JP2017510835A - Ｕｖおよびｄｕｖ拡張コールドミラー - Google Patents

Abstract

拡張コールドミラーが提供される。このミラーは、基板と、基板上に堆積されたコーティングとを備えている。このコーティングは、低屈折率金属酸化物コーティング層および高屈折率金属酸化物コーティング層の少なくとも１つの周期を備えた、第１のコーティングスタックと、低屈折率金属フッ化物コーティング層および高屈折率金属酸化物コーティング層の少なくとも１つの周期を備えた、第２のコーティングスタックと、低屈折率金属フッ化物コーティング層および高屈折率金属フッ化物コーティング層の少なくとも１つの周期を備えた、第３のコーティングスタックとを含む。

Description

関連出願の説明

本出願は、その内容が引用されその全体が参照することにより本書に組み込まれる、２０１４年１月３１日に出願された米国仮特許出願第６１／９３４，３５１号の優先権の利益を米国特許法第１１９条の下で主張するものである。

本開示は、深紫外線（ＤＵＶ）リソグラフィ用途のためのコーティングされたミラーに関し、特にＵＶ−ＤＵＶ領域において広範な波長帯に亘り高反射率を有する、赤外線透過コールドミラーに関する。

レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）は、極紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィ産業用の潜在的な高出力光源として広く研究されてきた。一般にＬＰＰでは、高出力赤外レーザを用いて金属または気体のターゲットを照射してＥＵＶ放射を放出するプラズマを発生させ、次いでこの放射をＥＵＶコレクタミラーによって集める。類似した概念を用いて、広帯域ＵＶ−ＶＩＳ光源、特にレーザ駆動光源（例えば、マサチューセッツ州ウォバーン所在のエナジェティックテクノロジー社（Energetiq Technology Inc.）から市販されているＬＤＬＳ（商標）など）を開発した。

ＬＤＬＳの概念は、ＥＵＶ放射のための光源としてのＬＰＰに非常に類似している。集束された高出力赤外（ＩＲ）レーザが、コレクタミラーの中心の孔を通過する。この構成は、ＩＲ透過のＤＵＶ−ＶＩＳ高反射ミラー、またはＵＶ−ＤＵＶ拡張コールドミラーがないことによる。従来のコールドミラーに代わるものとして、アルミニウムベースのミラーが使用されてきた。しかしながらアルミニウムベースのミラーはＩＲ領域で不透明であり、従ってＩＲレーザからの光を透過しない。結果として、ＩＲレーザからの光を通過させることができるよう、ミラーの中心孔が通常必要である。さらに、アルミニウムベースのミラーの損傷閾値は低く、これがアルミニウムベースのミラーを、高出力光源と適合性が低いものにしている。

コールドミラーは、光源に近い位置の反射体に適用されることが多い。図１Ａは入射角０°のコールドミラーを示している。図１Ｂは、図１Ａのコールドミラーでの反射率対波長のグラフであり、ＶＩＳ−ＩＲ範囲での動作時に、コールドミラーが約４００ｎｍから約６５０ｎｍの波長で高反射率を有することを示している。同様に、図１Ｃは入射角４５°のコールドミラーを示している。図１Ｃのコールドミラーでの反射率対波長のグラフである図１Ｄは、ＶＩＳ−ＩＲ範囲での動作時に、コールドミラーが約４００ｎｍから約６５０ｎｍの波長で高反射率を有することを示している。これらのコールドミラーは、可視光の約９０％を反射し、赤外線放射／エネルギー（熱）の約８０％を透過するように設計され、例えば競技場用の照明、投影照明、スタジオセット、医療用途などの照明用途に、反射熱の量も低減しながら可視光を提供するために使用することができる。

