JP2017152457A - コイル部品 - Google Patents

Abstract

【課題】特性インピーダンスを改善することによって高い伝送特性を得ることが可能なコイル部品を提供する。【解決手段】互いに巻回数の等しいスパイラル導体４１，４２間に設けられた絶縁層３２と、互いに巻回数の等しいスパイラル導体４３，４４間に設けられた絶縁層３４を含み、スパイラル導体４１，４３は短絡されてコイルを構成し、スパイラル導体４２，４４は短絡されてコイルを構成し、スパイラル導体４１，４２の巻回数は、スパイラル導体４３，４４の巻回数よりも多く、絶縁層３２の膜厚は絶縁層３４の膜厚よりも薄い。本発明によれば、相対的に巻回数の多いスパイラル導体４１，４２間には相対的に薄い絶縁層３２が設けられ、相対的に巻回数の少ないスパイラル導体４３，４４間には相対的に厚い絶縁層３４が設けられていることから、スパイラル導体間における特性インピーダンスの差が低減される。【選択図】図２

Description

本発明はコイル部品に関し、特に、４つのスパイラル導体が積層されてなるコイル部品に関する。

一般的なコモンモードフィルタは、磁性基板上に２つのスパイラル導体が積層され、これにより２つのスパイラル導体が互いに磁気結合する構成を有している。しかしながら、スパイラル導体が２つであると、巻回数を多くしつつ十分な導体幅を確保することが困難となる。このような問題を解決する方法として、４つのスパイラル導体を積層し、このうちの２つを短絡して第１のコイルとし、残りの２つを短絡して第２のコイルとする方法が挙げられる（特許文献１、２参照）。

特開２０１５−５６２８号公報 特開２００７−２００９２３号公報

しかしながら、４つのスパイラル導体を積層する場合、短絡された各コイルに必要な巻回数によっては、上層のスパイラル導体の巻回数と下層のスパイラル導体の巻回数が相違することがある。この場合、巻回数の多いスパイラル導体と巻回数の少ないスパイラル導体の特性インピーダンスが相違してしまい、信号の伝送特性が悪化することがあった。

したがって、本発明の目的は、スパイラル導体間において巻回数に差がある場合であっても、特性インピーダンスを改善することによって高い伝送特性を得ることが可能なコイル部品を提供することである。

本発明によるコイル部品は、複数の絶縁層を介して互いに積層された第１、第２、第３及び第４のスパイラル導体を備え、前記複数の絶縁層は、前記第１のスパイラル導体と前記第２のスパイラル導体との間に設けられた第１の絶縁層と、前記第３のスパイラル導体と前記第４のスパイラル導体との間に設けられた第２の絶縁層とを含み、前記第１のスパイラル導体と前記第３のスパイラル導体は短絡されて第１のコイルを構成し、前記第２のスパイラル導体と前記第４のスパイラル導体は短絡されて第２のコイルを構成し、前記第１のスパイラル導体と前記第２のスパイラル導体の巻回数は互いに等しく、前記第３のスパイラル導体と前記第４のスパイラル導体の巻回数は互いに等しく、前記第１及び第２のスパイラル導体の巻回数は、前記第３及び第４のスパイラル導体の巻回数よりも多く、前記第１の絶縁層の膜厚は、前記第２の絶縁層の膜厚よりも薄いことを特徴とする。

本発明によれば、相対的に巻回数の多い第１及び第２のスパイラル導体間には相対的に薄い第１の絶縁層が設けられ、相対的に巻回数の少ない第３及び第４のスパイラル導体間には相対的に厚い第２の絶縁層が設けられていることから、スパイラル導体間における特性インピーダンスの差が低減される。これにより、従来よりも高い伝送特性を得ることが可能となる。

