JP2017139453A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】シミの発生を抑えることができる基板処理装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る基板処理装置は、天井として機能する天井カバー１１を有する処理室１０と、その処理室１０内に設けられ、天井カバー１１から落下した液滴を受ける樋１２とを備える。天井カバー１１は、山部と谷部を有する形状に形成されている。樋１２は、天井カバー１１の谷の直下から水平方向に沿って延びるように設けられている。これにより、シミの発生を抑えることができる。【選択図】図２

Description

本発明の実施形態は、基板処理装置に関する。

液晶表示装置などの製造工程において、基板処理装置が用いられている。この基板処理装置は、処理室内で基板に処理液（例えば、薬液や洗浄液など）を供給し、基板の被処理面を処理する。基板処理装置の処理室の天井には、処理液の液滴が付着することがある。この天井に付着した液滴が、天井から落下して基板に付着すると、基板乾燥後、基板にシミができてしまう。しかも、天井に付着している液滴は、天井に付着していたゴミなどを含むから、前述のシミは発生しやすい。
このシミになった箇所は、基板が液晶表示装置として製品化された際に液晶画面に残るため、その液晶表示装置は不良品となる。

そこで、前述のシミの発生を避けるため、天井を傾斜させて、天井に付着した液滴を基板側に落下させず、処理室の端へ回収する方法が採用されている。しかしながら、天井を傾斜させても、基板が大きくなればなるほど、天井の大きさも大きくなる。このため、天井に付着した液滴は、天井を伝わって処理室の端にたどり着くまでに他の液滴と一緒になり、重力（自重）に負けて基板側に落下しやすくなる。したがって、単純に天井を傾斜させても、液滴が処理室の端にたどり着く前に落下し、基板に付着することがあるため、シミが発生してしまう。

特開２００９−１４１１８２号公報

本発明が解決しようとする課題は、シミの発生を抑えることができる基板処理装置を提供することである。

本発明の実施形態に係る基板処理装置は、天井を有する処理室と、処理室内に設けられ、天井から落下した液滴を受ける樋とを備える。天井は、山部と谷部を有する形状に形成されている。天井の谷部は、一方向に延びており、樋は、谷部の延伸方向に沿って延びるように設けられている。

本発明の実施形態によれば、シミの発生を抑えることができる。

第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。 第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す断面図（図１中の２−２線断面図）である。 第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 第１の実施形態に係る天井板の設置角度、液だれしない距離及び天井カバーの最大高さの関係を示す図である。 第１の実施形態に係る処理室を模式的に示す図である。 第２の実施形態に係る基板処理装置が備える瓦重ね構造の樋を示す図である。 第２の実施形態に係る瓦重ね構造の樋を構成する各樋の鉛直離間距離を説明するための図である。

＜第１の実施形態＞
第１の実施形態について図１から図５を参照して説明する。

（基本構成）
図１に示すように、第１の実施形態に係る基板処理装置１は、基板Ｗを処理するための処理室１０と、処理室１０内の空気を排出する排気部２０と、基板Ｗを搬送する基板搬送部３０と、搬送される基板Ｗに処理液（例えば、薬液又は洗浄液）を供給する処理液供給部４０とを備えている。なお、処理対象の基板Ｗとしては、例えば、ガラスなどの矩形状の基板が用いられる。

処理室１０は、基板Ｗが搬送される搬送路Ｈ１を内部に有する筐体であり、基板Ｗが搬送路Ｈ１に沿って処理室１０内を通過することが可能に形成されている。この処理室１０は、図１及び図２に示すように、天井カバー１１及び複数の樋１２を有している。なお、処理室１０の底面には、処理液を排出する排出口（図示せず）が形成されており、この排出口から排出された処理液は、例えば貯留タンク（図示せず）などに回収される。

天井カバー１１は、図２に示すように、その断面が三角波形状に形成されており、複数の天井板１１ａにより構成されている。この天井カバー１１は処理室１０の天井として機能する。各天井板１１ａは、それぞれ長尺の長方形状に形成されており、各長手方向を搬送方向Ａ１に沿わせて位置付けられ、さらに、搬送方向Ａ１に水平に直交する方向に山部Ｔと谷部Ｂを繰り返し形成するように設けられている。これらの天井板１１ａは、処理室１０における搬送方向Ａ１の両側の壁上に固定されている。各天井板１１ａの材料としては、例えば、樹脂やガラス、金属などを用いることが可能である。なお、一例として、天井カバー１１の各山部Ｔの高さは一定である。

