JP2017187689A - 表示装置、表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本実施形態は、第１基板と第２基板の間で、シール材が不要に外側へ広がるのを抑制し、遮光膜幅も狭めることが可能となり、また表示領域の表示に対する安全性も高まる、表示装置及び表示装置の造方法を提供することにある。【解決手段】一実施形態の表示装置によると、第１基板が、平面視において、端部から内側に向けて第１領域、第２領域、第３領域、第４領域を有する。有機絶縁膜は、前記第２領域と前記第３領域にあり、前記第４領域にはない。導電性膜が、少なくとも前記第２領域の前記有機絶縁膜上に形成されている。シール材が、前記第１領域、第３領域及び第４領域にあり、前記第１基板と第２基板とを接着している。また貫通口が、前記第４領域の内側に隣接し、前記第１基板、前記第２基板及び前記シール材料を貫通している。【選択図】図２

Description

この実施形態は表示装置、表示装置の製造方法に関する。

最近では液晶表示パネルが、身体に装着して利用することを想定した機器であるウェアラブルデバイスに利用されている。液晶表示パネルは、絵柄、文字、図形、数字など種々の表示を行うことができ、またこれらの表示内容を切り替えることができるので、ウェアラブルデバイスとして様々な用途への拡大が期待できる。通常、液晶表示パネルは、複数の画素電極が配列された第１基板と、第１基板に対向した第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に注入された液晶の層を有する。また、液晶表示パネルは、前記第１基板と前記第２基板の対向する外周部に沿って両基板を一体化させるとともに前記液晶を封入する外周シール材を備える。
該ウェアラブルデバイスにおいて、指針を有する時計機構を一体化した腕時計タイプのものがある。このデバイスは、該指針の回転軸を配置するために、液晶表示パネルを貫通する貫通口を必要とする。このために、両基板間に前記液晶を封入するためには、前記貫通口の周囲にもリング状の内側シール材を設ける必要がある。

特開２０１０−１３９６５７号公報 特開平１１−３０５２４６号公報

上記したウェアラブルデバイスなどの製造工程は、上記した外側シール材と、内側シール材とを第１基板に塗布し、第２基板を第１基板に貼り合わせ、液晶を注入する工程がとられる。
従って製造工程においては、小さな径の前記貫通口の周囲に、リング状の内側シール材を塗布する工程が必要である。この工程では適正な量のシール材を、円を描きながら予めリング状に塗布する必要がある。そして、第２基板を第１基板に貼り合わせたとき、両基板の押圧により、前記内側シールの線幅が、所定の幅以上はみ出さないように対策する必要がある。しかしシール材をリング状に塗布する場合、描きはじめと描き終わりを確実に繋ぐため、つなぎ目では、シール材が重複し量が多くなりすぎることがある。このために、従来の装置では、第２基板と第１基板とを貼り合わせた時に、特に前記内側シール材の外側への広がりが、想定を超えてしまうケースが多かった。この結果、シール材を光から遮蔽する（また外部から見えないようにする）ために、遮光膜の幅を広くせざるを得ないという課題があった。またシール材の線幅が広くなると、シール材の一部が表示領域にはみ出して表示に支障を与えることになる。

そこで本実施形態の目的は、第１基板と第２基板の間で、シール材が不要に外側へ広がるのを抑制し、遮光膜幅も狭めることが可能となり、また表示領域の表示に対する安全性も高まる、表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。

一実施形態によると、平面視において、端部から内側に向けて第１領域、第２領域、第３領域、第４領域を有する第１基板と、前記第２領域と前記第３領域にあり、前記第４領域にはない有機絶縁膜と、前記第２領域の前記有機絶縁膜上にある導電性膜と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１領域、第３領域及び第４領域にあり、前記第１基板と前記第２基板とを接着するシール材料と、前記第４領域の内側に隣接し、前記第１基板、前記第２基板及び前記シール材料を貫通する貫通口と、を備える。

