JP2017085022A - 受発光素子、受発光素子モジュールおよびセンサ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子のモニタリングの精度を向上させる受発光素子を提供する。
【解決手段】受発光素子１は、基板２と、基板２上に配された複数の半導体層からなる積層体３と、を備え、積層体３は、一導電型の第１半導体層７および第１半導体層７の一主面に配された他導電型の第２半導体層８を含んでいる受光部５と、受光部５上に配された一導電型の第３半導体層９、第３半導体層９の一主面に配された活性層１０および活性層１０の一主面に配された他導電型の第４半導体層１１を含んでいる発光部と、を有している。
【選択図】図１

Description

本発明は、受発光素子、受発光素子モジュールおよびセンサ装置に関する。

従来、面発光型発光素子の信号光のパワーを一定に制御するため、信号光の監視を行なうモニター用受光素子付きの面発光型発光素子が知られている。このような面発光型発光素子として、例えば特許文献１には、半導体基板の一面を光取り出し面にして、他面に活性層が設けられており、光取り出し面にモニター用受光素子を形成することが記載されている。

特開Ｓ６２−１４３４８６号公報

しかしながら、従来の面発光型発光素子では、活性層の光が半導体基板を通過した後にモニター用受光素子にて受光されることから、モニター用受光素子に光が到達するまで光が減衰しやすく、モニタリングの精度が低減するおそれがあった。そのため、モニタリングの精度を向上させることが求められていた。

本発明は、このような事情に鑑みて案出されたものであり、発光素子のモニタリングの精度を向上させる受発光素子を提供する。

本発明の一実施形態にかかる受発光素子は、基板と、前記基板上に配された複数の半導体層からなる積層体と、を備え、前記積層体は、一導電型の第１半導体層および前記第１半導体層の一主面に配された他導電型の第２半導体層を含んでいる受光部と、前記受光部上に配された一導電型の第３半導体層、前記第３半導体層の一主面に配された活性層および前記活性層の一主面に配された他導電型の第４半導体層を含んでいる発光部と、を有している。

本発明の一実施形態にかかる受発光素子によれば、発光素子のモニタリングの精度を向上させることができる。

本発明の一実施形態にかかる受発光素子の断面図である。 本発明の一実施形態にかかる受発光素子の断面図である。 本発明の一実施形態にかかる受発光素子の断面図である。 本発明の一実施形態にかかる受発光素子の上面図である。 図１に示した受発光素子の変形例を示す断面図である。 図１に示した受発光素子の変形例を示す断面図である。 図１に示した受発光素子の変形例を示す断面図である。 図１に示した受発光素子の変形例を示す断面図である。 本発明の一実施形態にかかる受発光素子モジュールの断面図である。 本発明の一実施形態にかかる光学式センサの断面図である。

以下に、本発明の一実施形態にかかる受発光素子モジュールおよびセンサ装置について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面では、直交座標系（Ｘ，Ｙ，Ｚ）を定義し、以下の説明では、Ｚ軸方向の正側を上方とする。また、本明細書において、「上方」は、発光素子の光の出射方向である。

＜受発光素子モジュール＞
図１に、受発光素子１の概要を示す。

受発光素子１は、例えば、ＰＤ（Photo Diode）およびＬＥＤ（Light Emitting Diode
）等であり、ＬＥＤが搭載される種々の装置にて使用されるものである。

受発光素子１は、基板２と、基板２上に配された複数の半導体層から成る積層体３と、積層体３に電気的に接続している複数の電極４と、を有している。また、積層体３は、受光部５と発光部６とを有している。

基板２は、積層体３を支持する機能を有する。基板２は、例えば、半導体材料から成る。基板２が半導体材料から成ることによって、基板２の上面に積層体３（複数の半導体層）をエピタキシャル成長させることができる。すなわち、基板２が半導体材料から成る場合、基板２は積層体３の下地としても機能する。基板２は、例えば、シリコン（Ｓｉ）結晶から成る基板である。

基板２は、例えば、直方体状である。基板２の厚みは、例えば、３００μｍ以上４００μｍ以下である。基板２は、例えば、シリコン（Ｓｉ）のインゴットをウェハ状にスライスして、ウェハに不純物をドーピングすることによって形成することができる。