従来のコールドミラーを、ＮＩＲ範囲で高透過率を実現するように改良することはできるが、このミラーのＤＵＶ範囲における高反射帯域は限定される。例えば図２に示されているように、入射角０°で動作している従来のコールドミラーでのＤＵＶ範囲における高反射帯域は約１５ｎｍである。同様に図３に示されているように、入射角４５°で動作している従来のコールドミラーでのＤＵＶ範囲における高反射帯域は約１０ｎｍである。

本開示の実施形態によれば、拡張コールドミラーが提供される。このミラーは、基板と、基板上に堆積されたコーティングとを備えている。コーティングは、低屈折率金属酸化物コーティング層および高屈折率金属酸化物コーティング層を含む少なくとも１つの周期を備えた、第１のコーティングスタックと、低屈折率金属フッ化物コーティング層および高屈折率金属酸化物コーティング層を含む少なくとも１つの周期を備えた、第２のコーティングスタックと、低屈折率金属フッ化物コーティング層および高屈折率金属フッ化物コーティング層を含む少なくとも１つの周期を備えた、第３のコーティングスタックとを含む。

さらなる特徴および利点は以下の詳細な説明の中に明記され、ある程度は、その説明から当業者には容易に明らかになるであろうし、あるいは、以下の詳細な説明、請求項、並びに添付の図面を含め、本書で説明されたように実施形態を実施することにより認識されるであろう。

前述の一般的な説明および以下の詳細な説明は単なる例示であり、請求項の本質および特徴を理解するための概要または構成を提供することを意図したものであることを理解されたい。添付の図面はさらなる理解を提供するために含まれ、本明細書に組み込まれかつその一部を構成する。図面は１以上の実施形態を示し、そしてその説明とともに、種々の実施形態の原理および動作の説明に役立つ。

本開示は、以下の説明から、また単に非限定的な例を用いて与えられる添付の図から、より明確に理解されるであろう。

入射角０°で動作している従来のコールドミラーを示した図 図１Ａのコールドミラーでの、反射率および透過率対波長を示したグラフ 入射角４５°で動作している従来のコールドミラーを示した図 図１Ｃのコールドミラーでの、反射率および透過率対波長を示したグラフ 入射角０°で動作している従来のＤＵＶコールドミラーでの、反射率対波長を示したグラフ 入射角４５°で動作している従来のＤＵＶコールドミラーでの、反射率対波長を示したグラフ 本開示の実施形態によるコールドミラーの概略図 本開示の実施形態によるコールドミラーの概略図 本開示の実施形態によるコールドミラーの概略図 本開示の実施形態によるコールドミラーでの、反射率対波長を示したグラフ 本開示の実施形態によるコールドミラーでの、反射率対波長を示したグラフ 本開示の実施形態によるコールドミラーでの、反射率対波長を示したグラフ

ここで本実施形態を詳細に参照し、その例を添付の図面に示す。可能な限り、図面を通じて、同じまたは同様の部分の参照に同じ参照番号を使用する。

文脈が明らかに他に指示していなければ、単数形は複数の指示対象を含む。同じ特性を説明する全ての範囲の端点は、独立して組合せ可能であり、また説明された端点を含む。全ての参考文献は、参照することにより本書に組み込まれる。

本書では以下の用語は異なる光域を称し、すなわち近赤外（ＮＩＲ）光は約７５０ｎｍから約１４００ｎｍの範囲、可視（ＶＩＳ）光は約４００ｎｍから約７５０ｎｍの範囲、紫外線（ＵＶ）光は約３００ｎｍから約４００ｎｍの範囲、中間紫外線光は約２００ｎｍから約３００ｎｍの範囲、および深紫外線（ＤＵＶ）光は約１２２ｎｍから約２００ｎｍの範囲である。本書ではＵＶ−ＤＵＶ範囲は、約１２２ｎｍから約４００ｎｍの間である。さらに本書では「コールドミラー」という用語は、赤外光を透過しながら可視光を反射するミラーを称する。

