JP2017135193A - プリント配線板、及び、そのプリント配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 薄いプリント配線板の提供
【解決手段】 実施形態のプリント配線板は、第３面Ｆ３と第３面Ｆ３と反対側の第４面Ｆ４とを有する第２樹脂絶縁層５０Ｂと、第２樹脂絶縁層５０Ｂの第３面下に形成されている第２導体層５８Ａと、第２樹脂絶縁層の第４面上に形成されている第３導体層５８Ｂと、第２樹脂絶縁層を貫通し、第２導体層と第３導体層とを接続している第２ビア導体３６Ｂとを有する。そして、第２導体層５８Ａは第１導体部５８Ａ１と第２導体部５８Ａ２とからなる第２導体回路５８ＡＣ２とを有し、第１導体部５８Ａ１の厚みは第２導体部５８Ａ２の厚みより厚く、第２ビア導体３６Ｂは第１導体部５８Ａ１に至っている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、第１導体部と第２導体部とからなる第２導体回路を有するプリント配線板とそのプリント配線板の製造方法に関する。

特許文献１は、特許文献１の図４（ｇ）に特許文献１のプリント配線板の１例を示している。その図によれば、特許文献１は層間樹脂絶縁層上に銅箔から回路を形成し、電解めっきからなるビアホールを形成している。また、特許文献１の図４（ｇ）によれば、層間樹脂絶縁層上の回路の上面の位置とビアホールの上面の位置は異なっている。

特開２００４−３１９９９４号公報

[特許文献１の課題]
特許文献１では、特許文献１の図４（ｇ）に示されるように、ビアホールと回路との間に接合界面が存在する。そのため、ヒートサイクル等で、ビアホールと回路との間の接続信頼性が低下すると予想される。また、層間樹脂絶縁層上の回路が銅箔から形成されているので、回路の厚みを薄くすることが難しいと考えられる。回路の厚みが厚いと、プリント配線板の厚みが厚くなると予想される。特許文献１の技術により、層間樹脂絶縁層上の回路の厚みが薄くなると、回路と回路に至るビア導体との間の接続信頼性が低下すると考えられる。

本発明に係るプリント配線板は、第１導体部と前記第１導体部を囲み前記第１導体部と一体に形成されている第２導体部とからなる導体回路を有する第２導体層と、前記第２導体層上に形成され、前記第１導体部に至る第２ビア導体用の第２開口を有する第２樹脂絶縁層と、前記第２樹脂絶縁層上に形成されている第３導体層と、前記第２開口に形成され、前記第２導体層と前記第３導体層を接続する第２ビア導体を有する。そして、前記第１導体部の厚みは前記第２導体部の厚みより厚い。

本発明に係るプリント配線板の製造方法は、面上に、第２導体回路を形成するためのめっきレジストを形成することと、前記めっきレジストから露出する前記面上にめっき膜を形成することと、前記めっきレジストから露出する前記めっき膜上にエッチングレジストを形成することと、前記エッチングレジストから露出する前記めっき膜を薄くすることで、第１導体部と前記第１導体部の厚みより薄い厚みを有する第２導体部とで形成される前記第２導体回路を形成することと、前記エッチングレジストを除去することと、前記めっきレジストを除去することと、前記面と前記第２導体回路上に第２樹脂絶縁層を形成することと、前記第２樹脂絶縁層を貫通し、前記第１導体部に至る第２ビア導体用の開口を形成することと、前記第２樹脂絶縁層上に第３導体層を形成すること、前記第２ビア導体用の開口に、前記第２導体回路と前記第３導体層とを接続する前記第２ビア導体を形成すること、とを有する。