積層体３は、複数の半導体層から成り、受光部５および発光部６を形成するものである。発光部６は、光を出射する機能を有する。また、受光部５は、発光部６の光を受光する機能を有する。その結果、受発光素子１は、発光部６での光を受光部５で受光することが可能になり、発光部６の光の出力をモニタリングすることができる。

発光部６は、受光部５よりも上方に位置している。言い換えれば、発光部６は、受光部５に対して光の出射側に位置している。その結果、発光部６から出射された光は、受光部５を通過することなく取り出されるため、受光部５の光吸収に起因した発光部６の光強度の低下を防止することができる。したがって、受発光素子１のモニタリングの精度を向上させることができる。

受光部５は、一導電型の第１半導体層７および第１半導体層７の一主面に積層された他導電型の第２半導体層８を含んでいる。また、発光部６は、一導電型の第３半導体層９と、第３半導体層９の一主面に配された活性層１０と、活性層１０の一主面に配された他導電型の第４半導体層１１を含んでいる。

また、受光部５の第１半導体層７および第２半導体層８、ならびに発光部６の第３半導体層９および第４半導体層１１のそれぞれには、複数の電極４が接続されている。具体的には、複数の電極４は、第１半導体層７および第２半導体層８のそれぞれに接続された複数の第１電極４１と、第３半導体層９および第４半導体層１１のそれぞれに接続された複数の第２電極４２とを有している。複数の第１電極４１は、受光部５から電流を取り出す機能を有しており、複数の第２電極４２は、発光部６に電圧を印加する機能を有している。

なお、積層体３の表面には、複数の電極４同士の短絡を防止する目的で、複数の電極３との接続箇所を除いて絶縁層１２が配されている。

積層体３は、基板２の上面に積層されて、積層体３のバッファ層として機能する第５半導体層１３をさらに有している。また、積層体３は、受光部５と発光部６との間に介在して、受光部５および発光部６を接続している第６半導体層１４をさらに有している。

したがって、積層体３は、第５半導体層１３、第１半導体層７、第２半導体層８、第６半導体層１４、第３半導体層９、活性層１０および第４半導体層１１の順序で、基板２の上面に積層されて形成されている。

以下、基板２の上面に積層されている順序の通り、各構成を詳述する。また、以下の説明では、一導電型をｎ型とし、他導電型ｐ型として説明する。なお、本発明において、一導電型はｐ型であり、他導電型はｎ型であってもよい。

第５半導体層１３は、基板２と積層体３との間において、両者の格子定数の差を緩衝するものである。その結果、積層体３全体の格子欠陥または結晶欠陥を少なくすることができる。第５半導体層１３は、例えば、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等である。第５半導体層１３の厚みは、例えば、２μｍ以上３μｍ以下である。

第１半導体層７および第２半導体層８は互いに接続しており、両者の境界においてｐｎ接合を形成している。すなわち、第１半導体層７および第２半導体層８は、光エネルギーを電気エネルギーに変換するものであり、受光部５として機能するものである。

第１半導体層７は、ｎ型の半導体層であり、例えば、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等にｎ型の不純物をドーピングして形成される。ガリウムヒ素に対するｎ型の不純物としては、例えば、シリコン（Ｓｉ）またはセレン（Ｓｅ）等である。また、第１半導体層７の厚みは、例えば、０．２μｍ以上０．５μｍ以下である。

第２半導体層８は、ｐ型の半導体層であり、例えば、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等にｐ型の不純物をドーピングして形成される。ガリウムヒ素に対するｐ型の不純物としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）または亜鉛（Ｚｎ）等である。また、第２半導体層８の厚みは、例えば、０．２μｍ以上０．５μｍ以下である。

第６半導体層１４は、受光部５と発光部６との間で、両者を接続するものである。ここで、受光部５と発光部６の間に介在している部材（第６半導体層１４）が層状であるため、受光部５と発光部６との間に基板が介在している場合と比較して、受光部５と発光部６との距離を近づけることができる。したがって、発光部６から受光部５に到達するまでの光の減衰を低減することができ、受発光素子１のモニタリングの精度を向上させることができる。

