JP2017195372A - はんだバンプ形成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ソルダーレジストパターン層の上のダム用樹脂パターン層の剥離を確実にして残渣の発生を防止し、はんだバンプのピッチの微細化を図る。
【解決手段】基板の表面に開口部を有し且つ電極部を開口部内に露出した状態としたソルダーレジストパターン層を形成するソルダーレジストパターン層形成工程と、ソルダーレジストパターン層内に存在する反応性を有する物質の反応性を取り除かせる加熱工程と、反応性を有する物質の反応性を取り除いた後のソルダーレジストパターン層の上に開口部を露出させる孔部を有するダム用樹脂パターン層を形成するダム用樹脂パターン層形成工程と、ダム用樹脂パターン層の上から電極部上の開口部及び孔部内にはんだペーストを充填するはんだペースト印刷工程と、はんだペーストを加熱溶融させて電極部上にはんだバンプを形成する熱処理工程と、ダム用樹脂パターン層を剥離する剥離工程とを有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、電子部品をフリップチップ実装等により基板に接続する際に用いられるはんだバンプを形成する方法に関する。

電子部品の小サイズ化に伴い、電子部品接合用に用いられるはんだバンプのバンプ間距離（以下ピッチという）が狭くなり、従来のステンシルマスクを用いるはんだペースト印刷方法では印刷時に印刷されたはんだペーストの形状が崩れ、隣り合うはんだペーストが繋がってしまうブリッジとよばれる問題や、ステンシルマスクと電子基板が離れる際にステンシルマスク開口部からはんだペーストが抜けず、結果としてステンシルマスク開口部にはんだペーストが残り、電子基板にはんだペーストが残らないミッシングバンプという問題が発生する。
また、生産性を上げるために、電子基板のサイズは益々大きくなるが、狭ピッチ化が進むに連れ、ステンシルマスクを電子基板の所望の位置に精度良く搭載することがより困難になり、はんだペーストを印刷した際に位置ズレが生じるなどの問題が発生していた。

これらの課題を解決するために特許文献１には、ステンシルマスクを用いずに、基板の表面に、電極の部分に開口部を形成したソルダーレジスト層（ソルダーレジストパターン層）が被覆され、そのソルダーレジスト層の上に、開口部を囲むようにダムを形成し、このダムによって囲まれた開口部内の電極上にはんだペーストを充填し、充填したはんだペーストを加熱してはんだバンプを形成する方法が開示されている。この場合、ダムは、フィルム状のフォトレジスト、ドライフィルムレジストを基板表面に圧着させ、あるいは液状のフォトレジストをスピンコーターなどによって塗布して硬化させ、フォトマスクを介して露光処理及び現像処理を行なうことによって形成される。

特許第４２４９１６４号公報

ところで、特許文献１開示の方法において、はんだバンプを形成した後にソルダーレジストのパターン層の上からダム（樹脂のパターン層）を剥離する必要があるが、ソルダーレジストのパターン層とダムのパターン層とを剥離する際の剥離性が悪く、結果としてダムの残渣が残ってしまう。
この場合、チップ部品をソルダーレジストパターン層を持つ基板にはんだバンプを用いて接合し、その後チップ部品とソルダーレジストパターン層を持つ基板間にモールド樹脂を流し込み硬化させる。この時ソルダーレジスト表面にダムの残渣が存在するとモールド樹脂とソルダーレジスト表面の接合強度が低下し、信頼性を低下させてしまう問題があった。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、ソルダーレジストパターン層の上にダム用樹脂パターン層を形成してはんだバンプを形成した後のダム用樹脂パターン層の剥離を確実にして残渣の発生を防止し、はんだバンプのピッチの微細化を図ることを目的とする。

本発明者は、ソルダーレジストパターン層の上に形成したダム用樹脂パターン層を剥離する際の残渣の問題を鋭意研究した結果、ソルダーレジストパターン層中に反応性を有する物質が残っている状態で、ダム用樹脂パターン層を形成して、その後に加熱されると、その反応性を有する物質とダム用樹脂パターン層とが反応すること、及び、反応性を有する物質が残っている状態のソルダーレジストパターン層は表面が粗いことから、はんだペーストを加熱溶融するときの熱によってソルダーレジストパターン層とダム用樹脂パターン層との密着強度が増大し、ダム用樹脂パターン層の剥離性が悪くなっていることを見出した。
そこで、ダム用樹脂パターン層を形成する前に、ソルダーレジストパターン層内に存在する反応性を有する物質の反応性を取り除けばよいとの知見の下、以下の解決手段に至った。

