JP2017135276A - 受発光素子、受発光素子モジュールおよびセンサ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子をモニタリングすることができる受発光素子を提供する。【解決手段】受発光素子は、受光素子２および発光素子３を備える。受光素子は、上面の一部に位置した他導電型の第２領域と第２領域の周囲に位置した一導電型の第１領域とを含む基板４を有する。発光素子は、基板の第２領域に配された複数の半導体層を有する。その結果、例えば、発光素子の寿命判断できる。センサ装置は、受発光素子モジュールと、受発光素子モジュールに接続され、受発光素子モジュールを制御する制御回路を有する。【選択図】図１

Description

本発明は、受発光素子、受発光素子モジュールおよびセンサ装置に関する。

従来、例えば特許文献１に記載されているように、複数積層された半導体層の一部を発光層とする半導体発光素子が知られている。

特開平１０―２００２１５号公報

このような発光素子では、発光素子の寿命を判断するために、発光素子をモニタリングすることが求められている。

本発明は、このような事情に鑑みて案出されたものである。

本開示の受発光素子は、受光素子および発光素子を備える。受光素子は、上面の一部に位置した他導電型の第２領域と第２領域の周囲に位置した一導電型の第１領域とを含む基板を有する。発光素子は、基板の第２領域に配された複数の半導体層を有する。

本開示の受発光素子モジュールは、上記の受発光素子と、第２受光素子とを備える。

本開示のセンサ装置は、上記の受発光素子モジュールと、受発光素子モジュールに接続され、受発光素子モジュールを制御する制御用回路と、を有する。

本開示の受発光素子は、発光素子をモニタリングすることができる。

本開示の受発光素子の上面図である。 本開示の受発光素子の断面図である。 本開示の受発光素子の断面図である。 本開示の受発光素子のうち、図１〜３とは異なる実施形態の断面図である。 本開示の受発光素子モジュールの断面図である。 本開示のセンサ装置の断面図である。

以下に、本開示の受発光素子、受発光素子モジュールおよびセンサ装置について、図面を参照しつつ説明する。また、以下の説明では、便宜的に直交座標系（Ｘ，Ｙ，Ｚ）を定義し、Ｚ軸方向の正側を上方とする。なお、本開示の受発光素子、受発光素子モジュールおよびセンサ装置は、いずれの方向が上方または下方とされてもよい。

＜受発光素子＞
（第１実施形態）
受発光素子１は、図１〜３に示したように、受光素子２および発光素子３を有している。受発光素子１は、発光素子３の光を受光素子２で受光することによって、発光素子３の光強度の変化に基づいて、発光素子３をモニタリングすることができる。その結果、例えば、発光素子３の寿命を判断することができる。

なお、図１は、受発光素子１を模式的に示した上面図である。また、図２は、図１に示した受発光素子１をＡＡ線に沿って上下方向に切断した時の断面を示している。図３は、図１に示した受発光素子１をＢＢ線に沿って上下方向に切断したときの断面を示している。

受光素子２は、光を受光して、受光した光を電流に変換することができる。受光素子２は、図１に示したように、基板４と、基板４の表面に配された第１電極５１および第２電極５２とを有している。基板４は、一部に他導電型の第２領域Ｒ２を含んでいる、一導電型の板状の部材である。言い換えれば、基板４は、図２、３に示したように、一導電型の第１領域Ｒ１および他導電型の第２領域Ｒ２からなり、基板４の一部分は第２領域Ｒ２であり、基板４の第２領域Ｒ２を除く領域の全ては、第１領域Ｒ１であってもよい。その結果、基板４内の第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との間にｐｎ接合を形成することができ、受光素子２は、光を電流に変換することができる。

なお、基板４は、第２領域Ｒ２を除く領域の全てが、第１領域Ｒ１である場合に限られない。第１領域Ｒ１は、ｐｎ接合を形成するために、少なくとも第２領域Ｒ２の周囲に位置していればよい。具体的には、例えば、第１領域Ｒ１は、平面視したときに第２領域Ｒ２を囲っていてもよいし、断面視したときに第２領域Ｒ２の下方に位置していてもよい。また、基板４は、一導電型でも他導電型でもない領域を有していてもよい。

第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２は、基板４の表面に位置している。基板４の表面において、第１電極５１は第１領域Ｒ１に配されており、第２電極５２は第２領域Ｒ２に配されている。その結果、受光素子２は、変換した電流を取り出すことができる。