また、本実施形態にかかる受発光素子１は、受光部５と発光部６とを、半導体材料で接続している。その結果、例えば、樹脂材料等によって発光素子と受光素子とを接続する場合と比較して、一連の半導体製造プロセスによって他の半導体層と連続して製造することができるため、製造効率を向上させることができる。第６半導体層１４は、例えば、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）の材料で形成される。第６半導体層１４の厚みは、例えば、０．１μｍ以上０．３μｍ以下である。

また、第６半導体層１４のバンドギャップは、活性層１０のバンドギャップよりも大き
くてもよい。その結果、受光部５と発光部６との半導体材料で接続しても、発光部６の光の第６半導体層１４での吸収を低減することができる。

第３半導体層９は、第６半導体層１４の上面に積層されている第１コンタクト層１５と、第１コンタクト層１５の上面の一部に積層されている第１クラッド層１６とを有している。第１コンタクト層１５の上面の他部には、第２電極４２が配されている。また、第１クラッド層１６の上面には、活性層１０が配されている。

第１コンタクト層１５は、第２電極４２との電気的な接触抵抗を低減する機能を有している。第１コンタクト層１５は、例えば、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）にｎ型の不純物をドーピングして形成される。ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）に対するｎ型の不純物としては、例えば、シリコン（Ｓｉ）またはセレン（Ｓｅ）等である。第１コンタクト層１５の厚みは、例えば、０．８μｍ以上１μｍ以下である。

第１クラッド層１６は、活性層１０に正孔を閉じ込める機能を有している。第１クラッド層１６は、例えば、アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）にｎ型の不純物をドーピングして形成される。アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）に対するｎ型の不純物は、例えば、シリコン（Ｓｉ）またはセレン（Ｓｅ）等である。第１クラッド層１６の厚みは、例えば、０．２μｍ以上０．５μｍ以下である。

活性層１０は、電子や正孔が集中して、両者が再結合することによって、発光する機能を有している。活性層１０は、例えば、アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）等である。活性層１０の厚みは、例えば、０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。

第４半導体層１１は、活性層１０の上面に積層されている第２クラッド層１７と、第２クラッド層１７の上面に積層されている第２コンタクト層１８とを有している。なお、第２電極４２は、第２コンタクト層１８の上面に配されている。

第２クラッド層１７は、活性層１０に電子を閉じ込める機能を有している。第２クラッド層１７は、例えば、アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）にｐ型の不純物をドーピングして形成される。アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）に対するｐ型の不純物は、例えば、亜鉛（Ｚｎ）またはマグネシウム（Ｍｇ）等である。第２クラッド層１７の厚みは、例えば、０．２μｍ以上０．５μｍ以下である。

第２コンタクト層１８は、第２電極４２との電気的な接触抵抗を低減する機能を有している。第２コンタクト層１８は、例えば、アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）にｐ型の不純物をドーピングして形成される。第２コンタクト層１８の厚みは、例えば、０．２μｍ以上０．５μｍ以上である。なお、第２コンタクト層１８は、電極との接触抵抗を低減するために、第２クラッド層１７よりもキャリア密度が高く設定されている。

なお、積層体３は、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）
法を利用して、基板２の上面に順次エピタキシャル成長させることによって形成することができる。また、絶縁層１２は、例えばＰ−ＣＶＤ（Plasma Chemical Vapor Deposition）法を利用して、積層体３の表面に形成することができる。また、複数の電極４は、例えば蒸着法、スパッタ法またはめっき法などを利用して、積層体３の一部の表面に形成することができる。

図２に、受発光素子１を俯瞰したときの概要を示す。なお、図１は、図２に示した受発光素子１の積層体３を拡大した図となる。

受発光素子１の基板２は一導電型であってもよい。そして、基板２は、積層体３から離れて位置し、基板２の表面から内部に配された他導電型の半導体領域１９を含んだ第２受光部２０を有していてもよい。その結果、受発光素子１は、例えば、発光部６の光を対象物に照射して、対象物での反射光を第２受光部２０で受光することができる。したがって、受発光素子１を、例えば、センサ用途等に使用することができる。

