JP2017183528A - 薄膜部品シート、電子部品内蔵基板、及び薄膜部品シートの製造方法 - Google Patents
薄膜部品シート、電子部品内蔵基板、及び薄膜部品シートの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
図1は、本発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板を含む基板実装構造を説明する概略構成図である。図1に示す基板実装構造は、通信端末、ヘルスケア機器等の電子機器に使用されるものである。
電子部品内蔵基板2は、コア基板10と、コア基板10の一方側の主面上に積層された薄膜部品シート20と、薄膜部品シート20の主面上に形成された配線層30と、コア基板10の他方側の主面上に積層された配線層40と、配線層30,40を接続するスルーホールビア50を含んでいる。このうち、第1電子部品は、薄膜部品シート20に含まれる。
次に、薄膜部品シートの製造方法について、図3〜図7を参照しながら説明する。薄膜部品シートの製造方法は、概略、複数の薄膜電子部品が貼り付けられたキャリアシートを準備する薄膜電子部品準備工程と、配線層と絶縁層とが積層された配線構造体の絶縁層に対して、薄膜電子部品が貼り付けられたキャリアシートを押し付けることで、薄膜電子部品を絶縁層に対して埋め込むと共に、薄膜部品シートの一方側の主面の平坦面を形成する薄膜電子部品埋め込み工程と、キャリアシートを除去し、薄膜部品シートの一方側の主面において、複数の薄膜電子部品における一方の電極層の主面を外部に露出されるシート除去工程と、を含む。ただし、薄膜部品シートの製造方法は適宜変更することができる。また、製造方法が異なることにより、薄膜部品シートの構造も異なる部分が生じる。以下、薄膜部品シートの4つの製造方法について順に説明すると共に、それぞれの製造方法によって作成される薄膜部品シートの構造上の特徴についても説明する。
図3は薄膜部品シートに係る第1の製造方法を説明する図である。第1の製造方法では、キャリアシート、ジグ板及びピンを用いて電子部品の位置決めを行う特徴を有する。また、第1の製造方法では、ピンを用いて電子部品の位置決めを行うため、電子部品にはピンを利用した位置決めが可能な貫通孔がそれぞれ電子部品の厚さ方向に沿って設けられる。
図4及び図5は、薄膜部品シートに係る第2の製造方法を説明する図である。第2の製造方法では、個片化された電子部品を製造する方法が第1の製造方法と異なる。すなわち、第1の製造方法では、個片化された電子部品をキャリアシートに対して貼付していたが、第2の製造方法では、サポート板上で電子部品となる各層を積層した後に、サポート板ごと個片に分割することで、個片の電子部品を製造している。サポート板は、特に限定されないが、例えば、ガラス板や樹脂材料等を用いることができる。
図6は、薄膜部品シートに係る第3の製造方法を説明する図である。第3の製造方法では、第2の製造方法と同様にサポート板55付き薄膜電子部品23を用いて薄膜部品シートを製造する。ただし、薄膜部品シートの構成が一部異なるので、その点も含めて説明する。なお、サポート板55付き薄膜電子部品23の製造方法は、図4に記載の第2の方法と同様であるため、説明を省略する。なお、第3の製造方法により薄膜部品シートを製造する場合についても、第1電極層231及び第2電極層232の少なくとも一方は磁性体である必要がある。
図7は、薄膜部品シートに係る第4の製造方法を説明する図である。第4の製造方法では、第1〜第3の製造方法と異なり、キャリアシート上での電子部品の位置決めを行った後に電子部品のパターニングを行う。また、電子部品の位置決めにピンを使用しないため、電子部品には貫通孔が設けられない点も他の製造方法と異なる。
次に、図8を参照しながら、薄膜部品シートを含む電子部品内蔵基板を製造する方法の一部について説明する。なお、本実施形態では、電子部品内蔵基板の製造方法の一例の一部について説明するが、電子部品内蔵基板の製造方法は、完成品に求められる配線等に応じて適宜変更することができる。また、図8に示す図は模式図であり、図1に示す電子部品内蔵基板とは構成が異なるものである。
Claims (12)
- 導体による配線層と、
前記配線層に対して積層された絶縁材料による絶縁層と、
一対の電極層と、前記一対の電極層の間に設けられた誘電体層とを有し、前記絶縁層上に離間して配置される複数の薄膜電子部品と、
を備える薄膜部品シートであって、
一方側の主面に前記複数の薄膜電子部品における一方の電極層の主面が外部に露出した状態で、前記薄膜部品シートにおける当該主面の平坦面を形成している薄膜部品シート。 - 前記薄膜部品シートの一方側の主面において、前記絶縁層と、前記複数の薄膜電子部品における一方の電極層の主面とにより平坦面が形成されている請求項1に記載の薄膜部品シート。
- 前記絶縁層上に配置されると共に前記複数の薄膜電子部品のうち隣接する薄膜電子部品間に形成された金属層をさらに備え、