本発明のはんだバンプ形成方法は、基板の表面に開口部を有し且つ電極部を前記開口部内に露出した状態としたソルダーレジストパターン層を形成するソルダーレジストパターン層形成工程と、前記ソルダーレジストパターン層内に存在する反応性を有する物質の反応性を取り除くことができる温度条件で加熱する加熱工程と、加熱により反応性を有する物質の反応性を取り除いた後の前記ソルダーレジストパターン層の上に前記開口部を露出させる孔部を有するダム用樹脂パターン層を形成するダム用樹脂パターン層形成工程と、前記ダム用樹脂パターン層の上から前記電極部上の前記開口部及び前記孔部内にはんだペーストを充填するはんだペースト印刷工程と、前記はんだペーストを加熱溶融させて前記電極部上にはんだバンプを形成する熱処理工程と、前記はんだバンプ形成後に前記ソルダーレジストパターン層から前記ダム用樹脂パターン層を剥離する剥離工程とを有する。

このはんだバンプ形成方法においては、ソルダーレジストパターン層を加熱して反応性を有する物質の反応性を取り除かせることにより、ソルダーレジストパターン層に反応性を有する物質が残っていた場合でも加熱により反応性を取り除いて、反応性のない安定なソルダーレジストパターン層とすることができる。また、ソルダーレジストパターン層の表面の粗さも小さくなる。したがって、この加熱により反応性を取り除く工程の後にダム用樹脂パターン層を形成することにより、その後に加熱されても、両層の間で反応することがなく、また、ソルダーレジストパターン層の表面粗さが小さいこととも相俟って、ダム用樹脂パターン層の剥離を容易にし、残渣の発生を確実に防止することができる。

この場合、前記加熱工程は、１５０℃以上２００℃以下の温度で３０分以上２時間以下の条件で前記ソルダーレジストパターン層を加熱するとよい。
また、前記加熱工程により前記ソルダーレジストパターン層の算術平均粗さを１００ｎｍ以下にするとよい。

本発明のはんだバンプ形成方法において、前記ダム用樹脂パターン層形成工程は、前記ソルダーレジストパターン層を覆う感光性樹脂層を形成した後、該感光性樹脂層の孔部を形成する予定の部位を基準としてフォトマスクを用いずに光を直接照射することにより前記感光性樹脂層を露光し、露光した感光性樹脂層を現像することにより前記孔部を有する前記ダム用樹脂パターン層を形成するとよい。なお光源としては、水銀ランプ、メタルハライドランプ、ＬＥＤ、レーザーなどが用いられる。

従来の方法においては、ソルダーレジストパターン層の表面上に形成する感光性樹脂層に孔部を形成する際には一般にフォトマスクを使用して孔部を形成している。このフォトマスクによる露光、現像を用いた孔部形成は、はんだバンプのピッチが大きい場合は有効な手段であるが、ピッチが例えば１２０μｍ以下の小さいものにおいては、ダム用樹脂パターン層の孔部とソルダーレジストパターン層の開口部との位置ずれの影響が大きくなり、はんだペーストの充填量が少なくなることにより、はんだバンプが所望のサイズより小さくなる、もしくはダム用樹脂パターン層（感光性樹脂層）の孔部とソルダーレジストパターン層の開口部の位置が完全にずれた場合、はんだペーストがソルダーレジストパターン層の開口部に充填されず、はんだバンプが電極上に形成されないなどの現象が生じる。
本発明の方法では、感光性樹脂層にフォトマスクを用いずに光を直接照射して感光性樹脂層を露光しており、フォトマスクを用いずに光を直接照射する際にはソルダーレジストパターン層の基準位置を基準として露光位置の位置補正を行うため、ソルダーレジストパターン層の開口部に対する感光性樹脂層の孔部を形成する予定の部位の位置決めを正確に行うことができ、ソルダーレジストパターン層の開口部と感光性樹脂層の孔部の位置ずれの発生を防止することができる。