本発明において、前記第１のスパイラル導体と前記第２のスパイラル導体の導体幅は互いに等しく、前記第３のスパイラル導体と前記第４のスパイラル導体の導体幅は互いに等しく、前記第３及び第４のスパイラル導体の導体幅は、前記第１及び第２のスパイラル導体の導体幅よりも太いことが好ましい。これによれば、直流抵抗をより低減することが可能となる。

本発明において、前記第１、第２、第３及び第４のスパイラル導体は、磁性基板上にこの順に積層されていることが好ましい。これによれば、より平坦性の高い低層位置に第１及び第２のスパイラル導体が配置されることから、巻回数の多い第１及び第２のスパイラル導体を容易に形成することが可能となる。

本発明において、前記第１及び第２のスパイラル導体の巻回数と、前記第３及び第４のスパイラル導体の巻回数との差は、奇数であることが好ましい。この場合、各スパイラル導体の巻回数を一致させることは困難となるが、このような場合であっても、高い伝送特性を確保することが可能となる。

本発明において、前記第１、第２、第３及び第４のスパイラル導体のそれぞれは、所定の導体幅を有する所定ターンと、前記所定ターンよりも内周側に位置し、導体幅が前記所定の導体幅よりも細い内周ターンと、前記所定ターンよりも外周側に位置し、導体幅が前記所定の導体幅よりも太い外周ターンとを含むことが好ましい。特に、前記第１、第２、第３及び第４のスパイラル導体のそれぞれを構成する複数ターンは、内周側から外周側に向かって連続的又は段階的に導体幅が太くなることが好ましい。これによれば、同じスパイラル導体内における特性インピーダンスのばらつきについても低減されることから、より高い伝送特性を得ることが可能となる。

本発明によれば、スパイラル導体間において巻回数に差がある場合であっても、特性インピーダンスの差が低減されることから、より高い伝送特性を得ることが可能となる。

図１は、本発明の好ましい実施形態によるコイル部品１０の外観を示す略斜視図である。 図２は、積層構造体２０の構造を説明するための図である。 図３は、コイル部品１０の等価回路図である。 図４は、積層方向における積層構造体２０の部分断面図である。 図５は、積層構造体２０の形成方法を説明するための工程図である。 図６は、積層構造体２０の形成方法を説明するための工程図である。 図７は、変形例による第１のスパイラル導体４１の一部を示す部分平面図である。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。

図１は、本発明の好ましい実施形態によるコイル部品１０の外観を示す略斜視図であって、実装状態に対して上下反転させた図である。

図１に示すように、本実施形態によるコイル部品１０は、略直方体形状である表面実装型のコモンモードフィルタであり、磁性基板１１と、磁性基板１１上に設けられた積層構造体２０と、積層構造体２０上に設けられた第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４及び磁性樹脂層１２とを備えている。積層構造体２０の具体的な構成については後述する。特に限定されるものではないが、コイル部品１０のサイズは、ｘ方向における長さが０．６５ｍｍ、ｙ方向における幅が０．５ｍｍ、ｚ方向における高さが０．３ｍｍである。実装時においては、図１に示す状態から上下反転され、第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４が設けられたｘｙ面がプリント基板と向かい合うようにして実装される。本実施形態によるコイル部品１０は、磁性基板１１上に積層構造体２０が積層されてなる積層型の薄膜コイル部品であり、磁性コア又はボビンにワイヤを巻回してなるいわゆる巻線型のコイル部品とはタイプが異なるものである。

磁性基板１１は積層構造体２０を積層する際の基板であるとともに、積層構造体２０を物理的に保護し、且つ、コイル部品１０の磁路を構成するものである。磁性基板１１の材料としては、焼結フェライト、複合フェライト（フェライト粉含有樹脂）等を用いることができるが、機械的強度が高く磁気特性に優れた焼結フェライトを用いることが特に好ましい。

第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４は、いずれも角部に配置されている。このため、端子電極Ｅ１〜Ｅ４は、コイル部品１０の３つの側面（ｘｙ面、ｘｚ面、ｙｚ面）に露出している。特に限定されるものではないが、端子電極Ｅ１〜Ｅ４は厚膜めっき法によって形成され、その厚さはスパッタリング法やスクリーン印刷により形成される電極パターンよりも十分に厚い。