一実施形態における表示装置の第１基板の概略を平面視して示す図である。 一実施形態における表示装置の概略的な断面構造を図である。 一実施形態による表示装置の第１基板の中心部周辺を平面視して示す図と、中心部周辺に示す線Ｃ−Ａ−Ｂ間の断面図である。 図２で示す線Ａ−Ｃ間の断面図である。 一実施形態による表示装置の製造工程において第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが貼り合わせられたときの断面を概略的に示す断面図である。 他の実施形態による表示装置の製造工程において第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが貼り合わせられたときの断面を概略的に示す断面図である。 図５の実施形態による表示装置の製造工程において、シール材１１の点状滴下時の状態と、シール材１１が押圧されその形が整形された後の状態を説明する図である。 さらに他の実施形態による表示装置の製造工程において第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが貼り合わせられたときの断面を概略的に示す断面図である。 さらにまた他の実施形態による表示装置の製造工程において第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが貼り合わせられたときの断面の一部を取り出して概略的に示す断面図である。 また他の実施形態による表示装置の製造工程において第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが貼り合わせられたときの断面の一部を取り出して概略的に示す断面図である。 他の実施形態による表示装置の製造工程において第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが貼り合わせられたときの断面の一部を取り出して概略的に示す断面図である。 一実施形態による表示装置の製造工程を概略的に説明するために示した製造工程説明図である。 液晶注入口付近の平面図及び断面図である。 一実施形態による表示装置において、貫通口周辺の偏光板と補助板の関係を示す図である。 図１１Ａの実施例の変形例を示す図である。 本発明の一実施形態が適用された腕時計装置の外観を示す図である。

以下、図面を参照して実施形態を説明する。なお、開示は一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。

なお、本明細書中において、図面を説明する際の「上」、「下」、「外」、「内」などの表現は、着目する構造体と他の構造体との相対的な位置関係を表現している。本明細書中では、側面視において、電気光学層からカラーフィルタに向かう方向を「上」と定義し、その逆の方向を「下」と定義する。また、平面視において、表示領域の中心から基板端に向かう方向を「外」と定義し、その逆の方向を「内」と定義する。

また、本明細書中において、「画像表示装置」とは、電気光学層を用いて画像を表示する装置を指す。したがって、画像表示装置には、電気光学層を含む表示モジュール（表示パネルともいう。）、及び表示モジュールに対して他の要素（例えば、バックライト、カバーガラス、偏光板など）を組み合わせた表示装置が含まれる。

また、後述する各実施形態において、技術的な矛盾を生じない限り、「電気光学層」には、液晶層、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）層、エレクトロクロミック（ＥＣ）層、電気泳動層が含まれ得る。したがって、各実施形態について、画像表示装置として、液晶層を含む液晶モジュールを用いた表示装置を例示して説明するが、上述した他の電気光学層を含む表示モジュールを用いた表示装置への適用を排除するものではない。

まず第１の実施形態を示す。
図１Ａには表示装置１００の第１基板ＳＵＢ１の概略な構成を平面的に示し、図１Ｂには、表示装置１００の概略的な断面を示している。第１基板ＳＵＢ１（アレイ基板と称してもよい）は例えばガラス板（透明な樹脂基板でもよい）を基板としている。そして、ガラス板の一方の面の表示領域ＡＲＥ１に複数の副画素からなる副画素群ＰＸ＿Ｇを形成している。この第１基板ＳＵＢ１は、図１Ｂに示すようにシール材１０、１１により、第２基板ＳＵＢ２と一体化される。そして、第１の基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間には、液晶が封入され液晶層ＬＱが形成されている。図１Ｂでは、第１基板ＳＵＢの液晶層ＬＱ側の面に、副画素群を構成する半導体層２１、画素電極を形成する画素電極層２２、液晶層ＬＱに面して液晶の配向方向を規定する配向膜５８の層を概略的に示している。また第２基板ＳＵＢ２には、ガラス板側から液晶層ＬＱに向かって順番に形成されているカラーフィルタ層ＣＯＬ＿Ｆと、共通電極ＣＯＭと、液晶層に面して液晶の配向方向を規定する配向膜５９の層を概略的に示している。

なお図１Ａにおいては、表示装置１００の平面視（基板面に対して垂直方向から見た状態）した形状が円形を示しているが、該形状は、四角形、三角形、多角形など種々の形状が可能である。本実施形態は、回転軸を有する機器、例えば時計を一体化した表示装置であって、平面視した場合、円形状のウェアラブルデバイスに適用されたために、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２が円形となっている。図１の例では、シール材１０、１１は平面視で円形のリング状である。
また上記した図１Ａ、図１Ｂ、これから説明する図２及び図３は、基板の中央の第５領域ＡＲＥ５に貫通口ＨＯＬが形成された状態で示している。貫通口ＨＯＬは、後で説明するように、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＢ２とが貼り合わせられた後に形成されるものである。

