JP2017224704A - 真空パッケージ、電子デバイス、電子機器及び移動体 - Google Patents
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Abstract
【課題】外形サイズの小型化が可能な真空パッケージの提供。
【解決手段】真空パッケージ１は、基板１０と、基板１０を貫通している一対の貫通電極２０と、一対の貫通電極２０間に架設されているゲッター３０と、基板１０上の一対の貫通電極２０及びゲッター３０を覆うリッド５０と、を備え、リッド５０は、基板１０に気密に接合され、基板１０とリッド５０とにより構成された内部空間６０は、減圧状態であって、一対の貫通電極２０は、内部空間６０側の第１端部２１と、第１端部２１とは反対側の第２端部２２とを有し、ゲッター３０は、一対の貫通電極２０の第１端部２１に接合されるとともに、貫通電極２０を介した通電により加熱され、ゲッター３０の貫通電極２０間部は、基板１０と離間していることを特徴とする。
【選択図】図２
【解決手段】真空パッケージ１は、基板１０と、基板１０を貫通している一対の貫通電極２０と、一対の貫通電極２０間に架設されているゲッター３０と、基板１０上の一対の貫通電極２０及びゲッター３０を覆うリッド５０と、を備え、リッド５０は、基板１０に気密に接合され、基板１０とリッド５０とにより構成された内部空間６０は、減圧状態であって、一対の貫通電極２０は、内部空間６０側の第１端部２１と、第１端部２１とは反対側の第２端部２２とを有し、ゲッター３０は、一対の貫通電極２０の第１端部２１に接合されるとともに、貫通電極２０を介した通電により加熱され、ゲッター３０の貫通電極２０間部は、基板１０と離間していることを特徴とする。
【選択図】図２
Description
本発明は、真空パッケージ、この真空パッケージを備えている電子デバイス、この電子デバイスを備えている電子機器及び移動体に関する。
従来、真空パッケージを備えている電子デバイスとして、気密に構成されたデバイス・ボディー（真空パッケージに相当）内に、ゲッター物質と、このゲッター物質を加熱するためのヒーター部材とを含み、ヒーター部材の電気接点が、電気的に外部に結合されている構成のマイクロ機械デバイスまたはマイクロオプトエレクトロニック・デバイスが知られている（例えば、特許文献１参照）。
上記デバイスは、ゲッター物質と、このゲッター物質を加熱するためのヒーター部材とが、デバイス・ボディーのベースに直接接触するように固定されていることから、ヒーター部材の熱がベースを介した熱伝導により、ベースに搭載されている別部材に伝達されやすくなる。
これにより、上記デバイスは、上記別部材の耐熱性が低い場合には、ゲッター物質及びヒーター部材の熱の影響を減じるために、ゲッター物質及びヒーター部材から別部材までの距離を極力大きくする必要がある。
この結果、上記デバイスは、外形サイズの小型化が困難になる虞がある。
これにより、上記デバイスは、上記別部材の耐熱性が低い場合には、ゲッター物質及びヒーター部材の熱の影響を減じるために、ゲッター物質及びヒーター部材から別部材までの距離を極力大きくする必要がある。
この結果、上記デバイスは、外形サイズの小型化が困難になる虞がある。
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］本適用例にかかる真空パッケージは、基板と、前記基板を貫通している一対の貫通電極と、前記一対の貫通電極間に架設されているゲッターと、前記基板上の前記一対の貫通電極及び前記ゲッターを覆うリッドと、を備え、前記リッドは、前記基板に気密に接合され、前記基板と前記リッドとにより構成された内部空間は、減圧状態であって、前記一対の貫通電極は、前記内部空間側の第１端部と、前記第１端部とは反対側の第２端部とを有し、前記ゲッターは、前記一対の貫通電極の前記第１端部に接合されるとともに、前記貫通電極を介した通電により加熱され、前記ゲッターの前記貫通電極間部は、前記基板と離間していることを特徴とする。
本適用例によれば、真空パッケージは、ゲッターが貫通電極の第１端部に接合されるとともに、貫通電極を介した通電により加熱され、ゲッターの貫通電極間部が、基板と離間している。
これにより、真空パッケージは、ゲッターの貫通電極間部が基板に直接接触していないことから、ゲッター加熱時の熱が、従来（例えば、特許文献１、以下同様）よりも基板上の例えば、素子（別部材に相当）搭載スペースに伝達されにくくなる。
この結果、真空パッケージは、搭載される素子の耐熱性が同じ場合、ゲッターと素子搭載スペースとの距離を従来よりも小さくできることから、外形サイズの小型化を図ることができる。
これにより、真空パッケージは、ゲッターの貫通電極間部が基板に直接接触していないことから、ゲッター加熱時の熱が、従来（例えば、特許文献１、以下同様）よりも基板上の例えば、素子（別部材に相当）搭載スペースに伝達されにくくなる。
この結果、真空パッケージは、搭載される素子の耐熱性が同じ場合、ゲッターと素子搭載スペースとの距離を従来よりも小さくできることから、外形サイズの小型化を図ることができる。
［適用例２］上記適用例にかかる真空パッケージにおいて、前記貫通電極の前記第１端部は、前記基板から前記内部空間側へ突出していることが好ましい。
上記適用例によれば、真空パッケージは、貫通電極の第１端部が、基板から内部空間側へ突出していることによって、ゲッターが基板に直接接触していないことから、ゲッター加熱時の熱が、従来よりも基板上の例えば、素子搭載スペースに伝達されにくくなる。
この結果、真空パッケージは、搭載される素子の耐熱性が同じ場合、ゲッターと素子搭載スペースとの距離を従来よりも小さくできることから、外形サイズの小型化を図ることができる。
この結果、真空パッケージは、搭載される素子の耐熱性が同じ場合、ゲッターと素子搭載スペースとの距離を従来よりも小さくできることから、外形サイズの小型化を図ることができる。
［適用例３］上記適用例にかかる真空パッケージにおいて、前記貫通電極は、導電体と、平面視で前記導電体の周囲を覆う絶縁体と、を含んで構成され、前記絶縁体の熱伝導率は、前記基板の熱伝導率よりも大きいことが好ましい。
上記適用例によれば、真空パッケージは、貫通電極が導電体と、平面視で導電体の周囲を覆う絶縁体と、を含んで構成され、絶縁体の熱伝導率が基板の熱伝導率よりも大きいことから、例えば、外部部材への実装時の貫通電極間の短絡を低減しつつ、貫通電極の第１端部と第２端部との間の温度差を小さくすることができる。
これにより、真空パッケージは、例えば、貫通電極を介した通電によるゲッター加熱時に、貫通電極の第２端部の温度と通電電流値とからゲッター及びゲッター周囲の温度分布を精度よく推定することが可能となる。
この結果、真空パッケージは、ゲッター周囲の温度分布を精度よく推定できない場合よりもゲッターと素子搭載スペースとの距離を小さくできることから、外形サイズの小型化を図ることができる。
これにより、真空パッケージは、例えば、貫通電極を介した通電によるゲッター加熱時に、貫通電極の第２端部の温度と通電電流値とからゲッター及びゲッター周囲の温度分布を精度よく推定することが可能となる。
この結果、真空パッケージは、ゲッター周囲の温度分布を精度よく推定できない場合よりもゲッターと素子搭載スペースとの距離を小さくできることから、外形サイズの小型化を図ることができる。
［適用例４］上記適用例にかかる真空パッケージにおいて、前記貫通電極及び前記基板の少なくとも一方は、前記貫通電極と前記基板との係合部分に段差部を有していることが好ましい。
上記適用例によれば、真空パッケージは、貫通電極及び基板の少なくとも一方が、貫通電極と基板との係合部分に段差部を有していることから、貫通電極の貫通方向の位置決め及び抜け防止を確実に行うことができる。
［適用例５］上記適用例にかかる真空パッケージにおいて、前記貫通電極は、前記第２端部の端面が前記基板の外部空間側の面と面一であることが好ましい。