本書では「周期」という用語は、周期的な多層構造を形成するように繰り返す、コーティング層の組を称する。さらに本書では「スタック」という用語は、複数のこの層を称する。周期は本開示全体を通じて、「Ｌ_o／Ｈ_o」、「Ｌ_f／Ｈ_o」、および「Ｌ_f／Ｈ_f」など、低屈折率対高屈折率の形式を用いて説明され、ここでＬ_oは低屈折率金属酸化物、Ｈ_oは高屈折率金属酸化物、Ｌ_fは低屈折率金属フッ化物、およびＨ_fは高屈折率金属フッ化物である。

本開示の実施形態は、ＵＶ−ＤＵＶ領域で広範な波長帯に亘り高反射率を有する、ＩＲ透過コールドミラーに関し、さらに少なくとも１つのコーティングを拡張コールドミラーに形成する方法に関する。

本書で開示される拡張コールドミラーは、基板を含む。基板は例えば、限定するものではないが、ＣａＦ₂、ＳｉＯ₂、Ｆ−ＳｉＯ₂、溶融シリカ、例えばＨＰＦＳ（登録商標）（ニューヨーク州コーニング所在のコーニング社から市販されている）および石英でもよい。拡張コールドミラーは、基板上に堆積された少なくとも１つのコーティングをさらに含む。少なくとも１つのコーティングは、少なくとも１つのコーティング材料を含む。本開示の実施形態によれば、少なくとも１つのコーティングは、少なくとも３つのコーティングスタックを成して堆積される、少なくとも５つのコーティング材料を含み得る。

図４は、本開示の実施形態によるコールドミラー１０の概略図である。図示のようにコールドミラー１０は、基板１００と、基板１００上に堆積されたコーティング１１０とを含む。コーティング１１０は、第１のコーティングスタック２００、第２のコーティングスタック３００、および第３のコーティングスタック４００を含む。図示のように第１のコーティングスタックは、第１の層２１０および第２の層２２０を含む、少なくとも１つの周期を含む。第２のコーティングスタックは、第１の層３１０および第２の層３２０を含む、少なくとも１つの周期を含む。第３のコーティングスタックは、第１の層４１０および第２の層４２０を含む、少なくとも１つの周期を含む。

第１のコーティングスタック２００は、基板１００上に堆積される。第１のコーティングスタック２００は、第１の層２１０および第２の層２２０の少なくとも１つの周期を含み得る。第１の層２１０は高屈折率金属酸化物でもよく、第２の層２２０は低屈折率金属酸化物でもよい。高屈折率金属酸化物は、限定するものではないが、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｎｂ₂Ｏ₅、ＴｉＯ₂、ＨｆＯ₂、およびＳｃ₂Ｏ₃でもよい。低屈折率金属酸化物は、限定するものではないが、ＳｉＯ₂、Ｆ−ＳｉＯ₂、ＮドープＳｉＯ₂、およびＡｌドープＳｉＯ₂でもよい。例えば少なくとも１つの周期はＳｉＯ₂／ＨｆＯ₂を含み得、ここでＳｉＯ₂は低屈折率金属酸化物であり、ＨｆＯ₂は高屈折率金属酸化物である。少なくとも１つの周期は、限定するものではないが、ＳｉＯ₂／Ｓｃ₂Ｏ₃などの他の高屈折率金属酸化物および低屈折率金属酸化物の組を含み得る。少なくとも１つの周期は、基板１００上に堆積されたＳｉＯ₂／Ｔａ₂Ｏ₅、ＳｉＯ₂／Ｎｂ₂Ｏ₅、またはＳｉＯ₂／ＴｉＯ₂と、少なくとも１つの第１の周期上に堆積された、ＳｉＯ₂／ＨｆＯ₂またはＳｉＯ₂／Ｓｃ₂Ｏ₃の少なくとも１つの第２の周期とをさらに含んでもよい。第１のコーティングスタック２００は少なくとも１つのコーティング１１０に、ＵＶ領域からＶＩＳ領域まで高反射率を提供する。本書では「高反射率」という用語は、約９５％を超える％の反射率を称する。例えば入射角４５°では、第１のコーティングスタック２００は約２５０ｎｍから約７６０ｎｍの間で高反射率を有する。