各樋１２は、上部が開口する長尺の軒樋形状に形成されている。これらの樋１２のうち二つの樋１２が、それぞれの長手方向を搬送方向Ａ１に沿わして天井カバー１１の谷部Ｂの直下に設けられている。この二つの樋１２は、搬送方向Ａ１に沿って、例えば搬送方向Ａ１の下流側に向かって徐々に低くなるように傾斜している。また、一つの回収樋１３は、図３に示すように、前述の二つの樋１２からの処理液を受ける位置、例えば、処理室１０における搬送方向Ａ１の下流側の端部に設けられている。この回収樋１３は、搬送方向Ａ１に水平に直交する方向に沿って、例えば処理室１０の右側（図３中）の側壁に向かって徐々に低くなるように傾斜している。

ここで、図２に示すように、天井カバー１１の天井板１１ａに付着した液滴は、重力によって流れ出すと、天井板１１ａの下面に沿って天井カバー１１の谷部Ｂに向かって移動する。その液滴が天井カバー１１の谷部Ｂの下端から落下すると、その谷部Ｂの下方に位置する樋１２によって受けられ、その樋１２の内面を流れていく。この液滴は、前述の下流側の端部に位置する回収樋１３に流れ込み、回収桶１３の内面を流れて処理室１０の内側面にまで到達し、その内側面に沿って流れ落ちていく。

図１に戻り、排気部２０は、処理室１０内に配管（図示せず）を介して接続されており、処理室１０内の空気を排出する。これにより、処理室１０内で発生するミストが除去されるので、基板搬送部３０により搬送されている基板Ｗにミストが付着することを抑えることができる。例えば、ミストは、処理液供給部４０により供給される処理液が基板Ｗに当たって舞い上がることにより発生する。

基板搬送部３０は、長尺の複数の搬送ローラ３１を有している。これらの搬送ローラ３１は、各長手方向が基板Ｗの搬送方向Ａ１に水平に直交するように設けられ、搬送路Ｈ１を形成するように所定間隔で並べられている。各搬送ローラ３１は、回転可能に設けられており、互いに同期して回転する構造に形成されている。この基板搬送部３０は、搬送ローラ３１上に載置された基板Ｗを搬送ローラ３１の回転によって搬送する。

処理液供給部４０は、搬送路Ｈ１を挟むように搬送路Ｈ１の上下に設けられた第１の処理液供給ヘッド４１及び第２の処理液供給ヘッド４２を備えている。第１の処理液供給ヘッド４１は、上方位置から搬送路Ｈ１に向けて、例えばシャワー状に処理液を吐出する。また、第２の処理液供給ヘッド４２は、下方位置から搬送ローラ３１を避けて搬送路Ｈ１に向けて、例えばシャワー状に処理液を吐出する。この処理液供給部４０は、第１の処理液供給ヘッド４１及び第２の処理液供給ヘッド４２から処理液を搬送路Ｈ１に向けて吐出し、その搬送路Ｈ１を移動する基板Ｗの両面（上面及び下面）に処理液を供給する。

（天井板の設置角度及び使用枚数の決定方法）
次に、天井板１１ａの設置角度及び使用枚数の決定方法について図４を参照して説明する。

図４に示すように、天井板１１ａの設置角度、液だれしない距離（液滴が落下せずに流れる距離）及び天井カバーの最大高さの関係を示すデータが予め実験等により求められている。液だれしない距離は、天井カバー１１の設置角度θの増大に応じて長くなる。これは、天井カバー１１に付着した液滴が流れる速度が増すことにより、落下するまで移動距離が長くなるからである。図４のデータは、天井カバー１１の材料としてガラスを想定し、ガラス基板に水滴を複数付着させ、水滴が落下するまでのガラス基板上での最短距離をガラス基板の傾斜角度毎に実験的に求めたものである。図５に模式的に示す処理室において、装置幅をａ、処理室高さをｂ、天井カバー１１の高さをｃ、処理室奥行き（基板搬送方向）長さをｄ（不図示）、天井板１１ａの水平面に対する傾斜角度（鋭角）をθとする。天井カバー１１の高さｃは天井カバー１１の谷部Ｂから山部Ｔまでの鉛直な長さであり、装置幅ａ（処理室１０の幅）は処理室１０における搬送方向Ａ１に直交する水平な長さとする。以下、それぞれａ＝２７３０ｍｍ、ｄ＝３０００ｍｍとして考える。