上記表示装置１００に関して、貫通口ＨＯＬの周辺を拡大して、図２及び図３を参照して説明する。図２及び図３に示すように、第１基板ＳＵＢ１の液晶層ＬＱ側の面は、平面視において、端部（外周側の縁）から内側（内周側）に向けて第１領域ＡＲＥ１（第１領域は額縁領域であり図１Ａに示す）、第２領域ＡＲＥ２、第３領域ＡＲＥ３、第４領域ＡＲＥ４、第５領域ＡＲＥ５を有する。第５領域ＡＲＥ５は、指針の軸受け及び該軸受け内の軸を通すために貫通口ＨＯＬ（図２参照）が設けられた領域である。

第２領域ＡＲＥ２は、外周側から内周側に向けて確保され、この領域に表示領域が設定される。表示領域には、図３に示すように、ガラス板３１上に半導体チャンネル５１を用いて、画素電極５７に駆動電位を与えるための駆動用スイッチング素子ＤＳＷが形成される。尚、本実施形態では、反射型表示方式（外光を画素電極で反射させて第２基板ＳＵＢ２側へ出力する方式）を想定しているため、画素電極は例えば銀で構成されている。駆動用スイッチング素子ＤＳＷは、半導体チャンネル５１、ゲート電極５２、ソース電極５３、ドレイン電極５４を備える。半導体チャンネル５１は、ゲート電極５２に対向した中央位置にチャンネル領域を備え、チャンネル領域の一方サイドのソース領域にソース電極５３、他方サイドのドレイン領域にドレイン電極５４が接続されている。ゲート電極５２と半導体チャンネル５１との間に設けられている絶縁層４１は、半導体チャンネル５１の層を覆う第１絶縁層である。また絶縁層４２は、ゲート電極５２の層を覆うための第２絶縁層である。これらの第１絶縁層４１及び第２絶縁層４２は、図１Ａに示した絶縁層２３として、第２領域ＡＲＥ２の内周側の端部近くまで延在して形成されている。

図３では、駆動用スイッチング素子ＤＳＷの１つが、代表して示されている。実際には複数の副画素に対応する複数の駆動用スイッチング素子ＤＳＷが、第１の基板ＳＵＢ１内に２次元的に配列して構成されている。また、本実施形態は、画素回路にメモリ素子を内蔵するタイプ（メモリインピクセル（ＭＩＰ）タイプ）の表示方式を採用しているために、各副画素に対応して、データ“１”又は“０”を保持するためのメモリ素子が設けられている。したがって、図示していないが該メモリ素子を構成するためのスイッチング素子、及び該メモリにデータ線からデータを書き込むための書き込み用スイッチング素子等が構成されている。
上記したソース電極５３、ドレイン電極５４は、例えばアルミニウム等の金属である。ゲート電極５２は絶縁層４１に形成された走査信号線（図示せず）に接続されている。ソース電極５３は、絶縁層４２上に形成された映像信号線（図示せず）に接続されている。

上記した半導体層２１上には、有機絶縁膜６１が形成されている。この有機絶縁膜６１は、少なくとも第２領域ＡＲＥ２に形成されている。有機絶縁膜６１は、半導体層２１の凹凸を平坦化する役割を持つので、平坦化膜６１と称してもよい。この平坦化膜６１の内周側は、前記絶縁層２３の内周側エッジを覆っている（図２の（ｂ）、図３参照）。

上記した平坦化膜６１上において、駆動用スイッチング素子ＤＳＷに対応して画素電極５７が設けられている。そして、画素電極５７と駆動用スイッチング素子ＤＳＷのドレイン電極５４とは、コンタクトホールに形成される金属、例えば透明性を有したインジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）５６（接続金属）により接続されている。コンタクトホールは、前記平坦化膜６１に形成されている。

ところで、第２領域ＡＲＥ２の最内周側の副画素は、ダミー画素として構成されることが多い。ダミー画素とは、遮光膜と重畳して表示に寄与しない画素である。ダミー画素の場合、駆動用スイッチング素子ＤＳＷは常にオフ状態に維持され、実際の駆動はなされない。このダミー画素の一部を構成するＩＴＯ５６（接続金属）は、平坦化膜６１が形成された後、第３領域ＡＲＥ３あるは第４領域ＡＲＥ４の一部まで延在して、平坦化膜６１を覆う程度まで形成されている（図３参照）。