磁性樹脂層１２は、積層構造体２０を物理的に保護するとともに、第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４を固定・支持するものであり、第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４の周囲を埋め込むように設けられている。磁性樹脂層１２の上面（ｘｙ面）は、第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４の上面（ｘｙ面）と同一平面を構成している。磁性樹脂層１２の材料としては、複合フェライトを用いることが好ましい。磁性樹脂層１２は高い磁気特性を有しており、磁性基板１１と共に磁路を構成する。

図２はコイル部品１０の略分解斜視図であり、特に、積層構造体２０の構造を説明するための図である。

図２に示すように、積層構造体２０は、磁性基板１１側から磁性樹脂層１２側に向かって順に積層された絶縁層３１〜３５を備えており、これら絶縁層３１〜３５間に４つの導体層Ｍ１〜Ｍ４が形成されている。絶縁層３１〜３５は例えば樹脂からなり、第１〜第４の導体層Ｍ１〜Ｍ４を互いに分離する役割を果たす。

第１〜第４の導体層Ｍ１〜Ｍ４は、それぞれ第１〜第４のスパイラル導体４１〜４４を含む。このうち、第１及び第２のスパイラル導体４１，４２は、平面視で外周端から内周端に向かって時計回り（右回り）に巻回されており、第３及び第４のスパイラル導体４３，４４は、平面視で外周端から内周端に向かって反時計回り（左回り）に巻回されている。本実施形態においては、第１及び第２のスパイラル導体４１，４２の巻回数が６ターンであり、第３及び第４のスパイラル導体４３，４４の巻回数が５ターンである。つまり、その差は１ターンである。

第１のスパイラル導体４１の外周端４１ａは、接続導体６１，７１，８１を介して第１の端子電極Ｅ１に接続される。第２のスパイラル導体４２の外周端４２ａは、接続導体７２，８２を介して第２の端子電極Ｅ２に接続される。第３のスパイラル導体４３の外周端４３ａは、接続導体８３を介して第３の端子電極Ｅ３に接続される。第４のスパイラル導体４４の外周端４４ａは、第４の端子電極Ｅ４に接続される。

第１のスパイラル導体４１の内周端４１ｂは、接続導体６５を介して、第３のスパイラル導体４３の内周端４３ｂに接続される。第２のスパイラル導体４２の内周端４２ｂは、接続導体７５を介して、第４のスパイラル導体４４の内周端４４ｂに接続される。

これにより、等価回路図である図３に示すように、第１のスパイラル導体４１と第３のスパイラル導体４３は短絡され、第１のコイルＣ１を構成する。また、第２のスパイラル導体４２と第４のスパイラル導体４４は短絡され、第２のコイルＣ２を構成する。第１のコイルＣ１は第１の端子電極Ｅ１と第３の端子電極Ｅ３との間に直列に接続され、第２のコイルＣ２は第２の端子電極Ｅ２と第４の端子電極Ｅ４との間に直列に接続される。したがって、本実施形態によるコイル部品１０は、コモンモードフィルタ回路を構成する。

図２に示すように、磁性樹脂層１２は、第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４に対応する部分がくり抜かれた形状を有している。さらに、絶縁層３１〜３５にはそれぞれスルーホール３１Ｈ〜３５Ｈが設けられ、これらスルーホール３１Ｈ〜３５Ｈを埋めるよう、磁性樹脂層１３が設けられている。磁性樹脂層１３は磁性樹脂層１２の一部であり、両者は一体的な構造を有している。