本発明の実施形態によれば、第２ビア導体を介する第２導体層と第３導体層間の接続信頼性を高くすることができる。プリント配線板の厚みを薄くすることができる。

図１（Ａ）は本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図１（Ｂ）は第２導体回路の平面図であり、図１（Ｃ）は第２導体層の断面図であり、図１（Ｄ）は第２実施形態に係るプリント配線板の断面図である。 実施形態のプリント配線板の製造工程図。 実施形態のプリント配線板の製造工程図。 実施形態のプリント配線板の製造工程図。 図５（Ａ）は第３実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図５（Ｂ）は第３導体層の断面図であり、図５（Ｃ）は第２導体回路の平面図であり、図５（Ｄ）はソルダーレジスト層や半田バンプを有するプリント配線板の断面図であり、図５（Ｅ）は、コンフォーマルビアとフィルドビアの断面図である。 図６（Ａ）と図６（Ｂ）、図６（Ｃ）は実施形態のプリント配線板の製造工程図であり、図６（Ｄ）は図１（Ａ）の一部を示す図である。

[第１実施形態]
図１は、第１実施形態のプリント配線板１０の断面図を示す。
図１（Ａ）に示されるようにプリント配線板１０は、第２導体層５８Ａと、第２導体層５８Ａ上に形成されている第２樹脂絶縁層５０Ｂと、第２樹脂絶縁層５０Ｂ上に形成されている第３導体層５８Ｂと、第２樹脂絶縁層５０Ｂを貫通し第２導体層５８Ａと第３導体層５８Ｂとを接続する第２ビア導体３６Ｂと、を有する。第２導体層５８Ａは複数の導体回路５８ＡＣ１、５８ＡＣ２、５８ＡＣ３を有する。図１（Ａ）に示されるように、導体回路５８ＡＣ２、５８ＡＣ３は第１導体部５８Ａ１と第２導体部５８Ａ２で形成されている。

図１（Ａ）に示されるように、第２樹脂絶縁層５０Ｂは第３面Ｆ３と第３面Ｆ３と反対側の第４面Ｆ４を有する。第２樹脂絶縁層５０Ｂは第２導体層５８Ａを形成する導体回路５８ＡＣ１、５８ＡＣ２、５８ＡＣ３間のスペースを埋めている。第２樹脂絶縁層５０Ｂは第２ビア導体３６Ｂ用の開口５１Ｂを有する。第２樹脂絶縁層５０Ｂは第２導体層５８Ａと第３導体層５８Ｂで挟まれている。第１導体部５８Ａ１は第２ビア導体３６Ｂを介し第３導体層５８Ｂに繋がっているので、第１導体部５８Ａ１は第３導体層５８Ｂと第２導体層５８Ａとの間の絶縁抵抗に影響しないと考えられる。そのため、第２導体部５８Ａ２と第３導体層５８Ｂとの間の距離ｄ２が第２導体層５８Ａと第３導体層５８Ｂとの間の絶縁信頼性に影響すると考えられる。第２導体部５８Ａ２の厚みｔ２は薄いので、実施形態のプリント配線板の絶縁信頼性は高い。実施形態では、第２樹脂絶縁層５０Ｂの厚みｄ２は第３導体層５８Ｂと第２導体部５８Ａ２との間の距離ｄ２である。厚みｄ２は４μｍ以上、６μｍ以下である。図１（Ｃ）に示されるように、第２導体部５８Ａ２の厚みｔ２は第１導体部５８Ａ１の厚みｔ１より薄い。そのため、第２樹脂絶縁層５０Ｂの第３面Ｆ３と第３導体層５８Ｂの上面との間の距離（第１実施形態のプリント配線板１０の厚み）Ｔ１が小さくなる。実施形態によれば、薄いプリント配線板１０を提供することができる。もし、第１導体部と第３導体層の間の距離が絶縁信頼性に大きく影響すると、第１導体部と第３導体層との間の距離を大きくしなければならない。プリント配線板の厚みＴ１が厚くなる。従って、第１導体部上に必ずビア導体が形成されると、プリント配線板の厚みＴ１を薄くすることができる。