本発明のはんだバンプ形成方法において、前記ソルダーレジストパターン層形成工程は、前記基板の表面にソルダーレジスト層を積層状態に形成した後、該ソルダーレジスト層の前記開口部を形成する予定の部位を基準としてフォトマスクを用いずに光を直接照射することにより前記ソルダーレジスト層を露光し、露光したソルダーレジスト層を現像することにより前記ソルダーレジストパターン層を形成するとよい。
ソルダーレジストパターン層も基板の基準位置を基準としてフォトマスクを用いずに光を直接照射しソルダーレジスト層を露光して形成することにより、開口部を基板の電極部に対して正確に位置決めすることができる。

本発明のはんだバンプ形成方法によれば、ソルダーレジストパターン層の上に設けられるダム用樹脂パターン層の剥離を確実にして残渣の発生を防止し、高信頼性に適した微細なピッチを持つはんだバンプ形成基板を得ることが出来る。

本発明に係るはんだバンプ形成方法の実施形態を示すフローチャートである。 図１のはんだバンプ形成方法のうち、配線工程、ソルダーレジストパターン層形成工程、ダム用樹脂パターン層形成工程ごとの積層体の変化を示す断面図である。 図１のはんだバンプ形成方法のうち、はんだペースト印刷工程、熱処理工程における積層体の変化を示す断面図である。

以下、本発明に係るはんだバンプ形成方法の実施形態について説明する。
図３（ｃ）は本発明の方法が適用されるはんだバンプを示しており、基板１の電極部（電極パッド）２の上にはんだバンプ３が形成されている。
基板１は、樹脂製絶縁基板等からなり、表面に回路層、絶縁層等が形成されたものであり、図３（ｃ）では、基板１の表面に電極部２が積層され、この電極部２の周囲の基板１の表面に、電極部２を開口部５内に配置してはんだバンプ３の周囲を囲むソルダーレジストパターン層６が形成されている。

電極部２は銅を用いるのが好適であるが、その表面に錫めっきやニッケル/金めっきなどを施してもよい。また、はんだバンプ３となるはんだの材料としては、Ｓｎ−Ａｇ合金、Ｐｂ−Ｓｎ合金、Ｓｎ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ｚｎ合金、Ｓｎ−Ｓｂ合金、Ｓｎ−Ｃｕ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金等、Ｓｎと添加成分からなるＳｎ系合金が好適である。例えば、錫（Ｓｎ）に３．０質量％の銀（Ａｇ）、０．５質量％の銅（Ｃｕ）を含有したものが好適である。

次に、基板１の上に形成した電極部２にはんだバンプ３を形成する方法について説明する。
図１は、基板１の上に電極部２を形成する工程も含めて、その電極部２にはんだバンプ３を形成する工程を示すフローチャートであり、基板１に回路層を形成する配線工程、その回路層の電極部２に開口部５を有するソルダーレジストパターン層６を形成するソルダーレジストパターン層形成工程、ソルダーレジストパターン層６を加熱する加熱工程、ソルダーレジストパターン層６の開口部５に合せて孔部１２を有するダム用樹脂パターン層１１を形成するダム用樹脂パターン層形成工程、電極部２の上にはんだバンプ３を形成するはんだバンプ形成工程に大別される。以下、この工程順に説明する。

＜配線工程＞
配線工程は、さらに、基板前処理工程、ドライフィルム積層工程、露光・現像工程、銅めっき工程を有している。この配線工程は、工程ごとの図示は省略するが、一般的な製造プロセスによって行うことができ、以下の通りである。
（基板前処理工程）
基板に対して無電解銅めっき等によりシード層を形成する。
（ドライフィルム積層工程）
基板１のシード層の表面に感光性フィルムであるドライフィルム層を積層（ラミネート）する。
（露光・現像工程）
ドライフィルム層を露光して現像することにより、回路層のパターンを形成する。このときの露光は、一般にはフォトマスクを介して行うが、後述するフォトマスクを用いずに光の直接照射による露光としてもよい。

