JP2017223691A - 平面的rfセンサ技術の強化について - Google Patents
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- 230000003416 augmentation Effects 0.000 title 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 54
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 18
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 18
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 14
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 37
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 34
- ZGHQUYZPMWMLBM-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichloro-4-phenylbenzene Chemical compound C1=C(Cl)C(Cl)=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZGHQUYZPMWMLBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- YTBRNEUEFCNVHC-UHFFFAOYSA-N 4,4'-dichlorobiphenyl Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C1=CC=C(Cl)C=C1 YTBRNEUEFCNVHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- RIBGNAJQTOXRDK-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloro-5-(3-chlorophenyl)benzene Chemical compound ClC1=CC=CC(C=2C=C(Cl)C=C(Cl)C=2)=C1 RIBGNAJQTOXRDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000002902 ferrimagnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000002847 impedance measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 150000003071 polychlorinated biphenyls Chemical class 0.000 description 1
Images
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/18—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using inductive devices, e.g. transformers
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/18—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using inductive devices, e.g. transformers
- G01R15/181—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using inductive devices, e.g. transformers using coils without a magnetic core, e.g. Rogowski coils
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/0092—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof measuring current only
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R23/00—Arrangements for measuring frequencies; Arrangements for analysing frequency spectra
- G01R23/02—Arrangements for measuring frequency, e.g. pulse repetition rate; Arrangements for measuring period of current or voltage
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
- G01R29/08—Measuring electromagnetic field characteristics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2804—Printed windings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F38/00—Adaptations of transformers or inductances for specific applications or functions
- H01F38/20—Instruments transformers
- H01F38/22—Instruments transformers for single phase ac
- H01F38/28—Current transformers
- H01F38/30—Constructions
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
- H05H1/4645—Radiofrequency discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F38/00—Adaptations of transformers or inductances for specific applications or functions
- H01F38/20—Instruments transformers
- H01F38/22—Instruments transformers for single phase ac
- H01F38/28—Current transformers
- H01F38/30—Constructions
- H01F2038/305—Constructions with toroidal magnetic core
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H2242/00—Auxiliary systems
- H05H2242/20—Power circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H2242/00—Auxiliary systems
- H05H2242/20—Power circuits
- H05H2242/24—Radiofrequency or microwave generators
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
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Abstract
Description
この出願は、米国特許仮出願第61/684,013号(2012年8月16日出願)に基づく優先権主張を伴う。上記出願の全開示は、これを参照することにより、本明細書に組み込まれる。