第２のコーティングスタック３００は、第１のコーティングスタック２００上に堆積される。第２のコーティングスタック３００は、第１の層３１０および第２の層３２０の少なくとも１つの周期を含み得る。第１の層３１０は低屈折率金属フッ化物の層でもよく、第２の層３２０は高屈折率金属酸化物の層でもよい。高屈折率金属酸化物は、限定するものではないが、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｎｂ₂Ｏ₅、ＴｉＯ₂、ＨｆＯ₂、およびＳｃ₂Ｏ₃でもよい。低屈折率金属フッ化物は、限定するものではないが、ＡｌＦ₃、ＭｇＦ₂、ＣａＦ₂、ＢａＦ₂、ＳｒＦ₂、およびＮａ₃ＡｌＦ₆でもよい。例えば少なくとも１つの周期はＡｌＦ₃／Ａｌ₂Ｏ₃でもよく、ここでＡｌＦ₃は低屈折率金属フッ化物であり、Ａｌ₂Ｏ₃は高屈折率金属酸化物である。少なくとも１つの周期は、限定するものではないが、ＭｇＦ₂／Ａｌ₂Ｏ₃またはＮａ₃ＡｌＦ₆／Ａｌ₂Ｏ₃などの他の低屈折率金属フッ化物および高屈折率金属酸化物の組を含み得る。第２のコーティングスタック３００は少なくとも１つのコーティング１１０に、ＵＶ領域での高反射率をさらに提供する。例えば入射角４５°で、第１のコーティングスタック２００上に堆積された第２のコーティングスタック３００は、第１のコーティングスタック２００での約２５０ｎｍから約７６０ｎｍの間の高反射率を、第１のコーティングスタック２００および第２のコーティングスタック３００の組合せで、約２００ｎｍから約７６０ｎｍの間に拡張する。

第３のコーティングスタック４００は、第２のコーティングスタック３００上に堆積される。第３のコーティングスタック４００は、第１の層４１０および第２の層４２０の少なくとも１つの周期を含み得る。第１の層４１０は高屈折率金属フッ化物でもよく、また第２の層４２０は低屈折率金属フッ化物でもよい。低屈折率金属フッ化物は、限定するものではないが、ＡｌＦ₃、ＭｇＦ₂、ＣａＦ₂、ＢａＦ₂、ＳｒＦ₂、およびＮａ₃ＡｌＦ₆でもよい。高屈折率金属フッ化物は、限定するものではないが、ＬaＦ₃、ＧｄＦ₃、ＰｒＦ₃、ＮｄＦ₃、ＰｍＦ₃、ＳｍＦ₃、ＥｕＦ₃、ＤｙＦ₃、およびＨｏＦ₃などの、ランタニド金属のフッ化物でもよい。例えば少なくとも１つの周期はＡｌＦ₃／ＧｄＦ₃でもよく、ここでＡｌＦ₃は低屈折率金属フッ化物であり、ＧｄＦ₃は高屈折率金属フッ化物である。少なくとも１つの周期は、限定するものではないが、ＭｇＦ₂／ＬaＦ₃、Ｎａ₃ＡｌＦ₆／ＬaＦ₃、Ｎａ₃ＡｌＦ₆／ＧｄＦ₃、またはＭｇＦ₂／ＧｄＦ₃などの他の高屈折率金属フッ化物および低屈折率金属フッ化物の組を含み得る。図５に示されているように第３のコーティングスタック４００は、第３のコーティングスタック４００の周期間に少なくとも１つの中間層４３０をさらに含み得る。中間層４３０は、界面の平滑化を提供するために堆積された、フッ化物をドープしたシリカ（Ｆ−ＳｉＯ₂）層でもよい。さらに図６に示されているように、第３のコーティングスタック４００はキャッピング層４４０をさらに含み得る。キャッピング層は、少なくとも１つのコーティング１１０を密封する上面または層として、第３のコーティングスタック４００の最も外側の層の上に堆積された、Ｆ−ＳｉＯ₂層でもよい。第３のコーティングスタック４００は、少なくとも１つのコーティング１１０に、ＤＵＶ領域での高反射率をさらに提供する。例えば入射角４５°で、第２のコーティングスタック３００上に堆積された第３のコーティングスタック４００は、第１のコーティングスタック２００および第２のコーティングスタック３００での約２００ｎｍから約７６０ｎｍの間の高反射率を、第１のコーティングスタック２００と第２のコーティングスタック３００と第３のコーティングスタック４００との組合せで、約１８０ｎｍから約７６０ｎｍの間に拡張する。第１のコーティングスタック２００と第２のコーティングスタック３００と第３のコーティングスタック４００との組合せは、少なくとも１つのコーティング１１０に、ＮＩＲ領域での反射防止特性をさらに提供する。

