JP2017226744A - 光両性物質発生剤 - Google Patents

光両性物質発生剤 Download PDF

Info

Publication number
JP2017226744A
JP2017226744A JP2016123089A JP2016123089A JP2017226744A JP 2017226744 A JP2017226744 A JP 2017226744A JP 2016123089 A JP2016123089 A JP 2016123089A JP 2016123089 A JP2016123089 A JP 2016123089A JP 2017226744 A JP2017226744 A JP 2017226744A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
generator
amphoteric substance
photo
substance generator
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016123089A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6654322B2 (ja
Inventor
茂 高原
Shigeru Takahara
茂 高原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chiba University NUC
Original Assignee
Chiba University NUC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chiba University NUC filed Critical Chiba University NUC
Priority to JP2016123089A priority Critical patent/JP6654322B2/ja
Publication of JP2017226744A publication Critical patent/JP2017226744A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6654322B2 publication Critical patent/JP6654322B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

【課題】酸拡散を抑制し、より高精細なレジストを行うことのできる光両性物質発生剤及びこれを用いたレジスト方法を提供する。【解決手段】本発明の一観点に係る光両性物質発生剤は、アダマンタン構造を有するものである。また、本観点において、アダマンタン構造に付されたアミノ基を有すること、更には、トリフェニルスルホニウム塩であることが好ましい。本観点に係る光両性物質発生剤によって、より高精細なレジストを行うことが可能となるといった効果がある。【選択図】なし

