JP2017181240A - 磁界検出装置およびその調整方法 - Google Patents
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前記磁気抵抗効果素子は、磁化が固定された固定磁性層と非磁性層と自由磁性層とが積層されて構成され、前記第1の抵抗変化部と前記第2の抵抗変化部とで、前記固定磁性層の固定磁化の向きが逆向きであり、
前記第1の抵抗変化部の前記自由磁性層の磁化の向きと、前記第2の抵抗変化部の前記自由磁性層の磁化の向きとが、前記固定磁化と直交する向きに対して同じ方向へ傾いていることを特徴とするものである。
前記磁気抵抗効果素子は、磁化が固定された固定磁性層と非磁性層と自由磁性層とが積層されて構成され、前記第1の抵抗変化部と前記第2の抵抗変化部とで、前記固定磁性層の固定磁化の向きが逆向きで、前記第3の抵抗変化部の前記固定磁性層の固定磁化の向きが前記第2の抵抗変化部と同じで、前記第4の抵抗変化部の前記固定磁性層の固定磁化の向きが前記第1の抵抗変化部と同じであり、
前記第1の抵抗変化部の前記自由磁性層の磁化の向きと、前記第2の抵抗変化部の前記自由磁性層の磁化の向きと、前記第3の抵抗変化部の前記自由磁性層の磁化の向き、および前記第4の抵抗変化部の前記自由磁性層の磁化の向きが、前記固定磁化と直交する向きに対して同じ方向へ傾いていることを特徴とするものである。
前記磁気抵抗効果素子の前記自由磁性層の磁化を長手方向に設定する縦バイアス磁界と、前記自由磁性層の磁化の向きを、前記縦バイアス磁界の磁化方向から傾かせる矯正磁界が設けられているものである。
この場合に、前記通電路に流れる電流を調整する調整部を有するものが好ましい。
前記磁気抵抗効果素子を、磁化が固定された固定磁性層と非磁性層と自由磁性層とを積層して構成し、前記第1の抵抗変化部と前記第2の抵抗変化部とで、前記固定磁性層の固定磁化の向きを逆向きとし、
前記第1の抵抗変化部の前記自由磁性層の磁化の向きと、前記第2の抵抗変化部の前記自由磁性層の磁化の向きとを、前記固定磁化と直交する向きに対して同じ方向へ傾けて、温度特性の調整を行うことを特徴とするものである。
前記磁気抵抗効果素子は、磁化が固定された固定磁性層と非磁性層と自由磁性層とを積層して構成し、前記第1の抵抗変化部と前記第2の抵抗変化部とで、前記固定磁性層の固定磁化の向きを逆向きとし、前記第3の抵抗変化部の前記固定磁性層の固定磁化の向きを前記第2の抵抗変化部と同じで、前記第4の抵抗変化部の前記固定磁性層の固定磁化の向きを前記第1の抵抗変化部と同じとし、
前記第1の抵抗変化部の前記自由磁性層の磁化の向きと、前記第2の抵抗変化部の前記自由磁性層の磁化の向きと、前記第3の抵抗変化部の前記自由磁性層の磁化の向き、および前記第4の抵抗変化部の前記自由磁性層の磁化の向きを、前記固定磁化と直交する向きに対して同じ方向へ傾けて、温度特性の調整を行うことを特徴とするものである。
前記磁気抵抗効果素子の前記自由磁性層の磁化を長手方向に設定する縦バイアス磁界と、前記自由磁性層の磁化の向きを、前記縦バイアス磁界の磁化方向から傾かせる矯正磁界を設けるものである。
この場合に、前記通電路に流れる電流を調整することが好ましい。
図1と図2に示す第1の実施の形態の磁界検出装置1は、基板の表面であるX−Y平面に沿って形成された薄膜の積層体で構成されている。
次に、第1の実施の形態の磁界検出装置1の動作を説明する。
防止するために、電源部2を定電流回路としてもよい。
図4に本発明の第2の実施の形態の磁界検出装置101の第1の抵抗変化部R1の構造が示されている。
