JP2017150380A - 電動圧縮機 - Google Patents

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毅 原沢
Takeshi Harasawa
毅 原沢
小出 達也
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達也 小出
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Abstract

【課題】冷媒でパワー素子が内蔵されたインバータモジュールをより効率よく冷却することができる電動圧縮機を提供する。
【解決手段】仕切壁15bにはハウジング15の内方に窪む段差部80が形成され、段差部80は、冷媒吸入孔18と対向する対向部81と、軸方向における対向部81の一端側に連続し、冷媒吸入孔18と対向部81との間に設けられ、外表面82aにインバータモジュール25が配置される第1の配置部82と、対向部81の他端側に連続し、外表面83aにコイル90及びコンデンサ91が配置される第2の配置部83と、を有する。
【選択図】図1

Description

本発明は、電動圧縮機に関するものである。
電動圧縮機は、圧縮部とモータ部とインバータ部を備える。特許文献1に開示のインバータ一体型電動圧縮機においては、圧縮機ハウジングに形成された冷媒吸入経路側との仕切壁の外面側にモータ駆動回路が設けられ、仕切壁を介してモータ駆動回路を含む電気部品の少なくとも一部が吸入冷媒と熱交換可能となっている(吸入冷媒によって冷却可能となっている)。
特許第5235312号公報
ところが、特許文献1に記載の電動圧縮機では、インバータが大きい、特に発熱しやすいIPMが大きいため、吸入ポートとインバータとを互いに離して配置せざるを得ない。従って、インバータの冷却効率の面で改良の余地が残されている。近年、パワー素子が内蔵されたインバータモジュールを冷媒でより効率よく冷却したいという要求がある。
本発明の目的は、冷媒でパワー素子が内蔵されたインバータモジュールをより効率よく冷却することができる電動圧縮機を提供することにある。
請求項1に記載の発明では、内部に、冷媒を圧縮する圧縮部、及び、前記圧縮部を駆動するモータ部が収納され、軸方向一端側に仕切壁を設けて閉塞させた筒型のハウジングと、前記ハウジングの外周壁に形成された冷媒吸入孔と、前記仕切壁の外表面に配置され、アームを構成するパワー素子が内蔵されたインバータモジュールと、を備える電動圧縮機において、前記仕切壁には前記ハウジングの内方に窪む段差部が形成され、前記段差部は、前記冷媒吸入孔と対向する対向部と、前記軸方向における前記対向部の一端側に連続し、前記冷媒吸入孔と前記対向部との間に設けられ、外表面に前記インバータモジュールが配置される第1の配置部と、前記対向部の他端側に連続し、外表面に電子部品が配置される第2の配置部と、を有することを要旨とする。
請求項1に記載の発明によれば、ハウジングの外周壁に形成された冷媒吸入孔と仕切壁に形成された段差部における冷媒吸入孔に対向する対向部との間に設けられた第1の配置部にインバータモジュールを配置できる。即ち、冷媒吸入孔とインバータモジュールとを互いに近くに配置できるため、インバータモジュールの冷却効率をより向上させることができる。また、冷媒吸入孔から吸入された冷媒が段差部の対向部に向かって流れるので、仕切壁に段差部が無く仕切壁の表面に沿って冷媒が流れる場合に比べ、冷媒でパワー素子が内蔵されたインバータモジュールを効率よく冷却することができる。
請求項2に記載のように、請求項1に記載の電動圧縮機において、前記パワー素子は、前記ハウジングの周方向に沿って配置され、前記インバータモジュールは、扇形をなし、前記モータ部から延びるモータ端子が前記仕切壁を貫通して前記インバータモジュールに接続されているとよい。
請求項3に記載のように、請求項1または2に記載の電動圧縮機において、前記第1の配置部における前記冷媒の接触面にはピンフィンが設けられているとよい。
本発明によれば、冷媒でパワー素子が内蔵されたインバータモジュールをより効率よく冷却することができる。
