JP2017519437A - バイアス制御を備えたab級増幅器 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明によれば、この目的及び他の目的が第1及び第2の電力増幅器、第1の電力増幅器のドレインに印加される正の電圧、第2の電力増幅器のドレインに印加される負の電圧、及び各電力増幅器のゲートに供給される入力信号を有する増幅器構成におけるアイドル電流を制御するための方法により達成される。第1の電力増幅器のソース及び第2の電力増幅器のソースの両方は、負荷に接続される。方法は、第1の電力増幅器からの第1のドレイン電流を検出すること、第2の電力増幅器からの第2のドレイン電流を検出すること、第1及び第2のドレイン電流のうちの最も小さなドレイン電流をアイドル電流として特定すること、アイドル電流を、事前に設定されたアイドル電流の設定値と比較して誤差信号を生成すること、誤差信号をバイアス制御ループに供給してフィードバック信号を生成すること、入力信号と、第1及び第2の電力増幅器のうちの非活性化の電力増幅器のゲートとの間に結合された抵抗に流れるバイアス電流をフィードバック信号と比例して駆動することにより、フィードバック信号は、非活性化の電力増幅器からのドレイン電流が事前に設定されたアイドル電流と等しいことを補償するようにゲートのバイアス電圧を制御する。
「ドレイン」という用語は、トランジスタがMOSトランジスタであることを示唆する。しかし、本発明は、バイポーラトランジスタを用いて具体化され得る。この場合、コレクタ電流が検出され、バイアス電圧がベースに印加される。
好適な実施形態によれば、バイアス電流は、両方のトランジスタに印加される。このことは、増幅器の線形性効果を有し、非線形要素が50%だけ低減されることを示す。
図1は、負荷RLに電圧Voutを供給する上部トランジスタT1及び下部トランジスタT2を含む2つのMOSFETトランジスタを備えた本発明の実施形態に従った増幅器構成を示す。上部トランジスタT1には、正の駆動電圧が印加され、そのゲートには、抵抗R1を介して入力電圧が印加される。下部トランジスタT2には、負の駆動電圧が印加され、そのゲートには、抵抗R2を介して入力電圧が印加される。上部トランジスタT1のドレイン電流は、「i1」と呼称され、下部トランジスタT2のドレイン電流は、「i2」と呼称される。トランジスタT1,T2のドレインは、電流検出器1,2にそれぞれ接続され、電流検出器1,2は、2つのドレイン電流i1,i2をそれぞれ検出するように構成されている。
図1は、ユニティゲイン・ボルテージフォロア(unity gain voltage follower)として見ることができる。その関係は、理想的には、Vout=Vinである。一方、ドレイン電流と、ゲート・ソース間電圧との関係は、非線形である。
Claims (7)
- 増幅器構成であって、
正の駆動電圧が印加されるドレイン、及び入力信号が供給されるゲートを有する第1の電力増幅器(T1)と、
負の駆動電圧が印加されるドレイン、及び前記入力信号が供給されるゲートを有する第2の電力増幅器(T2)であって、前記第1の電力増幅器のソース及び前記第2の電力増幅器のソースの両方が、負荷(RL)に接続されている、前記第2の電力増幅器(T2)と、
前記第1の電力増幅器からの第1のドレイン電流を検出する第1の電流検出器(1)と、
前記第2の電力増幅器からの第2のドレイン電流を検出する第2の電流検出器(2)と、
前記第1及び第2のドレイン電流のうちの最も小さな電流としてアイドル電流を特定するように構成された処理回路(3)と、
前記アイドル電流を、事前に設定されたアイドル電流の設定値と比較して誤差信号を生成する比較器(4)と、
前記誤差信号に基づいてフィードバック信号を生成するバイアス制御ループ(5)と、
非活性化の電力増幅器からのドレイン電流が前記事前に設定されたアイドル電流と等しいことを補償するように、前記入力信号と、前記第1及び第2の電力増幅器のうちの非活性化の電力増幅器のゲートとの間に結合された抵抗に流れるバイアス電流を前記フィードバック信号に応じて駆動する手段と、を備える、増幅器構成。 - 前記バイアス電流を駆動する手段は、
第1の抵抗に流れるバイアス電流を駆動して前記フィードバック信号に応じて前記第1の電力増幅器のゲートに第1のバイアス電圧を生成するように接続された第1の電流源(C1)と、
第2の抵抗に流れるバイアス電流を駆動して前記フィードバック信号に応じて前記第2の電力増幅器のゲートに第2のバイアス電圧を生成するように接続された第2の電流源(C2)と、を含む、請求項1に記載の増幅器構成。 - 前記処理回路は、アナログ回路として具体化される、請求項1に記載の増幅器構成。
- 前記処理回路は、デジタルプロセッサを含む、請求項1に記載の増幅器構成。
- 第1及び第2の電力増幅器、前記第1の電力増幅器のドレインに印加された正の駆動電圧と、前記第2の電力増幅器のドレインに印加された負の駆動電圧と、各電力増幅器のゲートに供給された入力信号と、を備える増幅器構成であって、前記第1の電力増幅器のソース及び前記第2の電力増幅器のソースの両方が、負荷(RL)に接続されている、前記増幅器構成のアイドル電流を制御する方法であって、
前記第1の電力増幅器からの第1のドレイン電流を検出すること、
前記第2の電力増幅器からの第2のドレイン電流を検出すること、
前記第1及び第2のドレイン電流のうちの最も小さな電流としてアイドル電流を特定すること、
前記アイドル電流を、事前に設定されたアイドル電流の設定値と比較して誤差信号を生成すること、
前記誤差信号をバイアス制御ループに供給してフィードバック信号を生成すること、
前記入力信号と、前記第1及び第2の電力増幅器のうちの非活性化の電力増幅器のゲートとの間に結合された抵抗に流れるバイアス電流を前記フィードバック信号に応じて駆動することを備えて、非活性化の電力増幅器からのドレイン電流が前記事前に設定されたアイドル電流と等しいことを補償する、方法。 - 前記フィードバック信号を、前記バイアス電流を駆動するように構成された電流源に供給することをさらに備える請求項5に記載の方法。
- 前記フィードバック信号が、
第1の抵抗に流れる電流を駆動して前記第1の電力増幅器のゲートに第1のバイアス電圧を生成するように接続された第1の電流源(C1)と、
第2の抵抗に流れる電流を駆動して前記第2の電力増幅器のゲートに第2のバイアス電圧を生成するように接続された第2の電流源(C2)と、に供給される、請求項5に記載の方法。
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