液だれしない距離は、天井板１１ａの設置角度θの増大に応じて長くなる。天井カバー１１の最大高さは、
天井カバーの最大高さ＝天井板の長さＬ１×ｓｉｎθ
の式から求められる（図２参照）。この天井カバー１１の高さｃは、天井板１１ａの設置角度θの増大に応じて高くなる。なお、前述の天井板１１ａの設置角度θと液だれしない距離との関係は実験的に予め求められている。

前述のデータに基づいて、天井板１１ａの設置角度θ及び天井板１１ａの使用枚数が決定される。まず、天井カバー１１の高さ許容範囲が処理室１０の設置スペースによって決定され、その天井カバー１１の高さ許容範囲の上限値に基づいて天井板１１ａの設置角度θ及び長さＬ１が決められる。この天井板１１ａの設置角度θ及び長さＬ１が決められると、装置幅ａに基づいて天井板１１ａの枚数が決定される。ただし、天井板１１ａの設置角度θ及び使用枚数は、天井板１１ａの材質や使用する処理液の種類などによって変わるものである。

ここで、例えば、天井カバー１１の高さ許容範囲の上限値が６０ｍｍである場合には、図４に示すデータから、天井板１１ａの設置高さが６０ｍｍより小さくなるよう、一例として天井板１１ａの長さは３００ｍｍに決定される。図４のデータにおいては、天井カバー１１の最大高さが１７．６５〜１０４．１９ｍｍまでが示されている。ここで最も６０ｍｍに近い５２．０９ｍｍの高さを選択する。この場合、天井板１１ａの長さは３００ｍｍであるから、この３００ｍｍに基づき、天井板１１ａの設置角度は２０度に決定される。そして、２７３０ｍｍ／（３００ｍｍ×ｃｏｓ２０°）＝約９．６８となり、天井板１１ａの枚数は１０枚程度に決定される。

また、桶１２の長さおよび設置角度は、図４に示すデータ同様に、予め実験等で求めておき、この実験データに基づいて、液だれしないように決定することができる。

（基板処理工程）
次に、前述の基板処理装置１が行う基板処理工程について説明する。

処理室１０は排気部２０により排気されている。基板搬送部３０の各搬送ローラ３１が回転し、それらの搬送ローラ３１上の基板Ｗは所定の搬送方向Ａ１に搬送され、搬送路Ｈ１に沿って移動する。この搬送路Ｈ１中の液供給位置には、その上方から処理液が第１の処理液供給ヘッド４１によって予め供給されており、さらに、下方からも処理液が第２の処理液供給ヘッド４２によって予め供給されている。この液供給状態で、基板Ｗが搬送路Ｈ１中の液供給位置を通過すると、基板Ｗの両面（上面及び下面）に処理液が供給され、基板Ｗが処理液により処理されていく。このとき、基板Ｗの両面から落下した処理液は処理室１０の底面の排出口から排出される。

この基板処理工程では、基板Ｗからの液跳ねやミストなどにより、液滴が各天井板１１ａの下面に付着することがある。天井板１１ａの下面に付着した液滴は、ある程度の大きさ以上であると、あるいは、ある程度の大きさ以上になると、重力によって移動し始める。この液滴は、重力に応じて天井板１１ａの下面に沿って移動し、天井カバー１１の谷部Ｂの下端に集まるように流れる。その後、谷部Ｂに到達した液滴は、天井カバー１１の谷部Ｂの下端から落下すると、その谷部Ｂの直下に位置する樋１２によって受け取られる。樋１２により受け取られた液滴は、そのまま樋１２の内面（上面）を流れていき、その樋１２の下流端に位置する回収樋１３に流れ込む。この回収樋１３に流れ込んだ液適は、そのまま回収樋１３の内面を流れていき、処理室１０の内側面に到達すると、その内側面に沿って流れ落ちていく。