基板４は、例えば、半導体材料からなればよい。本開示の基板４は、例えば、ｎ型のシリコン（Ｓｉ）基板を使用している。本開示の基板４は、シリコン（Ｓｉ）基板にｎ型の不純物をドーピングしている。また、基板４は、一部の領域にｐ型の不純物をドーピングしている。その結果、基板４は、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２とを有することができる。なお、シリコン（Ｓｉ）に対するｎ型の不純物は、例えば、リン（Ｐ）または窒素（Ｎ）などを使用することができる。また、シリコン（Ｓｉ）に対するｐ型の不純物としては、例えばホウ素（Ｂ）、亜鉛（Ｚｎ）またはマグネシウム（Ｍｇ）などを使用することができる。

基板４は、例えば、ｎ型のシリコン（Ｓｉ）のインゴットをウェハ状にスライスして、ウェハにｐ型の不純物をドーピングすることによって形成することができる。

なお、本明細書において、「一導電型」は「ｎ型」とし、「他導電型」は「ｐ型」とする。しかしながら、本発明に係る受発光素子１において、「一導電型」は「ｎ型」に限られず、「一導電型」を「ｐ型」としても構わない。また、「一導電型」を「ｐ型」としたとき「他導電型」は「ｎ型」である。

発光素子３は、基板４の上面に配された複数の半導体層６と、複数の半導体層６に配された第３電極７１および第４電極７２とを有している。その結果、発光素子３は、第３電極７１および第４電極７２を介して複数の半導体層６に電圧を印加することができ、複数の半導体層６の一部を発光させることができる。

複数の半導体層６は、第１半導体層６１、第２半導体層６２、第３半導体層６３、第４半導体層６４、第５半導体層６５および第６半導体層６６を有している。第３電極７１は第２半導体層６２に接続しており、第４電極７２は第６半導体層６６に接続している。なお、図２、３に示したように、複数の半導体層６の表面には、第３電極７１および第４電極７２との接続箇所を除いて、絶縁層８が配されている。なお、図１は、説明の便宜上、絶縁層８を除いた構成を示している。

第１半導体層６１は、基板４の上面に積層されている。第１半導体層６１は、バッファ層として機能することができる。すなわち、第１半導体層６１は、基板４と発光素子３との界面において、両者の格子定数の差に起因した応力を緩和することができる。そして、ひいては、複数の半導体層６全体の格子欠陥または結晶欠陥を少なくすることができる。第１半導体層６１は、例えば、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などで形成することができる。

第２半導体層６２は、第１半導体層６１の上面に積層されている。第２半導体層６２は、一導電型である。第２半導体層６２は、コンタクト層として機能することができる。すなわち、第２半導体層６２は、上面に形成される第３電極７１との接触抵抗を低減することができる。第２半導体層６２は、例えばガリウムヒ素（ＧａＡｓ）にｎ型の不純物をドーピングして形成される。ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）に対するｎ型の不純物としては、シリコン（Ｓｉ）またはセレン（Ｓｅ）などが挙げられる。

なお、第２半導体層６２の上面には、第３電極７１および第３半導体層６３が配されている。具体的には、第２半導体層６２は第１延在部Ｒ３を有しており、第１延在部Ｒ３に第３電極７１が配されており、それ以外の領域に第３半導体層６３が配されている。

第３半導体層６３は、第２半導体層６２の上面の一部に積層されている。第３半導体層６３は、一導電型である。第３半導体層６３は、クラッド層として機能することができる。すなわち、第３半導体層６３は、第４半導体層６４に正孔を閉じ込めることができる。第３半導体層６３は、例えば、アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）にｎ型の不純物をドーピングして形成することができる。アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）に対するｎ型の不純物は、例えば、シリコン（Ｓｉ）またはセレン（Ｓｅ）などを使用することができる。

第４半導体層６４は、第３半導体層６３に積層されている。第４半導体層６４は、活性層として機能することができる。すなわち、第４半導体層６４は、電子や正孔が集中して、両者が再結合することによって、発光することができる。第４半導体層６４は、例えば、アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）で形成することができる。

