアのレーザー加工方法。 - 請求項1に記載されているサファイアのレーザー加工方法であって、
前記画像のエッジ検出を行うことにより、前記裂け目の座標を得ることは、
前記画像について前記エッジ検出を行って裂け目の輪郭を取得することと、
前記画像における前記裂け目の輪郭の座標を抽出することと、
を含むことを特徴とするサファイアのレーザー加工方法。 - 請求項1に記載されているサファイアのレーザー加工方法であって、
前記裂け目の座標に基づいて前記偏移パラメーターを確定することは、
前記画像の中心座標を取得することと、
前記裂け目の座標の平均値を算出することと、
前記平均値と前記中心座標に基づいて前記偏移パラメーターを取得することと、
を含むことを特徴とするサファイアのレーザー加工方法。 - 請求項8に記載されているサファイアのレーザー加工方法であって、
前記平均値及び前記中心座標に基づいて、前記偏移パラメーターを取得することは、
前記平均値と前記中心座標との差の値を算出することと、
前記差の値に基づいて、偏移方向と偏移距離を含めた前記偏移パラメーターを確定することと、
を含むことを特徴とするサファイアのレーザー加工方法。 - 請求項1に記載されているサファイアのレーザー加工方法であって、
前記偏移パラメーターに基づいて、前記レーザーの加工位置を調整することは、
前記偏移パラメーターから偏移方向及び偏移距離を抽出することと、
前記レーザーの加工位置を前記偏移方向に向かって前記偏移距離と等しい距離を移動させることと、
を含むことを特徴とするサファイアのレーザー加工方法。 - 指令を記憶するメモリと、プロセッサーとを備えたサファイアのレーザー加工設備であって、
前記指令が前記プロセッサーにより実行される時、
前記サファイアを加工する時の前記サファイアの画像を取得するステップと、
前記画像のエッジ検出を行い裂け目の座標を得るステップと、
前記裂け目の座標に基づいて、偏移パラメーターを確定するステップと、
前記偏移パラメーターに基づいて、レーザーの加工位置を調整するステップと、
調整した前記レーザーの加工位置に従って、前記サファイアを引き続き加工するステップと、
を実行させることを特徴とするサファイアのレーザー加工設備。 - 請求項11に記載されているサファイアのレーザー加工設備であって、
前記サファイアを加工する時の前記サファイアの画像を取得することは、
任意のスクライブラインの中間位置点に沿って前記サファイアを加工して、前記サファイアに裂け目を発生させることと、
前記裂け目が発生した前記サファイアの画像を取得することと、
を含むことを特徴とするサファイアのレーザー加工設備。 - 請求項12に記載されているサファイアのレーザー加工設備であって、
前記裂け目が発生した前記サファイアの画像を取得することは、
光源から発出した光を、前記裂け目が発生した前記サファイアに照射させるように前記光源を制御することと、
前記光により照射されている時の前記サファイアの画像を取得することと、
を含むことを特徴とするサファイアのレーザー加工設備。 - 請求項13に記載されているサファイアのレーザー加工設備であって、前記光により照射されている時の前記サファイアの画像を取得することは、CCDカメラに画像収集指令を送信し、前記CCDカメラが前記画像収集指令に従って視界における光に照射されている時の前記サファイアの画像を収集することを含むことを特徴とするサファイアのレーザー加工設備。
- 請求項11に記載されているサファイアのレーザー加工設備であって、
前記画像のエッジ検出を行うことにより、前記裂け目の座標を得ることは、
前記画像のグレースケールのヒストグラムを生成することと、
前記グレースケールのヒストグラムに従って前記画像の標準化処理を行うことと、
前記標準化処理が行われた画像について前記エッジ検出を行って前記裂け目の座標を得ることと、
を含むことを特徴とするサファイアのレーザー加工設備。 - 請求項15に記載されているサファイアのレーザー加工設備であって、
前記標準化処理が行われた画像について前記エッジ検出を行って前記裂け目の座標を得ることは、
前記標準化処理が行われた画像において希望エリアを描くことと、
前記希望エリアに対して前記エッジ検出を行って前記裂け目の座標を得ることと、
を含むことを特徴とするサファイアのレーザー加工設備。 - 請求項11に記載されているサファイアのレーザー加工設備であって、
前記画像についてエッジ検出を行い裂け目の座標を得ることは、
前記画像のエッジ検出を行って前記裂け目の輪郭を取得することと、
前記画像における前記裂け目の輪郭の座標を抽出することと、
を含むことを特徴とするサファイアのレーザー加工設備。 - 請求項11に記載されているサファイアのレーザー加工設備であって、
前記裂け目の座標に基づいて、前記偏移パラメーターを確定することは、
前記画像の中心座標を取得することと、
前記裂け目の座標の平均値を算出することと、
前記平均値と前記中心座標に基づいて、前記偏移パラメーターを取得することと、
を含むことを特徴とするサファイアのレーザー加工設備。 - 請求項18に記載されているサファイアのレーザー加工設備であって、
前記平均値及び前記中心座標に基づいて、前記偏移パラメーターを取得することは、
前記平均値と前記中心座標との差の値を算出することと、
前記差の値に基づいて、偏移方向と偏移距離を含めた前記偏移パラメーターを確定することと、
を含むことを特徴とするサファイアのレーザー加工設備。 - 請求項11に記載されているサファイアのレーザー加工設備であって、
前記偏移パラメーターに基づいて、前記レーザーの加工位置を調整することは、
前記偏移パラメーターから偏移方向及び偏移距離を抽出することと、
前記レーザーの加工位置を前記偏移方向に向かって前記偏移距離と等しい距離を移動させることとを含むことと、
を特徴とするサファイアのレーザー加工設備。 - コンピューターにより実行可能な指令を保存する1つ又は複数の不揮発性のコンピューター読み取り可能な記録媒体であって、
前記コンピューターにより実行可能な指令が1つ又は複数のプロセッサーにより実行される場合、1つ又は複数のプロセッサーに、
サファイアを加工する時の前記サファイアの画像を取得するステップと、
前記画像のエッジ検出を行うことにより、裂け目の座標を得るステップと、
前記裂け目の座標に基づいて、偏移パラメーターを確定するステップと、
前記偏移パラメーターに基づいて、レーザーの加工位置を調整するステップと、