さらに、上記したＩＴＯ５６及び画素電極５７などの上面には、全面的に配向膜５８が形成されている。なお、この配向膜５８は、第２領域ＡＲＥ２の範囲で形成されてもよい。
上記した表示装置は、内周（中央）側のシール材１１内に配向膜５８がある。そして、配向膜５８の下にはＩＴＯ５６がある。つまり、製造工程においては、金属酸化物であるＩＴＯ上に配向膜５８を塗布するが、ＩＴＯ５６に対して配向膜５８は親和性がよいため、塗布処理が容易である。また、ＩＴＯ５６を置くことで基板及び有機絶縁膜に対する密着性が向上し、外部からの水分侵入を防止する効果がある。

上記した第１基板ＳＵＢ１は、第２基板ＳＵＢ２と貼り合わせられる。この場合、図１Ａに示すように、第１基板ＳＵＢ１の第１領域ＡＲＥ１には、シール材１０が配置される。シール材１０は、製造工程においてはシール材塗布装置から押し出されつつ円を描きながら塗布される。また第１基板ＳＵＢ１の第５領域ＡＲＥ５（貫通口ＨＯＬが未加工の状態の領域）には、シール材１１が点状に滴下される。この点状の滴下位置は、第５領域ＡＲＥ５の中心位置であることが好ましい。またこのときのシール材１１の使用量は、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが対向して圧着されたときにシール材が外周方向へ広がる範囲を考慮して適正な量が選定されている。つまり、シール材が外周方向へ広がり過ぎないように設計されている。

図４は、製造工程において第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが貼り合わせられたときの断面を概略的に示している。第１基板ＳＵＢ１側にはガラス板３１、平坦化膜６１を示している。第２基板ＳＵＢ２側には、ガラス板８１、カラーフィルタ層ＣＯＬＦ、遮光膜ＢＭの層を示している。図では、遮光膜ＢＭとカラーフィルタ層ＣＯＬＦの配置関係が、遮光膜ＢＭが液晶層ＬＱ側にありカラーフィルタ層ＣＯＬＦがガラス板８１側にあるが、この関係は、逆であってもよい。上記遮光膜ＢＭは、平面視して、少なくとも第３領域ＡＲＥ３、第４領域ＡＲＥ４、第５領域ＡＲＥ５と重なっている。図では、遮光膜ＢＭの外周部が、さらに第２領域ＡＲＥ２の一部と重なっているが、この重なり部は、無くすことも可能である。

上記遮光膜ＢＭは、第５領域ＡＲＥ５（後に、軸Ｚを中心とする貫通口ＨＯＬが形成される領域）及びその周囲に形成される。上記遮光膜ＢＭは、表示装置が製造された後に、貫通口ＨＯＬの周辺から、第２基板ＳＵＢ２側に漏れる漏れ光を効果的に遮光することができる。もしこの遮光膜ＢＭが無いと、第１基板ＳＵＢ１側から反射してきた不要な光が、貫通口ＨＯＬの周囲から漏れてくる場合がある。なお、遮光膜ＢＭの端部は、平面視において、第１基板ＳＵＢ１の端部と同じ位置であっても良いし、第１基板ＳＵＢ１の端部よりも内側であっても良い。
図４に示されるように、シール材１１は、第５領域ＡＲＥ５に点状に滴下されていたものが、第１基板ＳＵＢ１に対して第２基板ＳＵＢ２が押圧され貼り合わせられる過程で、周囲に拡大したものである。このシール材１１は、紫外光等で硬化している。そして、シール材１１は、第３領域ＡＲＥ３、第４領域ＡＲＥ４、第５領域ＡＲＥ５において、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２の間を充填した状態となる。

なお図４において、偏光板９１、補助板９２を一点鎖線で示している。これは、偏光板９１、補助板９２は後述するように貫通口ＨＯＬが形成された後に貼り付けられるからである。後で説明する図５及び図７においても同様な理由で、偏光板９１、補助板９２は一点鎖線で示している。
即ち、完成した装置においては、第２基板ＳＵＢ２を構成するガラス板８１の外側面（液晶層とは反対側の面）には偏光板９１が貼り付けられている。さらに偏光板９１の上面にさらに補助板９２が貼り付けられている。