図１（Ａ）に示されるように、第２導体層５８Ａは第２樹脂絶縁層５０Ｂの第３面Ｆ３側に形成されていて、第２樹脂絶縁層５０Ｂに埋まっている。第２導体層５８Ａの下面５８ＡＢは第２樹脂絶縁層５０Ｂの第３面Ｆ３から露出している。
第２導体層５８Ａ内の導体回路５８ＡＣ１、５８ＡＣ２、５８ＡＣ３の断面図は図１（Ｃ）に示され、第２導体層５８Ａ内の導体回路５８ＡＣ２、５８ＡＣ３の平面図が図１（Ｂ）に示される。図１（Ｂ）では、第１導体部５８Ａ１と第２導体部５８Ａ２の境界に点線が描かれている。図１（Ａ）や図１（Ｃ）に示されるように、導体回路（第２導体層５８Ａ内の第１導体回路）５８ＡＣ１は第２導体部５８Ａ２のみで形成されている。図１（Ａ）と図１（Ｂ）に示されるように、第２導体層５８Ａ内の第２導体回路５８ＡＣ２と第２導体層５８Ａ内の第３導体回路５８ＡＣ３は第１導体部５８Ａ１と第１導体部５８Ａ１を囲む第２導体部５８Ａ２で形成されている。第１導体部５８Ａ１と第２導体部５８Ａ２は一体的に形成されている。第１導体部５８Ａ１と第２導体部５８Ａ２は同時に形成されている。第２導体部５８Ａ２は第１導体部５８Ａ１の全外周から直接延びている。図１（Ｃ）に導体回路５８ＡＣ１、５８ＡＣ２、５８ＡＣ３の拡大図が示されている。第１導体部５８Ａ１の厚みｔ１は第２導体部の厚みｔ２より厚い。導体回路５８ＡＣ１の厚みｔ２は第２導体部５８Ａ２の厚みｔ２と略等しい。厚みｔ１は３．５μｍ以上、６．５μｍ以下であり、厚みｔ２は１μｍ以上４μｍ以下である。

図１（Ａ）に示されるように、第２ビア導体３６Ｂは第２樹脂絶縁層５０Ｂを貫通し第１導体部５８Ａ１に至る開口（第２ビア導体用の第２開口）５１Ｂ内に形成されている。第２ビア導体３６Ｂは第１導体部５８Ａ１の直上に形成されている。第２ビア導体３６Ｂを第２導体部５８Ａ２上に形成しないことが好ましい。第２ビア導体３６Ｂと第１導体部５８Ａ１は直接接続している。ヒートサイクルで第２ビア導体３６Ｂと第２導体層５８Ａとの間の界面は大きなストレスを受けやすい。ところが、実施形態では、第２ビア導体３６Ｂは厚い厚みを有する第１導体部５８Ａ１に繋がっている。第１導体部５８Ａ１の厚みが厚いので、ストレスで第１導体部５８Ａ１は変形しがたい。従って、第２ビア導体３６Ｂと第１導体部５８Ａ１との間の界面でのストレスが大きくなり難い。また、第１導体部５８Ａ１は薄い厚みを有する第２導体部５８Ａ２で囲まれている。第２導体部５８Ａ２は薄いので第２導体部５８Ａ２は変形しやすい。第２導体部５８Ａ２の変形により、第２ビア導体３６Ｂと第１導体部５８Ａ１との間の界面でのストレスが緩和されると考えられる。実施形態によれば、第２ビア導体３６Ｂを介する第２導体層と第３導体層との間の接続信頼性を高くすることができる。

開口５１Ｂがレーザで形成されると、レーザが第２導体層５８Ａを貫通するかもしれない。しかしながら、実施形態では、レーザは厚い厚みを有する第１導体部５８Ａ１に至る。そのため、実施形態では、レーザが第２導体層５８Ａを貫通しがたい。第２ビア導体３６Ｂと第２導体層５８Ａとの間の接続信頼性を高くすることが出来る。