電動圧縮機の一部を破断して示す側面図。 キャップ材及び制御基板を取り外した状態での図1のA矢視図。 インバータモジュールの平面図。 インバータモジュールの正面図。 (a)はケース、バスバー等を外した状態でのインバータモジュールの平面図、(b)は同じくケース、バスバー等を外した状態でのインバータモジュールの正面図。 (a)はハウジング一端部を左側からみた図、(b)はハウジング一端部の断面図、(c)はハウジング一端部を右側からみた図。 インバータ部の電気的構成を示す回路図。
以下、本発明を車載用の電動圧縮機に具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
図1に示すように、電動圧縮機10は、圧縮部(例えばスクロール圧縮機)11と、モータ部12と、モータ部12のモータ13を駆動するインバータ部14とがモータ13の軸方向に並んでいる。電動圧縮機10は、ハウジング15を有している。筒型のハウジング15の内部に、冷媒を圧縮する圧縮部11、及び、圧縮部11を駆動するモータ部12が収納され、軸方向一端側に仕切壁15bを設けて閉塞されている。
ハウジング15は、有底円筒状の第1ハウジング16と、第1ハウジング16の開口部に設けられる有蓋円筒状の第2ハウジング17とを有している。第1ハウジング16と第2ハウジング17とはアルミ材料よりなる。ハウジング15は、第1ハウジング16と第2ハウジング17とを連結することで構成されている。ハウジング15(第1ハウジング16)の外周壁15aには冷媒吸入孔(吸入ポート)18が形成されている。詳しくは、第1ハウジング16には、第1ハウジング16内に冷媒(ガス)を流入させる冷媒吸入孔18が第1ハウジング16の径方向に貫通して設けられている。ここで、電動圧縮機用のインバータ部14は圧縮機に一体化されるので、冷媒によりインバータ部14のインバータモジュール25の冷却を行うべく冷媒吸入孔18の近くにインバータモジュール25を配置している。第1ハウジング16に圧縮部11とモータ部12が収容されている。
モータ13は、シャフト13aがベアリングボックス13b,13c内のベアリングにより回転可能に支持されている。また、モータ13は、シャフト13aに固定されたロータ13dと、ロータ13dの外周側において第1ハウジング16に固定されたステータ13eを有する。ステータ13eのステータコアに巻回されるコイルのコイルエンド13f,13gがステータコアから突出している。
仕切壁15bの外表面19にインバータモジュール25が配置されている。インバータモジュール25には、アームを構成するパワー素子(図7の半導体スイッチング素子Q1〜Q6及びダイオードD1〜D6)が内蔵されている。
第1ハウジング16の軸方向の外表面(第1ハウジング16の軸方向の端面)には、モータ13を駆動させるインバータ部14が設けられている。インバータ部14は、有蓋円筒状のキャップ材20に覆われている。詳しくは、第1ハウジング16の端部に軸方向から、有蓋円筒状のキャップ材20を嵌めることによりインバータ部14がキャップ材20で覆われる。そして、キャップ材20を貫通するねじSc1(図2参照)を第1ハウジング16に螺入することによりキャップ材20が第1ハウジング16に固定される。
図7に示すように、インバータ部14は、インバータ回路21とインバータ制御装置22とコイル90とコンデンサ91を備えている。インバータ制御装置22は、コントローラ23を備えている。
インバータ回路21は、パワー素子としての6つの半導体スイッチング素子Q1〜Q6と6つのダイオードD1〜D6を有する。半導体スイッチング素子Q1〜Q6としてIGBTを用いている。正極母線と負極母線との間に、U相上アームを構成する半導体スイッチング素子Q1と、U相下アームを構成する半導体スイッチング素子Q2が直列接続されている。正極母線と負極母線との間に、V相上アームを構成する半導体スイッチング素子Q3と、V相下アームを構成する半導体スイッチング素子Q4が直列接続されている。正極母線と負極母線との間に、W相上アームを構成する半導体スイッチング素子Q5と、W相下アームを構成する半導体スイッチング素子Q6が直列接続されている。半導体スイッチング素子Q1〜Q6にはダイオードD1〜D6が逆並列接続されている。正極母線、負極母線には直流電源としてのバッテリ24が接続される。