Description

本発明は、光両性物質発生剤に関する。
フォトポリマー材料やフォトレジスト材料の重要な成分のひとつに、光エネルギーを吸収して反応を開始する光開始剤が用いられている。光開始剤は重合反応などを開始するラジカル中間体やポリマーの保護基などの脱離を開始する触媒として働く酸や塩基などの活性物質Xを光反応により発生するため、光−X−発生剤(photo−X−generator、PXG)とも呼ばれる。光−X−発生剤には光ラジカル発生剤(photo radical generator、PRG)、光酸発生剤(photo acid generator、PAG)、光塩基発生剤(photo base generator、PBG)などがある。
代表的な光ラジカル発生剤としては励起三重項状態からの開裂反応や水素引抜き反応を応用したものが多く、典型的な用途としては、一般的に多官能モノマーやオリゴマーとともに用いられ、光硬化材料としての用途から、光照射によってラジカル中間体を発生し、ラジカル重合反応を引き起こして、耐熱性や耐薬品性をもつ硬化物を形成する。
光酸発生剤は、光照射によって強酸や超強酸、ハロゲン化金属を発生することにより、カチオン重合や重縮合を誘導する。スルホニウム塩やヨードニウム塩や有機金属塩、スルホネート誘導体などの光酸発生剤が良く知られている。光酸発生剤はエポキシドやオキセタン化合物の開環重合やビニルエーテル化合物などを効率よく重合し産業的に重要な物質となっている。
光塩基発生剤においては光反応によりアミンなどの塩基を発生し、エポキシ化合物の重合や架橋反応が行われる。
これらの光機能性の物質である光開始剤についてはさまざまな化合物が開発され、材料ハンドブックや事典(例えば下記非特許文献1乃至3)や専門書(例えば下記非特許文献4)に記載されている。また、光開始剤メーカーから詳細なデータが公表され公知となっている。
また、下記特許文献1には、特定の構造を有する高分子とオニウム塩誘導体からなるフォトレジスト材料が開示されている。
また、下記特許文献2には、多価アリールスルホニウム化学物を含有する光酸発生材成分を含むレジスト材料が開示されている。
また、下記特許文献3には、化学増幅ポジレジストにおいてレジストパターンの改良を行うことのできる両性イオン発生剤が開示されている。
また、下記特許文献4には、光両性物質発生剤を用いてパターン形成を行うことのできるフォトレジストが開示されている。
また、下記特許文献5には、光両性物質発生剤を用いて経時安定性の良好な半導体加工用のポジ型フォトレジストが開示されている。
また、下記特許文献6には、オニウム塩構造を備えた光酸発生材が開示されている。
また、下記特許文献7には、スルホン酸誘導体を発生する光両性物質発生剤を用いてパターン形成の良好な化学増幅型フォトレジストが開示されている。
また、下記非特許文献5には、光両性物質発生剤の一つであるN−aniline−sulfonyloxynaphtalimide(ANSI)についての特異的な反応の解析と蛍光イメージングへの応用が開示されている。
特開平5−19482号公報 特開平10−19482号公報 特開平11−174670号公報 特開2006−208781号公報 特開平2009−109595号公報 特開2013−185107号公報 特開2013−209360号公報
光応用技術・材料事典編集委員会編、「光応用技術・材料事典」、産業技術サービスセンター、2006、 ISBN 4−915957−45−4. 粟野ら、 応用物理、 73 (2004) 1212; 応用物理、 76 (2007) 1112. 市村國宏、角岡正弘 監修、「光硬化技術実用ガイド −UV/EB 硬化技術の応用展開」、テクノネット社、2002. 市村國宏、加藤清視 監修、「光硬化技術データブック 材料編 モノマー、オリゴマー、光重合開始剤」テクノネット社(東京)2000. J.V. Crivello and K. Dietliker、 G. Bradley Ed.、 Photoinitiators for Free Radical、 Cationic and Anionic Photopolymerization、 2nd Edition、 John Wiley and Sons、 New York、1988、 ISBN 0−471−97892−2. Takatsugu Endo、 Shota Suzuki、 Nobukazu Miyagawa、 Shigeru Takahara、* J. Photochem. Photobio. A:Chem.、 200、 181−186 (2008).
しかしながら、上記非特許文献1乃至4には光両性物質発生剤に関する開示はない。
また、上記特許文献1乃至7、非特許文献5については、レジスト等の際における拡散が大きいといった課題がある。これを解決することで高精細なレジストを実現できる。
そこで、本発明は上記課題に鑑み、酸拡散を抑制し、より高精細なレジストを行うことのできる光両性物質発生剤及びこれを用いたレジスト方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決する本発明の一観点に係る光両性物質発生剤は、アダマンタン構造を有するものである。
また、本発明の他の一観点に係るレジスト方法は、アダマンタン構造を有する光両性物質発生剤を用いるものである。
以上、本発明によって、酸拡散を抑制し、より高精細なレジストを行うことのできる光両性物質発生剤及びこれを用いたレジスト方法を提供することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は多くの異なる形態による実施が可能であり、以下に示す実施形態、実施例における例示的な記載に限定されるわけではない。
本実施形態に係る光両性物質発生剤は、アダマンタン構造を有することを特徴とする。ここで「アダマンタン構造」とは、10個の炭素がダイヤモンドの構造と同様に配置されている、かご型の分子構造をいう。
また本実施形態に係る光両性物質発生剤は、アダマンタン構造に少なくとも一つのアミノ基が付加されていることが好ましい。
また、本実施形態に係る光両性物質発生剤は、アダマンタン構造にスルホ基等の酸性を示す基が少なくとも一つ付加され、更に、酸基となり、トリフェニルスルホニウム塩となっていることも好ましい。この場合の化合物の一例について下記式(1)に示しておく。また、トリフェニルスルホニウム塩のフェニル基には、置換基が付されていてもよい。
また、本実施形態に係る光両性物質発生剤は、光反応型のレジスト剤を含む溶液に加えられ、基板に塗布した後、所望の部位に光を照射させることで光酸を発生させる一方、未露光の部分ではアミノ基によって酸の拡散を効率よく抑制させることができる。このため、従来にない高精度のパターン形成が可能になると考えられる。
また、本実施形態に係る光両性物質発生剤の濃度は、上記の機能を奏することができる限りにおいて限定されるわけではないが、溶液全体に対し、例えば1.0×10−6mol/L以上1.0mol/L以下の範囲であり、好ましくは1.0×10−5mol/L以上1.0×10−1mol/L以下である。
