CN202917466U - 增加功率半导体模块爬电距离的装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种增加功率半导体模块爬电距离的装置,包括以绝缘材料制成的隔离墙,所述隔离墙通过镶嵌或粘接设置在模块壳体上并处于两个电极之间。本实用新型提供的技术方案在原有功率半导体模块的壳体上,增加绝缘材质的隔离墙,增大了模块外部端子的爬电距离,提高了模块的安全性能,从而满足交流660V以上应用环境的要求。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种增加功率半导体模块爬电距离的装置,属于电机控制技术领域。
背景技术
现有电气控制设备的模块内部通过绝缘陶瓷基片使电极与基板隔离,并在模块内部填充硅橡胶以保证电极之间、电极与基板之间的绝缘强度,模块的壳体除基板外均由绝缘材料制成,模块引出电极位于模块基板相对的一面,电极间没有隔离或以槽增大爬电距离,使得爬电距离可满足国家标准《电气控制设备》(GB/T 3797-2005)有关380V/50Hz电源工作环境的要求。
目前,250A以下的焊接模块和160A以下的压接模块,都是采用隔离槽以增大爬电距离,但受模块高度的限制,槽深不超过2mm,爬电距离增加有限,无法满足交流660V以上应用环境的要求。
发明内容
本实用新型为解决现有电气控制设备的模块内部普遍采用隔离槽以增大爬电距离,导致爬电距离增加较少,无法满足交流660V以上应用环境要求的问题,进而提供了一种增加功率半导体模块爬电距离的装置。为此,本实用新型提出了如下的技术方案:
增加功率半导体模块爬电距离的装置,包括以绝缘材料制成的隔离墙,所述隔离墙通过镶嵌或粘接设置在模块壳体上并处于两个电极之间。
本实用新型提供的技术方案在原有功率半导体模块的壳体上,增加绝缘材质的隔离墙,增大了模块外部端子的爬电距离,提高了模块的安全性能,从而满足交流660V以上应用环境的要求。
附图说明
图1为本实用新型的实施例一提供的增加功率半导体模块爬电距离的装置的结构示意图;
图2为图1的A向视图;
图3为本实用新型的实施例二提供的增加功率半导体模块爬电距离的装置的结构示意图;
图4为图3的A向视图。
具体实施方式
下面对本实用新型做进一步的详细说明:本实施例在以本实用新型技术方案为前提下进行实施,给出了详细的实施方式,但本实用新型的保护范围不限于下述实施例。
本具体实施方式提供了一种增加功率半导体模块爬电距离的装置,包括以绝缘材料制成的隔离墙,所述隔离墙通过镶嵌或粘接设置在模块壳体上并处于两个电极之间。
优选的,相应的隔离墙的高度根据模块电极间距、工作电压和工作电流确定,隔离墙的形状可以为框型的隔离墙或平板型的隔离墙。
本具体实施方式提供的增加功率半导体模块爬电距离的装置的工作原理是:在不改变现有模块的内部结构的前提下,通过增加绝缘材质的隔离墙增大了爬电距离。具体包括:在现有的模块壳体基础上,以绝缘材料加工制作与隔离槽宽度相匹配的隔离墙,镶嵌或通过粘合剂固定于需隔离的电极之间,在电极之间起到隔离作用。现有产品的爬电距离是电极经由隔离槽到另一电极,本具体实施方式的爬电距离是一电极绕经隔离墙到另一电极,隔离墙高度根据模块电极间距、工作电压和工作电流的不同而有所不同,以使爬电距离满足国家标准的要求。
下面结合具体的实施例对本具体实施方式提供的晶闸管状态检测电路的工作过程作具体说明。
实施例一
如图1和图2所示,模块中有三个电极1,每两个电极1之间都需要隔离以增加爬电距离。因此,在中间的电极1与两端的电极1之间的凹槽上设置隔离墙2,隔离墙2的形状为框型,将中间的电极1整个包围,从而实现将任意两个电极1之间隔离,以达到增加爬电距离的目的。
实施例二
如图3和4所示,模块中有三个电极1,需要将左侧的电极1与右侧的两个电极1隔离以增加爬电距离。因此,在左侧的电极1与中间的电极1之间的凹槽上设置隔离墙2,隔离墙2的形状为平板型,从而实现将左侧的电极1与右侧的两个电极1隔离,以达到增加爬电距离的目的。
采用本具体实施方式提供的技术方案,在原有功率半导体模块的壳体上,增加绝缘材质的隔离墙,增大了模块外部端子的爬电距离,提高了模块的安全性能,从而满足交流660V以上应用环境的要求。
以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,这些具体实施方式都是基于本实用新型整体构思下的不同实现方式,而且本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
Claims (3)
1.增加功率半导体模块爬电距离的装置,其特征在于,包括以绝缘材料制成的隔离墙,所述隔离墙通过镶嵌或粘接设置在模块壳体上并处于两个电极之间。
2.根据权利要求1所述的增加功率半导体模块爬电距离的装置,其特征在于,所述隔离墙的高度根据模块电极间距、工作电压和工作电流确定。
3.根据权利要求1或2所述的增加功率半导体模块爬电距离的装置,其特征在于,所述隔离墙为框型隔离墙或平板型隔离墙。
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