JP2017505540A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 半導体基板内に空洞を生成するための方法であって、
   担体の空洞位置上にめっき部分を形成するステップと、
   ガラス構造部を含む複合層を用いて前記担体をラミネートするステップであって、前記めっき部分が部分的に前記複合層内にラミネートされる、ステップと、
   前記担体を前記複合層に残留する前記めっき部分を有する前記複合層から分離するステップであって、前記ガラス構造部が前記基板の中心からオフセットされるように前記分離された複合層および前記めっき部分を含む基板を提供する、ステップと、その後の、
   露出されためっき部分をエッチングすることによって前記基板内に空洞を形成するステップであって、前記空洞が前記基板を通して部分的に延び、前記ガラス構造部までは延びない、ステップと
   を含む、方法。
2. 前記担体上にシード層を形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記めっき部分を露出させながら、前記基板をマスキングするステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
4. マスキングされていない部分を除去するために前記基板をエッチングするステップをさらに含む、請求項３に記載の方法。
5. 前記めっき部分が銅である、請求項１に記載の方法。
6. 前記複合層が事前に充填された樹脂層およびシード層である、請求項１に記載の方法。
7. 前記事前に充填された樹脂層がガラス構造部を含む、請求項６に記載の方法。
8. 前記ガラス構造部は、事前に充填された樹脂層にわたって連続し、前記事前に充填された樹脂層の中心からオフセットされる、請求項７に記載の方法。
9. 構造部であって、
   その第１の側に空洞を画定する基板と、
   前記基板上にラミネートされた誘電体層と、
   前記誘電体層内に埋め込まれたガラス構造部であって、前記誘電体層の中心からオフセットされており、第１の側から第２の側まで水平に複合層にわたって連続し、前記空洞によって切断されていない、ガラス構造部と
   を含む、構造部。
10. 前記誘電体層が事前に充填された層である、請求項９に記載の構造部。
11. 前記空洞が、前記ガラス構造部の開始に近い点まで前記誘電体層を通して部分的に延びる、請求項９に記載の構造部。