半導体スイッチング素子Q1と半導体スイッチング素子Q2の間が3相交流モータ13のU相端子に接続される。半導体スイッチング素子Q3と半導体スイッチング素子Q4の間がモータ13のV相端子に接続される。半導体スイッチング素子Q5と半導体スイッチング素子Q6の間がモータ13のW相端子に接続される。上下のアームを構成する半導体スイッチング素子Q1〜Q6及びダイオードD1〜D6を有するインバータ回路21は、半導体スイッチング素子Q1〜Q6のスイッチング動作に伴いバッテリ24の電圧である直流電圧を交流電圧に変換してモータ13に供給することができるようになっている。
各半導体スイッチング素子Q1〜Q6のゲート端子にはコントローラ23が接続されている。コントローラ23は、半導体スイッチング素子Q1〜Q6をスイッチング動作させる。つまり、インバータ回路21は、半導体スイッチング素子Q1〜Q6及びダイオードD1〜D6により各相の上下のアームを構成しており、半導体スイッチング素子Q1〜Q6のスイッチング動作により車載バッテリ24から供給される直流を適宜の周波数の3相交流に変換してモータ13の各相の巻線に供給する。即ち、半導体スイッチング素子Q1〜Q6のスイッチング動作により3相交流モータ13の各相の巻線が通電されて3相交流モータ13を駆動することができる。
半導体スイッチング素子Q2と負極母線との間には電流検出用のシャント抵抗Rs1が接続されている。半導体スイッチング素子Q4と負極母線との間には電流検出用のシャント抵抗Rs2が接続されている。半導体スイッチング素子Q6と負極母線との間には電流検出用のシャント抵抗Rs3が接続されている。
コントローラ23は、シャント抵抗Rs1の両端間の電圧を検知する。コントローラ23は、シャント抵抗Rs2の両端間の電圧を検知する。コントローラ23は、シャント抵抗Rs3の両端間の電圧を検知する。コントローラ23は、このように検知した各シャント抵抗の両端電圧から、U相電流、V相電流、W相電流を検出して半導体スイッチング素子Q1〜Q6の制御に反映させる。
インバータ回路21の入力側には、コイル90とコンデンサ91からなるフィルタ回路が設けられている。コンデンサ91には例えばフィルムコンデンサが用いられる。コンデンサ91の一端は正極母線に、他端は負極母線に接続されている。コイル90の一端は車載バッテリ24の正極端子側に、他端は正極母線側に接続されている。インバータ部14の駆動に伴い半導体スイッチング素子Q1〜Q6、ダイオードD1〜D6、コイル90、コンデンサ91等が発熱する。
次に、仕切壁15b及びインバータ部14の構造について説明する。
図1に示すように、インバータ部14には、インバータモジュール25とコイル90とコンデンサ91と制御基板(プリント基板)26が配置されている。インバータモジュール25とコイル90とコンデンサ91と制御基板26はキャップ材20で覆われている。
図1、図6(a)、図6(b)、図6(c)に示すように、仕切壁15bにはハウジング15の内方に窪む段差部80が形成されている。段差部80は、仕切壁15bからモータ部12側に突出し、図6(c)に示すようにインバータモジュール25の形状(配置領域)に対応して扇状をなしている。
段差部80は、対向部81と第1の配置部82と第2の配置部83を有する。対向部81は、冷媒吸入孔18と対向している。第1の配置部82は、軸方向における対向部81の一端側に連続し、冷媒吸入孔18と対向部81との間に設けられている。第1の配置部82の外表面82aにはインバータモジュール25が放熱グリス(図示略)を介して配置される。具体的には、第1の配置部82の外表面82aにはインバータモジュール25における外表面82aに対向する扇形の面の全てが放熱グリス(図示略)を介して配置される。第2の配置部83は、対向部81の他端側に連続し、外表面83aに電子部品としてのコイル90及びコンデンサ91が配置される。
図1,2に示すように、インバータモジュール25、コイル90及びコンデンサ91の厚みについて、インバータモジュール25の厚みは薄く、コイル90及びコンデンサ91の厚みは厚い。モータ部12側に突出した部位である第2の配置部83には、厚いコイル90及びコンデンサ91が配置されている。一方、インバータ部14側に位置する第1の配置部82には、薄いインバータモジュール25が配置されている。そして、インバータモジュール25、コイル90、コンデンサ91及び制御基板26は、キャップ材20で覆われる。