無線周波数センサシステムは、PCB(プリント基板)を含む。PCBは、第1の外側層、第2の外側層、第1の内側層、第2の内側層、および、当該PCBの開口を規定する内周部を含む。PCBは、また、第1のループを含む。第1のループは、第1の複数のトレースによって第1の複数のビアに連結された第1の複数のセンサパッドを含む。第1の複数のセンサパッドは、上記内周部に配置されている。PCBは、また、第2のループを含む。第2のループは、第2の複数のトレースによって第2の複数のビアに連結された第2の複数のセンサパッドを含む。第2の複数のセンサパッドは、上記内周部に配置されている。コアリングは、上記第1の複数のセンサパッド、上記第1の複数のビア、および上記第1の複数のトレースに近接する上記第1の内側層に内蔵されている。RF電流を伝搬させるための中心導体は、上記開口の中を通って延伸する。上記第1および第2のループは、上記第1および第2の複数のセンサパッド、上記第1および第2の複数のビア、上記第1および第2の複数のトレース、ならびに、上記コアリングに基づいて、電気的信号を生成する。
RF(無線周波数)センサシステムは、第1の外側層、第2の外側層、第1の内側層、第2の内側層、及び内周部を含み、前記内周部によって開口が規定されたPCB(プリント基板)と、第1の複数のトレースによって第1の複数のビアに連結された第1の複数のセンサパッドを含み、当該第1の複数のセンサパッドが前記内周部に配置されている、第1のループと、第2の複数のトレースによって第2の複数のビアに連結された第2の複数のセンサパッドを含み、当該第2の複数のセンサパッドが前記内周部に配置されている第2のループであって、上記第1のループに平行な第2のループと、前記第1の複数のセンサパッド、前記第1の複数のビア、および前記第1の複数のトレースに近接する前記第1の内側層に内蔵されたコアリングと、を備え、RF電流を伝搬させるための中心導体が、前記開口の中を通って延伸し、前記第1および第2のループは、前記第1および第2の複数のセンサパッド、前記第1および第2の複数のビア、前記第1および第2の複数のトレース、ならびに、前記コアリングに基づいて、電気的信号を生成する。
Claims (10)
- RF(無線周波数)センサシステムであって、
第1の層、第2の層、及び内周部を含み、前記内周部によって開口が規定されたPCB(プリント基板)であって、前記第1の層、前記第2の層、及び前記内周部が基板に形成されたPCBと、
第1の複数のトレースによって第1の複数のビアに連結された第1の複数のセンサパッドを含み、当該第1の複数のセンサパッドが前記内周部に配置されており、前記第1の複数のトレースが前記第1の層に形成された、第1のループと、
第2の複数のトレースによって第2の複数のビアに連結された第2の複数のセンサパッドを含み、当該第2の複数のセンサパッドが前記内周部に配置されており、前記第2の複数のトレースが前記第2の層に形成された第2のループであって、上記第1のループに並列な第2のループと、
前記第1の複数のセンサパッド、前記第1の複数のビア、および前記第1の複数のトレースに近接する前記PCBの前記第1の層および前記第2の層に内蔵されたコアリングと、
を備え、
RF電流を伝搬させるための中心導体が、前記開口の中を通って延伸し、
前記第1および第2のループは、前記第1および第2の複数のセンサパッド、前記第1および第2の複数のビア、前記第1および第2の複数のトレース、ならびに、前記コアリングに基づいて、電気的信号を生成する
ことを特徴とするRFセンサシステム。 - 第3の層、第4の層、および、第2の内周部を含み、前記第2の内周部によって第2の開口が規定された第2のPCBであって、前記第3の層、前記第4の層、及び前記内周部が基板に形成された第2のPCBと、
第3の複数のトレースによって第3の複数のビアに連結された第3の複数のセンサパッドを含み、当該第3の複数のセンサパッドが前記第2の内周部に配置されており、前記第3の複数のトレースが前記第3の層に形成された、第3のループと、
第4の複数のトレースによって第4の複数のビアに連結された第4の複数のセンサパッドを含み、当該第4の複数のセンサパッドが前記第2の内周部に配置されており、前記第4の複数のトレースが前記第4の層に形成された第4のループであって、上記第3のループに並列な第4のループと、
をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のRFセンサシステム。 - 前記第4の層は、前記第1の層に電気的に結合される
ことを特徴とする請求項2に記載のRFセンサシステム。 - 前記第1の複数のセンサパッド、前記第2の複数のセンサパッド、前記第3の複数のセンサパッド、および前記第4の複数のセンサパッドは、電気的に直列に接続されている
ことを特徴とする請求項3に記載のRFセンサシステム。 - 前記第1の複数のセンサパッド、前記第2の複数のセンサパッド、前記第3の複数のセンサパッド、および前記第4の複数のセンサパッドは、電気的に並列に接続されている
ことを特徴とする請求項3に記載のRFセンサシステム。 - RF(無線周波数)検出方法であって、
第1の層、第2の層、及び内周部を含んだPCB(プリント基板)に対し、当該PCBを貫く開口を規定するステップと、
前記内周部に配置されている第1の複数のセンサパッドを含む第1のループを、第1の複数のトレースによって第1の複数のビアへ連結するステップと、
前記内周部に配置されている第2の複数のセンサパッドを含み、上記第1のループに並列な第2のループを、第2の複数のトレースによって第2の複数のビアへ連結するステップと、
前記第1の複数のセンサパッド、前記第1の複数のビア、および前記第1の複数のトレースに近接する前記PCBの前記第1の層および前記第2の層にコアリングを内蔵させるステップと、
を含み、
前記第1の層、前記第2の層、及び前記内周部は基板に形成されており、
前記第1の複数のトレースは前記第1の層に形成されており、
前記第2の複数のトレースは前記第2の層に形成されており、
RF電流を伝搬させるための中心導体が、前記開口の中を通って延伸し、
前記第1および第2のループは、前記第1および第2の複数のセンサパッド、前記第1および第2の複数のビア、前記第1および第2の複数のトレース、ならびに、前記コアリングに基づいて、電気的信号を生成する
ことを特徴とするRF検出方法。 - 第3の層、第4の層、および第2の内周部を含んだ第2のPCBに対し、第2の開口を規定するステップと、
前記第2の内周部に配置されている第3の複数のセンサパッドを含む第3のループを、第3の複数のトレースによって第3の複数のビアへ連結するステップと、
前記第2の内周部に配置されている第4の複数のセンサパッドを含み、上記第3のループに並列な第4のループを、第4の複数のトレースによって第4の複数のビアへ連結するステップと、
をさらに含み、
前記第3の層、前記第4の層、及び前記内周部は基板に形成されており、
前記第3の複数のトレースは前記第3の層に形成されており、
前記第4の複数のトレースは前記第4の層に形成されている
ことを特徴とする請求項6に記載のRF検出方法。 - 前記第4の層を前記第1の層に電気的に結合するステップ
をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載のRF検出方法。 - 前記第1の複数のセンサパッド、前記第2の複数のセンサパッド、前記第3の複数のセンサパッド、および前記第4の複数のセンサパッドを、電気的に直列に接続するステップを更に含む
ことを特徴とする請求項8に記載のRF検出方法。 - 前記第1の複数のセンサパッド、前記第2の複数のセンサパッド、前記第3の複数のセンサパッド、および前記第4の複数のセンサパッドを、電気的に並列に接続するステップを更に含む
ことを特徴とする請求項8に記載のRF検出方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261684013P | 2012-08-16 | 2012-08-16 | |
US61/684,013 | 2012-08-16 | ||
US13/828,628 | 2013-03-14 | ||
US13/828,628 US9291649B2 (en) | 2012-08-16 | 2013-03-14 | On the enhancements of planar based RF sensor technology |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015163847A Division JP2016001190A (ja) | 2012-08-16 | 2015-08-21 | 平面的rfセンサ技術の強化について |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017223691A true JP2017223691A (ja) | 2017-12-21 |
JP6490160B2 JP6490160B2 (ja) | 2019-03-27 |
Family
ID=49035311
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013167679A Active JP6069129B2 (ja) | 2012-08-16 | 2013-08-12 | 平面的rfセンサ技術の強化について |
JP2015163847A Pending JP2016001190A (ja) | 2012-08-16 | 2015-08-21 | 平面的rfセンサ技術の強化について |
JP2017146593A Active JP6490160B2 (ja) | 2012-08-16 | 2017-07-28 | 平面的rfセンサ技術の強化について |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013167679A Active JP6069129B2 (ja) | 2012-08-16 | 2013-08-12 | 平面的rfセンサ技術の強化について |
JP2015163847A Pending JP2016001190A (ja) | 2012-08-16 | 2015-08-21 | 平面的rfセンサ技術の強化について |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9291649B2 (ja) |
EP (1) | EP2699064A3 (ja) |
JP (3) | JP6069129B2 (ja) |
KR (1) | KR101787420B1 (ja) |
CN (1) | CN103592494B (ja) |
SG (1) | SG2013060918A (ja) |
TW (1) | TWI499783B (ja) |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9697991B2 (en) | 2014-01-10 | 2017-07-04 | Reno Technologies, Inc. | RF impedance matching network |
US9844127B2 (en) | 2014-01-10 | 2017-12-12 | Reno Technologies, Inc. | High voltage switching circuit |
US10455729B2 (en) | 2014-01-10 | 2019-10-22 | Reno Technologies, Inc. | Enclosure cooling system |
US10431428B2 (en) | 2014-01-10 | 2019-10-01 | Reno Technologies, Inc. | System for providing variable capacitance |
US9496122B1 (en) | 2014-01-10 | 2016-11-15 | Reno Technologies, Inc. | Electronically variable capacitor and RF matching network incorporating same |
US9196459B2 (en) | 2014-01-10 | 2015-11-24 | Reno Technologies, Inc. | RF impedance matching network |
US9865432B1 (en) | 2014-01-10 | 2018-01-09 | Reno Technologies, Inc. | RF impedance matching network |
US9755641B1 (en) | 2014-01-10 | 2017-09-05 | Reno Technologies, Inc. | High speed high voltage switching circuit |
KR101632603B1 (ko) * | 2014-09-30 | 2016-06-24 | 세메스 주식회사 | 전류 측정 센서 및 플라즈마 기판 처리 장치 |
US9958480B2 (en) | 2015-02-10 | 2018-05-01 | Qualcomm Incorporated | Apparatus and method for a current sensor |
US11017983B2 (en) | 2015-02-18 | 2021-05-25 | Reno Technologies, Inc. | RF power amplifier |
US9525412B2 (en) | 2015-02-18 | 2016-12-20 | Reno Technologies, Inc. | Switching circuit |
US12119206B2 (en) | 2015-02-18 | 2024-10-15 | Asm America, Inc. | Switching circuit |
US9729122B2 (en) | 2015-02-18 | 2017-08-08 | Reno Technologies, Inc. | Switching circuit |
US9306533B1 (en) | 2015-02-20 | 2016-04-05 | Reno Technologies, Inc. | RF impedance matching network |
US10340879B2 (en) | 2015-02-18 | 2019-07-02 | Reno Technologies, Inc. | Switching circuit |
US11342160B2 (en) | 2015-06-29 | 2022-05-24 | Reno Technologies, Inc. | Filter for impedance matching |
US11150283B2 (en) | 2015-06-29 | 2021-10-19 | Reno Technologies, Inc. | Amplitude and phase detection circuit |
US11342161B2 (en) | 2015-06-29 | 2022-05-24 | Reno Technologies, Inc. | Switching circuit with voltage bias |
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EP2699064A2 (en) | 2014-02-19 |
US9291649B2 (en) | 2016-03-22 |
KR20140023229A (ko) | 2014-02-26 |
JP6069129B2 (ja) | 2017-02-01 |
KR101787420B1 (ko) | 2017-10-19 |
CN103592494A (zh) | 2014-02-19 |
CN103592494B (zh) | 2016-12-28 |
JP2016001190A (ja) | 2016-01-07 |
US20140049250A1 (en) | 2014-02-20 |
EP2699064A3 (en) | 2017-12-06 |
JP2014038097A (ja) | 2014-02-27 |
JP6490160B2 (ja) | 2019-03-27 |
SG2013060918A (en) | 2014-03-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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