図４は、積層方向における積層構造体２０の部分断面図である。

図４に示すように、第１のスパイラル導体４１を構成する各ターンと第２のスパイラル導体４２を構成する各ターンは、ｚ方向から見て互いに重なる位置に設けられる。同様に、第３のスパイラル導体４３を構成する各ターンと第４のスパイラル導体４４を構成する各ターンは、ｚ方向から見て互いに重なる位置に設けられる。これにより、第１のスパイラル導体４１と第２のスパイラル導体４２は互いに磁気結合し、第３のスパイラル導体４３と第４のスパイラル導体４４は互いに磁気結合する。本実施形態においては、第１及び第２のスパイラル導体４１，４２と、第３及び第４のスパイラル導体４３，４４もｚ方向に重なっているが、両者は互いに巻回数が異なるため、第１及び第２のスパイラル導体４１，４２を構成する各ターンと、第３及び第４のスパイラル導体４３，４４を構成する各ターンが正確に重なるわけではない。

そして、第１及び第２のスパイラル導体４１，４２の導体幅をＷ１とし、第３及び第４のスパイラル導体４３，４４の導体幅をＷ２とした場合、
Ｗ１＜Ｗ２
である。一例として、Ｗ１＝１０μｍ、Ｗ２＝１２μｍである。第３及び第４のスパイラル導体４３，４４の導体幅Ｗ２をより広く設計しているのは、第１及び第２のスパイラル導体４１，４２の巻回数（例えば６ターン）よりも、第３及び第４のスパイラル導体４３，４４の巻回数（例えば５ターン）の方が少なく、より導体幅を太くできる余裕があるからである。これにより、第３及び第４のスパイラル導体４３，４４の直流抵抗を低減することが可能となる。

さらに、第１及び第２のスパイラル導体４１，４２間を分離する絶縁層３２の膜厚をＨ１とし、第３及び第４のスパイラル導体４３，４４間を分離する絶縁層３４の膜厚をＨ２とした場合、
Ｈ１＜Ｈ２
である。一例として、Ｈ１＝６μｍ、Ｈ２＝８μｍである。

絶縁層３２の膜厚Ｈ１を絶縁層３４の膜厚Ｈ２よりも薄く設定しているのは、第３及び第４のスパイラル導体４３，４４の巻回数（例えば５ターン）よりも、第１及び第２のスパイラル導体４１，４２の巻回数（例えば６ターン）の方が多いからである。これは、巻回数が多くなるとインダクタンスが大きくなり、その分、漏れインダクタンス成分も増加するため、寄生キャパシタンス成分を増加させることによってバランスを図ることにより、特性インピーダンスを所望の値とすることができるからである。つまり、巻回数の多い第１及び第２のスパイラル導体４１，４２間に位置する絶縁層３２の膜厚Ｈ１を薄くすることにより、第１及び第２のスパイラル導体４１，４２の寄生キャパシタンス成分を増加させる一方、巻回数の少ない第３及び第４のスパイラル導体４３，４４間に位置する絶縁層３４の膜厚Ｈ２を厚くすることにより、第３及び第４のスパイラル導体４３，４４の寄生キャパシタンス成分を減少させている。これにより、各スパイラル導体４１〜４４の特性インピーダンスのばらつきが低減されることから、高い伝送特性を得ることが可能となる。

絶縁層３３の膜厚Ｈ３については特に制限されず、Ｈ１＝６μｍ、Ｈ２＝８μｍであれば、Ｈ３＝５〜１０μｍ程度とすればよい。

尚、本発明において、導体の「幅」とは、スパイラル導体の積層方向における断面の辺であって、ｘｙ平面と平行な辺の長さを指す。また、本発明において、導体の「膜厚」又は「高さ」とは、スパイラル導体の積層方向における断面の辺であって、ｚ方向における辺の長さを指す。