図6(a),(b)に示すように、第1の配置部82における冷媒の接触面82bには複数本のピンフィン85が設けられている。
図3,4に示すように、インバータモジュール25は、ケース27と、U相配線用バスバー28a、V相配線用バスバー28b、W相配線用バスバー28c、正極用バスバー29a、負極用バスバー29bを備えている。ケース27、バスバー28a,28b,28c,29a,29b及び封止樹脂(図示略)を外した状態でのインバータモジュール25を、図5(a)及び図5(b)に示す。
図5(a),(b)に示すように、インバータモジュール25は、銅よりなる金属板31と、金属板31の上面に形成された絶縁層32とで構成される絶縁金属基板(IMS)を備えている。金属板31の上面には絶縁層32を介して銅よりなる導体パターン33が形成されている。絶縁金属基板(金属板31、絶縁層32)は扇型をなしている。
導体パターン33aには半導体スイッチング素子(チップ)Q2とダイオード(チップ)D2がはんだ付けされている。導体パターン33bが導体パターン33aの右側に形成され、導体パターン33bには半導体スイッチング素子(チップ)Q1とダイオード(チップ)D1がはんだ付けされている。導体パターン33cが導体パターン33bの右側に形成され、導体パターン33cには半導体スイッチング素子(チップ)Q4とダイオード(チップ)D4がはんだ付けされている。導体パターン33dが導体パターン33cの右側に形成され、導体パターン33dには半導体スイッチング素子(チップ)Q3とダイオード(チップ)D3がはんだ付けされている。導体パターン33eが導体パターン33dの右側に形成され、導体パターン33eには半導体スイッチング素子(チップ)Q6とダイオード(チップ)D6がはんだ付けされている。導体パターン33fが導体パターン33eの右側に形成され、導体パターン33fには半導体スイッチング素子(チップ)Q5とダイオード(チップ)D5がはんだ付けされている。半導体スイッチング素子Q1〜Q6は外周側に、ダイオードD1〜D6は内周側に配置されている。
また、ボンディングワイヤ34にて半導体スイッチング素子(Q1〜Q6)とダイオード(D1〜D6)とが電気的に接続されている。半導体スイッチング素子Q1〜Q6及びダイオードD1〜D6はディスクリート部品であり、図5(a)に示すように平面視において長方形状をなしている。ボンディングワイヤ35にてダイオード(D1,D3,D5)と導体パターン(33a,33c,33e)とが電気的に接続されている。
また、図5(b)に示すように、インバータモジュール25における金属板31の裏面は平坦面であり、この裏面がインバータモジュール25の放熱面36となっており、インバータモジュール25における基板(金属板31、絶縁層32)の放熱面36がハウジング15に熱的に接続されている。さらに、図2に示すように、ハウジング15の外形(外周面)37は円弧状をなしている。そして、半導体スイッチング素子Q1〜Q6及びダイオードD1〜D6はハウジング15の外形37に沿って配置されている。
図5(a)に示すように、離間して形成された導体パターン33g,33gにはシャント抵抗(チップ抵抗器)Rs1がはんだ付けされている。離間して形成された導体パターン33h,33hにはシャント抵抗(チップ抵抗器)Rs2がはんだ付けされている。離間して形成された導体パターン33i,33iにはシャント抵抗(チップ抵抗器)Rs3はんだ付けされている。シャント抵抗Rs1〜Rs3はディスクリート部品である。ボンディングワイヤ38にて、導体パターン33a,33b,33c,33d,33e,33fの外周側に形成された導体パターン33j,33k,33l,33m,33n,33oと半導体スイッチング素子Q1〜Q6のゲート電極とが電気的に接続されている。導体パターン33j,33k,33l,33m,33n,33oには信号端子としての制御端子39が立設されている。ボンディングワイヤ40にて、シャント抵抗Rs1,Rs2,Rs3の一方の電極に繋がる導体パターン33g,33h,33iは半導体スイッチング素子Q2,Q4,Q6と電気的に接続されている。この導体パターン33g,33h,33iには信号端子としての電圧モニタ端子41が立設されている。シャント抵抗Rs1,Rs2,Rs3の他方の電極に繋がる導体パターン33g,33h,33iには電圧モニタ端子42が立設されている。