なお、この場合、基板２は、シリコン（Ｓｉ）基板にｎ型の不純物をドーピングしている。シリコン（Ｓｉ）に対するｎ型の不純物は、例えばリン（Ｐ）または窒素（Ｎ）等である。また、他導電型の半導体領域１９は、基板２にｐ型の不純物をドーピングすることによって形成することができる。本実施形態にかかる基板２は、シリコン（Ｓｉ）基板であることから、ｐ型の不純物としては、例えば、ホウ素（Ｂ）、亜鉛（Ｚｎ）またはマグネシウム（Ｍｇ）等である。

また、受発光素子１の第５半導体層１３は、他導電型であってもよい。その結果、積層体３の受光部５と基板２の第２受光部２０との間で電気的な短絡を低減することができる。

なお、この場合、第５半導体層１３は、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）の層にｐ型の不純物をドーピングされる。ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）に対するｐ型の不純物は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）または亜鉛（Ｚｎ）等である。

図３に、図２に示した受発光素子１を拡大したときとの断面を示す。なお、図３は、図２に示した積層体３および第２積層体２１を拡大している。

受発光素子１は、基板２の上面に積層された複数の半導体層から成る第２積層体２１を有していてもよい。なお、説明の便宜上、上記の積層体３を第１積層体３とする。

第２積層体２１は、第１積層体３に並んで配置されている、言い換えれば、第１積層体３および第２積層体２１は、第１方向、または第１方向および第１方向に直交する第２方向に沿って並んでいる。すなわち、第１積層体３および第２積層体２１は、例えば、一列に並んでいたり、マトリックス状に配置されていたりする。

また、第２積層体２１は、第３半導体層９と、第３半導体層９の一主面に積層されている活性層１０と、活性層１０の一主面に積層されている第４半導体層１１と、を有している。すなわち、第２積層体２１は、発光部６を有している。その結果、第１積層体３の発光部６と第２積層体２１の発光部６とを有することによって、受発光素子１の出射光のスポット径を大きくすることができる。したがって、例えば、受発光素子１の用途によって、受発光素子１の出射光のスポット径を調整することができる。

第２積層体２１は、第１積層体３と同じ複数の半導体層を有していてもよい。その結果、第２積層体２１と第１積層体３と同時に形成することができる。したがって、製造効率を向上させることができる。

第２積層体２１は、受光部を有していなくてもよい。具体的には、第２積層体２１には、第１電極４１は接続されていなくてもよい。その結果、受光部５に接続されている複数の第１電極４１の配線のスペースを小さくすることができる。したがって、受発光素子１を小型化することができる。

図４に、受発光素子１の上面を示す。図４では、特に第１積層体３および第２積層体２１を示しており、絶縁層１２を除いた形態を示している。

複数の第１電極４１は、第１積層体３と第２積層体２１とが対向している領域を除く領域に位置していてもよい。その結果、第１積層体３と第２積層体２１との間に第１電極４１が位置している場合と比較して、第１積層体３および第２積層体２１を近接配置することが可能になり、第１積層体３および第２積層体２１を同時に発光させたときに、発光ムラを低減することができる。

＜変形例１＞
図５に、図１とは異なる受発光素子１の断面図を示す。

受発光素子１Ａは、積層体３において、他導電型である第２半導体層８が一導電型である第１半導体層７よりも下方に位置している。その結果、積層体３の受光部５と基板２の第２受光部２０との間で電気的な短絡の発生を低減することができる。

＜変形例２＞
図６に、図１、５とは異なる受発光素子１の断面図を示す。

受発光素子１Ｂは、積層体３において、第６半導体層１４が一導電型であってもよい。そして、受光部５と発光部６とは、他導電型である第２半導体層８および第４半導体層１１によって、第６半導体層１４に接続されていてもよい。その結果、第６半導体層１４によって、受光部５と発光部６との電気的な短絡の発生を低減することができる。

また、受光部５と発光部６との電気的な短絡の発生を低減する目的で、第６半導体層１４を他導電型としてもよい。この場合、受光部５と発光部６とは、一導電型である第１半導体層７および第３半導体層９によって、第６半導体層１４と接続される。