本実施形態においては、第１及び第２のスパイラル導体４１，４２の巻回数が６ターン、第３及び第４のスパイラル導体４３，４４の巻回数が５ターンであり、その差は１ターンであるが、本発明がこれに限定されるものではなく、巻回数の差は何ターンであっても構わない。ここで、巻回数の差が偶数である場合は、巻回数の多いスパイラル導体の巻回数を減らし、巻回数の少ないスパイラル導体の巻回数を増やすことによって、両者の巻回数を同数とすることができるが、巻回数の差が奇数である場合はこれが不可能である。したがって、本発明は、巻回数の差が奇数である場合において特に有効である。

尚、本発明における「巻回数」は、端子電極への引き出しに起因して生じる端数は無視して考える。例えば、第１及び第２のスパイラル導体４１，４２は厳密には６．２５ターンであり、第３及び第４のスパイラル導体４３，４４は厳密には５．２５ターンであるが、各スパイラル導体４１〜４４の０．２５ターンは、端子電極Ｅ１〜Ｅ４への引き出しに起因して生じる端数であることから、この端数は無視してカウントすればよい。

次に、積層構造体２０の形成方法について説明する。

図５及び図６は、図２に示した積層構造体２０の形成方法を説明するための工程図である。

まず、所定の厚さを持った焼結フェライトなどからなる磁性基板１１を用意し、その上面に絶縁層３１を形成する。次に、図５（ａ）に示すように、絶縁層３１の上面に第１のスパイラル導体４１及び接続導体５２〜５５からなる導体層Ｍ１を形成する。第１のスパイラル導体４１の巻回数は例えば６ターンであり、図４を用いて説明したとおり、その導体幅はＷ１である。これら導体の形成方法としては、スパッタリング法などの薄膜プロセスを用いて下地金属膜を形成した後、電解メッキ法を用いて所望の膜厚までメッキ成長させることが好ましい。以降に形成する他の導体の形成方法についても同様である。

次に、図５（ｂ）に示すように、導体層Ｍ１を覆うように、絶縁層３１の上面に絶縁層３２を形成した後、絶縁層３２にスルーホール３２ａ〜３２ｆを形成する。具体的には、スピンコート法によって樹脂材料を塗布した後、フォトリソグラフィー法によって所定のパターンを形成することにより、スルーホール３２ａ〜３２ｆを有する絶縁層３２を形成することができる。以降に形成する絶縁層の形成方法についても同様である。図４を用いて説明したとおり、絶縁層３２の膜厚はＨ１である。図５（ｂ）に示すスルーホール３２ａは、第１のスパイラル導体４１の外周端４１ａを露出させる位置に形成され、スルーホール３２ｅは、第１のスパイラル導体４１の内周端４１ｂを露出させる位置に形成され、スルーホール３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ，３２ｆはそれぞれ接続導体５２〜５５を露出させる位置に形成される。

次に、図５（ｃ）に示すように、絶縁層３２の上面に第２のスパイラル導体４２及び接続導体６１，６３〜６５からなる導体層Ｍ２を形成する。図４を用いて説明したとおり、第２のスパイラル導体の各ターンは、第１のスパイラル導体４１の同一ターンと正確に重なるようアライメントされる。第２のスパイラル導体の外周端４２ａ及び内周端４２ｂは、それぞれスルーホール３２ｂ，３２ｆに対応する位置に形成され、接続導体６１，６３〜６５は、それぞれスルーホール３２ａ，３２ｃ，３２ｄ，３２ｅに対応する位置に形成される。これにより、第２のスパイラル導体４２の外周端４２ａは接続導体５２に接続され、第２のスパイラル導体の内周端４２ｂは接続導体５５に接続され、接続導体６１，６５はそれぞれ第１のスパイラル導体４１の外周端４１ａ及び内周端４１ｂに接続され、接続導体６３，６４はそれぞれ接続導体５３，５４に接続される。

次に、図５（ｄ）に示すように、導体層Ｍ２を覆うように、絶縁層３２の上面に絶縁層３３を形成した後、絶縁層３３にスルーホール３３ａ〜３３ｆを形成する。図５（ｄ）に示すスルーホール３３ｂは、第２のスパイラル導体４２の外周端４２ａを露出させる位置に形成され、スルーホール３３ｆは、第２のスパイラル導体４２の内周端４２ｂを露出させる位置に形成され、スルーホール３３ａ，３３ｃ，３３ｄ，３３ｅはそれぞれ接続導体６１，６３〜６５を露出させる位置に形成される。

次に、図６（ａ）に示すように、絶縁層３３の上面に第３のスパイラル導体４３及び接続導体７１，７２，７４，７５からなる導体層Ｍ３を形成する。第３のスパイラル導体４３の巻回数は例えば５ターンであり、図４を用いて説明したとおり、その導体幅はＷ２（＞Ｗ１）である。第３のスパイラル導体の外周端４３ａ及び内周端４３ｂは、それぞれスルーホール３３ｃ，３３ｅに対応する位置に形成され、接続導体７１，７２，７４，７５は、それぞれスルーホール３３ａ，３３ｂ，３３ｄ，３３ｆに対応する位置に形成される。これにより、第３のスパイラル導体の外周端４３ａは接続導体６３に接続され、第３のスパイラル導体の内周端４３ｂは接続導体６５に接続され、接続導体７２，７５はそれぞれ第２のスパイラル導体４２の外周端４２ａ及び内周端４２ｂに接続され、接続導体７１，７４はそれぞれ接続導体６１，６４に接続される。

次に、図６（ｂ）に示すように、導体層Ｍ３を覆うように、絶縁層３３の上面に絶縁層３４を形成した後、絶縁層３４にスルーホール３４ａ〜３４ｆを形成する。図４を用いて説明したとおり、絶縁層３４の膜厚はＨ２（＞Ｈ１）である。図６（ｂ）に示すスルーホール３４ｃは、第３のスパイラル導体４３の外周端４３ａを露出させる位置に形成され、スルーホール３４ｅは、第３のスパイラル導体４３の内周端４３ｂを露出させる位置に形成され、スルーホール３４ａ，３４ｂ，３４ｄ，３４ｆはそれぞれ接続導体７１，７２，７４，７５を露出させる位置に形成される。

次に、図６（ｃ）に示すように、絶縁層３４の上面に第４のスパイラル導体４４及び接続導体８１〜８３，８５からなる導体層Ｍ４を形成する。図４を用いて説明したとおり、第４のスパイラル導体の各ターンは、第３のスパイラル導体４３の同一ターンと正確に重なるようアライメントされる。第４のスパイラル導体の外周端４４ａ及び内周端４４ｂは、それぞれスルーホール３４ｄ，３４ｆに対応する位置に形成され、接続導体８１〜８３，８５は、それぞれスルーホール３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｅに対応する位置に形成される。これにより、第４のスパイラル導体の外周端４４ａは接続導体７４に接続され、第４のスパイラル導体の内周端４４ｂは接続導体７５に接続され、接続導体８３，８５はそれぞれ第３のスパイラル導体４３の外周端４３ａ及び内周端４３ｂに接続され、接続導体８１，８２はそれぞれ接続導体７１，７２に接続される。

次に、図６（ｄ）に示すように、導体層Ｍ４を覆うように、絶縁層３４の上面に絶縁層３５を形成した後、絶縁層３５にスルーホール３５ａ〜３５ｄを形成する。図６（ｄ）に示すスルーホール３５ａ〜３５ｃは、それぞれ接続導体８１〜８３を露出する位置に形成され、スルーホール３５ｄは第４のスパイラルコイル４４の外周端４４ａを露出させる位置に形成される。

次に、図６（ｅ）に示すように、絶縁層３５の表面に第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４を形成する。第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４の形成方法は、次の通りである。まず、接続導体８１〜８３及び第４のスパイラルコイル４４の外周端４４ａが露出した絶縁層３５の全面に、下地となるＣｕ膜をスパッタリング法により形成する。その後、シートレジストを貼り付け、露光及び現像することにより、第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４を形成すべき領域にあるシートレジストを選択的に除去し、当該領域のＣｕ膜を露出させる。そして、この状態で肉厚な第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４を電気めっきにより形成する。その後、シートレジストを除去し、全面をエッチングすることにより不要なＣｕ膜を除去すれば、柱状である第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４が形成される。