このように、天井板１１ａの下面に付着した液滴は、重力に負けて落下する前に天井カバー１１の谷部Ｂの下端に到達する。つまり、天井板１１ａの下面に付着した液滴は、重力に負けて落下する前に谷部Ｂの下端に集められ、その谷部Ｂの下端から落下すると、樋１２により受けられることになる。したがって、天井板１１ａの下面に付着した液滴は、基板Ｗ側に落下せず、天井カバー１１の谷部Ｂの下端まで流れるため、液滴が基板Ｗ上に落下することを抑制することが可能であり、基板Ｗへの液付着によるシミの発生を抑えることができる。

なお、天井板１１ａの設置角度が大きく、あるいは、天井板１１ａの長さが長くなると、天井カバー１１の高さが高くなり、装置全体は大型化してしまう。また、万一液滴が落下した場合には、天井カバー１１の高さが高いほど、基板Ｗに落下したときの衝撃が強くなるため、その衝撃によって基板Ｗ上に形成された液膜の厚みが乱れて不均一になり、処理も不均一になってしまうことがある。さらに、天井カバー１１の高さが高くなると、それに伴って処理室１０の体積が大きくなるため、排気に要する力が大きくなる。あるいは、処理室１０内の一部分のみが排気され、処理室１０内の排気口（図示せず）から離れた箇所は十分に排気されないなどの問題が生じる。これらのことから、天井を高くすることを避けることが望ましい。

そこで、シミの発生を抑えることを実現しつつ、天井板１１ａの設置角度を小さく、あるいは、天井板１１ａの長さを短くすることによって、天井カバー１１の高さ、すなわち処理室１０の高さを抑え、設置スペース化を実現することができる。さらに、万一液滴が基板Ｗに落下したとしても基板Ｗに与える衝撃を小さくすることが可能であり、基板Ｗの処理が不均一になることを抑制することができる。また、天井カバー１１の高さを抑えることで、処理室１０の体積を減らすことが可能となるので、排気部２０による排気効率を向上させることができる。その結果、処理室１０内のミストを確実に除去することが可能であり、基板Ｗへの液付着によるシミの発生をより確実に抑えることができる。

以上説明したように、第１の実施形態によれば、天井カバー１１は山部Ｔと谷部Ｂを有する形状に形成されており、樋１２は天井カバー１１の谷部Ｂの直下から水平方向に沿って、例えば処理室１０の内側面に向かって延びるように設けられている。このため、天井板１１ａの下面に付着した液滴は、重力に負けて落下する前に天井カバー１１の谷部Ｂの下端に到達し、その下端から落下して樋１２により受けられる。これにより、液滴が基板Ｗ側に落下せず、樋１２によって処理室１０の端まで流れるので、基板Ｗへの液滴付着によるシミの発生を抑えることができる。なお、樋１２が水平方向に沿って延びるということは、樋１２が水平方向に平行に延びている場合や徐々に傾斜して延びている場合などを含む。

＜第２の実施形態＞
第２の実施形態について図６及び図７を参照して説明する。なお、第２の実施形態では、第１の実施形態との相違点（樋１２の構造）について説明し、その他の説明を省略する。

図６に示すように、第２の実施形態に係る樋１２は、複数の樋１２ａにより構成されている。これらの樋１２ａは、同じ傾斜角度で傾斜して互いに平行に配置されており、同じ傾斜方向に並ぶように設けられている。傾斜方向に隣接する二つの樋１２ａは、高い位置の樋１２ａの一部が低い位置の樋１２ａの一部と接触しないで重なるように、すなわち、高い位置の樋１２ａにおける低い側の端部Ｂ１が低い位置の樋１２ａにおける高い側の端部Ｂ２を非接触で覆うように設けられている。この端部Ｂ１と端部Ｂ２との鉛直離間距離は、例えば、１ｃｍ程度に設定されている。

基板処理工程では、基板Ｗからの液跳ねやミストなどにより、液滴が各樋１２ａの下面に付着することがある。樋１２ａの下面に付着した液滴は、ある程度の大きさ以上であると、あるいは、ある程度の大きさ以上になると、重力によって移動し始める。この液滴は、重力に応じて樋１２ａの下面に沿って移動し、その樋１２ａの端部Ｂ１の下面から、その隣の樋１２ａの端部Ｂ２の上面（内面）に移る。その後、端部Ｂ２の上面に移った液滴は、樋１２ａの上面に沿って流れていくことになる。なお、樋１２が搬送方向Ａ１に沿う樋である場合には、最下流の樋１２ａの下面に付着した液滴は、その下面に沿って移動し、そのまま他の樋１２ａに流れ込む。また、樋１２が搬送方向Ａ１に水平に直交する方向に沿う樋である場合には、最下流の樋１２ａの下面に付着した液滴は、その下面に沿って処理室１０の内側面にまで到達し、その内側面に沿って流れ落ちていく。