調整した前記レーザーの加工位置に従って前記サファイアを引き続いて加工するステップと、
を実行させることを特徴とする記録媒体。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510239300.X | 2015-05-12 | ||
CN201510239300.XA CN104827191A (zh) | 2015-05-12 | 2015-05-12 | 蓝宝石的激光切割方法 |
PCT/CN2016/080638 WO2016180246A1 (zh) | 2015-05-12 | 2016-04-29 | 蓝宝石的激光加工方法、设备和存储介质 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017520405A true JP2017520405A (ja) | 2017-07-27 |
JP6371862B2 JP6371862B2 (ja) | 2018-08-08 |
Family
ID=53805584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016569063A Active JP6371862B2 (ja) | 2015-05-12 | 2016-04-29 | サファイアのレーザー加工方法、設備及び記録媒体 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10625375B2 (ja) |
JP (1) | JP6371862B2 (ja) |
CN (1) | CN104827191A (ja) |
DE (1) | DE112016000051T5 (ja) |
MY (1) | MY192764A (ja) |
WO (1) | WO2016180246A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104827191A (zh) | 2015-05-12 | 2015-08-12 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 蓝宝石的激光切割方法 |
CN106256477A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-12-28 | 安徽芯瑞达电子科技有限公司 | 暗部判断法激光切割方法 |
CN106449900B (zh) * | 2016-08-31 | 2020-06-05 | 导装光电科技(深圳)有限公司 | 用于led白光芯片的切割工艺和装置 |
JP7123583B2 (ja) * | 2018-03-14 | 2022-08-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置 |
JP7286464B2 (ja) * | 2019-08-02 | 2023-06-05 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
CN112775539A (zh) * | 2019-11-07 | 2021-05-11 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 激光加工方法及装置 |
CN111778561B (zh) * | 2020-06-22 | 2021-11-02 | 福建晶安光电有限公司 | 一种蓝宝石衬底、加工方法及发光二极管的制备方法 |
JP2022097232A (ja) * | 2020-12-18 | 2022-06-30 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012063382A (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-29 | Omron Corp | 観察光学系およびレーザ加工装置 |
JP2014087806A (ja) * | 2012-10-29 | 2014-05-15 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | レーザー加工装置、および、パターン付き基板の加工条件設定方法 |
WO2015111134A1 (ja) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | 創光科学株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5727433A (en) * | 1995-09-08 | 1998-03-17 | Gerber Garment Technology, Inc. | Method for cutting sheet material |
JP2001210905A (ja) * | 1995-12-04 | 2001-08-03 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JPH10323780A (ja) * | 1997-05-26 | 1998-12-08 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | レーザ加工方法及び装置 |
US6420245B1 (en) * | 1999-06-08 | 2002-07-16 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Method for singulating semiconductor wafers |
JP4659300B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
WO2002040970A1 (en) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | Real Time Metrology, Inc. | Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects |
JP2003088975A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-25 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