さらに第５領域ＡＲＥ５の周辺において、偏光板９１と補助板９２との内周関係は、偏光板９１の内周エッジに対して補助板９２の内周エッジが第５領域ＡＲＥ５（貫通口ＨＯＬ）側に位置している。よって表示装置の完成後は、第２基板ＳＵＢ２と第１基板ＳＵＢ１との間に液晶層ＬＱが位置し、第２基板ＳＵＢ２の液晶層ＬＱとは反対側の面に偏光板９１が配置され、さらに偏光板９１の上面に補助板９２が配置された構成である。
そして、貫通口ＨＯＬを形成する際に、偏光板９１が劣化することを防止するため、偏光板９１の内周縁の径が、貫通口ＨＯＬの経よりも大きく設計されている。しかし、偏光板９１の内周縁より、補助板９２の内周縁の径が貫通口ＨＯＬ側に近くなるように、偏光板９１の内周縁より、補助板９２の内周縁の径が小さく設計されている。

これにより補助板９２により、内周側の遮光膜ＢＭが外から見えるのを防止できる。つまり遮光膜ＢＭが偏光板９２よりも内側にあると、遮光膜ＢＭが偏光板９２を通じて外から見える可能性がある。しかし、上記の構成により遮光膜ＢＭが外から見えるのを防止できる。また、補助板９２は、偏光板９１の端部を覆って保護しつつ、貫通口ＨＯＬが外部から視認されづらくする。補助板９２は、貫通口ＨＯＬを通る針等の挿通部材の位置固定に用いてもよい。補助板９２は樹脂材料であっても良いし、金属材料であっても良い。

上記のように組み立てられた後は、軸Ｚと中心軸とする貫通口ＨＯＬを形成するために、例えばレーザーにより第５領域ＡＲＥ５（穴開け部）が開口処理される。このとき、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２の中間複合部品において、第５領域ＡＲＥ５及びその周辺には、シール材１１が充填されているために、該中間複合部品の強度が高くなっている。この結果、穴あけ作業時に、中間複合部品がたわむことなく穴開け作業が行われ、作業が安全である。また貫通口ＨＯＬは、その位置や形状の精度が高い開口とすることができる。また、上記のようにシール材が第５領域ＡＲＥ５に充填されている状態から、貫通口ＨＯＬが開口される。このため、第１基板ＳＵＢ１から前記シール材１１及び第２基板ＳＵＢ２を挿通している貫通口ＨＯＬが形成された場合、貫通口ＨＯＬの内面は、貫通口の軸方向へ面一で連続する。つまり、該内面は凹凸なく連続している。

図５は他の実施形態を示している。図４の実施形態と異なる部分は、第３領域ＡＲＥ３において、平坦化膜６１の上面にリング状の溝（スリットのパターンと称してもよい）６１ｇが形成されている部分である。他の部分は、図４の実施形態と同じであるので説明を省略する。

溝６１ｇは、断面が逆三角形であるが、断面四角形でもよいし、断面Ｕ字形でもよく、形状に限定されるものではない。この溝６１ｇは、シール材１１の量が多量であった場合、その過多分を吸収するバッファ部或いはストッパー部として機能する。製造工程において、適正な量のシール材１１が、第５領域ＡＲＥ５の中心位置（Ｚ軸上）に滴下されることが好ましい。しかしながら、温度、シール材粘性などの各種条件により、その滴下量が必ずしも適正な量で、かつ中心位置であるとは限らない。滴下量が多すぎた場合、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが貼り合わせられた場合、シール材が外周に広がり設計した第３領域ＡＲＥ３からはみ出す可能性がある。そこでこの実施形態では、シール材１１の過多分が溝６１ｇで吸収されるように図ったものである。

図６の（ａ）には、シール材１１が第５領域ＡＲＥ５に滴下されたあと押圧前の状態１１−Ｍを示している。また図６の（ｂ）には、シール材１１が押圧されその形が整形された後で、シール材１１のみを取り出して示している。
形が整形された後のシール材１１は、第３領域ＡＲＥ３に位置する外周部分１１ａと、溝６１ｇ内に位置する侵入部分１１ｂと、第４領域ＡＲＥ４及び第５領域ＡＲＥ５に位置して平坦化膜６１が存在しない領域に位置する中央部分１１ｃとを一体に有する。この構成により、シール材を第５領域ＡＲＥ５に点状に滴下する際のシール材の量、滴下位置、環境温度、シール材粘度などの精度許容範囲を緩和することができ、製造を容易にすることができる。