ボンディングワイヤ43にて、導体パターン33b,33d,33fの外周側に形成された導体パターン33pと半導体スイッチング素子Q1,Q3,Q5とが電気的に接続されている。導体パターン33pには信号端子44が立設されている。
シャント抵抗Rs1の他方の電極に繋がる導体パターン33gにはパッド45が形成されている。シャント抵抗Rs2の他方の電極に繋がる導体パターン33hにはパッド45が形成されている。シャント抵抗Rs3の他方の電極に繋がる導体パターン33iにはパッド45が形成されている。図3,4に示すように、3つのパッド45はバスバー29bで電気的に接続され、バスバー29bは上方に延設され、負極用端子となっている。
図5(a)に示すように、導体パターン33b,33d,33fにはパッド46が形成されている。図3,4に示すように、3つのパッド46はバスバー29aで電気的に接続され、バスバー29aは上方に延設され、正極用端子となっている。
図5(a)に示すように導体パターン33a,33c,33eにはパッド47,48,49が形成され、図3,4に示すように、このパッド47,48,49はバスバー28a,28b,28cの一端が接合され、バスバー28a,28b,28cの他端側は上方に延設されU,V,W相端子となっている。各素子(半導体スイッチング素子Q1〜Q6、ダイオードD1〜D6、シャント抵抗Rs1〜Rs3)は図示しない樹脂で封止されるとともに図3,4に示すようにケース27内に配置されている。インバータモジュール25における絶縁金属基板(金属板31、絶縁層32)の両側には締結用貫通孔50が形成され、締結用貫通孔50を通してネジを仕切壁15bに螺入することにより、インバータモジュール25が仕切壁15bに固定されている。このとき、絶縁金属基板(金属板31、絶縁層32)の上面側はケース27にて覆われており、金属板31の下面は露出している。
また、各端子(制御端子39、端子41,42,44、バスバー28a,28b,28c,29a,29bによる端子)はケース27を貫通して延出している。図3に示すように、ケース27に形成された長方形の窓71,72,73,74,75,76から、3つの端子39,41,42、2つの端子39,44、3つの端子39,41,42、2つの端子39,44、3つの端子39,41,42、2つの端子39,44が延出している。
図1に示すように、仕切壁15bには貫通孔51が形成されている。貫通孔51の形状はモータ13の端子(モータ端子)52の配置形状に対応している。貫通孔51からモータ13の端子52がインバータ部14側にシールされて露出されている。即ち、モータ端子52は気密端子となっている。より詳しくは、図1に示すようにモータ13における径方向でのコイルエンド13fとベアリングボックス13bとの間のスペースにおいてモータ端子(U相、V相、W相)52が軸方向においてインバータ部14に向かって延びている。即ち、ハウジング15の外径側を経由してモータ13とインバータ部14を電気的につなぐのではなくハウジング15の外周よりも内側でつないでいる。これにより、径方向に小型化が図られている。
図2に示すように貫通孔51(3つのモータ端子52)はインバータモジュール25のケース27の内周面の内周側に位置している。貫通孔51は、同一の半径の円弧上に位置している。図2に示すようにインバータモジュール25のケース27の一面である外周面53は円弧状をなしている。一方、ハウジング15の軸方向に延びる外形(外周面)37は円形をなしている。そして、ケース27の外周面53はモータ13の軸方向に延びるハウジング15の外形(外周面)37の形状と対応している。
また、インバータモジュール25のケース27の他の一面である内周面54は円弧状をなしている。
図1に示すように、インバータモジュール25から延びる端子39,41,42,44は、制御基板26を貫通して制御基板26にはんだ付けされている。インバータモジュール25から延びるバスバー28a,28b,28c,29a,29bによる端子、及び、モータ13から延びる端子52は、制御基板26と電気的に接続されている。
このようにして、パワー素子としての半導体スイッチング素子Q1〜Q6及びダイオードD1〜D6は、ハウジング15の周方向に沿って配置されている。また、インバータモジュール25は、扇形をなし、モータ部12から延びるモータ端子52が仕切壁15bを貫通し、制御基板26を介してインバータモジュール25に接続されている。
