JP2017152644A - 電子装置およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 32
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 177
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 175
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims abstract description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 53
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 53
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 44
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 24
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 1
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。
本願発明は、基板と、前記基板上に設けられ、複数の原子層が積層されたグラフェン層と、前記グラフェン層上に設けられた複数のオーミック電極と、を具備し、前記複数のオーミック電極が前記グラフェン層に電気的に接触する第1領域における前記グラフェン層のラマン分光法を用いて測定したGバンドに対するDバンドの強度比は、前記複数のオーミック電極間の前記グラフェン層内をキャリアが走行する第2領域における前記グラフェン層のラマン分光法を用いて測定したGバンドに対するDバンドの強度比より大きい電子装置である。これにより、キャリアが走行する第2領域のグラフェン層の移動度を低下させず、かつオーミック電極とグラフェン層との接触抵抗を低減することができる。
[本願発明の実施形態の詳細]
基板と、前記基板上に設けられ、複数の原子層が積層されたグラフェン層と、
前記グラフェン層上に設けられた複数のオーミック電極と、を具備し、前記複数のオーミック電極が前記グラフェン層に電気的に接触する第1領域における前記グラフェン層のラマン分光法を用いて測定したGバンドに対するDバンドの強度比は、前記複数のオーミック電極間の前記グラフェン層内をキャリアが走行する第2領域における前記グラフェン層のラマン分光法を用いて測定したGバンドに対するDバンドの強度比より大きい電子装置。
(付記2)
前記第1領域における前記グラフェン層のラマン分光法を用いて測定したGバンドに対するDバンドの強度比は0.10以上かつ0.18未満である付記1に記載の電子装置。
(付記3)
前記第2領域における前記グラフェン層上に設けられたゲート電極を具備する付記1に記載の電子装置。
(付記4)
基板上に、複数の原子層が積層されたグラフェン層を形成する工程と、第1領域における前記グラフェン層の表面に紫外線オゾン処理または酸素アッシング処理を行ない、第2領域における前記グラフェン層の表面に前記紫外線オゾン処理または酸素アッシング処理を行なわない工程と、前記第1領域における前記グラフェン層の表面上に複数のオーミック電極を形成する工程と、を含み、前記第2領域は、前記複数のオーミック電極間の前記グラフェン層内をキャリアが走行する領域である電子装置の製造方法。
(付記5)
前記紫外線オゾン処理または酸素アッシング処理を行なう工程は、前記酸素アッシング処理を行なう工程を含む付記4に記載の電子装置の製造方法。
(付記6)
前記グラフェン層上に前記グラフェン層の前記表面が露出する開口を有するマスクを形成する工程を含み、前記紫外線オゾン処理または酸素アッシング処理を行なう工程は、前記開口を介し前記グラフェン層の前記表面に前記紫外線オゾン処理または酸素アッシング処理を行なう工程を含む付記4に記載の電子装置の製造方法。
(付記7)
前記オーミック電極は前記グラフェン層に接触するニッケル層を含む付記3に記載の電子装置。
(付記8)
前記第1領域における前記グラフェン層のラマン分光法を用いて測定したGバンドに対するDバンドの強度比は、前記第2領域における前記グラフェン層のラマン分光法を用いて測定したGバンドに対するDバンドの強度比より大きい付記4に記載の電子装置の製造方法。
(付記9)
前記第2領域における前記グラフェン層のラマン分光法を用いて測定したGバンドに対するDバンドの強度比は0.10以上かつ0.18未満である付記4に記載の電子装置の製造方法。
(付記10)
前記第2領域となる前記グラフェン層上にゲート電極を形成する工程を含む付記4に記載の電子装置の製造方法。
12 グラフェン層
14 ゲート絶縁膜
15 Al膜
16 酸化アルミニウム膜
18 酸化シリコン膜
20 ゲート電極
24 ソース電極
25 オーミック電極
26 ドレイン電極
30 パッド
40 炭素原子
42 σ軌道
44 σ結合
46 ππ*軌道
47 電子雲
48、48a、48b 原子層
49 欠陥
50 フォトレジスト
52 マスク層
54 開口
60 第1領域
62 第2領域
70 矢印
Claims (6)
- 基板と、
前記基板上に設けられ、複数の原子層が積層されたグラフェン層と、
前記グラフェン層上に設けられた複数のオーミック電極と、
を具備し、
前記複数のオーミック電極が前記グラフェン層に電気的に接触する第1領域における前記グラフェン層のラマン分光法を用いて測定したGバンドに対するDバンドの強度比は、前記複数のオーミック電極間の前記グラフェン層内をキャリアが走行する第2領域における前記グラフェン層のラマン分光法を用いて測定したGバンドに対するDバンドの強度比より大きい電子装置。 - 前記第1領域における前記グラフェン層のラマン分光法を用いて測定したGバンドに対するDバンドの強度比は0.10以上かつ0.18未満である請求項1に記載の電子装置。
- 前記第2領域における前記グラフェン層上に設けられたゲート電極を具備する請求項1または2に記載の電子装置。
- 基板上に、複数の原子層が積層されたグラフェン層を形成する工程と、
第1領域における前記グラフェン層の表面に紫外線オゾン処理または酸素アッシング処理を行ない、第2領域における前記グラフェン層の表面に前記紫外線オゾン処理または酸素アッシング処理を行なわない工程と、
前記第1領域における前記グラフェン層の表面上に複数のオーミック電極を形成する工程と、
を含み、
前記第2領域は、前記複数のオーミック電極間の前記グラフェン層内をキャリアが走行する領域である電子装置の製造方法。 - 前記紫外線オゾン処理または酸素アッシング処理を行なう工程は、前記酸素アッシング処理を行なう工程を含む請求項4に記載の電子装置の製造方法。
- 前記グラフェン層上に前記グラフェン層の前記表面が露出する開口を有するマスクを形成する工程を含み、
前記紫外線オゾン処理または酸素アッシング処理を行なう工程は、前記開口を介し前記グラフェン層の前記表面に前記紫外線オゾン処理または酸素アッシング処理を行なう工程を含む請求項4または5に記載の電子装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016036123A JP6666168B2 (ja) | 2016-02-26 | 2016-02-26 | 電子装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016036123A JP6666168B2 (ja) | 2016-02-26 | 2016-02-26 | 電子装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017152644A true JP2017152644A (ja) | 2017-08-31 |
JP6666168B2 JP6666168B2 (ja) | 2020-03-13 |
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ID=59739727
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6666168B2 (ja) |
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