CN1260800C (zh) * | 2001-09-19 | 2006-06-21 | 奥林巴斯光学工业株式会社 | 半导体晶片检查设备 |
US6580054B1 (en) * | 2002-06-10 | 2003-06-17 | New Wave Research | Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser |
US6960813B2 (en) * | 2002-06-10 | 2005-11-01 | New Wave Research | Method and apparatus for cutting devices from substrates |
JP4750720B2 (ja) * | 2004-12-08 | 2011-08-17 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 被分割体における分割起点形成方法、被分割体の分割方法 |
US8331019B2 (en) * | 2007-01-26 | 2012-12-11 | New York University | Holographic microscopy of holographically trapped three-dimensional nanorod structures |
JP5203787B2 (ja) * | 2008-04-17 | 2013-06-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | データ解析装置 |
JP5414467B2 (ja) * | 2009-11-09 | 2014-02-12 | キヤノン株式会社 | レーザ加工方法 |
JP2011181909A (ja) * | 2010-02-02 | 2011-09-15 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体チップ製造方法 |
JP5645432B2 (ja) * | 2010-03-19 | 2014-12-24 | キヤノン株式会社 | 画像処理装置、画像処理システム、画像処理方法、及び画像処理をコンピュータに実行させるためのプログラム |
JP5378314B2 (ja) * | 2010-07-15 | 2013-12-25 | 株式会社レーザーシステム | レーザ切断方法 |
US8722516B2 (en) * | 2010-09-28 | 2014-05-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device |
JP2012089709A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-05-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ワークの分割方法 |
KR102086145B1 (ko) * | 2010-12-13 | 2020-03-09 | 한국전자통신연구원 | 인트라 예측 방법 및 그 장치 |
JP5886603B2 (ja) * | 2011-11-11 | 2016-03-16 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウエーハの加工方法 |
US9746422B2 (en) * | 2012-07-05 | 2017-08-29 | Gemological Appraisal Association, Inc. | Gemstone registration and recovery system, and systems for evaluating the light performance of a gemstone and capturing forensic characteristics of a gemstone |
JP2014041925A (ja) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Hamamatsu Photonics Kk | 加工対象物切断方法 |
JP2014041926A (ja) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Hamamatsu Photonics Kk | 加工対象物切断方法 |
JP2014041927A (ja) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Hamamatsu Photonics Kk | 加工対象物切断方法 |
US9610653B2 (en) * | 2012-09-21 | 2017-04-04 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for separation of workpieces and articles produced thereby |
KR102070087B1 (ko) * | 2013-04-29 | 2020-01-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조방법 |
US10005152B2 (en) * | 2013-11-19 | 2018-06-26 | Rofin-Sinar Technologies Llc | Method and apparatus for spiral cutting a glass tube using filamentation by burst ultrafast laser pulses |
KR20170013358A (ko) * | 2014-07-15 | 2017-02-06 | 오지 홀딩스 가부시키가이샤 | 광학 소자 |
CN104827191A (zh) * | 2015-05-12 | 2015-08-12 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 蓝宝石的激光切割方法 |
-
2015
- 2015-05-12 CN CN201510239300.XA patent/CN104827191A/zh active Pending