第５半導体層６５は、第４半導体層６４の上面に積層されている。第５半導体層６５は、他導電型である。第５半導体層６５は、クラッド層として機能することができる。すなわち、第５半導体層６５は、第４半導体層６４に電子を閉じ込めることができる。第５半導体層６５は、例えば、アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）にｐ型の不純物をドーピングして形成することができる。アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）に対するｐ型の不純物は、例えば、亜鉛（Ｚｎ）またはマグネシウム（Ｍｇ）などを使用することができる。

第６半導体層６６は、第５半導体層６５の上面に積層されている。第６半導体層６６は、他導電型である。第６半導体層６６は、コンタクト層として機能することができる。すなわち、第６半導体層６６は、上面に形成される第４電極７２との接触抵抗を低減することができる。第６半導体層６６は、例えば、アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）にｐ型の不純物をドーピングして形成することができる。なお、第６半導体層６６は、電極との接触抵抗を低減するために、第５半導体層６５よりもキャリア密度が高く設定されてもよい。

第１電極５１、第２電極５２、第３電極７１および第４電極７２は、例えば、金（Ａｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）などの材料で形成することができる。絶縁層８は、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮ）または二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）などの材料で形成することができる。電極５１，５２，７１，７２は、例えば、蒸着法などによって形成することができる。絶縁層８は、例えば、Ｐ−ＣＶＤ（Plasma Chemical Vapor Deposition）法などによって形成することができる。

発光素子３は、例えば、以下の方法によって形成することができる。

まず、複数の半導体層６、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法を利用して、基板４の上面に順次エピタキシャル成長させることによって形成する。次いで、絶縁層８を、例えば、Ｐ−ＣＶＤ（Plasma Chemical Vapor Deposition）法を利用して、複数の半導体層６の表面に形成する。次いで、電極７１，７２を、例えば、蒸着法、スパッタ法またはめっき法などを利用して、複数の半導体層６の一部の半導体層上に形成する。以上の方法によって、発光素子３を形成することができる。

受発光素子１において、発光素子３は、基板４の第２領域Ｒ２が位置した上面に配されている。その結果、発光素子３の第４半導体層６４が発光すると、受発光素子１の外部に出射する光の他に、下方に位置する受光素子２に対しても光が出射される。したがって、受光素子２で発光素子３の光を受光して、発光素子３をモニタリングすることができる。

また、発光素子３は、受光素子２の第２領域Ｒ２上の直接配置されている。言い換えれば、発光素子３は、受光素子２の第２領域Ｒ２を下地にして、複数の半導体層６を積層して形成されてもよい。したがって、発光素子３と受光素子２との位置ずれを低減することができる。

発光素子３は、基板４の上面において、第２領域Ｒ２から第２領域Ｒ２以外にわたって配されていてもよい。その結果、発光素子３が受光素子２の第２領域Ｒ２上にのみ配されている場合と比較して、発光素子３が受光素子２の第２領域Ｒ２を広く覆うことができる。したがって、受光素子２に意図しない光が入射することを低減することができ、発光素子３のモニタリングの精度を向上させることができる。

第１半導体層６１は、第２領域Ｒ２の全面を覆っていてもよい。その結果、受光素子２の第２領域Ｒ２が露出することを低減することができる。したがって、受光素子２の第２領域Ｒ２が露出している場合と比較して、受光素子２に意図しない光が入射することを低減することができる。

なお、本開示の第１半導体層６１は、第２延在部Ｒ４を有しており、第２延在部Ｒ４が第２領域Ｒ２を被覆している。言い換えれば、第２領域Ｒ２を被覆した第１半導体層６１の一部が第２延在部Ｒ４である。

第２電極５２は、図３に示したように、絶縁層８の上面および第１半導体層６１の第２延在部Ｒ４の下面にわたって配されていてもよい。すなわち、第２電極５２は、絶縁層８および第１半導体層６１の第２延在部Ｒ４を貫通して設けられていてもよい。

第２電極５２および絶縁層８は、第１半導体層６１の第２延在部Ｒ４の側面を被覆して
いてもよい。その結果、受光素子２に意図しない光が入射することを低減することができる。

第２電極５２および絶縁層８は、第１半導体層６１の第２延在部Ｒ４の上面を被覆していてもよい。その結果、受光素子２に意図しない光が入射することを低減することができる。