以上、本実施形態によって、酸拡散を抑制し、より高精細なレジストを行うことのできる光両性物質発生剤及びこれを用いたレジスト方法を提供することができる。
ここで、上記実施形態に係る光両性物質発生剤について実際に作成を行いその効果を確認した。以下具体的に説明する。
(3−aminoadamantanolの合成)
塩酸アダマンタジン9.4g(5.0×10−2mol)と98%塩酸100ml、60%硝酸20mlの混合物を塩基性のトラップを接続した丸底フラスコに入れ、氷水中で10〜15℃に保ちながらマグネティックスターラーで21時間攪拌した。そして、そのままの状態で水酸化ナトリウム水溶液152.8mlを少しずつ加えた。塩基性になったところで蒸留し、精製したクロロホルムを加え、上層の水層と下層の有機層に分離させた。そして、有機層の部分を抽出してエバポレーターでクロロホルムを留去して得られた白色粉末(3.0g、粗収率36%)を真空乾燥機に20時間ほど入れて乾燥させた。またそのときに、原料である塩酸アマンタジンも乾燥させた。
(3−bromoadamantan−1−aminium bromideの合成)
上記合成した3−aminoadamantanol(0.7g、3.9×10−3mol)を、蒸留水10mlに入れ、あらかじめ冷却しておいた47%臭化水素酸水溶液を1ml加えた。その後オイルバスによって120℃で還流を3時間行った。その後、室温まで冷却したらアセトンを50ml加えて軽く攪拌し、冷蔵庫の中に15時間おいた。結晶が析出するのでろ過によって取り除き、ろ液からエバポレーターを用いて溶媒を除去した。そして真空乾燥を行い、灰白色の3−bromoadamantan−1−aminium bromide0.8g(粗収率68%)を得た。
(3−sulfoadamantan−1−aminium bromideの合成)
上記合成した3−bromoadamantan−1−aminium bromide0.8gと蒸留水30mlに溶かした亜硫酸ナトリウム0.1gを三つ口フラスコに入れて48時間還流した。その後、フラスコを氷水中へ入れて冷却しながら塩酸を1.5ml加えて攪拌した。この際、塩が発生するため吸引ろ過で取り除き、5回ほど塩酸でろ液の塩を洗った。次に、ろ液にエタノール30mlを加えて加熱しながら78℃で激しく攪拌しながら還流を15分間行った。沈殿物を吸引ろ過で取り除き、ろ液中の水をエバポレーターで留去した。橙色の塩が析出したが、蒸留水40mlを50℃まで温めたお湯で溶かし吸引ろ過を行った後、そのろ液にエタノール100mlを加えて軽くかき混ぜた。この操作を2回繰り返し最終的にエバポレーターで水とエタノールを留去した。その後、真空乾燥を行ったが、粘性のある3−3−sulfoadamantan−1−aminium bromide 0.2g(粗収率74%)を得た。
(sodium−3−aminoadamantane−1−sulfonateの合成)
上記合成した3−sulfoadamantana−1−aminium bromide 0.2gと等モルの水酸化ナトリウムを蒸留水に溶かして塩基性にし、60℃で24時間攪拌した。その後、エバポレーターで水を留去し真空乾燥を行った。その後、アセトニトリルを加え、吸引ろ過を行った。ろ液の溶媒をエバポレーターで除去し、白色の固体0.1gが析出した(収率60%)。
(triphenylsulfonium−1−aminoadamantene−3−sulfonate(TPSAdS)の合成)
sodium−3−aminoadamantane−1−sulfonate2.6×10−4molを蒸留水で溶かし、そこにtriphenylsulfonium chloride(TPSCl)を0.4g(1.3×10−4mol)を加えた。ここからは光反応が起こる可能性があるためアルミホイルをかけてできるだけ光を遮断した。その後、室温下(30℃)で24時間攪拌した後、ジクロロメタンで5回抽出した。有機層を取り出し、溶媒をエバポレーターで除去した。析出した固体に対してジクロロメタンとヘキサンを1:1で混合した溶媒で再結晶を行い、未反応のTPSClを除去した。なお収率は48%であった。この結果、下記式(1)で示されるTPSAdSを得た。
(酸拡散抑制能力)
次に、上記作成したTPSAdSの酸拡散抑制能力について確認を行った。本確認試験においては、まず、代表的な科学増幅型ポジ型レジストの樹脂であるHhydroxystyrene−co−4−tert−butoxycarbonyloxystylene(PHS−co−tBOC)の25wt%DMF溶液を調整した。
その後、1.0×10−3mol/Lの濃度になるように、比較例であるtriphenylsulfonium−4−aminobenzenesulfonate(TPSSA)、本実施例TPSAdSをそれぞれ加えたサンプルを用意した。なお、TPSSAの化学構造式を下記式(2)に示しておく。
そして、これらをシリコンウェハー上にスピンコート法で塗布した(400rpm、60s)後、100℃で10分間加熱乾燥することによって溶媒を除去して1層目の膜を得た。
その後、レーザー顕微鏡(KEYENCE、VK−8500)でそれぞれのサンプルの膜圧を測定した。また、光酸発生剤であるTPS trifluoromethanesulfonate(TPSTf)を2.0×10−5mol/LになるようにPHS−co−tBOC25wt%DMF溶液に加えた。低圧水銀灯(254nm、105.6mJ/cm)で露光して酸を発生させ、この樹脂をそれぞれスピンコート法で回転塗布した(400rpm、60s)。
その後、酸を拡散させて脱保護反応を起こすための露光後加熱(PEB)として100℃、120℃で10分間加熱した。そして、室温まで冷却した後、予め調製した2.0%Ttetramethylammonium hydroxide(TMAH)水溶液で20秒間現像を行い、蒸留水でそれぞれのサンプルを3回洗浄した。その後、真空乾燥機で3時間乾燥させたものを再びレーザー顕微鏡で膜厚を測定し、その減少した大きさから減少率(ΔL/L×100(%))を算出した。この結果を下記表1に示す。
この結果、TPSSAや本実施例のTPSAdSのような塩基性の光両性物質発生剤が酸を中和して化学増幅プロセスである加熱現象後に膜厚の減少率が小さいほど、酸拡散の抑制効果が大きかったものと評価できる。比較例TPSSAや本実施例のTPSAdSを含まない場合は、加熱温度100℃で28%、120℃で49%であったが、比較例TPSSAの場合にはそれぞれ18%、13%と減少し、更に本実施例TPSAdSの場合にはそれぞれ5%、9%と更に減少し、アダマンタン構造を有する光両性発生剤TPSAdSが酸拡散の抑制効果が大きいことがわかった。
上記の理由としては、未だ不明な点もあるが、脂環式のアミンの塩基性が芳香族のものより大きいことが主たるものと考えられる。本発明は、このような両性物質発生剤の分子構造にアダマンタン構造を導入する工夫により、新規な両性物質発生剤を創生し、従来の問題であった酸拡散抑制についての効果が見られた。
本発明は、両性物質発生剤及びこれを用いたレジスト方法として産業上の利用可能性がある。