上記適用例によれば、真空パッケージは、貫通電極の第２端部の端面が、基板の外部空間側の面と面一であることから、例えば、貫通電極を介したゲッターへの通電作業が容易となる。
［適用例６］上記適用例にかかる真空パッケージにおいて、前記基板の熱伝導率は、前記貫通電極の熱伝導率よりも小さいことが好ましい。
上記適用例によれば、真空パッケージは、基板の熱伝導率が貫通電極の熱伝導率よりも小さいことから、貫通電極を介した通電によるゲッター加熱時に、貫通電極の温度が高くなっても周囲への熱の伝達を抑制することができる。
［適用例７］上記適用例にかかる真空パッケージにおいて、前記ゲッターは、基材と、前記基材の少なくとも一部を覆う吸着材と、を有し、前記貫通電極の前記基板貫通方向の厚さをｌｅ、前記貫通電極の熱伝導率をλｅ、前記貫通電極の前記貫通方向に対して直角な平面における平均の断面積をＡｅ、前記ゲッターの通電部の長さをｌG、前記ゲッターの前記基材の熱伝導率をλG、前記ゲッターの通電方向に対して直角な平面における平均の断面積をＡGとし、前記貫通電極を介した通電により前記ゲッターを加熱したとき、
ｌｅ／λｅＡｅ＜１／Ｎ×１／２×ｌG／２／λGＡG （但し、Ｎは実数）
上記式を満たすことが好ましい。
ｌｅ／λｅＡｅ＜１／Ｎ×１／２×ｌG／２／λGＡG （但し、Ｎは実数）
上記式を満たすことが好ましい。
上記適用例によれば、真空パッケージは、貫通電極を介した通電によりゲッターを加熱したとき、単位放熱量あたりに発生する貫通電極内の温度差であるｌｅ／λｅＡｅと、単位放熱量あたりに発生するゲッターの端部と中央部との温度差である１／２×ｌG／２／λGＡGとが、上記式の関係にある。
これにより、真空パッケージは、ゲッター加熱時の貫通電極の第２端部の温度と通電電流値とによって、ゲッター及びゲッター周囲の温度分布を精度よく推定することが可能となる。
この結果、真空パッケージは、ゲッター周囲の温度分布を精度よく推定できない場合よりもゲッターと素子搭載スペースとの距離を小さくできることから、外形サイズの小型化を図ることができる。
これにより、真空パッケージは、ゲッター加熱時の貫通電極の第２端部の温度と通電電流値とによって、ゲッター及びゲッター周囲の温度分布を精度よく推定することが可能となる。
この結果、真空パッケージは、ゲッター周囲の温度分布を精度よく推定できない場合よりもゲッターと素子搭載スペースとの距離を小さくできることから、外形サイズの小型化を図ることができる。
［適用例８］上記適用例にかかる真空パッケージにおいて、前記Ｎは、３０であることが好ましい。
上記適用例によれば、真空パッケージは、上記式のＮが３０であることから、ゲッター加熱時の貫通電極の第２端部の温度と通電電流値とにより、ゲッター及びゲッター周囲の温度分布を、より実際に即して精度よく推定することが可能となる。
［適用例９］本適用例にかかる電子デバイスは、上記適用例のいずれか一例に記載の真空パッケージと、前記真空パッケージの前記基板に搭載されている素子と、を備えていることを特徴とする。
本適用例によれば、電子デバイスは、上記適用例のいずれか一例に記載の真空パッケージと、真空パッケージの基板に搭載されている素子と、を備えていることから、上記適用例のいずれか一例に記載の効果が奏され、優れた性能を発揮することができる。
［適用例１０］本適用例にかかる電子機器は、上記適用例に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする。
本適用例によれば、電子機器は、上記適用例に記載の電子デバイスを備えていることから、上記適用例に記載の効果が奏され、優れた性能を発揮することができる。
［適用例１１］本適用例にかかる移動体は、上記適用例に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする。
本適用例によれば、移動体は、上記適用例に記載の電子デバイスを備えていることから、上記適用例に記載の効果が奏され、優れた性能を発揮することができる。
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
（第１実施形態）
最初に、第１実施形態の真空パッケージについて説明する。
図１は、第１実施形態の真空パッケージの概略構成を示す模式図であり、真空パッケージを同パッケージの上方から俯瞰した平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線での断面図である。図３は、通電加熱時の構成要素と温度との関係などを説明する模式断面図である。なお、図１〜図３を含む以降の各図面において、平面図では、便宜的に一部の構成要素を省略してある。また、各図面において、分かりやすくするために各構成要素の寸法比率は、実際と異なる。
最初に、第１実施形態の真空パッケージについて説明する。
図１は、第１実施形態の真空パッケージの概略構成を示す模式図であり、真空パッケージを同パッケージの上方から俯瞰した平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線での断面図である。図３は、通電加熱時の構成要素と温度との関係などを説明する模式断面図である。なお、図１〜図３を含む以降の各図面において、平面図では、便宜的に一部の構成要素を省略してある。また、各図面において、分かりやすくするために各構成要素の寸法比率は、実際と異なる。
図１、図２に示すように、第１実施形態の真空パッケージ１は、基板１０と、基板１０を貫通している少なくとも一対の貫通電極２０と、一対の貫通電極２０間に架設されているゲッター３０と、基板１０に設けられている素子搭載スペース４０と、基板１０上の一対の貫通電極２０、ゲッター３０及び素子搭載スペース４０を覆うリッド５０と、を備えている。
リッド５０は、基板１０に気密に接合され、基板１０とリッド５０とにより（ここでは、基板１０とリッド５０との接合部材も含まれるものとする）構成された内部空間６０は、減圧状態である。
貫通電極２０は、内部空間６０側の第１端部２１と、第１端部２１とは反対側（外部空間７０側）の第２端部２２とを有している。
ゲッター３０は、両端部３３が貫通電極２０の第１端部２１に接合されるとともに、貫通電極２０を介した通電により加熱される。
貫通電極２０の第１端部２１は、基板１０から内部空間６０側へ突出している。
これにより、ゲッター３０の貫通電極２０間部は、基板１０と離間していることになる（換言すれば、真空パッケージ１は、ゲッター３０と基板１０との間に隙間があることになる）。
貫通電極２０は、内部空間６０側の第１端部２１と、第１端部２１とは反対側（外部空間７０側）の第２端部２２とを有している。
ゲッター３０は、両端部３３が貫通電極２０の第１端部２１に接合されるとともに、貫通電極２０を介した通電により加熱される。
貫通電極２０の第１端部２１は、基板１０から内部空間６０側へ突出している。
これにより、ゲッター３０の貫通電極２０間部は、基板１０と離間していることになる（換言すれば、真空パッケージ１は、ゲッター３０と基板１０との間に隙間があることになる）。
以下、各構成要素について詳述する。
＜基板＞
基板１０は、略矩形平板状に形成されている。基板１０には、一方の端部（図１の紙面左側）に一対の貫通電極２０を配置するための一対の貫通孔１１が設けられている。
一対の貫通孔１１は、基板１０を厚さ方向に貫通している。
基板１０の材料としては、特に限定されないが、熱伝導率が比較的小さい、セラミック（例えば、アルミナ（熱伝導率：２０〜４０Ｗ／ｍＫ程度））、シリコン（熱伝導率：１６０〜１７０Ｗ／ｍＫ程度）、ガラス（熱伝導率：１Ｗ／ｍＫ程度）などが挙げられる。
また、基板１０の材料の熱伝導率は、後述する貫通電極２０の材料の熱伝導率よりも小さいことが好ましい。
本実施形態では、基板１０の材料としてアルミナを用いた構成を例示している。
＜基板＞
基板１０は、略矩形平板状に形成されている。基板１０には、一方の端部（図１の紙面左側）に一対の貫通電極２０を配置するための一対の貫通孔１１が設けられている。
一対の貫通孔１１は、基板１０を厚さ方向に貫通している。
基板１０の材料としては、特に限定されないが、熱伝導率が比較的小さい、セラミック（例えば、アルミナ（熱伝導率：２０〜４０Ｗ／ｍＫ程度））、シリコン（熱伝導率：１６０〜１７０Ｗ／ｍＫ程度）、ガラス（熱伝導率：１Ｗ／ｍＫ程度）などが挙げられる。
また、基板１０の材料の熱伝導率は、後述する貫通電極２０の材料の熱伝導率よりも小さいことが好ましい。
本実施形態では、基板１０の材料としてアルミナを用いた構成を例示している。
＜貫通電極＞
貫通電極２０は、略円柱状に形成され、内部空間６０側の第１端部２１と、第１端部２１とは反対側の第２端部２２とを有している。
第１端部２１の端面２３と、第２端部２２の端面２４とは、互いに略平行になるように形成されている。
貫通電極２０は、第１端部２１が基板１０から内部空間６０側へ突出するように、基板１０の貫通孔１１へ挿入され、気密に固定されている。
この際、貫通電極２０の第２端部２２の端面２４は、基板１０の外部空間７０側の面１２と面一である（換言すれば、端面２４と面１２とが同一平面内にある）ことが好ましい。
貫通電極２０は、略円柱状に形成され、内部空間６０側の第１端部２１と、第１端部２１とは反対側の第２端部２２とを有している。
第１端部２１の端面２３と、第２端部２２の端面２４とは、互いに略平行になるように形成されている。
貫通電極２０は、第１端部２１が基板１０から内部空間６０側へ突出するように、基板１０の貫通孔１１へ挿入され、気密に固定されている。
この際、貫通電極２０の第２端部２２の端面２４は、基板１０の外部空間７０側の面１２と面一である（換言すれば、端面２４と面１２とが同一平面内にある）ことが好ましい。
貫通電極２０の材料としては、特に限定されないが、熱伝導率が比較的大きく、電気抵抗率の比較的小さい、銅（熱伝導率：４００Ｗ／ｍＫ程度、電気抵抗率：１．７×１０-2μΩｍ程度）、アルミニウム（熱伝導率：２４０Ｗ／ｍＫ程度、電気抵抗率：２．７×１０-2μΩｍ程度）などが挙げられる。
本実施形態では、貫通電極２０の材料として銅を用いた構成を例示している。
なお、貫通電極２０の形状は、略円柱状に限定されるものではなく、略角柱状などであってもよい。
本実施形態では、貫通電極２０の材料として銅を用いた構成を例示している。
なお、貫通電極２０の形状は、略円柱状に限定されるものではなく、略角柱状などであってもよい。
＜ゲッター＞
ゲッター３０は、非蒸発型のガス吸着部材であり、略短冊状（細長い矩形平板状）に形成されている基材３１と、基材３１の少なくとも一部を覆う（ここでは、基材３１の表裏面を被膜状に覆っている）吸着材３２と、を有している。
ゲッター３０は、両端部３３がそれぞれ貫通電極２０の第１端部２１の端面２３に、例えば、抵抗溶接、レーザー溶接、ろう材や銀ペースト接合などの電気抵抗の小さな接合方法を用いて接合されている。
ゲッター３０は、長手方向が、近傍に位置する基板１０の辺１４に沿うように配置されている。
真空パッケージ１は、ゲッター３０が、基板１０から内部空間６０側へ突出している貫通電極２０の第１端部２１の端面２３に接合されることにより、ゲッター３０と基板１０との間に隙間（空間）が設けられることになる。換言すれば、真空パッケージ１は、ゲッター３０の貫通電極２０間部が、基板１０と離間していることになる。
ゲッター３０は、非蒸発型のガス吸着部材であり、略短冊状（細長い矩形平板状）に形成されている基材３１と、基材３１の少なくとも一部を覆う（ここでは、基材３１の表裏面を被膜状に覆っている）吸着材３２と、を有している。
ゲッター３０は、両端部３３がそれぞれ貫通電極２０の第１端部２１の端面２３に、例えば、抵抗溶接、レーザー溶接、ろう材や銀ペースト接合などの電気抵抗の小さな接合方法を用いて接合されている。
ゲッター３０は、長手方向が、近傍に位置する基板１０の辺１４に沿うように配置されている。
真空パッケージ１は、ゲッター３０が、基板１０から内部空間６０側へ突出している貫通電極２０の第１端部２１の端面２３に接合されることにより、ゲッター３０と基板１０との間に隙間（空間）が設けられることになる。換言すれば、真空パッケージ１は、ゲッター３０の貫通電極２０間部が、基板１０と離間していることになる。
ゲッター３０は、貫通電極２０を介した通電により基材３１が発熱し、吸着材３２が例えば、３００℃〜４００℃程度に加熱されることにより活性化され、内部空間６０のガス成分（例えば、水素ガス、酸素ガス、炭素ガス、窒素ガスや、これらの混合ガスなど）を吸着する。
これにより、真空パッケージ１は、内部空間６０が所定の減圧状態で安定的に維持される。
これにより、真空パッケージ１は、内部空間６０が所定の減圧状態で安定的に維持される。
ゲッター３０の基材３１の材料としては、特に限定されないが、熱伝導率が比較的小さく、電気抵抗率の比較的大きい、ニクロム（熱伝導率：１３Ｗ／ｍＫ程度、電気抵抗率：１．５μΩｍ程度）などが挙げられる。
ゲッター３０の吸着材３２の材料としては、特に限定されないが、チタン、ジルコニウム、バナジウム、鉄や、これらの合金などが挙げられる。
本実施形態では、ゲッター３０の基材３１の材料としてニクロムを用い、吸着材３２の材料としてチタンを主体にした粒子状（粉末状）合金を用いた構成を例示している。なお、吸着材３２は、基材３１に焼結されている。
ゲッター３０の吸着材３２の材料としては、特に限定されないが、チタン、ジルコニウム、バナジウム、鉄や、これらの合金などが挙げられる。
本実施形態では、ゲッター３０の基材３１の材料としてニクロムを用い、吸着材３２の材料としてチタンを主体にした粒子状（粉末状）合金を用いた構成を例示している。なお、吸着材３２は、基材３１に焼結されている。
＜素子搭載スペース＞
素子搭載スペース４０は、基板１０の内部空間６０側の面１３に設けられている、比較的耐熱性の低い素子（例えば、振動素子、原子発振器用素子、赤外線センサー素子など）の搭載用スペースである。
真空パッケージ１は、素子搭載スペース４０に搭載される素子が同じ場合、素子搭載スペース４０とゲッター３０との距離Ｌ１によって外形サイズが左右される。
素子搭載スペース４０は、基板１０の内部空間６０側の面１３に設けられている、比較的耐熱性の低い素子（例えば、振動素子、原子発振器用素子、赤外線センサー素子など）の搭載用スペースである。
真空パッケージ１は、素子搭載スペース４０に搭載される素子が同じ場合、素子搭載スペース４０とゲッター３０との距離Ｌ１によって外形サイズが左右される。
＜リッド＞
リッド５０は、略箱型のキャップ状に形成され、基板１０上の貫通電極２０、ゲッター３０及び素子搭載スペース４０を覆っている。なお、図１では、リッド５０の内側の輪郭を２点鎖線で示している。
リッド５０は、所定の減圧雰囲気中において、基板１０に低融点ガラス、ろう材、接着剤などの接合部材（図示せず）を用いて気密に接合される。
これにより、基板１０とリッド５０と（接合部材と）で構成された内部空間６０は、所定の減圧状態となっている。
リッド５０は、略箱型のキャップ状に形成され、基板１０上の貫通電極２０、ゲッター３０及び素子搭載スペース４０を覆っている。なお、図１では、リッド５０の内側の輪郭を２点鎖線で示している。
リッド５０は、所定の減圧雰囲気中において、基板１０に低融点ガラス、ろう材、接着剤などの接合部材（図示せず）を用いて気密に接合される。
これにより、基板１０とリッド５０と（接合部材と）で構成された内部空間６０は、所定の減圧状態となっている。
リッド５０の材料としては、特に限定されないが、ステンレス鋼、コバール、４２アロイなどの金属や、セラミックなどが挙げられる。
本実施形態では、リッド５０の材料としてステンレス鋼を用いた構成を例示している。
なお、真空パッケージ１は、基板１０を箱型状に形成し、リッド５０を平板状に形成してもよく、両者をともに箱型状としてもよい。
本実施形態では、リッド５０の材料としてステンレス鋼を用いた構成を例示している。
なお、真空パッケージ１は、基板１０を箱型状に形成し、リッド５０を平板状に形成してもよく、両者をともに箱型状としてもよい。
ここで、真空パッケージ１において、素子搭載スペース４０とゲッター３０との距離Ｌ１を極力短くし、外形サイズを小型化するためには、ゲッター３０及びゲッター３０周囲の温度分布を精度よく推定することが必要となる。つまり、真空パッケージ１は、この温度分布を精度よく推定できれば、距離Ｌ１におけるマージン分を小さくすることができ、距離Ｌ１を短くすることが可能となる。
このためには、図３に示すように、通電回路８０による貫通電極２０を介した通電によりゲッター３０を加熱したとき、ゲッター３０の中央部３４の温度ＴAと、ゲッター３０の端部３３における貫通電極２０の端面２３との接合部の温度ＴBとの温度差ΔＴABが極めて大きくなり（ＴA≫ＴB）、温度ＴBと、貫通電極２０の端面２４の温度ＴCとの温度差ΔＴBCが、極めて小さくなる（ＴB≒ＴC）構成とすることが好ましい。
具体的には、真空パッケージ１は、貫通電極２０の基板１０貫通方向（矢印Ｂ方向）の厚さをｌｅ、貫通電極２０の熱伝導率をλｅ、貫通電極２０の上記貫通方向（矢印Ｂ方向）に対して直角な平面における平均の断面積をＡｅ、ゲッター３０の通電部（貫通電極２０に接していない部分）の長さをｌG、ゲッター３０の基材３１の熱伝導率をλG、ゲッター３０の通電方向（矢印Ｃ方向）に対して直角な平面における平均の断面積をＡGとしたとき、下記式（１）を満たすことが好ましい。
ｌｅ／λｅＡｅ＜１／Ｎ×１／２×ｌG／２／λGＡG（但し、Ｎは実数）…式（１）
ｌｅ／λｅＡｅ＜１／Ｎ×１／２×ｌG／２／λGＡG（但し、Ｎは実数）…式（１）
上記式（１）において、ｌｅ／λｅＡｅは、単位放熱量あたりに発生する貫通電極２０の端面２３（温度ＴB）と端面２４（温度ＴC）との温度差ΔＴBCを表しており、１／２×ｌG／２／λGＡGは、単位放熱量あたりに発生するゲッター３０の端部３３（温度ＴB）と中央部３４（温度ＴA）との温度差ΔＴABを表している。
なお、温度ＴCは、熱電対などの温度測定装置（図示せず）を貫通電極２０の端面２４に接触させて計測することにより得られる。
なお、温度ＴCは、熱電対などの温度測定装置（図示せず）を貫通電極２０の端面２４に接触させて計測することにより得られる。
＜式（１）導出の考え方＞
温度ＴA−温度ＴB間の温度差ΔＴABを保ちつつ、温度ＴB−温度ＴC間の温度差ΔＴBCを小さくし、真空パッケージ１の内部温度の解析精度を高くするためには、求める温度差ΔＴAB、ΔＴBCに対し、下記式（２）を満たすような設計とすることが求められる。
ΔＴBC＜１／Ｎ×ΔＴAB…式（２）
貫通電極２０における熱の流れについて、周辺の基板１０への熱の伝わりと貫通電極２０内の発熱とを無視すると、フーリエの法則（熱流束は温度勾配に比例する）により、下記式（３）が成り立つ。
Ｊｅ＝−λｅ×−ΔＴBC／ｌｅ…式（３）
温度ＴA−温度ＴB間の温度差ΔＴABを保ちつつ、温度ＴB−温度ＴC間の温度差ΔＴBCを小さくし、真空パッケージ１の内部温度の解析精度を高くするためには、求める温度差ΔＴAB、ΔＴBCに対し、下記式（２）を満たすような設計とすることが求められる。
ΔＴBC＜１／Ｎ×ΔＴAB…式（２）
貫通電極２０における熱の流れについて、周辺の基板１０への熱の伝わりと貫通電極２０内の発熱とを無視すると、フーリエの法則（熱流束は温度勾配に比例する）により、下記式（３）が成り立つ。
Ｊｅ＝−λｅ×−ΔＴBC／ｌｅ…式（３）
ゲッター３０の通電部において発生した熱量Ｑは、真空パッケージ１では、ほとんどが貫通電極２０を通じて放熱されるため、下記式（４）が成り立つ。
Ｑ＝Ｊｅ×２Ａｅ…式（４）
式（３）、式（４）より、下記式（５）が成り立つ。
ΔＴBC＝ｌｅ／λｅＡｅ×Ｑ／２…式（５）
Ｑ＝Ｊｅ×２Ａｅ…式（４）
式（３）、式（４）より、下記式（５）が成り立つ。
ΔＴBC＝ｌｅ／λｅＡｅ×Ｑ／２…式（５）
また、ΔＴABは、下記式（６）を満たす。
ΔＴAB＜１／２×ｌG／２／λGＡG×Ｑ／２…式（６）
ΔＴAB＜１／２×ｌG／２／λGＡG×Ｑ／２…式（６）
上記式（２）を満たす際、上記式（５）、式（６）より、下記式（７）が成り立つ。
ｌｅ／λｅＡｅ＜１／Ｎ×２ΔＴAB／Ｑ＜１／Ｎ×１／２×ｌG／２／λGＡG…式（７）
これにより、少なくとも下記式（８）、つまり式（１）を満たす必要があることが分かる。
ｌｅ／λｅＡｅ＜１／Ｎ×１／２×ｌG／２／λGＡG…式（８）（式（１））
ｌｅ／λｅＡｅ＜１／Ｎ×２ΔＴAB／Ｑ＜１／Ｎ×１／２×ｌG／２／λGＡG…式（７）
これにより、少なくとも下記式（８）、つまり式（１）を満たす必要があることが分かる。
ｌｅ／λｅＡｅ＜１／Ｎ×１／２×ｌG／２／λGＡG…式（８）（式（１））
図１、図２に例示した構成では、上記式のＮが３０に設定されている（詳細後述）。
真空パッケージ１は、具体的には、下記のような構成となっている。
（ａ）基板１０に厚さ０．５ｍｍのアルミナ（熱伝導率：２０〜４０Ｗ／ｍＫ）を用いる。
（ｂ）貫通電極２０に円柱状の銅（熱伝導率：４００Ｗ／ｍＫ、電気抵抗率：１．７×１０-2μΩｍ）を用い、貫通電極２０の直径を１ｍｍ、厚さ（端面２３から端面２４までの距離）を０．７５ｍｍとする。
これにより、貫通電極２０内の抵抗値を小さくし、貫通電極２０内での発熱を極力抑制する。
（ｃ）ゲッター３０の基材３１に長さ７ｍｍ、厚さ０．０５ｍｍのニクロム（熱伝導率：１３Ｗ／ｍＫ、電気抵抗率：１．５μΩｍ）を用い、吸着材３２の厚さを基材３１の表側、裏側とも０．１ｍｍずつとする。なお、ゲッター３０は、略短冊状であって、一方の端部３３から他方の端部３３までの間に材質の変化や、断面積の変化が、殆どないものとする。
真空パッケージ１は、具体的には、下記のような構成となっている。
（ａ）基板１０に厚さ０．５ｍｍのアルミナ（熱伝導率：２０〜４０Ｗ／ｍＫ）を用いる。
（ｂ）貫通電極２０に円柱状の銅（熱伝導率：４００Ｗ／ｍＫ、電気抵抗率：１．７×１０-2μΩｍ）を用い、貫通電極２０の直径を１ｍｍ、厚さ（端面２３から端面２４までの距離）を０．７５ｍｍとする。
これにより、貫通電極２０内の抵抗値を小さくし、貫通電極２０内での発熱を極力抑制する。
（ｃ）ゲッター３０の基材３１に長さ７ｍｍ、厚さ０．０５ｍｍのニクロム（熱伝導率：１３Ｗ／ｍＫ、電気抵抗率：１．５μΩｍ）を用い、吸着材３２の厚さを基材３１の表側、裏側とも０．１ｍｍずつとする。なお、ゲッター３０は、略短冊状であって、一方の端部３３から他方の端部３３までの間に材質の変化や、断面積の変化が、殆どないものとする。
この構成によれば、真空パッケージ１は、各特性値が、図４の各特性値の算出結果を説明する図に示すような値となる。
これによれば、真空パッケージ１は、ｌｅ／λｅＡｅ≒２．３７（Ｋ／Ｗ）となり、Ｎ＝３０として、１／Ｎ×１／２×ｌG／２／λGＡG≒４２．７４（Ｋ／Ｗ）となることから、式（１）：ｌｅ／λｅＡｅ＜１／Ｎ×１／２×ｌG／２／λGＡGを満たすことになる。
これによれば、真空パッケージ１は、ｌｅ／λｅＡｅ≒２．３７（Ｋ／Ｗ）となり、Ｎ＝３０として、１／Ｎ×１／２×ｌG／２／λGＡG≒４２．７４（Ｋ／Ｗ）となることから、式（１）：ｌｅ／λｅＡｅ＜１／Ｎ×１／２×ｌG／２／λGＡGを満たすことになる。
ここで、ゲッター３０は、発生する熱の逃げ道が、ほぼ貫通電極２０との接合部からのみと見なせることから、真空パッケージ１は、ゲッター３０の貫通電極２０との接合部の温度ＴBとゲッター３０への通電電流値とが分かれば、ゲッター３０全体、更には真空パッケージ１の内部全体（内部空間６０）の温度分布を推定することが可能となる。
＜Ｎ＝３０導出の考え方＞
真空パッケージ１は、基板１０の温度を、比較的耐熱性の低い素子が損傷しないように、例えば、１５０℃以下に抑えたい場合、ゲッター３０中央部３４の温度を４００℃以上とするためには、ΔＴABを３００℃程度とする必要がある。