図5に本発明の第3の実施の形態の磁界検出装置201の第1の抵抗変化部R1の構造が示されている。
図7は、磁気抵抗効果素子10の抵抗値などが未調整である磁界検出装置1(101,201)の各抵抗変化部の特性を示している。図8は、磁気抵抗効果素子10の実質的な長さを調整したときの各抵抗変化部の特性を示している。図9は、全ての抵抗変化部R1,R2,R3,R4において、磁気抵抗効果素子10の自由磁性層13の磁化FをX1方向に対して斜めに向けて温度特性を改善する調整を行ったときの各抵抗変化部の特性を示している。図10は、全ての抵抗変化部R1,R2,R3,R4において、磁気抵抗効果素子10の自由磁性層13の磁化FをX1方向に対して斜めに向けて温度特性を改善し、さらに、磁気抵抗効果素子10の実質的な長さを調整したときの各抵抗変化部の特性を示している。
H1,H2,H3,H4 矯正磁界
Ia,Ib,Ic,Id 電流
Out1 第1の中点出力
Out2 第2の中点出力
Pin 固定磁性層の固定磁化
F 自由磁性層の磁化
R1 第1の抵抗変化部
R2 第2の抵抗変化部
R3 第3の抵抗変化部
R4 第4の抵抗変化部
Vdd 駆動電圧
1,101,102 磁界検出装置
2 電源部
3 差動増幅部
10 磁気抵抗効果素子
11 固定磁性層
12 非磁性層
13 自由磁性層
21,22,23,24 通電路
Claims (13)
- それぞれが磁気抵抗効果素子を有する第1の抵抗変化部と第2の抵抗変化部とが直列に接続されて電圧が印加され、前記第1の抵抗変化部と前記第2の抵抗変化部の中点から第1の中点出力が得られる磁界検出装置において、
前記磁気抵抗効果素子は、磁化が固定された固定磁性層と非磁性層と自由磁性層とが積層されて構成され、前記第1の抵抗変化部と前記第2の抵抗変化部とで、前記固定磁性層の固定磁化の向きが逆向きであり、
前記第1の抵抗変化部の前記自由磁性層の磁化の向きと、前記第2の抵抗変化部の前記自由磁性層の磁化の向きとが、前記固定磁化と直交する向きに対して同じ方向へ傾いていることを特徴とする磁界検出装置。 - それぞれが磁気抵抗効果素子を有する第1の抵抗変化部と第2の抵抗変化部とが直列に接続され、第3の抵抗変化部と第4の抵抗変化部とが直列に接続され、2つの直列群が並列に接続されて電圧が印加され、前記第1の抵抗変化部と前記第2の抵抗変化部の中点から第1の中点出力が得られ、前記第3の抵抗変化部と前記第4の抵抗変化部との中点から第2の中点出力が得られる磁界検出装置において、
前記磁気抵抗効果素子は、磁化が固定された固定磁性層と非磁性層と自由磁性層とが積層されて構成され、前記第1の抵抗変化部と前記第2の抵抗変化部とで、前記固定磁性層の固定磁化の向きが逆向きで、前記第3の抵抗変化部の前記固定磁性層の固定磁化の向きが前記第2の抵抗変化部と同じで、前記第4の抵抗変化部の前記固定磁性層の固定磁化の向きが前記第1の抵抗変化部と同じであり、
前記第1の抵抗変化部の前記自由磁性層の磁化の向きと、前記第2の抵抗変化部の前記自由磁性層の磁化の向きと、前記第3の抵抗変化部の前記自由磁性層の磁化の向き、および前記第4の抵抗変化部の前記自由磁性層の磁化の向きが、前記固定磁化と直交する向きに対して同じ方向へ傾いていることを特徴とする磁界検出装置。 - 前記磁気抵抗効果素子は長尺形状で、前記固定磁性層の固定磁化の向きが前記磁気抵抗効果素子の短幅方向に設定されており、
