JP2017516312A5

JP2017516312A5 -

Info

Publication number: JP2017516312A5
Application number: JP2016567562A
Authority: JP
Filing date: 2015-05-14
Publication date: 2017-12-07
Anticipated expiration: 2035-05-14

Description

一実施形態において、第２スイッチングモジュールにおけるトランジスタＱ２１〜６のゲートコンタクトＧとパワーモジュール１０のアウトプット２４とを接続するため、ゲートバス２６を１つあるいは複数の同軸ケーブルに置き換えてもよい。アウトプットをトランジスタＱ２１〜６のゲートコンタクトＧに接続するために同軸ケーブルを用いることによって、その他の解決方法と比較して向上した絶縁を提供することができ、それによってパワーモジュール１０の性能が向上する。更に、スイッチングモジュールＳＭ１および第２スイッチングモジュールＳＭ２両方のゲートコンタクトＧのアウトプット２４は、パワーモジュール１０のハウジング１６と同じ側に設けられているが、その他の実施形態では、これらはハウジング１６の反対側に設けられてもよい。第１スイッチングモジュールＳＭ１および第２スイッチングモジュールＳＭ２のゲートコンタクトＧのアウトプット２４をハウジング１６の反対側に設けることによって、第２スイッチングモジュールＳＭ２のそれぞれのゲートコンタクトＧへのより短い接続ルートが設けられてもよく、それによって干渉を減少させ、パワーモジュール１０の耐久性を改善してもよい。更に、ハウジング１６の反対側に第１スイッチングモジュールＳＭ１および第２スイッチングモジュールＳＭ２のゲートコンタクトＧのアウトプット２４を設けることによって、ゲートコンタクトＧ間のより短い接続パスとして、第２スイッチングモジュールＳＭ２におけるトランジスタＱ２１〜６のそれぞれのゲート抵抗ＲＧの必要な抵抗を減少させ、アウトプット２４がトランジスタＱ２１〜６によって確認される振動の量を減少させる。

Claims

内部チャンバを有するハウジングと、
前記内部チャンバ内に取り付けられ、電力の負荷への切り替えを容易にするために相互連結された複数のスイッチモジュールであって、前記複数のスイッチモジュールはそれぞれ、少なくとも１つのトランジスタと少なくとも１つのダイオードとを備え、前記パワーモジュールは少なくとも１２００ボルトを遮断し、２５ミリジュール未満のスイッチングロスで少なくとも１２０アンペアを通電する、複数のスイッチモジュールと、を備える、パワーモジュール。
前記パワーモジュールは、少なくとも２００アンペアを通電することが可能である、請求項１に記載のパワーモジュール。
前記パワーモジュールは、少なくとも３００アンペアを通電することが可能である、請求項１に記載のパワーモジュール。
前記パワーモジュールは、１ミリジュールと２５ミリジュールとの間のスイッチングロスを有する、請求項１に記載のパワーモジュール。
前記パワーモジュールは、１ミリジュールと２０ミリジュールとの間のスイッチングロスを有する、請求項１に記載のパワーモジュール。
前記パワーモジュールは、１ミリジュールと１５ミリジュールとの間のスイッチングロスを有する、請求項１に記載のパワーモジュール。
前記少なくとも１つのトランジスタ、および前記少なくとも１つのダイオードは、炭化ケイ素（ＳｉＣ）デバイスである、請求項１に記載のパワーモジュール。
前記少なくとも１つのトランジスタは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）であり、前記少なくとも１つのダイオードは、ショットキーダイオードである、請求項７に記載のパワーモジュール。
前記少なくとも１つのトランジスタは、前記少なくとも１つのダイオードと逆並列に連結されている、請求項７に記載のパワーモジュール。
前記少なくとも１つのトランジスタは、並列に連結されたトランジスタ群を備え、前記少なくとも１つのダイオードは、並列に連結されたダイオード群を備える、請求項７に記載のパワーモジュール。
前記パワーモジュールは、少なくとも５０ｋＨｚのスイッチング周波数で作動するよう構成されている、請求項１に記載のパワーモジュール。
前記少なくとも１つのトランジスタは、窒化アルミニウムの層の上方に形成されている、請求項１に記載のパワーモジュール。
前記複数のスイッチモジュールは、アルミニウム炭化ケイ素のベースプレートに取り付けられている、請求項１２に記載のパワーモジュール。
内部チャンバを有するハウジングと
前記内部チャンバ内の少なくとも第１パワー基板であって、前記第１パワー基板は、電力の負荷への切り替えを容易にするための、前記第１パワー基板の第１の面に１つあるいは複数のスイッチモジュールを備え、前記１つあるいは複数のスイッチモジュールはそれぞれ、少なくとも１つのトランジスタおよび少なくとも１つのダイオードを備える、少なくとも第１のパワー基板と、
前記１つあるいは複数のスイッチモジュールそれぞれの少なくとも１つのトランジスタのゲートコンタクトに、前記パワー基板の前記第１の面に導電トレースを備える信号経路を介して連結されたゲートコネクタとを備える、パワーモジュール。
前記信号経路はさらにシールドケーブルを含む、請求項１４に記載のパワーモジュール。
前記シールドケーブルは同軸ケーブルである、請求項１５に記載のパワーモジュール。
前記パワーモジュールは、少なくとも１２００ボルトを遮断し、２５ミリジュール未満のスイッチングロスで少なくとも１２０アンペアを通電する、請求項１４に記載のパワーモジュール。
前記少なくとも１つのトランジスタ、および前記少なくとも１つのダイオードは、炭化ケイ素（ＳｉＣ）デバイスである、請求項１４に記載のパワーモジュール。
前記パワーモジュールは、少なくとも５０ｋＨｚのスイッチング周波数で作動するよう構成されている、請求項１４に記載のパワーモジュール。
内部チャンバを有するハウジングと、
複数のスイッチモジュールであって、前記内部チャンバ内に取り付けられ、負荷への電力の切り替えを容易にするために相互連結され、該複数のスイッチモジュールはそれぞれ、少なくとも１つのトランジスタであって、当該少なくとも１つのトランジスタ内において、チャンネルを介して第１の方向に導通するとともに内部ダイオードを介して前記第１の方向と反対の第２の方向に導通するように構成された少なくとも１つのトランジスタを備える、複数のスイッチモジュールと、
を備える、パワーモジュール。
前記パワーモジュールは、少なくとも１２００ボルトを遮断し、２５ミリジュール未満のスイッチングロスで少なくとも１２０アンペアを通電する、請求項２０に記載のパワーモジュール。
前記少なくとも１つのトランジスタ、および前記少なくとも１つのダイオードは、炭化ケイ素（ＳｉＣ）デバイスである、請求項２０に記載のパワーモジュール。
前記パワーモジュールは、少なくとも５０ｋＨｚのスイッチング周波数で作動するよう構成されている、請求項２０に記載のパワーモジュール。
内部チャンバを有するハウジングと、
１組の出力コンタクトであって、前記出力コンタクトのそれぞれの少なくとも１５０ｍｍ^２の領域が他方の前記出力コンタクトから１．５ｍｍ未満に位置するよう配置された１組の出力コンタクトと、
前記内部チャンバ内に取り付けられ、前記１組の出力コンタクト間に連結された電源からの電力の負荷への切り替えを容易にするために相互連結され、少なくとも１つのトランジスタと少なくとも１つのダイオードとを備える複数のスイッチモジュールとを備える、パワーモジュール。