JP2011527436A - スパッタ耐性材料を含む極紫外線放射反射要素 - Google Patents
スパッタ耐性材料を含む極紫外線放射反射要素 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011527436A JP2011527436A JP2011517284A JP2011517284A JP2011527436A JP 2011527436 A JP2011527436 A JP 2011527436A JP 2011517284 A JP2011517284 A JP 2011517284A JP 2011517284 A JP2011517284 A JP 2011517284A JP 2011527436 A JP2011527436 A JP 2011527436A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- extreme ultraviolet
- ultraviolet radiation
- layer
- element according
- reflecting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/283—Interference filters designed for the ultraviolet
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
- G21K1/062—Devices having a multilayer structure
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
- G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
- G21K2201/061—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements characterised by a multilayer structure
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
- G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
- G21K2201/067—Construction details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
Description
a)高反射材料から本質的に作製される第1層と、
b)5nm以下の厚さを有し、且つ、108ショット毎に10nm以下のスパッタ抵抗率を有する材料から本質的に作製される、第2層と、
を含み、
前記第2層は、入射極紫外線光の経路において設けられる、
極紫外線放射反射要素が提供される。
「高反射材料」という用語は、本発明の意味において、材料が、350%、より好ましくは360%、更により好ましくは370%、更により好ましくは380%、最も好ましくは385%である、極紫外線波長領域における低角度(特に10°)反射率を有することを特に意味する及び/又は含む。
−第2層により、反射要素の寿命は、反射が低減することなく又は少しの低減のみで、大いに増加される、
−第2層により、極紫外線放射反射要素は、酸化にあまり影響を受けなくあり得、したがって、高反射率を維持される、
−第2層により、第2層自体の繰り返しの沈着によって修復が容易に達せ逸される、
−第2層により、極紫外線放射反射要素の清掃は、より容易になり得、及び、第1層に対してあまり有害でなくなり得る、
の少なくとも1つを有することを示している。
−放射の投影ビームを供給する照明システムと、
−マスクを保持する第1オブジェクト保持器を備えられる第1オブジェクトテーブルと、
−基板を保持する第2オブジェクト保持器を備えられる第2オブジェクトテーブルと、
−前記基板のターゲット部分へ前記マスクの照射部分を結像させる投影システムと、
−本発明に従う少なくとも1つの極紫外線放射反射要素を含む少なくとも1つの反射器と、
を含むリソグラフィック投影装置。
に関する。
−半導体リソグラフィ、
−計測、
−顕微鏡
−核分裂、
−融合、
−半田付け、
のうちの1つ又は複数において使用され得る。
単に例証的な例として、Ruの第1層(厚さ100nm)及びMoの第2層(厚さ5nm)を有するスライドが本発明の例Iとして使用された。
スパッタ抵抗率は以下のように測定された。
Claims (8)
- 極紫外線放射反射要素であって、
a)高反射材料から本質的に作製される第1層と、
b)5nm以下の厚さを有し、且つ、108ショット毎に10nm以下のスパッタ抵抗率を有する材料から本質的に作製される、第2層と、
を含み、
前記第2層は、入射及び/又は反射された極紫外線光の経路において設けられる、
極紫外線放射反射要素。 - 請求項1に記載の極紫外線放射反射要素であって、前記第1層は、チタン、バナジウム、クロム、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、テクネチウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、プラチナ、金、タリウム、鉛、ダイヤモンド状炭素、又は、これらの混合物及び/若しくは合金、の群から選択される材料から本質的に作製される、極紫外線放射反射要素。
- 請求項1又は2に記載の極紫外線放射反射要素であって、前記第2層は、高共有結合金属酸化物、窒化物、炭化物、酸窒化、又は、これらの混合物、を含む群から選択される材料から本質的に作製される、極紫外線放射反射要素。
- 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の極紫外線放射反射要素であって、前記第2層は、モリブデン、タングステン、ベリリウム、アルミニウム、エルビウム、及び/又はこれらの混合物の酸化物、窒化物、ホウ化物、リン化物、炭化物、硫化物、及び、ケイ酸化物の群から選択される材料から本質的に作製される、極紫外線放射反射要素。
- 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の極紫外線放射反射要素であって、前記第2層は、タングステン、グラファイト、グラフェン、炭素複合材料、及び/又は、炭素繊維材料、並びに/又は、これらの混合物、の群から選択される材料から本質的に作製される、極紫外線放射反射要素。
- 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の極紫外線放射反射要素であって、前記第2層は合金から本質的に作製され、前記合金の少なくとも一つの成分は、モリブデン、タングステン、チタン、レニウム及びケイ素の群から選択される、極紫外線放射反射要素。
- リソグラフィック投影装置であって、
放射の投影ビームを供給する照明システムと、
マスクを保持する第1オブジェクト保持器を備えられる第1オブジェクトテーブルと、
基板を保持する第2オブジェクト保持器を備えられる第2オブジェクトテーブルと、
前記基板のターゲット部分へ前記マスクの照射部分を結像させる投影システムと、
請求項1乃至6のいずれか一項に記載の少なくとも1つの極紫外線放射反射要素を含む少なくとも1つの反射器と、
を含むリソグラフィック投影装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の極紫外線放射反射要素、及び/又は、請求項7に記載のリソグラフィック投影装置を含むシステムであって、以下の応用例:
−半導体リソグラフィ、
−計測、
−顕微鏡
−核分裂、
−融合、
−半田付け、
のうちの1つ又は複数において使用される、システム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP08104648.4 | 2008-07-07 | ||
EP08104648 | 2008-07-07 | ||
PCT/IB2009/052855 WO2010004482A1 (en) | 2008-07-07 | 2009-07-01 | Extreme uv radiation reflecting element comprising a sputter-resistant material |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011527436A true JP2011527436A (ja) | 2011-10-27 |
JP2011527436A5 JP2011527436A5 (ja) | 2016-03-10 |
Family
ID=41151943
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011517284A Pending JP2011527436A (ja) | 2008-07-07 | 2009-07-01 | スパッタ耐性材料を含む極紫外線放射反射要素 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8693090B2 (ja) |
EP (1) | EP2297746A1 (ja) |
JP (1) | JP2011527436A (ja) |
CN (1) | CN102138185B (ja) |
WO (1) | WO2010004482A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101846336B1 (ko) | 2010-06-25 | 2018-04-06 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 방법 |
EP2622609A1 (en) * | 2010-09-27 | 2013-08-07 | Carl Zeiss SMT GmbH | Mirror, projection objective comprising such a mirror, and projection exposure apparatus for microlithography comprising such a projection objective |
CN102621815B (zh) * | 2011-01-26 | 2016-12-21 | Asml荷兰有限公司 | 用于光刻设备的反射光学部件及器件制造方法 |
DE102012207125A1 (de) | 2012-04-27 | 2013-03-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element und optisches System für die EUV-Lithographie sowie Verfahren zum Optimieren eines Schutzlagensystems für ein optisches Element |
US9696467B2 (en) * | 2014-01-31 | 2017-07-04 | Corning Incorporated | UV and DUV expanded cold mirrors |
CA2974507C (en) * | 2015-03-19 | 2020-01-07 | Halliburton Energy Services, Inc. | Mesh reinforcement for metal-matrix composite tools |
US10128016B2 (en) * | 2016-01-12 | 2018-11-13 | Asml Netherlands B.V. | EUV element having barrier to hydrogen transport |
CN109370271B (zh) * | 2018-10-29 | 2021-05-25 | 山东建筑大学 | 一种新型的耐辐照空间固体润滑剂涂层及制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02238400A (ja) * | 1989-03-13 | 1990-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多層膜 |
JP2007109971A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Hoya Corp | 多層反射膜付き基板、その製造方法、反射型マスクブランクおよび反射型マスク |
JP2008109060A (ja) * | 2005-11-10 | 2008-05-08 | Asahi Glass Co Ltd | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクの多層反射膜を成膜する方法、ならびにeuvリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法 |
US20080149854A1 (en) * | 2006-12-22 | 2008-06-26 | Asml Netherlands B.V. | Illumination system, lithographic apparatus, mirror, method of removing contamination from a mirror and device manufacturing method |
JP4466566B2 (ja) * | 2003-10-15 | 2010-05-26 | 株式会社ニコン | 多層膜反射鏡、多層膜反射鏡の製造方法、及び露光装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5433988A (en) | 1986-10-01 | 1995-07-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Multi-layer reflection mirror for soft X-ray to vacuum ultraviolet ray |
TW561279B (en) | 1999-07-02 | 2003-11-11 | Asml Netherlands Bv | Reflector for reflecting radiation in a desired wavelength range, lithographic projection apparatus containing the same and method for their preparation |
US6664554B2 (en) | 2001-01-03 | 2003-12-16 | Euv Llc | Self-cleaning optic for extreme ultraviolet lithography |
WO2003005377A2 (en) | 2001-07-03 | 2003-01-16 | The Regents Of The University Of California | Passivating overcoat bilayer |
US20030008148A1 (en) | 2001-07-03 | 2003-01-09 | Sasa Bajt | Optimized capping layers for EUV multilayers |
US7234064B2 (en) | 2002-08-16 | 2007-06-19 | Hx Technologies, Inc. | Methods and systems for managing patient authorizations relating to digital medical data |
US7420653B2 (en) | 2003-10-02 | 2008-09-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, mirror, method of supplying a protective cap layer, device manufacturing method and device manufactured accordingly |
US7193228B2 (en) | 2004-03-10 | 2007-03-20 | Cymer, Inc. | EUV light source optical elements |
JP2006153528A (ja) | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Canon Inc | 軟x線多層膜反射鏡、軟x線多層膜反射鏡による投影光学系を備えた露光装置 |
GB0426036D0 (en) | 2004-11-26 | 2004-12-29 | Boc Group Plc | Protection of surfaces exposed to charged particles |
DE102004062289B4 (de) * | 2004-12-23 | 2007-07-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Thermisch stabiler Multilayer-Spiegel für den EUV-Spektralbereich |
JP2006332153A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Hoya Corp | 反射型マスクブランク及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 |
US7599112B2 (en) | 2005-10-11 | 2009-10-06 | Nikon Corporation | Multilayer-film mirrors, lithography systems comprising same, and methods for manufacturing same |
US20080153010A1 (en) | 2006-11-09 | 2008-06-26 | Asahi Glass Company., Ltd. | Method for depositing reflective multilayer film of reflective mask blank for euv lithography and method for producing reflective mask blank for euv lithography |
-
2009
- 2009-07-01 EP EP09786493A patent/EP2297746A1/en not_active Withdrawn
- 2009-07-01 US US13/000,674 patent/US8693090B2/en active Active
- 2009-07-01 JP JP2011517284A patent/JP2011527436A/ja active Pending
- 2009-07-01 WO PCT/IB2009/052855 patent/WO2010004482A1/en active Application Filing
- 2009-07-01 CN CN200980126444.7A patent/CN102138185B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02238400A (ja) * | 1989-03-13 | 1990-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多層膜 |
JP4466566B2 (ja) * | 2003-10-15 | 2010-05-26 | 株式会社ニコン | 多層膜反射鏡、多層膜反射鏡の製造方法、及び露光装置 |
JP2007109971A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Hoya Corp | 多層反射膜付き基板、その製造方法、反射型マスクブランクおよび反射型マスク |
JP2008109060A (ja) * | 2005-11-10 | 2008-05-08 | Asahi Glass Co Ltd | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクの多層反射膜を成膜する方法、ならびにeuvリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法 |
US20080149854A1 (en) * | 2006-12-22 | 2008-06-26 | Asml Netherlands B.V. | Illumination system, lithographic apparatus, mirror, method of removing contamination from a mirror and device manufacturing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102138185B (zh) | 2015-09-09 |
EP2297746A1 (en) | 2011-03-23 |
US20110096428A1 (en) | 2011-04-28 |
US8693090B2 (en) | 2014-04-08 |
WO2010004482A1 (en) | 2010-01-14 |
CN102138185A (zh) | 2011-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011527436A (ja) | スパッタ耐性材料を含む極紫外線放射反射要素 | |
Bakshi | EUV sources for lithography | |
Louis et al. | Nanometer interface and materials control for multilayer EUV-optical applications | |
Chkhalo et al. | Next generation nanolithography based on Ru/Be and Rh/Sr multilayer optics | |
JP2021500702A (ja) | 半導体計測用の液体金属回転式アノードx線源 | |
JP5951010B2 (ja) | 多層ミラー、多層ミラーを生成する方法およびリソグラフィ装置 | |
JP5568098B2 (ja) | 多層ミラーおよびリソグラフィ装置 | |
Bajt et al. | Design and performance of capping layers for EUV multilayer mirrors | |
JP5717765B2 (ja) | スペクトル純度フィルタ | |
KR101625934B1 (ko) | 다층 미러 및 리소그래피 장치 | |
JP6489769B2 (ja) | Euv波長帯斜入射用反射光学素子 | |
Kuznetsov et al. | Blistering behavior in Mo/Si multilayers | |
JP2010045355A (ja) | 放射源、リソグラフィ装置、および、デバイス製造方法 | |
JP2003233201A (ja) | 露光方法、この露光方法に用いるレジスト、および、この露光方法により製造された半導体装置 | |
Allain et al. | Erosion and degradation of EUV lithography collector mirrors under particle bombardment | |
NL2017602A (en) | Multilayer Reflector, Method of Manufacturing a Multilayer Reflector and Lithographic Apparatus | |
Soufli et al. | Development, experimental performance and damage properties of x-ray optics for the LCLS free-electron laser | |
US20180137948A1 (en) | Euv multilayer mirror | |
JP6546391B2 (ja) | 多層膜反射鏡およびeuv光装置 | |
Allain et al. | Debris-and radiation-induced damage effects on EUV nanolithography source collector mirror optics performance | |
Guenster et al. | Radiation resistance of single-and multilayer coatings against synchrotron radiation | |
US20230076667A1 (en) | Optical element, euv lithography system, and method for forming nanoparticles | |
Qiu et al. | Time exposure performance of Mo-Au Gibbsian segregating alloys for extreme ultraviolet collector optics | |
JPH11258396A (ja) | 多層膜x線反射鏡およびそれを用いたレーザープラズマx線発生装置 | |
JPWO2005020644A1 (ja) | Euv光源 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110728 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120628 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130815 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131115 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140214 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140722 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141120 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150107 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20150129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20150129 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20150313 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20160125 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160427 |