Claims (4)

  1. アダマンタン構造を有する光両性物質発生剤。
  2. 前記アダマンタン構造に付されたアミノ基を有する請求項1記載の光両性物質発生剤。
  3. トリフェニルスルホニウム塩である請求項1記載の光両性物質発生剤。
  4. 下記式で示される請求項1記載の光両性物質発生剤。

JP2016123089A 2016-06-21 2016-06-21 光両性物質発生剤 Expired - Fee Related JP6654322B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016123089A JP6654322B2 (ja) 2016-06-21 2016-06-21 光両性物質発生剤

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016123089A JP6654322B2 (ja) 2016-06-21 2016-06-21 光両性物質発生剤

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017226744A true JP2017226744A (ja) 2017-12-28
JP6654322B2 JP6654322B2 (ja) 2020-02-26

Family

ID=60889096

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016123089A Expired - Fee Related JP6654322B2 (ja) 2016-06-21 2016-06-21 光両性物質発生剤

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6654322B2 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07333851A (ja) * 1994-06-08 1995-12-22 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 感放射線性樹脂組成物
WO2009051088A1 (ja) * 2007-10-15 2009-04-23 Jsr Corporation スルホン化合物、スルホン酸塩および感放射線性樹脂組成物
JP2011121937A (ja) * 2009-11-10 2011-06-23 Sumitomo Chemical Co Ltd 塩及びレジスト組成物
JP2013185107A (ja) * 2012-03-08 2013-09-19 Chiba Univ 光両性物質発生剤

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07333851A (ja) * 1994-06-08 1995-12-22 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 感放射線性樹脂組成物
WO2009051088A1 (ja) * 2007-10-15 2009-04-23 Jsr Corporation スルホン化合物、スルホン酸塩および感放射線性樹脂組成物
JP2011121937A (ja) * 2009-11-10 2011-06-23 Sumitomo Chemical Co Ltd 塩及びレジスト組成物
JP2013185107A (ja) * 2012-03-08 2013-09-19 Chiba Univ 光両性物質発生剤

Also Published As

Publication number Publication date
JP6654322B2 (ja) 2020-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI525066B (zh) 鹽、光阻組成物及製備光阻圖案之方法
KR20120052167A (ko) 염, 포토레지스트 조성물 및 포토레지스트 패턴의 제조 방법
TW200538868A (en) Nitrogen-containing organic compound, chemical amplification type resist material and method for forming pattern
TWI674267B (zh) 酸可裂解單體及包括其之聚合物
JP6699706B2 (ja) 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
TWI468398B (zh) 三聚氰酸衍生物、包括該等三聚氰酸衍生物之光阻底層組成物以及使用該光阻底層組成物形成圖案的方法
JP6350206B2 (ja) 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2014010269A (ja) レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6343270B2 (ja) オニウム化合物およびその合成方法
JP2013041257A (ja) レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6119283B2 (ja) レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5946084B2 (ja) 光両性物質発生剤
CN112142769B (zh) 含硅多苯基单分子树脂及其光刻胶组合物
JP2010209259A (ja) 光活性化合物及び化学増幅型フォトレジスト組成物
JP6654322B2 (ja) 光両性物質発生剤
TWI522739B (zh) 阻劑組成物及阻劑圖案之製造方法
JP6304644B2 (ja) ハイパーブランチポリマー
JP6024496B2 (ja) 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6229280B2 (ja) 化合物、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6094085B2 (ja) 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7392056B2 (ja) レジスト下層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法
KR102448080B1 (ko) 신규 화합물 및 이를 포함하는 극자외선용 포토레지스트 조성물
TW201616226A (zh) 樹脂、光阻組合物及光阻圖案之製造方法
JP2024027460A (ja) パターン形成方法
JP2013041258A (ja) レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20170913

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190315

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20191114

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191126

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191220

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200114

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200123

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6654322

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees