JP2017212595A - 圧電デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
前記ワイヤーが接続されている前記引出電極と前記圧電振動片との間に、前記ワイヤーの応力を軽減する緩衝層を具えたことを特徴とする。
この発明を実施するに当たり、前記緩衝層を樹脂で構成した層とするのが好ましい。このような樹脂として、永久レジストと称されるものを用いるのが好ましい。
図1(A)は、第1の実施形態の圧電デバイス10を説明する平面図、図1(B)は、圧電デバイス10の図1(A)のP−P線に沿った断面図である。また、図2(A)は、図1(A)の一部分を拡大した平面図、図2(B)は図2(A)のQ−Q線に沿った断面図である。なお、これらの図では、圧電デバイスに具わる蓋の図示を省略してある。
この圧電デバイス10は、圧電振動片として水晶片を用いたものである。具体的には、この圧電デバイス10は、平面形状が矩形の水晶片11と、この水晶片11の両主面に設けられた励振電極13と、各励振電極13から水晶片11の1つの辺11aの近傍まで引き出されている引出電極15a、15bと、水晶片11を実装していて平面形状が矩形のベース21と、ベース21に設けられ引出電極15a、15bに接続されている第1および第2の配線電極23,25と、を具える。さらに、この圧電デバイス10は、本発明の特徴である導電性接着剤31及びワイヤー33による実装構造と、緩衝層35とを具える。これら構成成分31,33,35の詳細については後述する。
また、緩衝層35の平面形状は、ワイヤー33の水晶片11への接続部の平面形状に応じて任意とできる。例えば、ワイヤー33の水晶片11への接続部の平面形状が円形状であるなら、緩衝層35の平面形状も上記円形状よりやや大きい円形状とするのが良い。もちろん、平面視で四角形状や楕円形状であっても良い。
また、緩衝層35からの出ガスを防止するために、緩衝層35を引出電極15bで完全に覆っておくのが好ましい。
緩衝層35の厚さは、ワイヤーの水晶片への応力の影響具合、緩衝層35の水晶片11への応力の影響具合、引出電極による緩衝層35の被覆のし易さ等を考慮して決めるのが良い。これに限られないが、例えば、1〜10μm、好ましくは1〜5μm、より好ましくは1〜3μmとすることができる。
上述の第1の実施形態では、ベース21として、水晶片11を内包する凹部21aとその周囲の土手部とを有するベースを用い、圧電デバイスは上記土手部にて蓋部材で封止されるものであった。しかし、この発明は、他の構造のベースを用いた圧電デバイスにも適用できる。図3はその説明のための図であり、具体的には図3(A)は他の構造のベースを用いた実施形態の圧電デバイス40の平面図、図3(B)は図3(A)図のP−P線に沿った断面図である。
平板状のベース41は例えばセラミックスで構成でき、蓋部材43は、例えば、しぼり加工した金属製の部材で構成できる。ベース41を蓋部材43で封止する方法は任意好適な方法で良い。例えば、ベース41の縁部分に共晶合金(図示せず)を設けておき、この共晶合金により蓋部材43を接合する方法を挙げることが出来る。または、接着剤等の材料でベース41の縁部と蓋部材43とを接続する方法を挙げることができる。
この発明は水晶発振器に対しても適用することができる。図4(A)〜(C)はその説明図である。特に図4(A)はこの発明を適用した発振器50の概略的な平面図、図4(B)は図4(A)のP−P線での断面図である。また、図4(C)は、水晶片と発振回路用の部品例えば発振回路用ICチップとを別々の部屋に収納する型のいわゆるH型構造の容器21zを用いた発振器50の概略を示した断面図である。なお、図4(B)および(C)では、発振回路用ICチップ等の部材51を明示したいために、水晶片11、電極13,15、導電性接着剤31等を省略してある。なお、容器21、21zには当然に発振回路用部材51用の配線が設けてあるが、その説明は省略する。
このような水晶振器50においても、水晶片11と引出電極15bとをワイヤーで接続する構造において、本発明に係る緩衝層35を引出電極15bと水晶片11との間に設ける。
11a:水晶片の1つの辺(1つの短辺)、
13:励振電極、 15a、15b:引出電極、
15x:引出電極のワイヤーが接続される部分、
21:ベース、 21a:凹部、 21z:ベース(H型構造のもの)
23:第1の配線電極、 25:第2の配線電極
31:導電性接着剤、 33:ワイヤー、
40:第2の実施形態の圧電デバイス、 41:平板状のベース
43:蓋部材、 43a:凹部
50:第3の実施形態、 51:発振回路用部材
前記ワイヤーが接続されている前記引出電極と前記圧電振動片との間に、前記ワイヤーの応力を軽減する緩衝層を具えたことを特徴とする。
この発明を実施するに当たり、前記緩衝層を樹脂で構成した層とするのが好ましい。このような樹脂として、永久レジストと称されるものを用いるのが好ましい。
Claims (4)
- 両主面に励振電極および引出電極を具えた圧電振動片と、この圧電振動片が実装されていて、前記引出電極に接続されている第1および第2の配線電極を有したベースと、前記引出電極のうちの前記ベース側とは反対面の引出電極および第1、第2の配線電極のうちの一方の配線電極を接続しているワイヤーと、を具える圧電デバイスにおいて、
前記ワイヤーが接続されている前記引出電極と前記圧電振動片との間に、前記ワイヤーの応力を軽減する緩衝層を具えたことを特徴とする圧電デバイス。 - 請求項1に記載の圧電デバイスにおいて、
前記緩衝層を永久レジストで構成してあることを特徴とする圧電デバイス。 - 請求項1又は2に記載の圧電デバイスにおいて、
前記導電性接着剤がシリコーン系導電性接着剤であることを特徴とする圧電デバイス。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の圧電デバイスにおいて、
前記圧電振動片は長方形状であり、
前記導電性接着剤の固定位置とワイヤーによる固定位置とは前記長方形状の圧電振動片の1つの短辺側の端部かつ該短辺に沿う中央付近であり、
前記圧電振動片における前記導電性接着剤の固定位置とワイヤーによる固定位置とは、当該圧電振動片の厚み方向において重なっていることを特徴とする圧電デバイス。
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---|---|---|---|---|
JPH05251496A (ja) * | 1992-03-09 | 1993-09-28 | Nec Yamagata Ltd | 半導体素子 |
JP2000332045A (ja) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2012216772A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-11-08 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2014200026A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-23 | セイコーエプソン株式会社 | 振動素子、振動子、発振器、電子機器および移動体 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4460051B2 (ja) * | 2004-07-13 | 2010-05-12 | 日本電波工業株式会社 | 水晶振動子の保持構造 |
JP5054146B2 (ja) * | 2010-02-01 | 2012-10-24 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス及びその製造方法 |
JP5788728B2 (ja) * | 2011-07-21 | 2015-10-07 | 日本電波工業株式会社 | 圧電振動片、圧電デバイス、及び圧電デバイスの製造方法 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05251496A (ja) * | 1992-03-09 | 1993-09-28 | Nec Yamagata Ltd | 半導体素子 |
JP2000332045A (ja) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2012216772A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-11-08 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2014200026A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-23 | セイコーエプソン株式会社 | 振動素子、振動子、発振器、電子機器および移動体 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191029 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200602 |