第３導体層５８Ｂは第２樹脂絶縁層５０Ｂの第４面Ｆ４上に形成されている。第１実施形態では、第３導体層５８Ｂは最上の導体層であり、第２ビア導体３６Ｂは最上のビア導体である。第３導体層５８Ｂと第２ビア導体３６Ｂは同時に形成される。

厚みｔ１、ｔ２や厚みｄ２の例が以下に示される。厚みｔ２は２．５μｍである。厚みｔ１は５μｍである。第２導体層５８Ａの厚みは厚みｔ１と等しいと考えられる。厚みｄ２は５μｍである。プリント配線板１０の厚みＴ１は１０μｍである。第２導体層５８Ａと第３導体層５８Ｂとの間の絶縁間隔は厚みｄ２と略等しい。

[第２実施形態]
第２実施形態のプリント配線板１０は図１（Ｄ）に示される。第２実施形態のプリント配線板１０は第１実施形態のプリント配線板１０の第２導体層５８Ａと第２樹脂絶縁層５０Ｂの下に形成されている第１樹脂絶縁層５０Ａと、第１樹脂絶縁層下に形成されている第１導体層３４と、第１樹脂絶縁層５０Ａを貫通し第１導体層３４と第２導体層５８Ａとを接続する第１ビア導体３６Ａとを有する。第１樹脂絶縁層５０Ａは第１面Ｆ１と第１面Ｆ１と反対側の第２面Ｆ２を有し、第２面Ｆ２と第３面Ｆ３が対向している。第２面Ｆ２上に第２導体層５８Ａと第２樹脂絶縁層５０Ｂが形成されている。第１導体層３４は第１樹脂絶縁層５０Ａに埋まっていて、第１導体層３４のボトム３４Ｂが第１樹脂絶縁層５０Ａの第１面Ｆ１から露出する。第１樹脂絶縁層５０Ａは第１導体層３４を形成する導体回路３４１、３４２間を充填している。第１導体層３４は複数の導体回路３４１、３４２を有する。第２導体層５８Ａは第１実施形態と同様な導体回路５８ＡＣ１、５８ＡＣ２、５８ＡＣ３を有する。導体回路５８ＡＣ１の厚みｔ２と導体回路５８ＡＣ２、５８ＡＣ３の厚みｔ１は異なる。尚、導体回路が薄い導体と厚い導体で形成される場合、導体回路の厚みは厚い導体の厚みで代表される。第２導体層５８Ａは異なる厚みを有する導体で形成される。それに対し、第１導体層３４を形成する各導体回路３４１、３４２の厚みｔ０は略等しい。そのため、第１導体層３４上に形成される第１樹脂絶縁層５０Ａの第２面Ｆ２の平坦度を高くすることができる。その結果、導体回路５８ＡＣ１の厚みｔ２と導体回路５８ＡＣ２、５８ＡＣ３の厚みｔ１を高い精度で制御することができる。

図６（Ｄ）に図１（Ｄ）のプリント配線板の一部を示す。
図１（Ｄ）のプリント配線板から第２樹脂絶縁層５０Ｂと第３導体層５８Ｂと第２ビア導体３６Ｂを省くことで、図６（Ｄ）が描かれている。第２導体回路５８ＡＣ２は第１ビア導体３６に直接つながっている第１ビア導体３６Ａのランドを形成する。第１ビア導体３６Ａと第２導体回路５８ＡＣ２は同時に形成されている。第２導体回路５８ＡＣ２を形成している第１導体部５８Ａ１は第１ビア導体の直上に形成されている。第２導体回路５８ＡＣ２を形成している第２導体部５８Ａ２は第１樹脂絶縁層５０Ａの第２面Ｆ２上に形成されている。第２導体回路５８ＡＣ２を形成している第２導体部５８Ａ２は第１ビア導体３６Ａの回りの第１樹脂絶縁層上に形成されている。第２導体層５８Ａを形成している第３導体回路５８ＡＣ３は第１樹脂絶縁層５０Ａの第２面Ｆ２上に形成されている。第３導体回路５８ＡＣ３を形成している第１導体部５８Ａ１と第２導体部５８Ａ２は共に第１樹脂絶縁層５０Ａの第２面Ｆ２上に形成されている。