図７は、さらに他の実施形態を示している。図４の実施形態と異なる部分は、第３領域ＡＲＥ３において、平坦化膜６１の厚みが最内周に向かうにしたがって、徐々に薄く構成されている点である。これにより、第３領域ＡＲＥ３に位置する平坦化膜６１は、傾斜面６１−Ｓを有する。他の部分は、図４の実施形態と同じであるので説明を省略する。
この構成であると、第４領域ＡＲＥ４の周囲の平坦化膜６１に形成された傾斜面６１−Ｓがあるために、シール材１１の量が多量あっても、第３領域ＡＲＥ３からはみ出しにくい。またシール材１１の厚みが厚くなるので強度を上げることができる。さらにまた、この実施形態であれば、製造工程において、点状に滴下されたシール材１１−Ｍが第５領域ＡＲＥ５の中心位置からずれた場合に効果的である。具体的には、基板貼り合わせ時にシール材が押圧されると平坦化膜６１の傾斜面６１−Ｓがあるために、量の多い部分が量の少ない部分の方向へ回り込み、結果として中心位置から均等に広がることができるからである。

図８Ａ、図８Ｂ及び図８Ｃは、それぞれ平坦化膜６１に形成されるバッファ部或いはストッパー部の他の変形例を示している。図８Ａは、平坦化膜６１の中央の周囲の縁から間隔を置いて、溝６１ｄがリング状に形成された例を示している。図８Ｂは、平坦化膜６１の中央（第４領域ＥＲＡ４）の周囲の縁に段差６１ｅを形成した例である。段差６１ｅの高さ（厚さ）は、好ましくは、平坦化膜６１の最高部の高さ（厚さ）に対して、例えば３割以上８割以下程度に形成される。図８Ｃは、平坦化膜６１が第３領域ＥＲＡ３に侵入した位置に窪み６１ｆを形成し他例である。他の部分は、上記した実施形態と同じであるから説明は省略する。図８Ｃの実施形態の場合、シール材１１が第２領域ＡＲＥ２まで広がるのを窪み６１ｆで食い止めることができる。
なお図４乃至図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃで説明した平坦化膜６１においても図３で説明したのと同様に、導電性膜（ＩＴＯ）で覆われていてもよい。また導電性膜上に配向膜が形成されていてもよい。

図９は、上記した実施形態の表示装置を製造する工程を概略的に示す工程説明図である。第１基板ＳＵＢ１に対して半導体層２１が形成される（プロセスＰＳ１）。ここまでは第１基板ＳＵＢ１の準備工程と称してもよい。次に、有機膜（平坦化膜）が形成される（プロセスＰＳ２）。ここで、平坦化膜の形成においては、図４、図５、図７又は図８Ａ乃至図８Ｃで説明したようなタイプの平坦膜の処理が選択される。

平坦化膜が形成された後は、ＩＴＯの形成プロセス、画素電極の形成プロセスがあり（プロセスＰＳ３）、次に配向膜の塗布がなされる（プロセスＰＳ４）。配向膜形成後は、シール材の付着がなされる。シール材は、基板の外周側では、円を描くように塗布される。これに対して第５領域ＡＲＥ５に対しては、点状の滴下により付着される。その後は、第１基板と第２基板との貼りあわせが実施される（プロセスＰＳ５、ＰＳ６）。次に、第１基板と第２基板がガラス板をベースとしている場合、ガラス板を薄くするために、ガラス板に対してフッ酸によるケミカルエッチングがなされる（プロセスＰＳ７）。次にレーザーを利用して、指針を取り付けるための貫通口ＨＯＬが、開口される（プロセスＰＳ８）。 レーザーとしては、例えばパルスＣＯ２レーザーが用いられるが、これに限定されるものではない。

さらに、シール材の一部に設けていた液晶の注入口から液晶を注入し、注入後は注入口が塞がれる（プロセスＰＳ９）。そして、第２基板ＳＵＢ２の外側面に対して偏光板の貼り合わせが行われ、次いで、偏光板の上面に補助板が貼り合わせられる（プロセスＳＰ１０）。上記の処理により、液晶が封入された後の表示装置では、注入口の痕跡が残ることになる。例えば、注入口を塞いだ後の封止材がみられる。
なお第２基板ＳＵＢ２の製造工程においては、第２基板ＳＵＢ２の第１基板ＳＵＢ１とは反対側となる面に、偏光板９１を配置し、さらに偏光板９１の上面に補助板９２を配置する工程がある。ここで第５領域ＡＲＥ５の周囲では、製造後の貫通口ＨＯＬの周囲では、偏光板９１の内周縁の径が、補助板９２の内周縁の径よりも大きくなるように形成している。