なお、第６半導体層１４が一導電型（本明細書ではｎ型）である場合、第６半導体層１４は、例えば、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）にシリコン（Ｓｉ）またはセレン（Ｓｅ）等の材料がドーピングされて形成される。また、第６半導体層１４が他導電型（本明細書ではｐ型）である場合、第６半導体層１４は、例えば、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）にマグネシウム（Ｍｇ）または亜鉛（Ｚｎ）等の材料がドーピングされて形成される。

なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。

例えば、上述した実施形態では、受発光素子１が第５半導体層１３を有している例を説明したが、図７に示す受発光素子１のように、第５半導体層１３が無くてもよい。すなわち、基板２の上面には、第１半導体層７または第２半導体層８のいずれかが直接積層されていてもよい。この場合、第５半導体層１３の製造工程が不要になるため、製造効率を向上させることができる。

また、上述した実施形態では、受発光素子１が第６半導体層１４を有している例を説明したが、図８に示す受発光素子１のように、第６半導体層１４が無くてもよい。すなわち、発光部６および受光部５は、互いの有する半導体層が直接接続していてもよい。この場合、第６半導体層１４の製造工程が不要になるため、製造効率を向上させることができる。

＜受発光素子モジュール＞
図９に、受発光素子モジュール２２の概要を示す。

受発光素子モジュール２２は、上記の受発光素子１と受発光素子１が実装されている配線基板２３とを有している。受発光素子モジュール２２は、発光素子１から被照射物に光を照射し、被照射物での反射光を受光素子１９で受光することによって、被照射物をセンシングすることができる。よって、受発光素子モジュール２２は、例えばコピー機またはプリンタなどの画像形成装置に組み込まれて、トナーやメディアなどの被照射物の位置情報、距離情報または濃度情報などを検出することができる。

配線基板２３は、例えば矩形状に形成される。配線基板２３は、例えば樹脂基板またはセラミック基板を使用することができる。本実施形態にかかる配線基板２３は、樹脂基板である。なお、配線基板２３は、従来周知の方法によって形成することができる。

また、受発光素子モジュール２２は、遮光体２４と、レンズ部材２５をさらに有している。遮光体２４は、例えば、受発光素子１の受光部５または第２受光部２０が外部から意図しない光（迷光）を受光しないように、迷光を遮断する機能を有している。また、レンズ部材２５は、受発光素子１の発光部６からの光を被照射物に誘導したり、被照射物での反射光を受発光素子１の第２受光部２０に誘導したりする機能を有している。

具体的には、遮光体２４は、受発光素子１を取り囲んだ枠状の壁部２６と、壁部２６の内面に設けられて壁部２６で囲んだ領域を覆うように配された蓋部２７とを有している。すなわち、壁部２６の内面と蓋部２７の下面とに囲まれる領域に、受発光素子１が収容されている。また、発光部６の光が通過する複数の光通過部２８を有している。なお、本実施形態にかかる光通過部２８は、複数の穴によって形成されている。

遮光体２４の材料は、例えば、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ）、ポリアミド樹脂（ＰＡ）、ポリカーボネイト樹脂（ＰＣ）または液晶ポリマーなどの樹脂材料、あるいはアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）等の金属材料である。遮光体２４は、例えば射出形成などにより形成される。

また、レンズ部材２５は、光が通過するレンズ部２９と、レンズ部２９を支持する支持部３０とを有している。そして、例えば、レンズ部材２５は、支持部３０を介して、遮光体２４の壁部２６の内面と蓋部２７の上面とに囲まれる領域にはめ込まれている。

レンズ部材２５は、透光性の材料で形成される。レンズ部材２５の材料は、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂またはポリカーボネイト樹脂等の樹脂材料、あるいはサファイアおよび無機ガラスなどである。レンズ部材２５は、例えば射出形成などにより形成される。

レンズ部２９は、発光部６の出射光および被対象物での反射光を集光し誘導する機能を有する。レンズ部２９は、発光部６の出射光を集光する第１レンズ３１と、被対象物からの反射光を集光する第２レンズ３２とを有している。本実施形態にかかる第１レンズ３１および第２レンズ３２のそれぞれは、例えば凸レンズ、球面レンズまたは非球面レンズなどである。