（銅めっき工程）
シード層により電解銅めっきを施して、ドライフィルム層により形成されている回路層のパターンに銅めっき膜を形成する。その後、ドライフィルム層を除去するとともに、銅めっき膜の周囲のシード層をエッチングによって除去することにより、基板の上に銅めっき膜による回路層が形成される。
なお、この配線工程として、セミアディティブ法による工程を示したが、本発明としては、銅箔を積層した基板を用いるサブトラクティブ法による方法を除外するものではない。
図２（ａ）は、この配線工程によって形成された回路層の電極部２における基板１の断面を示している。

＜ソルダーレジストパターン層形成工程＞
ソルダーレジストパターン層形成工程は、さらにソルダーレジスト積層工程、露光・現像工程を有している。
（ソルダーレジスト積層工程）
回路層を形成した基板１の表面に、図２（ｂ）に示すように、回路層も含めて基板１の全面を覆うようにソルダーレジスト層６´を積層する。このソルダーレジストとしては、感光性を有するとともに熱によっても硬化する性質を有しており、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂またはこれらを同時に含み、且つフィラーを含む感光性樹脂組成物が用いられる。
液状のソルダーレジストを基板１の表面に塗布・乾燥してソルダーレジスト層としてもよい。

（露光・現像工程）
回路層の電極部２の上に開口部５を形成するために、基板１に積層状態のソルダーレジスト層６´を露光・現像することにより、開口部形成予定部位を除去する。この露光は、ソルダーレジスト層６´の開口部形成予定部位を除く部分に図２（ｂ）の矢印で示すように光を照射することにより行われる。この場合、基板１に基準マークを形成しておき、基準マークを読み取りながら電極部２の位置に対応した開口部形成予定部位を割り出して開口部形成予定部位を除く部分にフォトマスクを用いずに光を直接照射する。基準マークは、レーザー等により基板１に予め形成することができる。したがって、複数の開口部５に対して個別に位置決めしてフォトマスクを用いずに光を直接照射することができる。
すべての開口部形成予定部位を除く部分にフォトマスクを用いずに光を直接照射してソルダーレジスト層６´を露光した後、基板１全体を現像液に接触させて現像することにより、図２（ｃ）に示すように、電極部２を開口部５に露出させた状態のソルダーレジストパターン層６が形成される。なお、現像工程後に開口部５にソルダーレジストが残っている場合は、その除去のためにプラズマ処理を行っても良い。このプラズマ処理は現像工程後、もしくは加熱工程後やドライフィルム積層工程の後の露光・現像工程後に行っても良い。
現像液としては、炭酸ナトリウム水溶液等を用いることができる。

＜加熱工程＞
ソルダーレジストパターン層形成工程における露光・現像工程により開口部５を形成したソルダーレジストパターン層６を加熱して反応性を有する物質の反応性を取り除かせる。露光・現像工程においてソルダーレジスト層６´は露光により光硬化するが、反応性を有する物質が存在しており、この物質の反応性を加熱（加熱重合）により取り除かせる。加熱の条件としては、１５０℃以上２００℃以下の温度で３０分以上２時間以下の条件が適当であり、例えば１５０℃６０分とされる。加熱の条件はより好ましくは１５０℃以上１７０℃以下の温度で４０分以上８０分以下である。
反応性を有する物質とは、後述するダム用樹脂と反応する物質であり、具体的には、カルボキシル基及びエポキシ基を有する樹脂等があげられる。反応性を有する物質の反応性を加熱によって除去すると、ソルダーレジストパターン層６の算術平均粗さを１００ｎｍ以下にすることできる。ソルダーレジストパターン層６の算術平均粗さは、より好ましくは５０ｎｍ以下である。
このようなソルダーレジストパターン層６の算術平均粗さは、原子間力顕微鏡（セイコーインスツルメンツ株式会社製ＳＰＡ−４００）によって測定される。
なお、加熱工程後に電極部２の表面の酸化防止とそれによるはんだ濡れ性向上のために電極部２の表面を酸処理にて酸化膜を除去した後に水溶性プリフラックスなどで処理を行っても良い。