このように、樋１２ａの下面に付着した液滴は、重力に負けて落下する前に隣の樋１２ａの上面に到達し、その上面を流れて基板Ｗ側に落下することがなくなる。したがって、樋１２ａの下面に付着した液滴は、基板Ｗ側に落下せず、各樋１２ａによって処理室１０の端まで流れるので、液滴が基板Ｗ上に落下することを抑制することが可能であり、基板Ｗへの液付着によるシミの発生を確実に抑えることができる。

以上説明したように、第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。さらに、各樋１２ａは、瓦状に積み重ねられて傾斜しており、傾斜方向に隣接する二つの樋１２ａのうち、高い位置の樋１２ａにおける低い側の端部Ｂ１が低い位置の樋１２ａにおける高い側の端部Ｂ２を非接触で覆うように設けられている。このため、傾斜方向に隣接する二つの樋１２ａにおいて、高い位置の樋１２ａの下面に付着した液滴はその下面に沿って移動し、重力に負けて落下する前に低い位置の樋１２ａの上面に移り、その上面に沿って移動することになる。これにより、液滴が基板Ｗ側に落下せず、各樋１２ａによって処理室１０の端まで流れるので、基板Ｗへの液付着によるシミの発生をより確実に抑えることができる。

（傾斜方向に隣接する二つの樋の鉛直離間距離）
なお、傾斜方向に隣接する二つの樋１２ａのうち、高い位置（上方）の樋１２ａの端部Ｂ１と、低い位置（下方）の樋１２ａの端部Ｂ２との鉛直離間距離は、１ｃｍ程度に設定されており、それらの端部Ｂ１と端部Ｂ２は平行になっているが、これに限るものではない。高い位置の樋１２ａの端部Ｂ１から低い位置の樋１２ａの端部Ｂ２に水滴が乗り移る部分が１ｃｍ程度あれば良い。

詳しくは、図７の左側に示すように、傾斜方向に隣接する二つの樋１２ａにおいて、液滴が流出する流出経路（端部Ｂ１と端部Ｂ２により形成される流出経路）の第１の鉛直離間距離Ｃ１の高さ方向のサイズと、その流出経路の第２の鉛直離間距離Ｃ２の高さ方向のサイズは、１ｃｍ程度で同じである。しかし、これに限るものではなく、例えば、図７の右側に示すように、第１の鉛直離間距離Ｃ１の高さ方向のサイズを１ｃｍ程度に維持し、第２の鉛直離間距離Ｃ２の高さ方向のサイズを第１の鉛直離間距離Ｃ１の高さ方向のサイズよりも小さくすることが可能である。この場合、端部Ｂ１と端部Ｂ２との鉛直離間距離は、傾斜方向に沿って処理室１０の外部に向かって、すなわち液滴の流れ方向に沿って徐々に短くなっており、流出経路は液滴の流れ方向に徐々に狭くなっている。

このように第１の鉛直離間距離Ｃ１より第２の鉛直離間距離Ｃ２を小さくした場合には、複数の樋１２ａで構成される樋１２の処理室１０内での高さを低くすることができる。このように、桶１２の処理室１０内での高さをできる限り低くすることによって、桶１２の高さによって天井１１の設置高さを高く設定しなければならない事態を防ぐことができ、ひいては基板処理装置１自体の高さが高くなることを防止できる。

また、図７の右側では、傾斜方向に隣接する二つの樋１２ａのうち、低い位置の樋１２ａは、途中で折れ曲がっており、二つの傾斜角度（例えば、１０、２０度）を有することになる。この低い位置の樋１２ａにおいて、傾斜角度が大きい部分を第１の部分とし、傾斜角度が小さい部分を第２の部分とすると、第２の部分は第１の部分よりも水平に近くなるため、この第２の部分では、液だれが起きやすくなる。

このため、第２の部分の長さは、図４に示すデータ同様に予め実験等で求めておき、このデータに基づいて液だれが起きないように決定されるが、極力短いことが望ましい。なお、低い位置の樋１２ａは、途中で折れ曲がっているが、これに限るものではなく、例えば、湾曲するように形成されても良い。