図１０は、液晶を注入するために形成された注入口７０を示す平面図（同図（ａ））および注入口７０が封止材１０Ａにより塞がれた後の線Ｘ−Ｘ’間での断面図（同図（ｂ））である。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが貼り合わされたとき、注入口７０は、シール材１０の一部に形成されている。この注入口７０では、第１基板ＳＵＢ１のガラス板８１に形成されている平坦化膜６１に対して第２基板ＳＵＢ２のガラス板３１上に形成されている平坦化膜８２が対向する。そして、第２基板ＳＵＢ２の平坦化膜８２には、スペーサ８３ａ、８３ｂ、８３ｃが設けられ、強度を保つように工夫されている。注入口７０は、液晶が注入された後は、封止材１０Ａにより封止されている。

図１１Ａは、第２基板ＳＵＢ２のガラス板８１に形成される部材と第１基板ＳＵＢ１に形成されている部材との位置関係であって、貫通口ＨＯＬ周辺での位置関係を示している。ガラス板８１の液晶層ＬＱ側面には遮光膜ＢＭが形成されている。またガラス板８１の外側面（液晶層とは反対側の面）には偏光板９１が貼り付けられ、偏光板９１の上面にさらに補助板９２が貼り付けられている。

一方、貫通口ＨＯＬ周辺に設けられる遮光膜ＢＭは、平面視して、少なくとも第２領域及び第３領域と重なっている。なおこの遮光膜ＢＭは、第１の領域の一部、第２領域、第３領域、第４領域の一部と重なってもよい。さらに貫通口ＨＯＬ周辺において、偏光板９２と補助板９１との内周関係は、偏光板９１の内周エッジに対して補助板９２の内周エッジが貫通口ＨＯＬ側に位置している。即ち、第２基板ＳＵＢ２と第１基板ＳＵＢ１との間に液晶層ＬＱが位置し、第２基板ＳＵＢ２の液晶層ＬＱとは反対側の面に偏光板９１が配置され、さらに偏光板９１の上面に補助板９２が配置されている。そして貫通口ＨＯＬの周囲では、偏光板９１の内周縁の径が、補助板９２の内周縁の径よりも大きく設計されている。これにより補助板９２により、内周側の遮光膜ＢＭが外から見えるのを防止できる。つまり偏光板９２が内周側まで延在すると、遮光膜ＢＭが偏光板９２を通じて外から見えるが、上記の構成により遮光膜ＢＭが外から見えるのを防止できる。

図１１Ｂは、図１１Ａに示した構成の変形例である。図１１Ａに示した実施形態は、偏光板９１の上面に補助板９２が貼り付けられた。しかしこの例に限らず、ワッシャッタイプの補助板９２ａを取り付けてもよい。このような補助板９２ａであっても、貫通口ＨＯＬの軸位置保持機能及び遮光膜ＢＭが外部から見えるのを防止する外観的な美的意匠機能を発揮することができる。

図１２は本発明が適用された腕時計装置（ウェアラブルデバイス）３００の外観の一例を示している。円形状の文字盤１３０は、リング状の外装ケース１４０に保持されている。文字盤１３０は、上記実施形態で説明したように、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、液晶層ＬＱ等で構成されており、表示装置として動作することができる。そして上記した貫通口ＨＯＬには、長針軸、短針軸が貫通している。それぞれの長針軸と短針軸には、文字盤上面に沿ってかつ軸を中心して回転する長針１３１と短針１３２が取り付けられている。長針軸と短針軸とは、腕時計装置３００の内部に設けられているクロックモータにより回転駆動される。
本表示装置は、その表示機能が有効に活用されるもので、例えば現在の日付を表す表示１３５、本日の予定を表す表示１３６などが表示可能である。予定表や日付、その他メッセージなどが、例えばメモリチップを装着し、そのデータが表示される。メモリチップは、例えばパーソナルコンピュータなどからデータを入力されている。さらには、腕時計装置３００は、無線通信機能を有し、外部から特定の無線を受信し、該メモリチップに会議予定データなどを取り込むことができるものでもよい。

以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。また、本実施形態の表示装置が適用される装置も、時計用だけではなく、車の速度メータ用等の表示領域内に円形等の孔を設ける表示装置にも適用可能である。また各種乗り物として飛行機、船舶、鉄道車両などの計器類の表示装置として採用できる。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。