これに対し、基板１０の表裏（面１３、面１２）の温度差を無視できるほど小さくする条件を求めると、熱電対などの温度測定装置の測定精度が±５℃程度であったとして、ΔＴBC＝１０℃以下とする必要がある。
この条件を上記式（２）に代入すると、ΔＴBC＝１０＜１／Ｎ×ΔＴAB＝１／Ｎ×３００となり、Ｎ＝３０となる。
なお、Ｎは、上記想定条件を適宜変更することにより変化することになる。
真空パッケージ１は、基板１０の温度を、比較的耐熱性の低い素子が損傷しないように、例えば、１５０℃以下に抑えたい場合、ゲッター３０中央部３４の温度を４００℃以上とするためには、ΔＴABを３００℃程度とする必要がある。
これに対し、基板１０の表裏（面１３、面１２）の温度差を無視できるほど小さくする条件を求めると、熱電対などの温度測定装置の測定精度が±５℃程度であったとして、ΔＴBC＝１０℃以下とする必要がある。
この条件を上記式（２）に代入すると、ΔＴBC＝１０＜１／Ｎ×ΔＴAB＝１／Ｎ×３００となり、Ｎ＝３０となる。
なお、Ｎは、上記想定条件を適宜変更することにより変化することになる。
なお、真空パッケージ１は、ゲッター３０活性化時に、例えば、ペルチェ素子や、ヒーターなどからなる温度制御装置９０を、基板１０の外部空間７０側の面１２に接触させ、基板１０の温度をコントロールしながら（換言すれば、内部空間６０側の温度が適切な温度になるようにコントロールしながら）活性化することが好ましい。
なお、温度制御装置９０は、基板１０に代えてリッド５０に接触させてもよい。
なお、温度制御装置９０は、基板１０に代えてリッド５０に接触させてもよい。
上述したように、第１実施形態の真空パッケージ１は、ゲッター３０が貫通電極２０の第１端部２１の端面２３に接合されるとともに、貫通電極２０を介した通電により加熱され、ゲッター３０の貫通電極２０間部が、基板１０と離間している。
これにより、真空パッケージ１は、ゲッター３０の貫通電極２０間部が基板１０に直接接触していないことから、ゲッター３０加熱時の熱が、従来よりも基板１０上の素子搭載スペース４０に伝達されにくくなる。
この結果、真空パッケージ１は、搭載される素子の耐熱性が同じ場合、ゲッター３０と素子搭載スペース４０との距離Ｌ１を従来よりも小さくできることから、外形サイズの小型化を図ることができる。
これにより、真空パッケージ１は、ゲッター３０の貫通電極２０間部が基板１０に直接接触していないことから、ゲッター３０加熱時の熱が、従来よりも基板１０上の素子搭載スペース４０に伝達されにくくなる。
この結果、真空パッケージ１は、搭載される素子の耐熱性が同じ場合、ゲッター３０と素子搭載スペース４０との距離Ｌ１を従来よりも小さくできることから、外形サイズの小型化を図ることができる。
また、真空パッケージ１は、貫通電極２０の第１端部２１が基板１０から内部空間６０側へ突出していることにより、ゲッター３０が略短冊状（平板状）であっても基板１０に直接接触していないことから、ゲッター３０加熱時の熱が、従来よりも基板１０上の素子搭載スペース４０に伝達されにくくなる。
この結果、真空パッケージ１は、搭載される素子の耐熱性が同じ場合、ゲッター３０と素子搭載スペース４０との距離Ｌ１を従来よりも小さくできることから、外形サイズの小型化を図ることができる。
この結果、真空パッケージ１は、搭載される素子の耐熱性が同じ場合、ゲッター３０と素子搭載スペース４０との距離Ｌ１を従来よりも小さくできることから、外形サイズの小型化を図ることができる。
また、真空パッケージ１は、貫通電極２０の第２端部２２の端面２４が、基板１０の外部空間７０側の面１２と面一であることから、例えば、貫通電極２０を介したゲッター３０への通電作業が容易となる。
これにより、真空パッケージ１は、生産性を向上させることができる。
これにより、真空パッケージ１は、生産性を向上させることができる。
また、真空パッケージ１は、基板１０の熱伝導率が貫通電極２０の熱伝導率よりも小さいことから、貫通電極２０を介した通電によるゲッター３０加熱時に、貫通電極２０の温度が高くなっても周囲への熱の伝達を抑制することができる。
これにより、真空パッケージ１は、ゲッター３０と素子搭載スペース４０との距離Ｌ１を従来よりも小さくできることから、外形サイズの小型化を図ることができる。
これにより、真空パッケージ１は、ゲッター３０と素子搭載スペース４０との距離Ｌ１を従来よりも小さくできることから、外形サイズの小型化を図ることができる。
また、真空パッケージ１は、貫通電極２０を介した通電によりゲッター３０を加熱したとき、単位放熱量あたりに発生する貫通電極２０内の温度差ΔＴBCであるｌｅ／λｅＡｅと、単位放熱量あたりに発生するゲッター３０の端部３３と中央部３４との温度差ΔＴABである１／２×ｌG／２／λGＡGとが、ｌｅ／λｅＡｅ＜１／Ｎ×１／２×ｌG／２／λGＡGの関係にある。
これにより、真空パッケージ１は、ゲッター３０加熱時の貫通電極２０の第２端部２２の端面２４の温度ＴCと通電電流値とによって、ゲッター３０及びゲッター３０周囲の温度分布を精度よく推定することが可能となる。
この結果、真空パッケージ１は、ゲッター３０周囲の温度分布を精度よく推定できない場合よりもゲッター３０と素子搭載スペース４０との距離Ｌ１を小さくできることから、外形サイズの小型化を図ることができる。
この結果、真空パッケージ１は、ゲッター３０周囲の温度分布を精度よく推定できない場合よりもゲッター３０と素子搭載スペース４０との距離Ｌ１を小さくできることから、外形サイズの小型化を図ることができる。
また、真空パッケージ１は、ｌｅ／λｅＡｅ＜１／Ｎ×１／２×ｌG／２／λGＡGにおけるＮが３０であることから、ゲッター３０加熱時の貫通電極２０の第２端部２２の端面２４の温度ＴCと通電電流値とにより、ゲッター３０及びゲッター３０周囲の温度分布を、より実際に即して精度よく推定することが可能となる。
次に、第１実施形態の変形例の真空パッケージについて説明する。
（変形例１）
図５は、第１実施形態の変形例１の真空パッケージの概略構成を示す模式図であり、真空パッケージを同パッケージの上方から俯瞰した平面図である。図６は、図５のＡ−Ａ線での断面図である。なお、第１実施形態との共通部分には、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第１実施形態と異なる部分を中心に説明する。
（変形例１）
図５は、第１実施形態の変形例１の真空パッケージの概略構成を示す模式図であり、真空パッケージを同パッケージの上方から俯瞰した平面図である。図６は、図５のＡ−Ａ線での断面図である。なお、第１実施形態との共通部分には、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第１実施形態と異なる部分を中心に説明する。
図５、図６に示すように、変形例１の真空パッケージ２は、第１実施形態と比較して、貫通電極２０の構成が異なる。
真空パッケージ２の貫通電極２０は、略円柱状の導電体２５と、平面視で導電体２５の周囲を円環状に覆う絶縁体２６と、を含んで構成されている。
真空パッケージ２は、貫通電極２０の絶縁体２６の熱伝導率が、基板１０の熱伝導率よりも大きくなっている。
真空パッケージ２の貫通電極２０は、略円柱状の導電体２５と、平面視で導電体２５の周囲を円環状に覆う絶縁体２６と、を含んで構成されている。
真空パッケージ２は、貫通電極２０の絶縁体２６の熱伝導率が、基板１０の熱伝導率よりも大きくなっている。
詳述すると、真空パッケージ２は、基板１０にアルミナ（熱伝導率：２０〜４０Ｗ／ｍＫ程度）が用いられ、貫通電極２０の導電体２５に銅（熱伝導率：４００Ｗ／ｍＫ程度、電気抵抗率：１．７×１０-2μΩｍ程度）や、アルミニウム（熱伝導率：２４０Ｗ／ｍＫ程度、電気抵抗率：２．７×１０-2μΩｍ程度）が用いられ、絶縁体２６に炭化ケイ素（シリコンカーバイト）（熱伝導率：１５０〜２００Ｗ／ｍＫ程度）が用いられている。
真空パッケージ２は、基板１０にアルミナ（熱伝導率：２０〜４０Ｗ／ｍＫ程度）が用いられていることから、絶縁体２６の熱伝導率（１５０〜２００Ｗ／ｍＫ程度）が、基板１０の熱伝導率（２０〜４０Ｗ／ｍＫ程度）よりも大きいことになる。