なお、第２の鉛直離間距離Ｃ２が１ｃｍ程度、第１の鉛直離間距離Ｃ１が１ｃｍ以上となるように桶１２ａを設けるようにしても良い。このように第１の鉛直離間距離Ｃ１を１ｃｍ以上とすることで、想定よりも大きい水滴が流れてきたとしても、この水滴が、第１の鉛直離間距離Ｃ１部分において下方に位置する桶１２ａの端部Ｂ２に接触して基板Ｗ上に落下してしまうことなく、確実に端部Ｂ２側へと乗り移らせることができる。

（他の実施形態）
前述の各実施形態においては、薬液や洗浄液などの処理液により基板Ｗ（例えば、パターン膜が形成された基板Ｗ）を処理する処理室１０に前述の構造の天井カバー１１を適用することを例示したが、これに限るものではなく、例えば、基板Ｗを乾燥させる乾燥室など各種の処理室に適用することが可能である。また、例えば、薬液により処理を行う薬液室、洗浄液により洗浄処理を行う洗浄室、気体の吹き付けにより乾燥を行う乾燥室が連続して設けられている場合には、それらに共通の天井カバーとして、前述の構造の天井カバー１１を設けることも可能である。

また、前述の各実施形態においては、処理室１０における搬送方向Ａ１の両側の壁上に天井板１１ａを固定することを例示したが、これに限るものではなく、例えば、その両側の壁が存在しない場合などには、天井板１１ａを支持する支持部を設けることも可能である。なお、両側の壁が存在する場合には、それらの壁が支持部として機能することになる。

また、前述の各実施形態においては、搬送方向Ａ１に直交する断面が三角波形状である天井カバー１１を用いることを例示したが、これに限るものではなく、山部Ｔと谷部Ｂを有する各種形状の天井カバーを用いることが可能である。例えば、搬送方向Ａ１に平行となる断面が三角波形状である天井カバー、または、山部Ｔ及び谷部Ｂのどちらか一方又は両方が湾曲形状である天井カバー、あるいは、山部Ｔや谷部Ｂが点状に存在するような天井カバーを用いることが可能である。なお、山部Ｔや谷部Ｂが点状に存在するような天井カバーを用いる場合には、桶１２の延伸方向に沿って整列して設けられる。

また、前述の各実施形態においては、天井カバー１１の各山部Ｔの高さが一定であることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、天井カバー１１の各山部Ｔの高さを不均一にすることも可能であり、各山部Ｔの一部の高さを異ならせたり、各山部Ｔの全ての高さを異ならせたりすることができる。また、一方向に延伸する山部Ｔの上端や谷部Ｂの下端は水平であることを例示したが、これに限るものではなく、傾斜していても良い。また、各天井板１１ａのサイズが異なっていても良い。

また、前述の各実施形態においては、複数の天井板１１ａにより天井カバー１１を構成することを例示したが、これに限るものではなく、例えば、一枚の板により天井カバー１１を構成することも可能である。一例として、金型などに樹脂や金属などの材料を流し込み、接続箇所が無い一体の天井カバー１１を形成することができる。

また、天井板１１ａや樋１２ａの両面（上面及び下面）には、濡れ性を向上させる膜を形成することも可能である。天井板１１ａや樋１２ａの濡れ性を向上させることにより、液だれしない距離を長くすることができるようになり、使用すべき天井板１１ａや樋１２ａの数を減らすことが可能となる。また、天井や樋の設置角度を小さくすることができ、より全高の低い装置とすることができる。

また、前述の各実施形態においては、桶１２からの処理液を回収桶１３によって受けることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、桶１２の端部を処理室１０の壁面に沿わせて処理液を流すようにしても良い。あるいは、桶１２自体を折れ曲がるように形成し、回収桶の役割を兼ねるようにしても良い。あるいは、複数の桶１２の端部を連結させた部分を形成し、これを回収桶としても良い。このようにすることで、装置を構成する部品を減らすことができる。

なお、前述の各実施形態においては、液晶表示装置の製造工程に本発明の実施形態を用いることとして説明したが、これに限らず、半導体製造装置等、その他処理室内にて処理液を用いて処理を行う装置に適用することができる。