１０、１１・・・シール材、２１・・・半導体層、２２、５９・・・配向膜、２３・・・絶縁層、６１ａ・・・第１平坦化膜（有機絶縁膜）、６１ｂ・・・第２平坦化膜（有機膜）、ＡＲＥ１・・・第１領域、ＡＲＥ２・・・第２領域、ＡＲＥ３・・・第３領域、ＡＲＥ４・・・第４領域、ＡＲＥ５・・・第５領域、ＡＲＥ６・・・第６領域、ＨＯＬ・・・貫通口、４１、４２・・・絶縁層、５１・・・半導体チャンネル、５２・・・ゲート電極、５３・・・ソース電極、５４・・・ドレイン電極、５６・・・ＩＴＯ、５７・・・画素電極、５８・・・配向膜、７０・・・注入口。

Claims (14)

1. 平面視において、端部から内側に向けて第１領域、第２領域、第３領域、第４領域を有する第１基板と、
   前記第２領域と前記第３領域にあり、前記第４領域にはない有機絶縁膜と、
   少なくとも前記第２領域の前記有機絶縁膜上にある導電性膜と、
   前記第１基板に対向配置された第２基板と、
   前記第１領域、第３領域及び第４領域にあり、前記第１基板と前記第２基板とを接着するシール材料と、
   前記第４領域の内側に隣接し、前記第１基板、前記第２基板及び前記シール材料を貫通する貫通口と、を備えた表示装置。
2. 前記有機絶縁膜の前記第３領域に対応する部分は、厚みが変化している請求項１記載の表示装置。
3. 前記有機絶縁膜の前記第３領域に対応する部分は、スリットがあり、前記スリットに前記シール材が充填されている請求項１又は２記載の表示装置。
4. 前記有機絶縁膜の前記第３領域に対応する厚みは、前記第４領域に近づくに従って薄くなっている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の表示装置。
5. 前記導電性膜は、前記有機絶縁膜の端部を覆っている、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 前記第１基板から前記シール材及び第２基板を挿通している前記貫通口を形成する内面は、貫通口の軸方向に沿って連続している、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記第２基板と前記第１基板との間に液晶層が配置され、前記第２基板の前記液晶層とは反対側の面に偏光板が配置され、さらに前記偏光板の上面に補助板が配置されており、
   前記貫通口の周囲では、前記偏光板の内周縁の径が、前記補助板の内周縁の径よりも大きい、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記第２基板の前記液晶層側の面に形成され、平面視において、前記貫通口を囲み少なくとも前記第３領域まで延在している遮光膜を備えている、
   請求項１ないし７のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 平面視において、端部から内側に向けて第１領域、第２領域、第３領域、第４領域及び前記第４領域に隣接する第５領域を有する第１基板を準備する準備工程と、
   前記第１基板の前記第２領域と前記第３領域とに有機絶縁膜を形成し、前記第４領域と前記第５領域には前記有機絶縁膜を形成しない有機膜形成工程と、
   前記第２領域の前記有機絶縁膜上と、前記第３領域の前記有機絶縁膜上に連続する導電性膜を形成する導電性膜形成工程と、
   前記第１基板の前記第１領域に第１シール材を塗布し、前記第５領域に第２シール材を滴下し、前記有機絶縁膜及び前記導電性膜が形成された前記第１基板と第２基板とを、前記第１及び第２シール材によって貼り合せる貼り合せ工程と、
   前記第５領域の前記第１基板と前記第２基板を貫通して貫通口を形成する貫通工程と、を備える表示装置の製造方法。
10. 前記貫通工程では、前記第５領域にレーザーを照射して前記貫通口を形成することを特徴とする、請求項９記載の表示装置の製造方法。
11. 前記有機膜形成工程で、前記有機絶縁膜の前記第３領域に対応する部分に、厚みの変化部を形成することを特徴とする、請求項９又は１０記載の表示装置の製造方法。
12. 前記有機膜形成工程で、前記有機絶縁膜の前記第３領域に対応する部分に、スリットのパターニングを形成することを特徴とする、請求項９ないし１１のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
13. 前記第２基板の製造工程では、前記第２基板の前記第１基板とは反対側となる面に、偏光板を配置し、さらに前記偏光板の前記第２基板とは反対側となる面に補助板を配置し、
    前記貫通口の周囲では、前記偏光板の内周縁の径が、前記補助板の内周縁の径よりも大きくなるように、前記偏光板及び補助板を配置することを特徴とする、請求項９ないし１２のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
14. 前記貫通工程の後に、前記第２基板の前記液晶層とは反対側の面に偏光板を貼り合わせ、さらに前記偏光板の第２基板とは反対側となる面に補助板を貼り合わせる工程を備えることを特徴とする、請求項９ないし１３のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。

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