基板４の上面は、絶縁層８が配されていてもよい。その結果、受光素子２に意図しない光が入射することを低減することができる。

第１半導体層６１は、一導電型の半導体層であってもよい。その結果、第１半導体層６１と第２領域Ｒ２とがダイオードとして機能することから、整流作用によって、第１半導体層６１から第２領域Ｒ２に電流が流れることを低減することができる。したがって、発光素子３から受光素子２に電流が漏れることを低減することができ、発光素子３のモニタリングの精度を向上させることができる。

第１半導体層６１は、真性の半導体層であってもよい。その結果、第１半導体層６１中の伝導体の電子を低減することができるため、第１半導体層６１中を電流が流れることを低減することができる。したがって、発光素子３から受光素子２に電流が漏れることを低減することができる。

第１半導体層６１が真性の半導体層であった場合、第２半導体層６２は、一導電型の半導体層であってもよい。その結果、例えば、受光素子２および発光素子３を駆動させる場合、第２領域Ｒ２から第２半導体層６２にかけて逆バイアスの電圧が印加されることになり、空乏層が形成されることから、受光素子２への漏れ電流を低減することができる。

複数の半導体層６は、複数の側面を有しており、第３電極７１および第４電極７２は、それぞれが位置する側面の全面を被覆していてもよい。その結果、複数の半導体層６の側面から、受光素子２に意図しない光が入射することを低減することができる。

第３電極７１は、絶縁層８を介して、第２半導体層６２の第１延在部Ｒ３を被覆していてもよい。その結果、第２半導体層６２の上面から、受光素子２に意図しない光が入射することを低減することができる。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る受発光素子１について、図４を参照しつつ説明する。なお、図４は、第２実施形態に係る受発光素子１を、図３と同様に切断したときの断面を示している。

第２実施形態に係る受発光素子１において、図５に示したように、基板４が凸部４１を有しており、第２領域Ｒ２は凸部４１に位置している。なお、基板４の凸部４１は、例えば、上面の一部が、他の部分よりも上方に位置して構成されている。言い換えれば、基板４の凸部４１は、基板４の一部が上方に向かって突出して形成されている。

受発光素子１において、第１半導体層６１は、第２領域Ｒ２を被覆していなくてもよい。言い換えれば、第２領域Ｒ２は、第１半導体層６１に被覆されていない露出部Ｒ２１を有していてもよい。この場合、第２電極５２は、第１半導体層６１から離れて配されている。そして、第２電極５２は、第２領域Ｒ２の露出部Ｒ２１に配された絶縁層８の上面および下面にわたって配されている。すなわち、第２電極５２は、絶縁層８を貫通して設けられている。その結果、第２電極５２が、複数の半導体層６に直接接触していないことから、発光素子３から受光素子２に電流が漏れることを低減することができる。

第２電極５２は、絶縁層８を介して、凸部４１の露出部Ｒ２１が位置した側面を被覆していてもよい。すなわち、凸部４１の側面を、絶縁層８および第２電極５２によって２重に被覆してもよい。その結果、受光素子２に意図しない光が入射することを低減することができる。

第２電極５２は、絶縁層８を介して、凸部４１の露出部Ｒ２１が位置した上面を被覆していてもよい。すなわち、凸部４１の上面を、絶縁層８および第２電極５２によって２重に被覆してもよい。その結果、受光素子２に意図しない光が入射することを低減することができる。

受発光素子１は、上下方向において第２領域Ｒ２と重なる領域に、絶縁層８および電極５１，５２，７１，７２を被覆する第２絶縁層８１を有していてもよい。その結果、受光素子２に意図しない光が入射することを低減することができる。なお、第２絶縁層８１は、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮ）などの材料で形成することができる。第２絶縁層８１は、例えば、Ｐ−ＣＶＤ（Plasma Chemical Vapor Deposition）法などによって形成することができる。

＜受発光素子モジュール＞
次に、受発光素子モジュール９について、図５を参照しつつ説明する。

受発光素子モジュール９は、配線基板１０と、配線基板１０に実装された上記の受発光素子１と、第２受光素子１１とを有している。なお、以下、説明の便宜上、受発光素子１が有する上述した受光素子２を第１受光素子２とする。

受発光素子モジュール９は、受発光素子１の発光素子３から被照射物に光を照射し、被照射物での反射光を第２受光素子１１で受光することによって、被照射物の表面状態などをセンシングすることができる。具体的には、受発光素子１は、例えば、コピー機またはプリンタなどの画像形成装置に組み込まれて、トナーまたはメディアなどの被照射物の位置情報、距離情報または濃度情報などを検出することができる。