＜ダム用樹脂パターン層形成工程＞
ダム用樹脂パターン層形成工程は、さらにドライフィルム積層工程、露光・現像工程を有している。
（ドライフィルム積層工程）
図２（ｄ）に示すように、ソルダーレジストパターン層６の上に、ドライフィルムを積層（ラミネート）してドライフィルム層（感光性樹脂層）１１´を形成する。ドライフィルムとしては、カルボキシル基含有アクリル系樹脂、不飽和結合を有するアクリルモノマー、光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物が用いられる。

（露光・現像工程）
ソルダーレジストパターン層６の開口部５に合せてドライフィルム層１１´に孔部１２を形成する。具体的には、露光・現像処理により、ドライフィルム層１１´の孔部形成予定部位を除去してダム用樹脂パターン層１１を形成する。
この露光は、ソルダーレジスト層６´に対する露光・現像工程と同様であり、図２（ｄ）の矢印で示すように孔部形成予定部位を除く部分にフォトマスクを用いずに光を直接照射することにより行われる。この場合も、基板１に形成されている基準マークを読み取りながら電極部２（又は開口部５）の位置に対応した孔部形成予定部位を割り出してフォトマスクを用いずに光を直接照射する。したがって、複数の孔部１２を個別に位置決めしてフォトマスクを用いずに光を直接照射することができる。
すべての孔部形成予定部位を除く部分にフォトマスクを用いずに光を直接照射してドライフィルム層１１´を露光した後、基板１全体を現像液に接触させて現像することにより、図２（ｅ）に示すように、ソルダーレジストパターン層６の開口部５に連通する孔部１２を有するダム用樹脂パターン層１１が形成される。
現像液としては、炭酸ナトリウム水溶液等を用いることができる。

＜はんだバンプ形成工程＞
はんだバンプ形成工程は、さらに、はんだペースト印刷工程、熱処理工程、ドライフィルム剥離工程、洗浄・乾燥工程を有している。
（はんだペースト印刷工程）
図３（ａ）に示すように、ダム用樹脂パターン層１１の上にスクリーン印刷によりスキージ２１を用いてはんだペースト１５を塗布して孔部１２及びソルダーレジストパターン層６の開口部５内にはんだペースト１５を充填する。このはんだペースト１５は、前述したはんだの材料の粉末（以下、はんだ粉末という）とフラックスとを混合したものであり、はんだ粉末の平均粒径は２μｍ〜１５μｍの中から適宜のものが選択される。フラックスとしては、ロジン等の樹脂分、活性剤、チクソ剤、溶剤を含有しており、ハロゲンフリータイプ、活性（ＲＡ）タイプ、弱活性（ＲＭＡ）タイプ、水溶性タイプ等のものを用いることができる。
はんだ粉末とフラックスとの混合比率は、例えば、フラックスが３０体積％以上７０体積％以下、残部がはんだ粉末となるように設定される。

（熱処理工程）
ダム用樹脂パターン層１１の孔部１２及びソルダーレジストパターン層６の開口部５内に充填されたはんだペースト１５を加熱することにより溶融してはんだバンプ３を形成する。この熱処理工程は、窒素雰囲気あるいは低酸素雰囲気または還元雰囲気中で、はんだペーストに用いられているはんだの融点（液相線温度）より１０℃〜４０℃高い温度にて加熱する。
この熱処理により、図３（ｂ）に示すように、溶融したはんだは電極部２上で表面張力によって球状のはんだバンプ３を形成する。

（ドライフィルム剥離工程）
基板１の表面に形成されているダム用樹脂パターン層１１を薬液を使って剥離し除去する。薬液としては、水酸化ナトリウム水溶液などが用いられる。
（洗浄・乾燥工程）
最後に基板１全体を洗浄してフラックス残渣１６（図３（ｂ）参照）等を除去した後、乾燥することにより、図３（ｃ）に示すように、電極部２の上にはんだバンプ３が形成された基板１が得られる。