第１導体層３４の厚みｔ０や第１樹脂絶縁層５０Ａの厚みｄ１の例が以下に示される。厚みｄ１は第１導体層３４と第２導体層５８Ａとの間の距離である。第２導体層５８Ａ内の各導体回路５８ＡＣ１、５８ＡＣ２、５８ＡＣ３の厚みｔ１、ｔ２や第２樹脂絶縁層５０Ｂの厚みｄ２は第１実施形態と同様である。厚みｔ０は３．５μｍ以上、６．５μｍ以下である。例えば、厚みｔ０は５μｍである。第１導体層３４に至るビア導体３６Ａ用の開口５１Ａがレーザで形成されても、レーザが第１導体層３４を貫通しがたい。厚みｔ０は１μｍ以上４μｍ以下である。例えば、厚みｔ０は２．５μｍである。厚みｔ０が小さいので、プリント配線板１０の厚みＴ１を薄くすることが出来る。厚みｄ１は３．５μｍ以上、６．５μｍ以下である。例えば、厚みｄ１は５μｍである。

[第３実施形態]
第３実施形態のプリント配線板１０が図５（Ａ）に示される。第３実施形態のプリント配線板１０は第２実施形態のプリント配線板１０の第３導体層５８Ｂと第２樹脂絶縁層５０Ｂの第４面Ｆ４上に形成されている第３樹脂絶縁層５０Ｃと、第３樹脂絶縁層５０Ｃ上に形成されている第４導体層５８Ｃと、第３樹脂絶縁層５０Ｃを貫通し第３導体層５８Ｂと第４導体層５８Ｃとを接続する第３ビア導体３６Ｃとを有する。第３樹脂絶縁層５０Ｃは第５面Ｆ５と第５面Ｆ５と反対側の第６面Ｆ６を有し、第５面Ｆ５と第４面Ｆ４が対向している。第４面Ｆ４上に第３導体層５８Ｂと第３樹脂絶縁層５０Ｃが形成されている。第１実施形態や第２実施形態では、第３導体層５８Ｂを形成する各導体回路の厚みｔ３は略等しい。第２実施形態の第１導体層３４と同様に、第１実施形態や第２実施形態の第３導体層５８Ｂを形成する各導体回路は厚い導体と薄い導体で形成されていない。それに対し、第３実施形態の第３導体層５８Ｂは第１実施形態の第２導体層５８Ａと同様に厚い導体と薄い導体で形成されている。第３導体層５８Ｂは複数の導体回路５８ＢＣ１、５８ＢＣ２、５８ＢＣ３で形成されている。導体回路５８ＢＣ１、５８ＢＣ２、５８ＢＣ３の例が図５（Ｂ）と図５（Ｃ）に示されている。図５（Ｂ）は断面図であり、図５（Ｃ）は平面図である。導体回路５８ＢＣ２、５８ＢＣ３は第１導体部５８Ｂ１と第２導体部５８Ｂ２で形成されている。図５（Ｃ）では、第１導体部５８Ｂ１と第２導体部５８Ｂ２の境界に点線が描かれている。図５（Ｂ）に示されるように、導体回路（第３導体層５８Ａ内の第１導体回路）５８ＢＣ１は第２導体部５８Ｂ２のみで形成されている。図５（Ａ）と図５（Ｂ）に示されるように、第３導体層５８Ｂ内の第２導体回路５８ＢＣ２と第３導体層５８Ｂ内の第３導体回路５８ＢＣ３は第１導体部５８Ｂ１と第１導体部５８Ｂ１を囲む第２導体部５８Ｂ２で形成されている。第１導体部５８Ｂ１と第２導体部５８Ｂ２は一体的に形成されている。第１導体部５８Ｂ１と第２導体部５８Ｂ２は同時に形成されている。第２導体部５８Ｂ２は第１導体部５８Ｂ１の全外周から直接延びている。図５（Ｂ）に導体回路５８ＢＣ１、５８ＢＣ２、５８ＢＣ３の拡大図が示されている。第１導体部５８Ｂ１の厚みｔ３１は第２導体部５８Ｂ２の厚みｔ３２より厚い。導体回路５８ＢＣ１の厚みｔ３２は第２導体部５８Ｂ２の厚みと略等しい。厚みｔ３１は３．５μｍ以上、６．５μｍ以下であり、厚みｔ３２は１μｍ以上４μｍ以下である。厚みｔ３１の例は５μｍであり、厚みｔ３２の例は２．５μｍである。第３導体層５８Ｂの厚みｔ３は厚みｔ３１で代表される。そして、第３ビア導体３６Ｃは導体回路５８ＢＣ２、５８ＢＣ３の第１導体部５８Ｂ１に至る。第３ビア導体３６Ｃ用の開口がレーザで形成されても、第１導体部５８Ｂ１の厚みｔ３１が厚いので、レーザが第３導体層５８Ｂを貫通しがたい。第２導体層５８Ａの第２導体回路５８ＡＣ２と同様に、第３導体層５８Ｂの第２導体回路５８ＢＣ２は第２ビア導体３６Ｂのランドである。第３導体層５８Ｂの第３導体回路５８ＢＣ３は、第２導体層５８Ａの第３導体回路５８ＡＣ３と同様に第２樹脂絶縁層５０Ｂ上に形成されている。
第４導体層５８Ｃを形成する各導体回路の厚みｔ４は略等しい。第３実施形態の第４導体層５８Ｃを形成する各導体回路は厚い導体と薄い導体で形成されていない。第４導体層５８Ｃの各導体回路は第２導体部で形成される。