次に、図６（ｆ）に示すように、開口部３６Ｈを有するイオンミリング用マスク３６を形成し、この状態でイオンミリングを行う。これにより、絶縁層３１〜３５にスルーホール３１Ｈ〜３５Ｈが形成され、当該位置において磁性基板１１が露出する。そして、複合フェライトのペーストを全面に形成し、硬化させれば、第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４の周囲を埋める磁性樹脂層１２と、スルーホール３１Ｈ〜３５Ｈに埋め込まれた磁性樹脂層１３が形成される。その後は、第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４上の不要な複合フェライトを除去すれば、本実施形態によるコイル部品１０が完成する。

以上説明したように、本実施形態によるコイル部品１０は、第１及び第２のスパイラル導体４１，４２の巻回数（６ターン）の方が第３及び第４のスパイラル導体４３，４４の巻回数（５ターン）よりも多く、且つ、絶縁層３２の膜厚Ｈ１の方が絶縁層３４の膜厚Ｈ２よりも薄いことから、巻回数の違いによるインダクタンス差に起因した特性インピーダンスのばらつきが抑制され、高い伝送特性を得ることが可能となる。

しかも、巻回数の少ない第３及び第４のスパイラル導体４３，４４の導体幅Ｗ２を、巻回数の多い第１及び第２のスパイラル導体４１，４２の導体幅Ｗ１よりも太くしていることから、同じ導体幅とした場合と比べて直流抵抗を低減することも可能となる。

図７は、変形例による第１のスパイラル導体４１の一部を示す部分平面図である。

図７に示す変形例では、第１のスパイラル導体４１の導体幅が内周側から外周側に向かって太くなっている。つまり、第１のスパイラル導体４１の第１〜第６ターンをそれぞれ導体４１_１〜４１_６とした場合、導体４１_１〜４１_６の導体幅Ｗ１１〜Ｗ１６は、
Ｗ１１＜Ｗ１２＜Ｗ１３＜Ｗ１４＜Ｗ１５＜Ｗ１６
である。隣接する導体間におけるスペースは一定であることが好ましい。

図示しないが、第１のスパイラル導体４１がこのような平面形状を有している場合、第２のスパイラル導体４２についても、第１のスパイラル導体４１の平面形状と一致させる必要がある。つまり、第２のスパイラル導体４２の各ターンは、第１のスパイラル導体４１の同一ターンと同じ導体幅となるよう、内周側から外周側に向かって太くする必要がある。第３のスパイラル導体４３と第４のスパイラル導体４４についても同様であり、内周側から外周側に向かって太くする。

このような構成によれば、同じスパイラル導体内においても特性インピーダンスのばらつきが抑制される。これは、平面的なスパイラル導体においては、内周ターンほど漏れインダクタンス成分が小さく、外周ターンほど漏れインダクタンス成分が大きくなる傾向があるからである。つまり、導体幅を内周側から外周側に向かって太くすることにより、内周ターンほど寄生キャパシタンス成分を小さくし、外周ターンほど寄生キャパシタンス成分を大きくすることにより、特性インピーダンスの面内ばらつきが抑制されるので、より高い伝送特性を得ることが可能となる。

尚、導体幅を内周側から外周側に向かって太くする場合、内周側から外周側に向かって連続的に導体幅を太くしても構わないし、内周側から外周側に向かって段階的に導体幅を太くしても構わない。また、導体幅が全てのターンにおいて相違することは必須でなく、一部のターンにおいて導体幅が同じであっても構わない。一例として、
Ｗ１１＝Ｗ１２＜Ｗ１３＝Ｗ１４＜Ｗ１５＝Ｗ１６
であっても構わない。この場合、導体４１_３，４１_４を中間に位置する所定ターンとした場合、導体４１_１，４１_２はより細い内周ターンを構成し、導体４１_５，４１_６はより太い外周ターンを構成する。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