前記薄膜部品シートの一方側の主面において、前記金属層と、前記複数の薄膜電子部品における一方の電極層の主面とにより平坦面が形成されている請求項1に記載の薄膜部品シート。 - 前記薄膜電子部品は、厚さ方向に延びる貫通孔を有し、
前記貫通孔内には前記絶縁層の前記絶縁材料が満たされている請求項1〜3のいずれか一項に記載の薄膜部品シート。 - 前記薄膜部品シートの一方側の主面において、前記貫通孔内の前記絶縁材料が突出した凸部を有する請求項4に記載の薄膜部品シート。
- 厚さ方向に沿って前記薄膜電子部品を貫通しない位置において、前記絶縁層及び前記配線層を貫通すると共に厚さ方向に延びる第2の貫通孔をさらに有する請求項1〜5のいずれか一項に記載の薄膜部品シート。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の薄膜部品シートと、
前記薄膜部品シートに対して積層された配線層と、
を備える電子部品内蔵基板。 - 導体による配線層と、前記配線層に対して積層された絶縁材料による絶縁層と、一対の電極層と、前記一対の電極層の間に設けられた誘電体層とを有し、前記絶縁層上に離間して配置される複数の薄膜電子部品と、を備える薄膜部品シートの製造方法であって、
前記複数の薄膜電子部品が貼り付けられたキャリアシートを準備する薄膜電子部品準備工程と、
前記配線層と前記絶縁層とが積層された配線構造体の絶縁層に対して、前記薄膜電子部品が貼り付けられたキャリアシートを押し付けることで、前記薄膜電子部品を前記絶縁層に対して埋め込むと共に、前記薄膜部品シートの一方側の主面の平坦面を形成する薄膜電子部品埋め込み工程と、
前記キャリアシートを除去し、前記薄膜部品シートの一方側の主面において、前記複数の薄膜電子部品における一方の電極層の主面を外部に露出されるシート除去工程と、
を有する薄膜部品シートの製造方法。 - 前記薄膜電子部品埋め込み工程において、前記配線構造体に設けられた貫通孔と、前記キャリアシートに設けられた貫通孔とに対してピンを挿通することで、前記配線構造体と前記キャリアシートとの位置決めを行う請求項8に記載の薄膜部品シートの製造方法。
- 前記薄膜電子部品準備工程において、前記薄膜電子部品に設けられた貫通孔と、前記キャリアシートに設けられた貫通孔とに対してピンを挿通することで、前記薄膜電子部品と前記キャリアシートとの位置決めを行う請求項8又は9に記載の薄膜部品シートの製造方法。
- 前記薄膜電子部品準備工程において、前記複数の薄膜電子部品と、前記複数の薄膜電子部品の間に設けられた金属層と、が貼り付けられたキャリアシートを準備し、
前記薄膜電子部品埋め込み工程において、前記配線層と前記絶縁層とが積層された配線構造体の絶縁層に対して、前記薄膜電子部品及び前記金属層が貼り付けられたキャリアシートを押し付けることで、前記電子部品を前記絶縁層に対して埋め込むと共に、前記薄膜部品シートの一方側の主面の平坦面を形成する請求項8〜10のいずれか一項に記載の薄膜部品シートの製造方法。 - 前記薄膜電子部品準備工程において、ジグ板上に貼り付け位置に対応して配置された薄膜電子部品を磁石により保持した状態で、前記薄膜電子部品に対してキャリアシートを貼り付ける請求項8〜11のいずれか一項に記載の薄膜部品シートの製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022525725A (ja) * | 2019-02-27 | 2022-05-19 | ケプラー コンピューティング インコーポレイテッド | 一方向のプレートライン及びビットライン並びにピラーキャパシタを有する高密度低電圧nvm |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018137311A (ja) * | 2017-02-21 | 2018-08-30 | Tdk株式会社 | 薄膜キャパシタ |
JP7215206B2 (ja) * | 2019-02-19 | 2023-01-31 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09232695A (ja) * | 1996-02-27 | 1997-09-05 | Hitachi Maxell Ltd | プリント配線基板ならびにその製造方法 |
JP2001307923A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Hitachi Ltd | Lcフィルタ |
JP2002008939A (ja) * | 2000-04-13 | 2002-01-11 | Fujitsu Ltd | 選択的コーティングによるセラミック体の製造方法 |
JP2004103967A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Tdk Corp | コンデンサ内蔵基板の製造方法 |
JP2006245104A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 部品内蔵モジュールの製造方法および部品内蔵モジュール |