第４導体層５８Ｃの厚みｔ４や第３樹脂絶縁層５０Ｃの厚みｄ３の例が以下に示される。厚みｄ３は第３導体層５８Ｂと第４導体層５８Ｃとの間の距離である。厚みｔ４は１μｍ以上、４μｍ以下である。例えば、厚みｔ４は２．５μｍである。厚みｄ３は３．５μｍ以上、６．５μｍ以下である。例えば、厚みｄ１は５μｍである。

[第４実施形態]
第１実施形態のプリント配線板１０の第３導体層５８Ｂと第２樹脂絶縁層５０Ｂの第４面Ｆ４上に第３実施形態の第３樹脂絶縁層５０Ｃを形成することができる。さらに、第３樹脂絶縁層５０Ｃ上に第４導体層５８Ｃを形成することができる。そして、第３導体層５８Ｂと第４導体層５８Ｃとを接続するため、第３樹脂絶縁層５０Ｃに第３ビア導体３６Ｃを形成することができる。これにより、第４実施形態のプリント配線板が得られる。第４実施形態のプリント配線板の第３導体層５８Ｂと第３実施形態のプリント配線板の第３導体層５８Ｂは同様である。第４実施形態のプリント配線板の第４導体層５８Ｃと第３実施形態のプリント配線板の第４導体層５８Ｃは同様である。第４実施形態のプリント配線板の第３樹脂絶縁層５０Ｃと第３実施形態のプリント配線板の第３樹脂絶縁層５０Ｃは同様である。