この一連の工程において、ソルダーレジストパターン層形成工程で露光・現像により形成したソルダーレジストパターン層６をさらに加熱工程によって加熱することにより、反応性を有する物質の反応性を取り除き、反応性がなく安定なソルダーレジストパターン層６とすることができる。また、ソルダーレジストパターン層６の表面の粗さも小さくなる。したがって、その後のはんだペーストに対する熱処理工程で、ソルダーレジストパターン層６とダム用樹脂パターン層１１とが反応することはなく、ソルダーレジストパターン層６の表面粗さが小さいこととも相俟って、ダム用樹脂パターン層１１の剥離を容易にし、残渣の発生を確実に防止することができる。
また、ソルダーレジスト層６´及びドライフィルム層１１´の露光・現像工程においては、これらの層をフォトマスクを用いずに直接露光しているので、開口部５や孔部１２を電極部２に対して正確に位置決めして形成することができる。
これらの相乗効果により、フリップチップ実装における高信頼性を持ち、且つピッチの微細化（ファインピッチ化）を図ることができる。

なお、本発明は上記実施形態に限定されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
実施形態ではフィルム状のソルダーレジストを用いているが、液状のソルダーレジストを用いてもよい。また、ソルダーレジストパターン層の上にドライフィルム層を形成して、ダム用樹脂パターン層を形成したが、このドライフィルムに代えて、液状のソルダーレジストと同様の液状の感光性樹脂を用いて感光性樹脂層を形成し、これを露光・現像してダム用樹脂パターン層としてもよい。

また、実施形態のソルダーレジスト及びドライフィルムは、ネガ型のものとして示しており、ネガ型の場合は露光部分が現像によって溶解して除去され、開口部や孔部を形成するが、ポジ型のソルダーレジストやドライフィルムを用いることも可能であり、その場合には、ソルダーレジスト層の場合は開口部形成予定部位の領域を露光し、ドライフィルム層の場合は孔部形成予定部位の領域を露光する。そして、露光された開口部形成予定部位あるいは孔部形成予定部位を現像によって除去する。
このネガ型のソルダーレジストやドライフィルムにおいて開口部形成予定部位あるいは孔部形成予定部位を露光する場合と、ポジ型のソルダーレジストやドライフィルムにおいて開口部形成予定部位の領域、あるいは孔部形成予定部位の領域を露光する場合とを含めて、本発明においては「開口部を形成する予定の部位を基準としてフォトマスクを用いずに光を直接照射する」あるいは「孔部を形成する予定の部位を基準としてフォトマスクを用いずに光を直接照射する」と表現した。

基板を準備し、実施形態で示した方法で、基板に電極部（回路層）を形成した。更に、実施形態で示したソルダーレジストパターン層形成工程、加熱工程、ダム用樹脂パターン層形成工程、はんだバンプ形成工程に準じて、はんだバンプを形成した。
はんだ粉末としてＳｎ−３．０質量％Ａｇ−０．５質量％Ｃｕからなる平均粒径５μｍのものを用い、フラックス比率を５２．４体積％としてはんだペーストを作製し、ソルダーレジストパターン層（厚み：１０μｍ）の開口部の内径を４０μｍ、その上のダム用樹脂パターン層（厚み：３０μｍ）の孔部の内径を５０μｍとして、はんだペーストを印刷して加熱溶融することによりはんだバンプを形成した。
ソルダーレジストとしては、アクリル系樹脂、及びエポキシ系樹脂を同時に含み、且つフィラーを含む感光性樹脂組成物を用いた。ダム用樹脂としては、カルボキシル基含有アクリル系樹脂、不飽和結合を有するアクリルモノマー、光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物を用いた。
また、その露光方法も、実施形態で示したフォトマスクを用いない直接露光と、従来公知のフォトマスクを用いる露光との二種類で行なった。なおフォトマスクを用いない直接露光時には光源としてレーザーを用いた。
この場合、ソルダーレジストパターン層形成工程後における加熱工程を表１に示すように種々の加熱条件で行ない、ソルダーレジストパターン層の表面粗さ、ソルダーレジストパターン層の開口部とダム用樹脂パターン層の孔部との位置ずれ、スモールバンプの有無、ダム用樹脂パターン層の剥離性について評価した。
ソルダーレジストパターン層の表面粗さについては、原子間力顕微鏡によって算術平均粗さ（Ｒａ）を測定した。
ソルダーレジストパターン層の開口部とダム用樹脂パターン層の孔部との位置ずれは、光学顕微鏡にて開口部の中心と孔部の中心とのずれを測定した。
スモールバンプの有無は、ソルダーレジストパターン層の表面を基準にはんだバンプの高さを測定し、その高さが１０μｍ以下のものをスモールバンプとし、その有無を確認した。
ダム用樹脂パターン層の剥離性については、ソルダーレジストパターン層上のダム用樹脂パターン層を６０℃に加熱した５％水酸化ナトリウム水溶液に３分浸漬することで剥離した。その後光学顕微鏡を用い、ソルダーレジストパターン層に存在するダム用樹脂の残渣を観察し、以下の基準により判断した。
具体的な判断基準としては、はんだバンプ５０００個を観察し、そのはんだバンプ周囲に存在するダム用樹脂の残渣を観察した。この時、ダム用樹脂の残渣が３個以内でこれらのサイズが４０μｍ以下のものを合格、上記合格の場合を除いて、残渣が５個以内でこれらのサイズが１００μｍ以下のものを可、これら以外のものを不合格とした。
結果は表１に示す通りである。