支持部３０は、レンズ部２９を保持する機能を有する。支持部３０は、例えば板状に形成される。支持部３０は、レンズ部２９と一体的に形成されることによって、レンズ部２９を保持してもよいし、支持部３０にレンズ部２９の第１レンズ３１および第２レンズ３２がはめ込まれることによってレンズ部２９を保持してもよい。

＜センサ装置＞
図１０に、センサ装置１００の概要を示す。

本実施形態のセンサ装置１００は、受発光素子モジュール２２と、受発光素子モジュール２２に電気的に接続された制御用回路１０１とを有している。制御用回路１０１は、受発光素子１を制御するものである。制御用回路１０１は、例えば、発光部６を駆動させるための駆動回路、第２受光部２０からの電流を処理する演算回路または外部装置と通信するための通信回路などを含んでいる。なお、図１０に示す破線の矢印は、発光部６から出る光の経路を例示している。

１ ・・・受発光素子
２ ・・・基板
３ ・・・積層体（第１積層体）
４ ・・・複数の電極
５ ・・・受光部
６ ・・・発光部
７ ・・・第１半導体層
８ ・・・第２半導体層
９ ・・・第３半導体層
１０ ・・・活性層
１１ ・・・第４半導体層
１２ ・・・絶縁層
１３ ・・・第５半導体層
１４ ・・・第６半導体層
１５ ・・・第１コンタクト層
１６ ・・・第１クラッド層
１７ ・・・第２クラッド層
１８ ・・・第２コンタクト層
１９ ・・・半導体領域
２０ ・・・第２受光部
２１ ・・・第２積層体
２２ ・・・受発光素子モジュール
２３ ・・・配線基板
２４ ・・・遮光体
２５ ・・・レンズ部材
２６ ・・・壁部
２７ ・・・蓋部
２８ ・・・光通過部
２９ ・・・レンズ部
３０ ・・・支持部
３１ ・・・第１レンズ
３２ ・・・第２レンズ
１００・・・センサ装置
１０１・・・制御用回路

Claims (9)

1. 基板と、
   前記基板上に配された複数の半導体層からなる積層体と、を備え、
   前記積層体は、
   一導電型の第１半導体層および前記第１半導体層の一主面に配された他導電型の第２半導体層を含んでいる受光部と、
   前記受光部上に配された一導電型の第３半導体層、前記第３半導体層の一主面に配された活性層および前記活性層の一主面に配された他導電型の第４半導体層を含んでいる発光部と、を有している、受発光素子。
2. 前記積層体は、前記基板の上面に配された第５半導体層をさらに有しており、
   前記第１半導体層または前記第２半導体層は、前記第５半導体層の上面に積層されている、請求項１に記載の受発光素子。
3. 前記積層体は、前記発光部と前記受光部との間に介在している第６半導体層をさらに有している、請求項１または２に記載の受発光素子。
4. 前記第６半導体層は、前記第６半導体層に接続している前記発光部および前記受光部の半導体層の導電型と異なる導電型である、請求項３に記載の受発光素子。
5. 前記積層体を第１積層体としたときに、
   前記基板上に配された複数の半導体層から成り、前記第１積層体に並んだ少なくとも１つの第２積層体を、さらに有しており、
   前記受光部は、前記第１積層体のみが備えている、請求項１〜４のいずれかに記載の受発光素子。
6. 前記第１半導体層および前記第２半導体層の上面の一部に接続されている複数の電極をさらに有しており、
   前記複数の電極は、前記第１積層体および前記第２積層体が互いに対向している領域を除く領域に位置している、請求項５に記載の受発光素子。
7. 前記基板は、一導電型であるとともに、前記積層体から離れて位置し、且つ前記基板の表面から内部に配された他導電型の半導体層領域を有した第２受光部を有しており、
   前記受光部の第２半導体層は、前記第１半導体層よりも下方に位置している、請求項１〜６のいずれかに記載の受発光素子。
8. 請求項１〜７のいずれかに記載の受発光素子と、
   前記受発光素子が実装された配線基板と、を備えている、受発光素子モジュール。
9. 請求項８に記載の受発光素子モジュールと、
   前記受発光素子モジュールに接続され、前記受発光素子モジュールを制御する制御用回路と、を有するセンサ装置。

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