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１ 基板処理装置
１０ 処理室
１１ａ 天井板
１２ 樋
１２ａ 樋
Ｂ 谷部
Ｂ１ 低い側の端部
Ｂ２ 高い側の端部
Ｔ 山部

ここで、図２に示すように、天井カバー１１の天井板１１ａに付着した液滴は、重力によって流れ出すと、天井板１１ａの下面に沿って天井カバー１１の谷部Ｂに向かって移動する。その液滴が天井カバー１１の谷部Ｂの下端から落下すると、その谷部Ｂの下方に位置する樋１２によって受けられ、その樋１２の内面を流れていく。この液滴は、前述の下流側の端部に位置する回収樋１３に流れ込み、回収樋１３の内面を流れて処理室１０の内側面にまで到達し、その内側面に沿って流れ落ちていく。

また、樋１２の長さおよび設置角度は、図４に示すデータ同様に、予め実験等で求めておき、この実験データに基づいて、液だれしないように決定することができる。

このように第１の鉛直離間距離Ｃ１より第２の鉛直離間距離Ｃ２を小さくした場合には、複数の樋１２ａで構成される樋１２の処理室１０内での高さを低くすることができる。このように、樋１２の処理室１０内での高さをできる限り低くすることによって、樋１２の高さによって天井１１の設置高さを高く設定しなければならない事態を防ぐことができ、ひいては基板処理装置１自体の高さが高くなることを防止できる。

なお、第２の鉛直離間距離Ｃ２が１ｃｍ程度、第１の鉛直離間距離Ｃ１が１ｃｍ以上となるように樋１２ａを設けるようにしても良い。このように第１の鉛直離間距離Ｃ１を１ｃｍ以上とすることで、想定よりも大きい水滴が流れてきたとしても、この水滴が、第１の鉛直離間距離Ｃ１部分において下方に位置する樋１２ａの端部Ｂ２に接触して基板Ｗ上に落下してしまうことなく、確実に端部Ｂ２側へと乗り移らせることができる。

また、前述の各実施形態においては、搬送方向Ａ１に直交する断面が三角波形状である天井カバー１１を用いることを例示したが、これに限るものではなく、山部Ｔと谷部Ｂを有する各種形状の天井カバーを用いることが可能である。例えば、搬送方向Ａ１に平行となる断面が三角波形状である天井カバー、または、山部Ｔ及び谷部Ｂのどちらか一方又は両方が湾曲形状である天井カバー、あるいは、山部Ｔや谷部Ｂが点状に存在するような天井カバーを用いることが可能である。なお、山部Ｔや谷部Ｂが点状に存在するような天井カバーを用いる場合には、樋１２の延伸方向に沿って整列して設けられる。

また、前述の各実施形態においては、樋１２からの処理液を回収樋１３によって受けることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、樋１２の端部を処理室１０の壁面に沿わせて処理液を流すようにしても良い。あるいは、樋１２自体を折れ曲がるように形成し、回収樋の役割を兼ねるようにしても良い。あるいは、複数の樋１２の端部を連結させた部分を形成し、これを回収樋としても良い。このようにすることで、装置を構成する部品を減らすことができる。

Claims (5)

1. 天井を有する処理室と、
   前記処理室内に設けられ、前記天井から落下した液滴を受ける樋と、
   を備え、
   前記天井は、山部と谷部を有する形状に形成されており、
   前記天井の谷部は、一方向に延びており、
   前記樋は、前記谷部の延伸方向に沿って延びるように設けられていることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記樋は、複数の樋により構成されており、
   前記複数の樋は、瓦状に積み重ねられて傾斜し、傾斜方向に隣接する二つの樋のうち、高い位置の樋における低い側の端部が低い位置の樋における高い側の端部を非接触で覆うように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記低い側の端部と前記高い側の端部との鉛直離間距離は、前記傾斜方向に沿って前記処理室の外部に向かって短くなっていることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記処理室には、前記処理室内の空気を排出する排気部が設けられていることを特徴とする請求項１〜３に記載の基板処理装置。
5. 前記桶の延伸方向と交わる方向に延伸して設けられる回収桶をさらに有し、
   前記桶の一端は、前記処理室の壁面に接触するように設けられ、
   前記桶の他端は、前記桶からの前記処理液が前記回収桶によって受けられる位置に設けられることを特徴とする請求項１〜４記載の基板処理装置。

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