真空パッケージ２は、基板１０にアルミナ（熱伝導率：２０〜４０Ｗ／ｍＫ程度）が用いられていることから、絶縁体２６の熱伝導率（１５０〜２００Ｗ／ｍＫ程度）が、基板１０の熱伝導率（２０〜４０Ｗ／ｍＫ程度）よりも大きいことになる。
上述したように、変形例１の真空パッケージ２は、貫通電極２０が導電体２５と、平面視で導電体２５の周囲を覆う絶縁体２６と、を含んで構成され、絶縁体２６の熱伝導率（１５０〜２００Ｗ／ｍＫ程度）が、基板１０の熱伝導率（２０〜４０Ｗ／ｍＫ程度）よりも大きい。
このことから、真空パッケージ２は、例えば、外部部材への実装時の貫通電極２０間の短絡を低減しつつ、ゲッター３０加熱時の貫通電極２０の第１端部２１の端面２３の温度ＴBと、第２端部２２の端面２４の温度ＴCとの温度差ΔＴBCを小さくすることができる。
このことから、真空パッケージ２は、例えば、外部部材への実装時の貫通電極２０間の短絡を低減しつつ、ゲッター３０加熱時の貫通電極２０の第１端部２１の端面２３の温度ＴBと、第２端部２２の端面２４の温度ＴCとの温度差ΔＴBCを小さくすることができる。
これにより、真空パッケージ２は、貫通電極２０を介した通電によるゲッター３０加熱時に、貫通電極２０の第２端部２２の端面２４の温度ＴCと通電電流値とからゲッター３０及びゲッター３０周囲の温度分布を精度よく推定することが可能となる。
この結果、真空パッケージ２は、ゲッター３０周囲の温度分布を精度よく推定できない場合よりもゲッター３０と素子搭載スペース４０との距離Ｌ１を小さくできることから、外形サイズの小型化を図ることができる。
この結果、真空パッケージ２は、ゲッター３０周囲の温度分布を精度よく推定できない場合よりもゲッター３０と素子搭載スペース４０との距離Ｌ１を小さくできることから、外形サイズの小型化を図ることができる。
（変形例２）
図７Ａ、図７Ｂは、第１実施形態の変形例２の真空パッケージの概略構成を示す模式断面図である。なお、断面位置は図２と同様である。
なお、第１実施形態との共通部分には、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第１実施形態と異なる部分を中心に説明する。
図７Ａ、図７Ｂは、第１実施形態の変形例２の真空パッケージの概略構成を示す模式断面図である。なお、断面位置は図２と同様である。
なお、第１実施形態との共通部分には、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第１実施形態と異なる部分を中心に説明する。
図７Ａ、図７Ｂに示すように、変形例２の真空パッケージ３は、第１実施形態と比較して、貫通電極２０と基板１０との係合部分の構成が異なる。
真空パッケージ３は、貫通電極２０及び基板１０の少なくとも一方が、貫通電極２０と基板１０との係合部分に段差部を有している。
真空パッケージ３は、貫通電極２０及び基板１０の少なくとも一方が、貫通電極２０と基板１０との係合部分に段差部を有している。
図７Ａの構成では、真空パッケージ３は、貫通電極２０及び基板１０の両方が、貫通電極２０と基板１０との係合部分に段差部２７と、段差部１５とを有している。
貫通電極２０の段差部２７は、貫通電極２０を、第２端部２２側の径が、第１端部２１側の径よりも小さい段付き円柱形状とすることにより形成されている。
基板１０の段差部１５は、貫通孔１１を、面１２側の径が、面１３側の径よりも小さい段付き孔形状とすることにより形成されている。
貫通電極２０の段差部２７は、貫通電極２０を、第２端部２２側の径が、第１端部２１側の径よりも小さい段付き円柱形状とすることにより形成されている。
基板１０の段差部１５は、貫通孔１１を、面１２側の径が、面１３側の径よりも小さい段付き孔形状とすることにより形成されている。
図７Ａの構成の真空パッケージ３は、貫通電極２０の第２端部２２側が、基板１０の面１３側から貫通孔１１に挿入され、貫通電極２０の段差部２７と基板１０の段差部１５とが当接することにより、貫通電極２０の貫通方向の位置が決まることになる。
図７Ｂの構成では、真空パッケージ３は、貫通電極２０の方が、基板１０との係合部分に段差部２７を有している。
貫通電極２０の段差部２７は、貫通電極２０を、第２端部２２側の径が、第１端部２１側の径よりも小さい段付き円柱形状とすることにより形成されている。
基板１０の貫通孔１１の径は、貫通電極２０の第２端部２２側の径に合わせた大きさとなっている。
貫通電極２０の段差部２７は、貫通電極２０を、第２端部２２側の径が、第１端部２１側の径よりも小さい段付き円柱形状とすることにより形成されている。
基板１０の貫通孔１１の径は、貫通電極２０の第２端部２２側の径に合わせた大きさとなっている。
図７Ｂの構成の真空パッケージ３は、貫通電極２０の第２端部２２側が、基板１０の面１３側から貫通孔１１に挿入され、貫通電極２０の段差部２７と基板１０の面１３とが当接することにより、貫通電極２０の貫通方向の位置が決まることになる。
上述したように、変形例２の真空パッケージ３は、貫通電極２０及び基板１０の少なくとも一方が、貫通電極２０と基板１０との係合部分に段差部２７（１５）を有していることから、貫通電極２０の貫通方向の位置決め及び面１２側への抜け防止を確実に行うことができる。
なお、図７Ａの構成は、図７Ｂの構成よりも貫通電極２０の太い部分を長くでき、図７Ｂの構成は、図７Ａの構成よりも基板１０の貫通孔１１の加工が容易となる。
なお、上記各変形例の構成は、以下の第２実施形態にも適用可能である。
なお、図７Ａの構成は、図７Ｂの構成よりも貫通電極２０の太い部分を長くでき、図７Ｂの構成は、図７Ａの構成よりも基板１０の貫通孔１１の加工が容易となる。
なお、上記各変形例の構成は、以下の第２実施形態にも適用可能である。
（第２実施形態）
次に、第２実施形態の真空パッケージについて説明する。
図８は、第２実施形態の真空パッケージの概略構成を示す模式断面図である。なお、断面位置は図２と同様である。
なお、第１実施形態との共通部分には、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第１実施形態と異なる部分を中心に説明する。
次に、第２実施形態の真空パッケージについて説明する。
図８は、第２実施形態の真空パッケージの概略構成を示す模式断面図である。なお、断面位置は図２と同様である。
なお、第１実施形態との共通部分には、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第１実施形態と異なる部分を中心に説明する。
図８に示すように、第２実施形態の真空パッケージ４は、第１実施形態と比較して、貫通電極２０及びゲッター３０の構成が異なる。
真空パッケージ４は、貫通電極２０の第１端部２１が、基板１０から内部空間６０側に突出しておらず、第１端部２１の端面２３が基板１０の面１３に対して、面一となっている（換言すれば、端面２３と面１３とが同一平面内にある）。
また、真空パッケージ４は、ゲッター３０が端部３３の貫通電極２０との接合部から内部空間６０側に屈曲して延び、貫通電極２０間では、基板１０との間に空間を有して、基板１０の面１３と略平行になるように屈曲して延びている。換言すれば、ゲッター３０は、端部３３を含む部分がクランク状に屈曲している。
真空パッケージ４は、貫通電極２０の第１端部２１が、基板１０から内部空間６０側に突出しておらず、第１端部２１の端面２３が基板１０の面１３に対して、面一となっている（換言すれば、端面２３と面１３とが同一平面内にある）。
また、真空パッケージ４は、ゲッター３０が端部３３の貫通電極２０との接合部から内部空間６０側に屈曲して延び、貫通電極２０間では、基板１０との間に空間を有して、基板１０の面１３と略平行になるように屈曲して延びている。換言すれば、ゲッター３０は、端部３３を含む部分がクランク状に屈曲している。
このことから、真空パッケージ４は、ゲッター３０の貫通電極２０間部が、基板１０と離間していることになる。