図４〜６に示したような異なる層は、理解を簡単にするために、本書で開示されるコールドミラーのほんのいくつかの実施形態を説明したに過ぎないことを理解されたい。コーティングスタックの夫々の、いくつかまたは全ての周期における層の構成は、逆にしてもよいことを理解されたい。例えば、第１のコーティングスタック２００の第１の層２１０および第２の層２２０を逆にして、第１の層２１０が低屈折率金属酸化物に、また第２の層２２０が高屈折率金属酸化物になるようにしてもよい。さらに、図４〜６の点線は、各コーティングスタックが２以上の周期を含み得ることを示すよう意図されていることを理解されたい。

本開示の実施形態の反射率を、４５°の入射角に関して上で論じたが、本書で論じられるコールドミラーはさらに、入射角が３０°、４０°、またはさらには６０°である場合に約２５０ｎｍから約７６０ｎｍの間で高反射率を有し、入射角が３０°、４０°、またはさらには６０°である場合に約２００ｎｍから約７６０ｎｍの間で約９０％を超える反射率を有する。

本開示の実施形態によれば、高反射帯域の幅広さは、様々な意図されている用途に基づいてＶＩＳ−ＤＵＶ領域からＤＵＶ領域まで調節することができる。図７は、約１８０ｎｍから約２９０ｎｍの間で入射角４５°で高反射率を有する、ＵＶ−ＤＵＶコールドミラーでの反射率対波長のグラフである。図８は、約１９０ｎｍから約３００ｎｍの間で入射角３０°で高反射率を有する、ＵＶ−ＤＵＶコールドミラーでの反射率対波長のグラフである。図９は、約１８５ｎｍから約２７０ｎｍの間で入射角６０°で高反射率を有する、ＵＶ−ＤＵＶコールドミラーでの反射率対波長のグラフである。

本開示の実施形態によれば、基板１００上に少なくとも１つのコーティング１１０を形成する方法が提供される。この方法は、基板１００上に第１のコーティングスタック２００を堆積するステップを含む。基板１００上に第１のコーティングスタック２００を堆積するステップは、電子ビーム蒸着技術を用いて交互周期層を堆積するステップを含む。第１のコーティングスタック２００を堆積するステップは、改良されたプラズマイオンアシスト電子ビーム蒸着技術を用いて、高密度かつ滑らかな第１のコーティングスタック２００を形成するステップをさらに含み得る。基板１００上に第１のコーティングスタック２００を堆積するステップは、約１２０℃から約１５０℃の間の温度で完成され得る。

この方法は、第１のコーティングスタック２００上に第２のコーティングスタック３００を堆積するステップをさらに含む。第１のコーティングスタック２００上に第２のコーティングスタック３００を堆積するステップは、熱ボート蒸着技術を用いてフッ化物層を堆積し、電子ビーム蒸着技術を用いて酸化物層を堆積して、交互周期層を堆積するステップを含む。第１のコーティングスタック２００上に第２のコーティングスタック３００を堆積するステップは、第２のコーティングスタック３００の緻密化を確実にするのに十分な温度で完成され得る。この温度は約２５０℃から約４００℃の間でもよく、あるいは約２８０℃から約３２０℃でもよい。

この方法は、第２のコーティングスタック３００上に第３のコーティングスタック４００を堆積するステップをさらに含む。第２のコーティングスタック３００上に第３のコーティングスタック４００を堆積するステップは、熱ボート蒸着技術を用いて交互周期層を堆積するステップを含む。例えば、堆積の角度を制限するのに十分な深さの２つの熱ボートを用いて、交互周期層を堆積してもよい。第２のコーティングスタック３００上に第３のコーティングスタック４００を堆積するステップは、第３のコーティングスタック４００の緻密化を確実にするのに十分な温度で完成され得る。この温度は約２５０℃から約４００℃の間でもよく、あるいは約２８０℃から約３２０℃でもよい。

第２のコーティングスタック３００上に第３のコーティングスタック４００を堆積するステップは、交互周期層の周期間に、フッ化物をドープしたシリカ層である少なくとも１つの中間層４３０を堆積するステップをさらに含んでもよい。さらに、第２のコーティングスタック３００上に第３のコーティングスタック４００を堆積するステップは、第３のコーティングスタック４００の最も外側の層の上に、フッ化物をドープしたシリカ層であるキャッピング層４４０を堆積するステップをさらに含んでもよい。少なくとも１つの中間層４３０およびキャッピング層４４０を、改良されたプラズマイオンアシスト電子ビーム蒸着技術を用いて堆積して、高密度かつ滑らかなコーティング表面を形成することができる。

電子ビーム蒸着技術を用いた酸化物層の堆積は、堆積の角度を制限するために、酸化物蒸着ソースの上方に反転マスクを設置するステップを含み得る。反転マスクの形状は、コーティングの均一性を向上させるようにも選択され得る。同様に熱ボート蒸着技術を用いたフッ化物の堆積は、堆積の角度を制限するのに十分な深さの熱ボートを提供するステップを含み得る。

本書で論じた様々な堆積温度は、異なるコーティングスタック間の界面応力を最小限にするように選択される。従って、第１のコーティングスタック２００を堆積するときに比較的低い堆積温度が使用され得、また第２のコーティングスタック３００および第３のコーティングスタック４００を堆積するときに比較的高い堆積温度が使用され得る。

本書で説明されるコールドミラーは、低損失特性を有する耐レーザ損傷性設計を提供し、さらにＵＶ−ＤＵＶ範囲で環境的に安定している。本書で説明されるミラーは、広帯域ＶＩＳ−ＤＵＶレーザ駆動光源と共に、また広帯域ＵＶ−ＤＵＶレーザ駆動光源と共に、使用することができる。ミラーは、プラズマ生成のためのＩＲ駆動レーザ放射を透過し、対応するＶＩＳ−ＤＵＶ発光を集める。さらに、本書で説明されるコールドミラーは、従来のアルミニウムベースのミラーに比べて、設計の複雑さを低減させることができ、またレーザ駆動光源の寿命を増加させることができる。

本発明を、限られた数の実施形態に関して説明してきたが、本書で開示される本発明の範囲から逸脱しない他の実施形態が考案可能であることは、本開示の利益を得る当業者には明らかであろう。従って本発明の範囲は、添付の請求項によってのみ制限されるべきである。

以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。

実施形態１
拡張コールドミラーにおいて、
基板、および、
前記基板上に堆積されたコーティングであって、
低屈折率金属酸化物コーティング層および高屈折率金属酸化物コーティング層の少なくとも１つの周期を備えた、第１のコーティングスタックと、
低屈折率金属フッ化物コーティング層および高屈折率金属酸化物コーティング層の少なくとも１つの周期を備えた、第２のコーティングスタックと、
低屈折率金属フッ化物コーティング層および高屈折率金属フッ化物コーティング層の少なくとも１つの周期を備えた、第３のコーティングスタックと、
を含むコーティング、
を備えていることを特徴とする拡張コールドミラー。

実施形態２
前記第１のコーティングスタックが前記基板上に堆積され、前記第２のコーティングスタックが前記第１のコーティングスタック上に堆積され、さらに前記第３のコーティングスタックが前記第２のコーティングスタック上に堆積されていることを特徴とする実施形態１記載の拡張コールドミラー。

実施形態３
前記基板が、ＣａＦ₂、ＳｉＯ₂、Ｆ−ＳｉＯ₂、溶融石英、および石英、から成る群から選択されることを特徴とする実施形態１または２記載の拡張コールドミラー。

実施形態４
前記低屈折率金属酸化物が、ＳｉＯ₂、Ｆ−ＳｉＯ₂、ＮドープＳｉＯ₂、およびＡｌドープＳｉＯ₂、から成る群から選択されることを特徴とする実施形態１から３いずれか１項記載の拡張コールドミラー。

実施形態５
前記高屈折率金属酸化物が、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｎｂ₂Ｏ₅、ＴｉＯ₂、ＨｆＯ₂、およびＳｃ₂Ｏ₃、から成る群から選択されることを特徴とする実施形態１から４いずれか１項記載の拡張コールドミラー。

実施形態６
前記低屈折率金属フッ化物が、ＡｌＦ₃、ＭｇＦ₂、ＣａＦ₂、ＢａＦ₂、ＳｒＦ₂、およびＮａ₃ＡｌＦ₆、から成る群から選択されることを特徴とする実施形態１から５いずれか１項記載の拡張コールドミラー。

実施形態７
前記高屈折率金属フッ化物が、ＬaＦ₃、ＧｄＦ₃、ＰｒＦ₃、ＮｄＦ₃、ＰｍＦ₃、ＳｍＦ₃、ＥｕＦ₃、ＤｙＦ₃、およびＨｏＦ₃、から成る群から選択されるランタニド金属のフッ化物であることを特徴とする実施形態１から６いずれか１項記載の拡張コールドミラー。

実施形態８
前記高屈折率金属フッ化物が、ＧｄＦ₃およびＬaＦ₃のうちの一方であることを特徴とする実施形態７記載の拡張コールドミラー。

実施形態９
前記第３のコーティングスタックが、２つの前記周期の間に少なくとも１つの中間層をさらに備えていることを特徴とする実施形態１から８いずれか１項記載の拡張コールドミラー。

実施形態１０
前記少なくとも１つの中間層がＦ−ＳｉＯ₂を含むことを特徴とする実施形態９記載の拡張コールドミラー。

実施形態１１
前記第３のコーティングスタックが、キャッピング層をさらに備えていることを特徴とする実施形態１から１０いずれか１項記載の拡張コールドミラー。

実施形態１２
前記キャッピング層がＦ−ＳｉＯ₂を含むことを特徴とする実施形態１１記載の拡張コールドミラー。

実施形態１３
前記金属フッ化物コーティング層が熱ボート蒸着層を含むことを特徴とする実施形態１から１２いずれか１項記載の拡張コールドミラー。

実施形態１４
前記金属酸化物コーティング層が電子ビーム蒸着層を含むことを特徴とする実施形態１から１３いずれか１項記載の拡張コールドミラー。

実施形態１５
前記第１のコーティングスタックの前記低屈折率金属酸化物コーティング層がＳｉＯ₂層を含み、かつ前記第１のコーティングスタックの前記高屈折率金属酸化物コーティング層がＨｆＯ₂層を含み、
前記第２のコーティングスタックの前記低屈折率金属フッ化物コーティング層がＡｌＦ₃層を含み、かつ前記第２のコーティングスタックの前記高屈折率金属酸化物コーティング層がＡｌ₂Ｏ₃層を含み、さらに、
前記第３のコーティングスタックの前記低屈折率金属フッ化物コーティング層がＡｌＦ₃層を含み、かつ前記第３のコーティングスタックの前記高屈折率金属フッ化物コーティング層がＧｄＦ₃層を含むことを特徴とする、実施形態１から１４いずれか１項記載の拡張コールドミラー。

