JP2017165605A - 窒化タンタル(Ta3N5)の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 28
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 abstract 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 24
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 24
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- DOTMOQHOJINYBL-UHFFFAOYSA-N molecular nitrogen;molecular oxygen Chemical compound N#N.O=O DOTMOQHOJINYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
- OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I tantalum(v) chloride Chemical compound Cl[Ta](Cl)(Cl)(Cl)Cl OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】金属タンタルを800〜950℃で、アンモニアガス下窒化することを特徴とする窒化タンタル(Ta3N5)の製造方法。
【選択図】なし
Description
一方で、光触媒に含まれる酸素は忌避成分となり、水素の発生を阻害する。そこで、酸素を含まない高純度のTa3N5が求められている。
また特許文献2では、Ta基板を用い、真空紫外光を照射して親水化した後、フラックス水溶液(NaClとNa2CO3がモル比で4:1)を塗布し、100℃で乾燥させ、乾燥後、Ta基板をアンモニア気流中850℃、1時間加熱した。その後、アンモニア気流中で300℃まで、300℃から室温まで窒素気流中で冷却した。冷却後、残存するフラックスを温水中で除去することでTa3N5を得ている。さらに、特許文献3では、タンタル金属を窒素ガスによって窒化タンタルを製造する方法が開示されている。一次窒化として、窒化炉にタンタル金属を仕込み、炉内温度を600〜800℃になるように窒素流量を制御しながら窒化を行っている。得られた窒化物の窒素含有量は6.1%であった。得られた窒化物は1500℃で二次窒化し、窒素含有量は7.1%となっている。
〔2〕アンモニアガス流量が金属タンタル1gに対して0.03L/min以上0.5L/min以下で窒化する〔1〕記載の製造方法。
〔3〕用いる金属タンタルが、最大粒子径が50μm以下になるように粉砕されたものである〔1〕又は〔2〕記載の製造方法。
粉砕時間は、10分以上2時間以下が好ましく、さらに好ましくは20分以上1時間以下である。
グローブボックス内にて炉心管(内径50mm、長さ600mm)に金属Ta3gを入れ、シリコンキャップで密閉した。グローブボックスから取り出した炉心管を管状炉にセットした。その後、アンモニアガスを1L/min雰囲気下で、反応温度900℃、20時間で窒化した。原料の金属Taの最大粒子径は47.8μm、D50は14.9μmであった。
得られた合成物の粉末XRD解析を行ったところ単相のTa3N5であった(図1)。得られたTa3N5を窒素酸素同時分析計で定量したところ、N量は11.2mass%であり理論量(11.43mass%)から算出した純度は98.0%であった。また、O量は0.5mass%と低かった。得られた合成物の最大粒子径は29.9μm、D50は9.8μmであった。
反応温度を850℃とした以外は、実施例1と同様の操作を行った。
得られた合成物の粉末XRD解析を行ったところ単相のTa3N5であった(図2)。得られたTa3N5を窒素酸素同時分析計で定量したところ、N量は11.0mass%であり理論量(11.43mass%)から算出した純度は96.2%であった。また、O量は0.6mass%と低かった。
窒化時間を30時間とした以外は、実施例2と同様の操作を行った。
得られた合成物の粉末XRD解析を行ったところ単相のTa3N5であった(図3)。
得られたTa3N5を窒素酸素同時分析計で定量したところ、N量は11.2mass%であり理論量(11.43mass%)から算出した純度は98.0%であった。また、O量は0.4mass%と低かった。
窒化時間を10時間とした以外は、実施例2と同様の操作を行った。
得られた合成物の粉末XRD解析を行ったところ単相のTa3N5であった(図4)。得られたTa3N5を窒素酸素同時分析計で定量したところ、N量は10.9mass%であり理論量(11.43mass%)から算出した純度は95.4%であった。また、O量は0.7mass%と低かった。
窒化時間を48時間とした以外は、実施例2と同様の操作を行った。
得られた合成物の粉末XRD解析を行ったところ単相のTa3N5であった(図5)。
得られたTa3N5を窒素酸素同時分析計で定量したところ、N量は11.1mass%であり理論量(11.43mass%)から算出した純度は97.1%であった。またO量は0.6mass%と低かった。
金属Ta10gにアンモニアガスを0.3L/minとした以外は、実施例1と同様の操作を行った。
得られた合成物の粉末XRD解析を行ったところ単相のTa3N5であった(図6)。得られたTa3N5を窒素酸素同時分析計で定量したところ、N量は11.0mass%であり理論量(11.43mass%)から算出した純度は96.2%であった。また、O量は0.6mass%と低かった。
金属Ta10gにアンモニアガスを3L/minとした以外は、実施例1と同様の操作を行った。