これにより、真空パッケージ４は、ゲッター３０の貫通電極２０間部が基板１０に直接接触していないことから、ゲッター３０加熱時の熱が、従来よりも基板１０上の素子搭載スペース４０（図１参照）に伝達されにくくなる。
この結果、真空パッケージ４は、搭載される素子の耐熱性が同じ場合、ゲッター３０と素子搭載スペース４０との距離Ｌ１（図１参照）を従来よりも小さくできることから、外形サイズの小型化を図ることができる。
これにより、真空パッケージ４は、ゲッター３０の貫通電極２０間部が基板１０に直接接触していないことから、ゲッター３０加熱時の熱が、従来よりも基板１０上の素子搭載スペース４０（図１参照）に伝達されにくくなる。
この結果、真空パッケージ４は、搭載される素子の耐熱性が同じ場合、ゲッター３０と素子搭載スペース４０との距離Ｌ１（図１参照）を従来よりも小さくできることから、外形サイズの小型化を図ることができる。
また、真空パッケージ４は、ゲッター３０がクランク状に屈曲していることから、ゲッター３０加熱時のゲッター３０周辺に発生する熱応力を緩和することができる。
また、真空パッケージ４は、ゲッター３０がクランク状に屈曲していることから、ゲッター３０の通電距離、搭載サイズ及び搭載スペースを適宜調整することができる。
また、真空パッケージ４は、ゲッター３０がクランク状に屈曲していることから、ゲッター３０の通電距離、搭載サイズ及び搭載スペースを適宜調整することができる。
なお、ゲッター３０の屈曲形状（長手方向に沿って切断した断面形状）は、図８に示す形状に限定されるものではなく、抵抗値が極端に変化しない範囲で、図９Ａ、図９Ｂ、図９Ｃのゲッターの屈曲形状のバリエーションを示す模式断面図に示すような形状であってもよい。
詳述すると、図９Ａでは、ゲッター３０の貫通電極２０間部がアーチ状に湾曲した屈曲形状となっている。ゲッター３０の両端部３３は、平坦形状となっており、後述する図９Ｂの形状よりも貫通電極２０の第１端部２１の端面２３に確実に接合されやすくなっている。
図９Ｂでは、図９Ａと同様に、ゲッター３０の貫通電極２０間部がアーチ状に湾曲した屈曲形状となっている。ゲッター３０の両端部３３は、図９Ａの形状と異なり、貫通電極２０の第１端部２１の端面２３に対して直立するように形成されている。
これにより、図９Ｂの形状は、他の形状よりも貫通電極２０を小さくすることができる。
これにより、図９Ｂの形状は、他の形状よりも貫通電極２０を小さくすることができる。
図９Ｃでは、図８の屈曲形状に対して、ゲッター３０の両端部３３が反対側（互いに対向する側）に屈曲するように形成されている。
これにより、図９Ｃの形状は、ゲッター３０の通電距離が同じ場合に、ゲッター３０の全長を図８の形状よりも短くすることができる。
これにより、図９Ｃの形状は、ゲッター３０の通電距離が同じ場合に、ゲッター３０の全長を図８の形状よりも短くすることができる。
（電子デバイス）
次に、上述した真空パッケージを備えている電子デバイスについて説明する。
図１０は、電子デバイスの概略構成を示す模式図であり、電子デバイスを同デバイスの上方から俯瞰した平面図である。図１１は、図１０のＤ−Ｄ線での断面図である。
次に、上述した真空パッケージを備えている電子デバイスについて説明する。
図１０は、電子デバイスの概略構成を示す模式図であり、電子デバイスを同デバイスの上方から俯瞰した平面図である。図１１は、図１０のＤ−Ｄ線での断面図である。
図１０、図１１に示すように、電子デバイス５は、上述した真空パッケージ（１〜４）のいずれかと（ここでは、一例として真空パッケージ１）、真空パッケージ１の基板１０の素子搭載スペース４０に搭載されている素子１００と、を備えている。
電子デバイス５の素子搭載スペース４０に搭載されている素子１００としては、特に限定されないが、比較的耐熱性の低い素子、例えば、振動素子、原子発振器用素子、赤外線センサー素子などが挙げられる。
電子デバイス５は、これらの素子１００の搭載により、発振器や、各種センサーの主要デバイスとして機能する。
電子デバイス５の素子搭載スペース４０に搭載されている素子１００としては、特に限定されないが、比較的耐熱性の低い素子、例えば、振動素子、原子発振器用素子、赤外線センサー素子などが挙げられる。
電子デバイス５は、これらの素子１００の搭載により、発振器や、各種センサーの主要デバイスとして機能する。
上述したように、電子デバイス５は、上述した真空パッケージ（１〜４）のいずれかと（ここでは、真空パッケージ１）、真空パッケージ１の基板１０に搭載されている素子１００と、を備えていることから、ゲッター３０と素子１００（素子搭載スペース４０）との距離Ｌ１を従来よりも小さくできる。
これにより、電子デバイス５は、外形サイズの小型化を図ることができる。
また、電子デバイス５は、ゲッター３０により、内部空間６０の減圧雰囲気の安定化、長期信頼性の向上、真空パッケージ１内の構成要素の劣化低減などを図ることができる。
これにより、電子デバイス５は、外形サイズの小型化を図ることができる。
また、電子デバイス５は、ゲッター３０により、内部空間６０の減圧雰囲気の安定化、長期信頼性の向上、真空パッケージ１内の構成要素の劣化低減などを図ることができる。
（電子機器）
次に、上述した電子デバイスを備えている電子機器について説明する。
図１２は、電子デバイスを備えている電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す模式斜視図である。
図１２に示すように、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０１を有する表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピューター１１００には、上述した電子デバイス５が内蔵されている。
次に、上述した電子デバイスを備えている電子機器について説明する。
図１２は、電子デバイスを備えている電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す模式斜視図である。
図１２に示すように、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０１を有する表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピューター１１００には、上述した電子デバイス５が内蔵されている。
図１３は、電子デバイスを備えている電子機器としての携帯電話（ＰＨＳも含む）の構成を示す模式斜視図である。
図１３に示すように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０１が配置されている。
このような携帯電話１２００には、上述した電子デバイス５が内蔵されている。
図１３に示すように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０１が配置されている。
このような携帯電話１２００には、上述した電子デバイス５が内蔵されている。
図１４は、電子デバイスを備えている電子機器としてのデジタルスチルカメラの構成を示す模式斜視図である。なお、この図１４には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
デジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面（図中手前側）には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図中奥側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
デジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面（図中手前側）には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図中奥側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。