次に、作用について説明する。
ハウジング15の外周壁15aに形成された冷媒吸入孔18と仕切壁15bに形成された段差部80における冷媒吸入孔18に対向する対向部81との間に設けられた第1の配置部82に、インバータモジュール25が配置される。このように冷媒吸入孔18とインバータモジュール25とが互いに近くに配置される。これにより、インバータモジュール25の冷却効率が、より向上することになる。
図1において冷媒の流れを一点鎖線で示す。冷媒吸入孔18から冷媒がハウジング15の内部に導入される。そして、冷媒は、モータ13におけるロータ13dの外周面とステータ13eの内周面との間の隙間、及び、第1ハウジング16の内周面に設けた溝16aを通して軸方向に流れて圧縮部11の吸入ポート11aに導かれる。
また、図6(a),(b),(c)に示すように、冷媒吸入孔18から吸入された冷媒が径方向外側から径方向内側の軸線Oに向かって流れる際において、冷媒が段差部80の対向部81に向かって流れ、対向部81により冷媒の流れが径方向から軸方向に変えられる。これにより、冷媒とインバータモジュール25との間で熱交換が効率よく行われる。また、インバータモジュール25よりも内周側において大電流が流れるモータ端子52(図1,2参照)が位置し、モータ端子52に冷媒流が通過してモータ端子52を冷却することができる。さらに、仕切壁15bを介して冷媒とコイル90及びコンデンサ91との間での熱交換も効率よく行われる。
図1に示す本実施形態においては、ハウジング15の仕切壁15bにおいてインバータ側からモータ側に向かって突出する段差部80が形成されている。インバータモジュール25は厚みが薄く、コイル90及びコンデンサ91は厚みが厚い。そして、よりモータ側に突出した部位である第2の配置部83に厚いコイル90及びコンデンサ91を配置するとともに、よりインバータ側に位置する第1の配置部82に薄いインバータモジュール25を配置し、キャップ材20で塞がれる。よって、本実施形態(図1)ではモータ全長Lmoを基準として長さΔL分だけモータ側に突出する段差部80を形成することにより、段差部80を形成しない場合に比べてΔL分だけ電動圧縮機10の軸長を短くすることができる。
また、図2に示したように仕切壁15bに形成した貫通孔51から、インバータ部14側に、シールされたモータ13の端子52が露出し、インバータモジュール25のケース27の外周面53がハウジング15の外周面の形状と対応し、また、ケース27の内周面54がモータ13の端子52の配置形状に対応している。このようにして、インバータモジュール25は扇形にされ、円状のハウジング15の形状と合わせることでデッドスペースの低減が図られ、省スペース化が可能となる。つまり、インバータモジュール25が扇形にされ、円形の電動圧縮機の搭載密度をあげることができる。
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
(1)電動圧縮機10の構成として、内部に、冷媒を圧縮する圧縮部11、及び、圧縮部11を駆動するモータ部12が収納され、軸方向一端側に仕切壁15bを設けて閉塞させた筒型のハウジング15を備える。さらに、ハウジング15の外周壁15aに形成された冷媒吸入孔18と、仕切壁15bの外表面19に配置され、アームを構成するパワー素子としての半導体スイッチング素子Q1〜Q6及びダイオードD1〜D6が内蔵されたインバータモジュール25を備える。仕切壁15bにはハウジング15の内方に窪む段差部80が形成されている。段差部80は、冷媒吸入孔18と対向する対向部81を有する。さらに、段差部80は、軸方向における対向部81の一端側に連続し、冷媒吸入孔18と対向部81との間に設けられ、外表面82aにインバータモジュール25が配置される第1の配置部82と、対向部81の他端側に連続し、外表面83aに電子部品としてのコイル90及びコンデンサ91が配置される第2の配置部83を有する。よって、ハウジング15の外周壁15aに形成された冷媒吸入孔18と仕切壁15bに形成された段差部80における冷媒吸入孔18に対向する対向部81との間に設けられた第1の配置部82にインバータモジュール25を配置できる。即ち、冷媒吸入孔18とインバータモジュール25とを互いに近くに配置できるため、インバータモジュール25の冷却効率をより向上させることができる。また、冷媒吸入孔18から吸入された冷媒が段差部80の対向部81に向かって流れるので、仕切壁に段差部が無く仕切壁の表面に沿って冷媒が流れる場合に比べ、冷媒で半導体スイッチング素子Q1〜Q6及びダイオードD1〜D6が内蔵されたインバータモジュール25を効率よく冷却することができる。このようにして、冷媒でパワー素子(半導体スイッチング素子Q1〜Q6及びダイオードD1〜D6)が内蔵されたインバータモジュール25をより効率よく冷却することができる。