前記磁気抵抗効果素子の前記自由磁性層の磁化を長手方向に設定する縦バイアス磁界と、前記自由磁性層の磁化の向きを、前記縦バイアス磁界の磁化方向から傾かせる矯正磁界が設けられている請求項1または2記載の磁界検出装置。 - 前記磁気抵抗効果素子に前記縦バイアス方向と平行に延びる通電路が設けられ、前記通電路に流れる電流によって前記矯正磁界が誘導される請求項3記載の磁界検出装置。
- 前記通電路に流れる電流を調整する調整部を有する請求項4記載の磁界検出装置。
- 前記磁気抵抗効果素子の側方に配置された永久磁石によって前記矯正磁界が誘導される請求項3記載の磁界検出装置。
- それぞれが磁気抵抗効果素子を有する第1の抵抗変化部と第2の抵抗変化部とが直列に接続されて電圧が印加され、前記第1の抵抗変化部と前記第2の抵抗変化部の中点から第1の中点出力が得られる磁界検出装置の調整方法において、
前記磁気抵抗効果素子を、磁化が固定された固定磁性層と非磁性層と自由磁性層とを積層して構成し、前記第1の抵抗変化部と前記第2の抵抗変化部とで、前記固定磁性層の固定磁化の向きを逆向きとし、
前記第1の抵抗変化部の前記自由磁性層の磁化の向きと、前記第2の抵抗変化部の前記自由磁性層の磁化の向きとを、前記固定磁化と直交する向きに対して同じ方向へ傾けて、温度特性の調整を行うことを特徴とする磁界検出装置の調整方法。 - それぞれが磁気抵抗効果素子を有する第1の抵抗変化部と第2の抵抗変化部とが直列に接続され、第3の抵抗変化部と第4の抵抗変化部とが直列に接続され、2つの直列群が並列に接続されて電圧が印加され、前記第1の抵抗変化部と前記第2の抵抗変化部の中点から第1の中点出力が得られ、前記第3の抵抗変化部と前記第4の抵抗変化部との中点から第2の中点出力が得られる磁界検出装置の調整方法において、
前記磁気抵抗効果素子は、磁化が固定された固定磁性層と非磁性層と自由磁性層とを積層して構成し、前記第1の抵抗変化部と前記第2の抵抗変化部とで、前記固定磁性層の固定磁化の向きを逆向きとし、前記第3の抵抗変化部の前記固定磁性層の固定磁化の向きを前記第2の抵抗変化部と同じで、前記第4の抵抗変化部の前記固定磁性層の固定磁化の向きを前記第1の抵抗変化部と同じとし、
前記第1の抵抗変化部の前記自由磁性層の磁化の向きと、前記第2の抵抗変化部の前記自由磁性層の磁化の向きと、前記第3の抵抗変化部の前記自由磁性層の磁化の向き、および前記第4の抵抗変化部の前記自由磁性層の磁化の向きを、前記固定磁化と直交する向きに対して同じ方向へ傾けて、温度特性の調整を行うことを特徴とする磁界検出装置の調整方法。 - 外部磁界が作用していないときに、単位温度変化当たりの前記中点電位の変動量をゼロに近づける調整を行う請求項7または8記載の磁界検出装置の調整方法。
- 前記磁気抵抗効果素子を長尺形状で、前記固定磁性層の固定磁化の向きを前記磁気抵抗効果素子の短幅方向に設定し、
前記磁気抵抗効果素子の前記自由磁性層の磁化を長手方向に設定する縦バイアス磁界と、前記自由磁性層の磁化の向きを、前記縦バイアス磁界の磁化方向から傾かせる矯正磁界を設ける請求項7ないし9のいずれかに記載の磁界検出装置の調整方法。 - 前記磁気抵抗効果素子に前記縦バイアス方向と平行に延びる通電路を設け、前記通電路に流れる電流によって前記矯正磁界を誘導する請求項10記載の磁界検出装置の調整方法。
- 前記通電路に流れる電流を調整する請求項11記載の磁界検出装置の調整方法。
- 前記磁気抵抗効果素子の側方に配置された永久磁石によって前記矯正磁界を誘導する請求項10記載の磁界検出装置の調整方法。
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