配線基板１０は、受発光素子１および第２受光素子１１を支持することができる。言い換えれば、受発光素子１および第２受光素子１１は、配線基板１０に実装することができる。配線基板１０は、外部装置に電気的に接続されて、受発光素子１および第２受光素子１１に電圧を印加することができる。なお、受発光素子１および第２受光素子１１の実装は、例えば、ボンディングワイヤで実装されればよい。

配線基板１０は、例えば、矩形状に形成されてもよい。配線基板１０は、例えば、樹脂基板またはセラミック基板などを使用することができる。本開示の配線基板１０は、樹脂基板である。なお、本明細書中において、樹脂基板とは、配線基板１０中の絶縁材料が樹脂材料からなる基板を指す。また、セラミック基板とは、配線基板１０中の絶縁材料がセラミックス材料からなる基板を指す。

配線基板１０は、例えば、絶縁層と配線とを交互に積層して形成することができる。

第２受光素子１１は、受発光素子１の基板４上に形成されている。言い換えれば、第２受光素子１１は、基板４を有しており、受発光素子１の第１受光素子２と第２受光素子１１は、基板４を共有している。第２受光素子１１の構造は第１受光素子２と同様である。すなわち、第２受光素子１１は、第１受光素子２と同一のプロセスで、基板４の上面のうち発光素子３から離れた箇所に、別に第２領域Ｒ２を形成することによって形成することができる。また、受発光素子１および第２受光素子１１は、基板４を介して配線基板１０に実装される。

受発光素子モジュール９は、遮光体１２と、レンズ部材１３をさらに有している。遮光体１２は、例えば、第２受光素子１１が外部から意図しない光を受光しないように、迷光を遮断することができる。また、レンズ部材１３は、受発光素子１からの光を被照射物に誘導したり、被照射物での反射光を第２受光素子１１に誘導したりすることができる。

具体的には、遮光体１２は、受発光素子１および第２受光素子１１を取り囲んだ枠状の壁部１４と、壁部１４の内面に設けられて壁部１４で囲んだ領域を覆うように配された蓋部１５とを有している。すなわち、壁部１４の内面と蓋部１５の下面とに囲まれる領域に、受発光素子１および第２受光素子１１が収容されている。また、受発光素子１の光が通過する複数の光通過部１６を有している。なお、本開示の光通過部１６は、複数の穴によって形成されている。

また、遮光体１２は、複数の光通過部１６の間に配されて、蓋部１５の下面から基板４の上面のうち受発光素子１および第２受光素子１１の間の領域に向かって伸びた遮光壁２１を、さらに有していてもよい。遮光壁２１は、発光素子３の光が第２受光素子１１に直接入射する可能性を低減することができる。

遮光体１２は、例えば、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ）、ポリスチレン樹脂（ＰＳ）、塩化ビニル樹脂（ＰＶＣ）、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）、アクリロニトリル／ブタジエン／スチレン樹脂（ＡＢＳ）などの汎用プラスチック、ポリアミド樹脂（ＰＡ）ポリカーボネイト樹脂（ＰＣ）などのエンジニアリングプラスチック、液晶ポリマーなどのスーパーエンジニアリングプラスチック、およびアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）などの金属材料などで形成することができる。遮光体１２は、例えば、射出形成などにより形成することができる。

また、レンズ部材１３は、光が通過するレンズ部１７と、レンズ部１７を支持する支持部１８とを有している。そして、レンズ部材１３は、支持部１８を介して、遮光体１２の壁部１４の内面と蓋部１５の上面とに囲まれる領域にはめ込まれている。

レンズ部材１３は、透光性の材料で形成することができる。レンズ部材１３は、例えば、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂ならびにエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、またはポリカーボネイト樹脂ならびにアクリル樹脂などの熱可塑性樹脂などのプラスチック、あるいはサファイアおよび無機ガラスなどで形成することができる。レンズ部材１３は、例えば、射出形成などにより形成することができる。

レンズ部１７は、発光素子３の出射光および被対象物での反射光を集光し誘導することができる。レンズ部１７は、発光素子３の出射光を集光する第１レンズ１９と、被対象物からの反射光を集光する第２レンズ２０とを有している。本開示の第１レンズ１９および第２レンズ２０のそれぞれは、例えば、凸レンズ、球面レンズまたは非球面レンズなどを使用することができる。