(2)半導体スイッチング素子Q1〜Q6及びダイオードD1〜D6は、ハウジング15の周方向に沿って配置され、インバータモジュール25は、扇形をなし、モータ部12から延びるモータ端子52が仕切壁15bを貫通してインバータモジュール25に接続されている。よって、モータ端子52を冷却することが可能となる。
(3)第1の配置部82における冷媒の接触面82bにはピンフィン85が設けられている。よって、ピンフィン85により冷媒で半導体スイッチング素子Q1〜Q6及びダイオードD1〜D6が内蔵されたインバータモジュール25の冷却効率の向上を図ることができる。
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
・ピンフィン85はなくてもよい。
・フィン(85)の形状は問わない。例えば、コルゲートフィンや波フィンでもよい。
・仕切壁15bにおける対向部81とは反対側の面にインバータモジュール25を熱的に接触させてもよい。
・モータ13の端子52は制御基板26に接続されるとともにインバータモジュール25のU相、V相、W相の各端子(バスバー28a,28b,28cによる端子)が制御基板26に接続されていた。これに代わり、モータ13の端子52とインバータモジュール25のU相、V相、W相の各端子(バスバー28a,28b,28cによる端子)とを、抵抗溶接等により直接接合してもよい。
・インバータ回路の半導体スイッチング素子Q1〜Q6はIGBTに代わり、寄生ダイオードを有するパワーMOSFETを用いてもよい。この場合においては、インバータモジュールに内蔵されたパワー素子はパワーMOSFETである。
・貫通孔51はモータ13の端子52毎に形成してもよい。即ち、貫通孔51は複数設けてもよい。
10…電動圧縮機、11…圧縮部、12…モータ部、15…ハウジング、15a…外周壁、15b…仕切壁、18…冷媒吸入孔、19…外表面、25…インバータモジュール、52…モータ端子、80…段差部、81…対向部、82…第1の配置部、82a…外表面、82b…接触面、83…第2の配置部、83a…外表面、85…ピンフィン、90…コイル、91…コンデンサ、D1〜D6…ダイオード、Q1〜Q6…半導体スイッチング素子。

Claims (3)

  1. 内部に、冷媒を圧縮する圧縮部、及び、前記圧縮部を駆動するモータ部が収納され、軸方向一端側に仕切壁を設けて閉塞させた筒型のハウジングと、
    前記ハウジングの外周壁に形成された冷媒吸入孔と、
    前記仕切壁の外表面に配置され、アームを構成するパワー素子が内蔵されたインバータモジュールと、
    を備える電動圧縮機において、
    前記仕切壁には前記ハウジングの内方に窪む段差部が形成され、
    前記段差部は、
    前記冷媒吸入孔と対向する対向部と、
    前記軸方向における前記対向部の一端側に連続し、前記冷媒吸入孔と前記対向部との間に設けられ、外表面に前記インバータモジュールが配置される第1の配置部と、
    前記対向部の他端側に連続し、外表面に電子部品が配置される第2の配置部と、
    を有することを特徴とする電動圧縮機。
  2. 前記パワー素子は、前記ハウジングの周方向に沿って配置され、
    前記インバータモジュールは、扇形をなし、
    前記モータ部から延びるモータ端子が前記仕切壁を貫通して前記インバータモジュールに接続されていることを特徴とする請求項1に記載の電動圧縮機。
  3. 前記第1の配置部における前記冷媒の接触面にはピンフィンが設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の電動圧縮機。
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