実施形態１６
前記ミラーの反射率が、入射角４５°で、約２００ｎｍから約７６０ｎｍの波長範囲で約９５％を超えることを特徴とする実施形態１から１５いずれか１項記載の拡張コールドミラー。

実施形態１７
前記ミラーの反射率が、入射角３０°、４０°、および６０°で、約２００ｎｍから約７６０ｎｍの波長範囲で約９０％を超え、約２５０ｎｍから約７６０ｎｍの波長範囲で約９５％を超えることを特徴とする実施形態１から１６いずれか１項記載の拡張コールドミラー。

実施形態１８
前記ミラーの反射率が、入射角４５°で、約１８０ｎｍから約２９０ｎｍの波長範囲で約９５％を超えることを特徴とする実施形態１から１５いずれか１項記載の拡張コールドミラー。

実施形態１９
前記ミラーの反射率が、入射角３０°で、約１９０ｎｍから約３００ｎｍの波長範囲で約９５％を超えることを特徴とする実施形態１から１５いずれか１項記載の拡張コールドミラー。

実施形態２０
前記ミラーの反射率が、入射角６０°で、約１８５ｎｍから約２７０ｎｍの波長範囲で約９５％を超えることを特徴とする実施形態１から１５いずれか１項記載の拡張コールドミラー。

１０ コールドミラー
１００ 基板
１１０ コーティング
２００ 第１のコーティングスタック
２１０、３１０、４１０ 第１の層
２２０、３２０、４２０ 第２の層
３００ 第２のコーティングスタック
４００ 第３のコーティングスタック
４３０ 中間層
４４０ キャッピング層

Claims (5)

1. 拡張コールドミラーにおいて、
   基板、および、
   前記基板上に堆積されたコーティングであって、
   低屈折率金属酸化物コーティング層および高屈折率金属酸化物コーティング層の少なくとも１つの周期を備えた、第１のコーティングスタックと、
   低屈折率金属フッ化物コーティング層および高屈折率金属酸化物コーティング層の少なくとも１つの周期を備えた、第２のコーティングスタックと、
   低屈折率金属フッ化物コーティング層および高屈折率金属フッ化物コーティング層の少なくとも１つの周期を備えた、第３のコーティングスタックと、
   を含むコーティング、
   を備えていることを特徴とする拡張コールドミラー。
2. 前記低屈折率金属酸化物が、ＳｉＯ₂、Ｆ−ＳｉＯ₂、ＮドープＳｉＯ₂、およびＡｌドープＳｉＯ₂、から成る群から選択されることを特徴とする請求項１記載の拡張コールドミラー。
3. 前記高屈折率金属酸化物が、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｎｂ₂Ｏ₅、ＴｉＯ₂、ＨｆＯ₂、およびＳｃ₂Ｏ₃、から成る群から選択されることを特徴とする請求項１または２記載の拡張コールドミラー。
4. 前記低屈折率金属フッ化物が、ＡｌＦ₃、ＭｇＦ₂、ＣａＦ₂、ＢａＦ₂、ＳｒＦ₂、およびＮａ₃ＡｌＦ₆、から成る群から選択されることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の拡張コールドミラー。
5. 前記高屈折率金属フッ化物が、ＬaＦ₃、ＧｄＦ₃、ＰｒＦ₃、ＮｄＦ₃、ＰｍＦ₃、ＳｍＦ₃、ＥｕＦ₃、ＤｙＦ₃、およびＨｏＦ₃、から成る群から選択されるランタニド金属のフッ化物であることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の拡張コールドミラー。