-
2016
- 2016-04-29 DE DE112016000051.0T patent/DE112016000051T5/de active Pending
- 2016-04-29 JP JP2016569063A patent/JP6371862B2/ja active Active
- 2016-04-29 US US15/321,946 patent/US10625375B2/en active Active
- 2016-04-29 WO PCT/CN2016/080638 patent/WO2016180246A1/zh active Application Filing
- 2016-04-29 MY MYPI2016703988A patent/MY192764A/en unknown
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012063382A (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-29 | Omron Corp | 観察光学系およびレーザ加工装置 |
JP2014087806A (ja) * | 2012-10-29 | 2014-05-15 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | レーザー加工装置、および、パターン付き基板の加工条件設定方法 |
WO2015111134A1 (ja) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | 創光科学株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104827191A (zh) | 2015-08-12 |
MY192764A (en) | 2022-09-07 |
US20170151632A1 (en) | 2017-06-01 |
US10625375B2 (en) | 2020-04-21 |
WO2016180246A1 (zh) | 2016-11-17 |
JP6371862B2 (ja) | 2018-08-08 |
DE112016000051T5 (de) | 2017-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6371862B2 (ja) | サファイアのレーザー加工方法、設備及び記録媒体 | |
KR101540569B1 (ko) | 웨이퍼의 형상 분석 방법 및 장치 | |
US8946595B2 (en) | Apparatus and method for determining shape of end of welding bead | |
TWI550754B (zh) | A laser processing apparatus and a substrate having a pattern are provided | |
CN115428125A (zh) | 检查装置以及检查方法 | |
JP6241174B2 (ja) | レーザー加工装置、および、パターン付き基板の加工条件設定方法 | |
JP2005014027A (ja) | 溶接部のイメージ処理方法、溶接管理システム、溶接機のためのフィードバックシステム、突合わせ線検出システム | |
TW201737303A (zh) | 晶圓切單製程控制技術 | |
JP2020085774A (ja) | 管ガラス検査方法、学習方法及び管ガラス検査装置 | |
CN110223929A (zh) | 确定晶圆缺陷来源的方法 | |
US7633617B2 (en) | Defective particle measuring apparatus and defective particle measuring method | |
KR100884629B1 (ko) | 레이저 가공 장치 및 방법 | |
JP2009000928A (ja) | レーザ割断装置及び基板の製造方法 | |
TW202205403A (zh) | 雷射加工裝置及雷射加工方法 | |
CN209550915U (zh) | 一种基于图像处理的激光焊驼峰缺陷的在线检测装置 | |
US20170040142A1 (en) | Range-Based Real-Time Scanning Electron Microscope Non-Visual Binner | |
JP2008196866A (ja) | 溶接割れ検出方法および装置 | |
JP2017096907A (ja) | ワイヤボンディング検査装置、ワイヤボンディング検査方法及びプログラム | |
JPH11204384A (ja) | 半導体ウェーハのバルク欠陥の形態論分析方法および表面欠陥の形態論分析方法 | |
JP2018036203A (ja) | 穴内部検査装置、及び穴内部検査方法 | |
JP2012169636A (ja) | 回路パターン検査装置及び方法 | |
KR102023706B1 (ko) | 레이저 가공 장치 및 방법 | |
US20160047756A1 (en) | Method for measuring patterned sapphire substrate | |
JP2019049507A (ja) | 欠陥検出方法および欠陥検出装置 | |
Pereira et al. | Determination of cut front position in laser cutting |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171024 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180123 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180619 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180713 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6371862 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |