JP2017228605A5 - - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating Effects 0.000 claims description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
Description
本発明による液体吐出ヘッド用半導体チップの製造方法は、液体を吐出するために利用されるエネルギーを発生する複数のエネルギー発生素子と、液体を前記エネルギー発生素子に供給するための複数の液体流路と、液体を吐出する複数の吐出口とが設けられた基板を、線状の切断予定部で切断することにより、前記基板から複数の液体吐出ヘッド用半導体チップを製造する方法であって、前記基板は前記エネルギー発生素子が設けられた第１の面と前記第１の面の裏面である第２の面とを有し、前記第２の面から、前記切断予定部に沿ってエッチングすることにより線状に延びる溝を形成する工程と、前記第１の面から前記切断予定部に沿ってレーザー光を照射することにより、前記基板の内部に変質部を形成する工程と、前記変質部に応力を加えることで、前記基板を切断して複数の液体吐出ヘッド用半導体チップに分ける工程と、を含み、前記切断予定部は、前記基板の結晶方位面に対して傾斜した方向に延びる傾斜部と、前記基板の結晶方位面に沿った方向に延びる非傾斜部とを有し、前記溝は少なくとも前記傾斜部に沿って形成されることを特徴とする。
Claims (8)
- 液体を吐出するために利用されるエネルギーを発生する複数のエネルギー発生素子と、液体を前記エネルギー発生素子に供給するための複数の液体流路と、液体を吐出する複数の吐出口とが設けられた基板を、線状の切断予定部で切断することにより、前記基板から複数の液体吐出ヘッド用半導体チップを製造する方法であって、
前記基板は前記エネルギー発生素子が設けられた第１の面と前記第１の面の裏面である第２の面とを有し、
前記第２の面から、前記切断予定部に沿ってエッチングすることにより線状に延びる溝を形成する工程と、
前記第１の面から前記切断予定部に沿ってレーザー光を照射することにより、前記基板の内部に変質部を形成する工程と、
前記変質部に応力を加えることで、前記基板を切断して複数の液体吐出ヘッド用半導体チップに分ける工程と、を含み、
前記切断予定部は、前記基板の結晶方位面に対して傾斜した方向に延びる傾斜部と、前記基板の結晶方位面に沿った方向に延びる非傾斜部とを有し、
前記溝は少なくとも前記傾斜部に沿って形成されることを特徴とする液体吐出ヘッド用半導体チップの製造方法。 - 前記溝を形成する工程では、前記傾斜部および前記非傾斜部に沿って前記溝を形成し、前記傾斜部に沿って形成される溝を、前記非傾斜部に沿って形成される溝よりも深く形成する、請求項１に記載の液体吐出ヘッド用半導体チップの製造方法。
- 前記溝を形成する工程では、前記傾斜部に沿って前記溝を形成し、前記非傾斜部には前記溝を形成しない、請求項１に記載の液体吐出ヘッド用半導体チップの製造方法。
- 前記複数の非傾斜部は、互いに平行に並んで配置され、
隣り合う前記非傾斜部を結ぶ前記複数の傾斜部は、それぞれが他の前記非傾斜部と連続する線を形成しないように配置される、請求項１から３のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用半導体チップの製造方法。 - 前記溝を形成する工程では、前記傾斜部に沿って形成する溝を前記傾斜部の長さよりも長く形成する、請求項４に記載の液体吐出ヘッド用半導体チップの製造方法。
- 前記基板はシリコン基板であり、前記結晶方位面は、ミラー指数（１１０）で示される面である、請求項１から５のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用半導体チップの製造方法。
- 前記溝はドライエッチングにより形成される、請求項１から６のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用半導体チップの製造方法。
- 前記傾斜部の延びる方向と前記結晶方位面とのなす角が３°以上である、請求項１から７のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用半導体チップの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016122469A JP6736374B2 (ja) | 2016-06-21 | 2016-06-21 | 液体吐出ヘッド用半導体チップの製造方法 |
| US15/623,281 US9925776B2 (en) | 2016-06-21 | 2017-06-14 | Method of manufacturing semiconductor chips for liquid discharge head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016122469A JP6736374B2 (ja) | 2016-06-21 | 2016-06-21 | 液体吐出ヘッド用半導体チップの製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017228605A JP2017228605A (ja) | 2017-12-28 |
| JP2017228605A5 true JP2017228605A5 (ja) | 2019-07-11 |
| JP6736374B2 JP6736374B2 (ja) | 2020-08-05 |
Family
ID=60661611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016122469A Active JP6736374B2 (ja) | 2016-06-21 | 2016-06-21 | 液体吐出ヘッド用半導体チップの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9925776B2 (ja) |
| JP (1) | JP6736374B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005268752A (ja) | 2004-02-19 | 2005-09-29 | Canon Inc | レーザ割断方法、被割断部材および半導体素子チップ |
| JP4529692B2 (ja) * | 2005-01-07 | 2010-08-25 | セイコーエプソン株式会社 | 結晶性基材の分割方法、及び、液体噴射ヘッドの製造方法 |
| JP2007194373A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Seiko Epson Corp | シリコンデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法 |
| JP5455461B2 (ja) * | 2009-06-17 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | シリコン基板の加工方法及び液体吐出ヘッド用基板の製造方法 |
| JP5370262B2 (ja) * | 2010-05-18 | 2013-12-18 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光チップおよび基板の加工方法 |
| JP6095320B2 (ja) * | 2011-12-02 | 2017-03-15 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッド用基板の製造方法 |
| JP2014220403A (ja) | 2013-05-09 | 2014-11-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体エネルギー線検出素子及び半導体エネルギー線検出素子の製造方法 |
-
2016
- 2016-06-21 JP JP2016122469A patent/JP6736374B2/ja active Active
-
2017
- 2017-06-14 US US15/623,281 patent/US9925776B2/en active Active
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