また、このデジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子１３１２には、テレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４には、パーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。
このようなデジタルスチルカメラ１３００には、上述した電子デバイス５が内蔵されている。
また、このデジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子１３１２には、テレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４には、パーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。
このようなデジタルスチルカメラ１３００には、上述した電子デバイス５が内蔵されている。
このような電子機器は、上述した電子デバイス５を備えていることから、上記実施形態及び変形例で説明した効果が奏され、優れた性能を発揮することができる。
なお、上述した電子デバイス５を備えている電子機器としては、これら以外に、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類、フライトシミュレーター、ＧＰＳモジュール、ネットワーク機器、放送機器などが挙げられる。
いずれの場合にも、これらの電子機器は、上述した電子デバイス５を備えていることから、上記実施形態及び変形例で説明した効果が奏され、優れた性能を発揮することができる。
なお、上述した電子デバイス５を備えている電子機器としては、これら以外に、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類、フライトシミュレーター、ＧＰＳモジュール、ネットワーク機器、放送機器などが挙げられる。
いずれの場合にも、これらの電子機器は、上述した電子デバイス５を備えていることから、上記実施形態及び変形例で説明した効果が奏され、優れた性能を発揮することができる。
（移動体）
次に、上述した電子デバイスを備えている移動体について説明する。
図１５は、電子デバイスを備えている移動体としての自動車を示す模式斜視図である。
次に、上述した電子デバイスを備えている移動体について説明する。
図１５は、電子デバイスを備えている移動体としての自動車を示す模式斜視図である。
図１５に示す自動車１５００は、上述した電子デバイス５を、例えば、搭載されている各種電子制御式装置（例えば、電子制御式燃料噴射装置、電子制御式ＡＢＳ装置、電子制御式一定速度走行装置など）の基準クロックを発生するタイミングデバイスとして好適に用いることができ、信頼性が向上し優れた性能を発揮することができる。
上述した電子デバイス５は、上記自動車１５００に限らず、自走式ロボット、自走式搬送機器、列車、船舶、飛行機、人工衛星などを含む移動体のタイミングデバイスや、各種センサーの主要デバイスとして好適に用いることができ、いずれの場合にも上記実施形態及び変形例で説明した効果が奏され、優れた移動体を提供することができる。
本発明は、上記実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
１，２，３，４…真空パッケージ、５…電子デバイス、１０…基板、１１…貫通孔、１２…外部空間側の面、１３…内部空間側の面、１４…辺、１５…段差部、２０…貫通電極、２１…第１端部、２２…第２端部、２３，２４…端面、２５…導電体、２６…絶縁体、２７…段差部、３０…ゲッター、３１…基材、３２…吸着材、３３…端部、３４…中央部、４０…素子搭載スペース、５０…リッド、６０…内部空間、７０…外部空間、８０…通電回路、９０…温度制御装置、１００…素子、１１００…電子機器としてのパーソナルコンピューター、１１０１…表示部、１１０２…キーボード、１１０４…本体部、１１０６…表示ユニット、１２００…電子機器としての携帯電話、１２０１…表示部、１２０２…操作ボタン、１２０４…受話口、１２０６…送話口、１３００…電子機器としてのデジタルスチルカメラ、１３０２…ケース、１３０４…受光ユニット、１３０６…シャッターボタン、１３０８…メモリー、１３１０…表示部、１３１２…ビデオ信号出力端子、１３１４…入出力端子、１４３０…テレビモニター、１４４０…パーソナルコンピューター、１５００…移動体としての自動車。
Claims (11)
- 基板と、
前記基板を貫通している一対の貫通電極と、
前記一対の貫通電極間に架設されているゲッターと、
前記基板上の前記一対の貫通電極及び前記ゲッターを覆うリッドと、を備え、
前記リッドは、前記基板に気密に接合され、前記基板と前記リッドとにより構成された内部空間は、減圧状態であって、
前記一対の貫通電極は、前記内部空間側の第１端部と、前記第１端部とは反対側の第２端部とを有し、
前記ゲッターは、前記一対の貫通電極の前記第１端部に接合されるとともに、前記貫通電極を介した通電により加熱され、
前記ゲッターの前記貫通電極間部は、前記基板と離間していることを特徴とする真空パッケージ。 - 前記貫通電極の前記第１端部は、前記基板から前記内部空間側へ突出していることを特徴とする請求項１に記載の真空パッケージ。
- 前記貫通電極は、導電体と、平面視で前記導電体の周囲を覆う絶縁体と、を含んで構成され、
前記絶縁体の熱伝導率は、前記基板の熱伝導率よりも大きいことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の真空パッケージ。 - 前記貫通電極及び前記基板の少なくとも一方は、前記貫通電極と前記基板との係合部分に段差部を有していることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の真空パッケージ。
- 前記貫通電極は、前記第２端部の端面が前記基板の外部空間側の面と面一であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の真空パッケージ。
- 前記基板の熱伝導率は、前記貫通電極の熱伝導率よりも小さいことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の真空パッケージ。
- 前記ゲッターは、基材と、前記基材の少なくとも一部を覆う吸着材と、を有し、
前記貫通電極の前記基板貫通方向の厚さをｌｅ、前記貫通電極の熱伝導率をλｅ、前記貫通電極の前記貫通方向に対して直角な平面における平均の断面積をＡｅ、前記ゲッターの通電部の長さをｌG、前記ゲッターの前記基材の熱伝導率をλG、前記ゲッターの通電方向に対して直角な平面における平均の断面積をＡGとし、前記貫通電極を介した通電により前記ゲッターを加熱したとき、
ｌｅ／λｅＡｅ＜１／Ｎ×１／２×ｌG／２／λGＡG （但し、Ｎは実数）
上記式を満たすことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の真空パッケージ。 - 前記Ｎは、３０であることを特徴とする請求項７に記載の真空パッケージ。
- 請求項１ないし請求項８のいずれか一項に記載の真空パッケージと、
前記真空パッケージの前記基板に搭載されている素子と、を備えていることを特徴とする電子デバイス。 - 請求項９に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
- 請求項９に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする移動体。
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