JP2007335818A (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Nec Corp | 薄膜キャパシタ及びその製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4079699B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2008-04-23 | 富士通株式会社 | 多層配線回路基板 |
KR100619367B1 (ko) * | 2004-08-26 | 2006-09-08 | 삼성전기주식회사 | 고유전율을 갖는 커패시터를 내장한 인쇄회로기판 및 그제조 방법 |
KR100651358B1 (ko) * | 2005-06-22 | 2006-11-29 | 삼성전기주식회사 | Rf모듈의 전력단 회로를 내장한 인쇄회로기판 |
JP2007110017A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-04-26 | Shinko Electric Ind Co Ltd | キャパシタ内蔵基板及びその製造方法 |
US20070109720A1 (en) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Kyocera Corporation | Dielectric paste, capacitor-embedded glass-ceramic multilayer substrate, electronic component and method of manufacturing capacitor-embedded glass-ceramic multilayer substrate |
JP4770628B2 (ja) | 2006-07-26 | 2011-09-14 | Tdk株式会社 | キャパシタの製造方法 |
US7773364B2 (en) | 2006-07-26 | 2010-08-10 | Tdk Corporation | Method of manufacturing capacitor |
JP4770627B2 (ja) | 2006-07-26 | 2011-09-14 | Tdk株式会社 | キャパシタの製造方法 |
KR100826410B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-04-29 | 삼성전기주식회사 | 캐패시터 및 이를 이용한 캐패시터 내장형 다층 기판 구조 |
US8391015B2 (en) * | 2008-03-17 | 2013-03-05 | Ibiden Co., Ltd. | Capacitor-incorporated printed wiring board and electronic component |
-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09232695A (ja) * | 1996-02-27 | 1997-09-05 | Hitachi Maxell Ltd | プリント配線基板ならびにその製造方法 |
JP2002008939A (ja) * | 2000-04-13 | 2002-01-11 | Fujitsu Ltd | 選択的コーティングによるセラミック体の製造方法 |
JP2001307923A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Hitachi Ltd | Lcフィルタ |
JP2004103967A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Tdk Corp | コンデンサ内蔵基板の製造方法 |
JP2006245104A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 部品内蔵モジュールの製造方法および部品内蔵モジュール |
JP2007335818A (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Nec Corp | 薄膜キャパシタ及びその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022525725A (ja) * | 2019-02-27 | 2022-05-19 | ケプラー コンピューティング インコーポレイテッド | 一方向のプレートライン及びビットライン並びにピラーキャパシタを有する高密度低電圧nvm |
JP7420822B2 (ja) | 2019-02-27 | 2024-01-23 | ケプラー コンピューティング インコーポレイテッド | 一方向のプレートライン及びビットライン並びにピラーキャパシタを有する高密度低電圧nvm |
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