支持部１８は、レンズ部１７を保持することができる。支持部１８は、例えば、板状に形成することができる。支持部１８は、レンズ部１７と一体的に形成されることによってレンズ部１７を保持してもよいし、支持部１８にレンズ部１７の第１レンズ１９および第２レンズ２０がはめ込まれることによってレンズ部１７を保持してもよい。

＜センサ装置＞
次に、受発光素子１を備えたセンサ装置１００について説明する。図６に示したように、本開示のセンサ装置１００は、受発光素子モジュール９と、受発光素子モジュール９に電気的に接続された制御用回路１０１とを有している。制御用回路１０１は、受発光素子モジュール９を制御することができる。制御用回路１０１は、例えば、受発光素子１を駆動させるための駆動回路、第２受光素子１１からの電流を処理する演算回路または外部装置と通信するための通信回路などを含んでいる。なお、図６に示した破線の矢印は、発光素子３から出る光の経路を例示している。

なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。

上述した実施形態では、受発光素子１および第２受光素子１１が一つの基板４上に一体的に形成されているものについて説明したが、受発光素子１および第２受光素子１１は、それぞれ個別に形成された素子を配線基板上にそれぞれ実装されていても構わない。

また、上述した実施形態では、受発光素子１が１つの場合について説明したが、受発光素子モジュール９は、複数の受発光素子１を有していてもよいし、１つの受発光素子１と複数の発光素子３を有していてもよい。

また、上述した実施形態では、第２受光素子１１が１つの場合について説明したが、受発光素子モジュール９は、複数の第２受光素子１１を有していてもよい。

また、各実施形態に記載した受発光素子１の各構成部材の態様は、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で他の実施形態の受発光素子１に適用することができる。

１ ・・・受発光素子
２ ・・・受光素子（第１受光素子）
３ ・・・発光素子
４ ・・・基板
４１ ・・・凸部
５１ ・・・第１電極
５２ ・・・第２電極
６ ・・・複数の半導体層
６１ ・・・第１半導体層
６２ ・・・第２半導体層
６３ ・・・第３半導体層
６４ ・・・第４半導体層
６５ ・・・第５半導体層
６６ ・・・第６半導体層
７１ ・・・第３電極
７２ ・・・第４電極
８ ・・・絶縁層
８１ ・・・第２絶縁層
９ ・・・受発光素子モジュール
１０ ・・・配線基板
１１ ・・・第２受光素子
１２ ・・・遮光体
１３ ・・・レンズ部材
１４ ・・・壁部
１５ ・・・蓋部
１６ ・・・光通過部
１７ ・・・レンズ部
１８ ・・・支持部
１９ ・・・第１レンズ
２０ ・・・第２レンズ
２１ ・・・遮光壁
１００ ・・・センサ装置
１０１ ・・・制御用回路
Ｒ１ ・・・第１領域
Ｒ２ ・・・第２領域
Ｒ２１ ・・・露出部
Ｒ３ ・・・第１延在部
Ｒ４ ・・・第２延在部

Claims (8)

1. 一部の上面に位置した他導電型の第２領域と前記第２領域の周囲に位置した一導電型の第１領域とを含む基板を有する受光素子と、
   前記基板の前記第２領域に配された複数の半導体層を有する発光素子と、を備える受発光素子。
2. 前記複数の半導体層は、前記基板の上面に配された第１半導体層を有しており、
   前記第１半導体層は、前記基板の前記第２領域から前記第２領域以外にわたって配されている、請求項１に記載の受発光素子。
3. 前記第１半導体層は、前記第２領域の全面を覆っている、請求項２に記載の受発光素子。
4. 前記第１半導体層は、一導電型の半導体層である、請求項２または３に記載の受発光素子。
5. 前記第１半導体層は、真性の半導体層である、請求項２または３に記載の受発光素子。
6. 前記複数の半導体層は、前記第１半導体層の上面に積層された第２半導体層を有しており、
   前記第２半導体層は、一導電型である、請求項５に記載の受発光素子。
7. 請求項１〜６のいずれかに記載の受発光素子と、第２受光素子とを備える、受発光素子モジュール。
8. 請求項７に記載の受発光素子モジュールと、
   前記受発光素子モジュールに接続され、前記受発光素子モジュールを制御する制御用回路と、を有するセンサ装置。