例えば、上述した実施形態では、端子電極Ｅ１〜Ｅ４が磁性樹脂層１２に埋め込まれたバンプ形状を有しているが、本発明において端子電極の形状や構造がこれに限定されるものではない。したがって、基体の表面に銀ペーストなどを焼き付けてなる端子電極を用いても構わないし、基体に端子金具を接着してなる端子電極を用いても構わない。

１０ コイル部品
１１ 磁性基板
１２，１３ 磁性樹脂層
２０ 積層構造体
３１〜３５ 絶縁層
３１Ｈ〜３５Ｈ スルーホール
３２ａ〜３２ｆ，３３ａ〜３３ｆ，３４ａ〜３４ｆ，３５ａ〜３５ｄ スルーホール
３６ イオンミリング用マスク
３６Ｈ 開口部
４１〜４４ スパイラル導体
４１_１〜４１_６ 導体
５２〜５５，６１，６３〜６５，７１，７２，７４，７５，８１〜８３，８５ 接続導体
４１ａ〜４４ａ 外周端
４１ｂ〜４４ｂ 内周端
Ｃ１，Ｃ２ コイル
Ｅ１〜Ｅ４ 端子電極
Ｍ１〜Ｍ４ 導体層

Claims (6)

1. 複数の絶縁層を介して互いに積層された第１、第２、第３及び第４のスパイラル導体を備え、
   前記複数の絶縁層は、前記第１のスパイラル導体と前記第２のスパイラル導体との間に設けられた第１の絶縁層と、前記第３のスパイラル導体と前記第４のスパイラル導体との間に設けられた第２の絶縁層とを含み、
   前記第１のスパイラル導体と前記第３のスパイラル導体は短絡されて第１のコイルを構成し、
   前記第２のスパイラル導体と前記第４のスパイラル導体は短絡されて第２のコイルを構成し、
   前記第１のスパイラル導体と前記第２のスパイラル導体の巻回数は互いに等しく、
   前記第３のスパイラル導体と前記第４のスパイラル導体の巻回数は互いに等しく、
   前記第１及び第２のスパイラル導体の巻回数は、前記第３及び第４のスパイラル導体の巻回数よりも多く、
   前記第１の絶縁層の膜厚は、前記第２の絶縁層の膜厚よりも薄いことを特徴とするコイル部品。
2. 前記第１のスパイラル導体と前記第２のスパイラル導体の導体幅は互いに等しく、
   前記第３のスパイラル導体と前記第４のスパイラル導体の導体幅は互いに等しく、
   前記第３及び第４のスパイラル導体の導体幅は、前記第１及び第２のスパイラル導体の導体幅よりも太いことを特徴とする請求項１に記載のコイル部品。
3. 前記第１、第２、第３及び第４のスパイラル導体は、磁性基板上にこの順に積層されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のコイル部品。
4. 前記第１及び第２のスパイラル導体の巻回数と、前記第３及び第４のスパイラル導体の巻回数との差は、奇数であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のコイル部品。
5. 前記第１、第２、第３及び第４のスパイラル導体のそれぞれは、所定の導体幅を有する所定ターンと、前記所定ターンよりも内周側に位置し、導体幅が前記所定の導体幅よりも細い内周ターンと、前記所定ターンよりも外周側に位置し、導体幅が前記所定の導体幅よりも太い外周ターンとを含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のコイル部品。
6. 前記第１、第２、第３及び第４のスパイラル導体のそれぞれを構成する複数ターンは、内周側から外周側に向かって連続的又は段階的に導体幅が太くなることを特徴とする請求項５に記載のコイル部品。

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