この表１の結果から、ソルダーレジストパターン層を加熱することにより、その表面粗さが小さくなり、ダム用樹脂パターン層を剥離したときの残渣も生じにくいことがわかる。試料３，４は、加熱されているものの、反応性を有する物質の反応性を取り除く温度条件に至っていないために、一部残渣が残ったものと考えられる。また試料６は加熱されていないために反応性を有する物質がそのまま残っており、また表面粗さも大きいため、残渣が残ったものと考えられる。
また、フォトマスクを用いない直接露光方法とすることにより、ソルダーレジストパターン層の開口部とダム用樹脂パターン層の孔部との位置精度が良く、スモールバンプの発生もなかった。

１ 基板
２ 電極部
３ はんだバンプ
５ 開口部
６ ソルダーレジストパターン層
６´ ソルダーレジスト層
１１ ダム用樹脂パターン層
１１´ ドライフィルム層（感光性樹脂層）
１２ 孔部
１５ はんだペースト
１６ フラックス残渣

Claims (5)

1. 基板の表面に開口部を有し且つ電極部を前記開口部内に露出した状態としたソルダーレジストパターン層を形成するソルダーレジストパターン層形成工程と、
   前記ソルダーレジストパターン層内に存在する反応性を有する物質の反応性を取り除くことができる温度条件で加熱する加熱工程と、
   加熱により反応性を有する物質の反応性を取り除いた後の前記ソルダーレジストパターン層の上に前記開口部を露出させる孔部を有するダム用樹脂パターン層を形成するダム用樹脂パターン層形成工程と、
   前記ダム用樹脂パターン層の上から前記電極部上の前記開口部及び前記孔部内にはんだペーストを充填するはんだペースト印刷工程と、
   前記はんだペーストを加熱溶融させて前記電極部上にはんだバンプを形成する熱処理工程と、
   前記はんだバンプ形成後に前記ソルダーレジストパターン層から前記ダム用樹脂パターン層を剥離する剥離工程とを有することを特徴とするはんだバンプ形成方法。
2. 前記加熱工程は、１５０℃以上２００℃以下の温度で３０分以上２時間以下の条件で前記ソルダーレジストパターン層を加熱することを特徴とする請求項１記載のはんだバンプ形成方法。
3. 前記加熱工程により前記ソルダーレジストパターン層の算術平均粗さを１００ｎｍ以下にすることを特徴とする請求項１又は２記載のはんだバンプ形成方法。
4. 前記ダム用樹脂パターン層形成工程は、前記ソルダーレジストパターン層を覆う感光性樹脂層を形成した後、該感光性樹脂層の前記孔部を形成する予定の部位を基準としてフォトマスクを用いずに光を直接照射することにより前記感光性樹脂層を露光し、露光した感光性樹脂層を現像することにより前記孔部を有する前記ダム用樹脂パターン層を形成することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載のはんだバンプ形成方法。
5. 前記ソルダーレジストパターン層形成工程は、前記基板の表面にソルダーレジスト層を積層状態に形成した後、該ソルダーレジスト層の前記開口部を形成する予定の部位を基準としてフォトマスクを用いずに光を直接照射することにより前記ソルダーレジスト層を露光し、露光したソルダーレジスト層を現像することにより前記ソルダーレジストパターン層を形成することを特徴とする請求項４記載のはんだバンプ形成方法。

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