得られた合成物の粉末XRD解析を行ったところ単相のTa3N5であった(図7)。得られたTa3N5を窒素酸素同時分析計で定量したところ、N量は11.1mass%であり理論量(11.43mass%)から算出した純度は97.1%であった。また、O量は0.5mass%と低かった。
金属Ta10gにアンモニアガス流量を、5L/minとした以外は、実施例1と同様の操作を行った。
得られた合成物の粉末XRD解析を行ったところ単相のTa3N5であった(図8)。得られたTa3N5を窒素酸素同時分析計で定量したところ、N量は11.2mass%であり理論量(11.43mass%)から算出した純度は98.0%であった。また、O量は0.7mass%と低かった。
グローブボックス内にて金属Ta10gをジルコニア製粉砕容器(500mL)に仕込み、粉砕助剤としてトリエチルアミンを数滴入れ、遊星ボールミル装置にて350rpm、30分粉砕した。粉砕した金属Taはグローブボックス内で取り出した。粉砕した金属Taの粒度は粒子径分布測定装置で測定したところ、最大粒子径は8.0μm、D50は2.3μmであった。
粉砕した金属Taを出発原料として、反応温度800℃以外は、実施例1と同様の操作を行った。
得られた合成物の粉末XRD解析を行ったところ単相のTa3N5であった(図9)。得られたTa3N5を窒素酸素同時分析計で定量したところ、N量は11.3mass%であり理論量(11.43mass%)から算出した純度は98.9%であった。また、O量は0.5mass%と低かった。得られた合成物の最大粒子径は16.0μm、D50は4.5μmであった。
反応温度を700℃とした以外は、実施例1と同様の操作を行った。
得られた合成物の粉末XRD解析を行ったところ金属のTaであった(図10)。
反応温度を1000℃とした以外は、実施例1と同様の操作を行った。
得られた合成物の粉末XRD解析を行ったところTa3N5と金属Taの混合相であった(図11)。
出発原料を酸化タンタル(Ta2O5)とした以外は、実施例1と同様の操作を行った。
得られた合成物の粉末XRD解析を行ったところ単相のTa3N5であった(図12)。得られたTa3N5を窒素酸素同時分析計で定量したところ、N量は11.3mass%であり理論量(11.43mass%)から算出した純度は98.9%であった。しかし、O量は1.1mass%と高かった。
Claims (3)
- 金属タンタルを800〜950℃で、アンモニアガス下窒化することを特徴とする窒化タンタル(Ta3N5)の製造方法。
- アンモニアガス流量が金属タンタル1gに対して0.03L/min以上0.5L/min以下で窒化する請求項1記載の製造方法。
- 用いる金属タンタルが、最大粒子径が50μm以下になるように粉砕されたものである請求項1又は2記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016050360A JP6660776B2 (ja) | 2016-03-15 | 2016-03-15 | 窒化タンタル(Ta3N5)の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016050360A JP6660776B2 (ja) | 2016-03-15 | 2016-03-15 | 窒化タンタル(Ta3N5)の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017165605A true JP2017165605A (ja) | 2017-09-21 |
JP6660776B2 JP6660776B2 (ja) | 2020-03-11 |
Family
ID=59912718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016050360A Active JP6660776B2 (ja) | 2016-03-15 | 2016-03-15 | 窒化タンタル(Ta3N5)の製造方法 |
Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP6660776B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108640092A (zh) * | 2018-04-18 | 2018-10-12 | 南京大学 | 一种含氧化合物辅助一步氮化法制备金属氮化物薄膜的方法 |
JP2019155270A (ja) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | 太平洋セメント株式会社 | 光触媒 |
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2016
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---|---|---|---|---|
JP2019155270A (ja) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | 太平洋セメント株式会社 | 光触媒 |
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CN108640092A (zh) * | 2018-04-18 | 2018-10-12 | 南京大学 | 一种含氧化合物辅助一步氮化法制备金属氮化物薄膜的方法 |
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---|---|
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