各実施形態のプリント配線板１０の最上の樹脂絶縁層と最上の導体層上に第１ソルダーレジスト層を形成することができる。図１（Ａ）と図１（Ｄ）では、最上の樹脂絶縁層は第２樹脂絶縁層５０Ｂであり、最上の導体層は第３導体層５８Ｂである。図５（Ａ）では、最上の樹脂絶縁層は第３樹脂絶縁層５０Ｃであり、最上の導体層は第４導体層５８Ｃである。最上の導体層は最上の樹脂絶縁層から突出している。第１ソルダーレジスト層は最上の導体層を露出する開口を有する。第１ソルダーレジスト層の開口により第１パッドが露出する。第１パッド上に半田バンプを形成することができる。第１ソルダーレジスト層７０Ｆや半田バンプ７６Ｆを有するプリント配線板の例が図５（Ｄ）に示されている。図５（Ｄ）では、図１（Ａ）のプリント配線板に開口７２Ｆを有する第１ソルダーレジスト層７０Ｆと第１パッド７４Ｆ上に形成されている半田バンプ７６Ｆが加えられている。プリント配線板１０に半田バンプ７６Ｆを介してＩＣチップ等の電子部品を実装することができる。

各実施形態のプリント配線板は最下の導体層と最下の樹脂絶縁層を有する。最下の導体層は最下の樹脂絶縁層に埋まっている。図１（Ａ）では、最下の導体層は第２導体層５８Ａであり、最下の樹脂絶縁層は第２樹脂絶縁層５０Ｂである。図１（Ａ）では、樹脂絶縁層は１つなので、第２樹脂絶縁層５０Ｂは最下の樹脂絶縁層と最上の樹脂絶縁層を兼ねる。図１（Ｄ）と図５（Ａ）では、最下の導体層は第１導体層３４であり、最下の樹脂絶縁層は第１樹脂絶縁層５０Ａである。

各実施形態のプリント配線板１０の最下の樹脂絶縁層と最下の導体層下に第２ソルダーレジスト層を形成することができる。第２ソルダーレジスト層は最下の導体層を露出する開口を有する。第２ソルダーレジスト層の開口により第２パッドが露出する。第２パッド下に半田バンプを形成することができる。第２ソルダーレジスト層７０Ｓや半田バンプ７６Ｓを有するプリント配線板の例が図５（Ｄ）に示されている。図５（Ｄ）では、図１（Ａ）のプリント配線板に開口７２Ｓを有する第２ソルダーレジスト層７０Ｓと第２パッド７４Ｓ下に形成されている半田バンプ７６Ｓが加えられている。半田バンプ７６Ｓを介して実施形態のプリント配線板は他の回路基板に搭載される。

ビア導体はビア導体用の開口の内壁に沿って形成されているビア導体（コンフォーマルビア）である。もしくは、ビア導体はビア導体用の開口を充填しているビア導体（フィルドビア）である。コンフォーマルビアＣＶは図５（Ｅ）の左側に示されている。フィルドビアＦＶは図５（Ｅ）の右側に示されている。最上の導体層に繋がっているビア導体（最上のビア導体）はコンフォーマルビアであることが好ましい。最上の導体層は外部に露出する。あるいは、最上の導体層上に第１ソルダーレジスト層７０Ｆが形成される。

プリント配線板１０が３層以上の導体層を有する場合、最上の導体層と最下の導体層はそれらを形成する各導体回路の厚みは一定であることが好ましい。その場合、全ての導体回路は第２導体部で形成される。そして、最上の導体層と最下の導体層以外の導体層は図１（Ｃ）に示される第１導体部と第２導体部で形成される導体回路を含むことが好ましい。図１（Ｄ）に示されるプリント配線板は３層の導体層３４、５８Ａ，５８Ｂを有する。そして、第１導体層３４が最下の導体層であり、導体層５８Ｂが最上の導体層である。図１（Ｄ）では、第２導体層５８Ａのみが第１導体部と第２導体部で形成される導体回路を含む。

[プリント配線板の製造方法]
図２〜図４は実施形態のプリント配線板１０の製造方法を示す。図２（Ａ）に示されるように支持板１２ｚが準備される。支持板１２ｚの例は両面銅張積層板である。支持板１２ｚに銅箔１６が積層される（図２（Ａ））。銅箔１６上にめっきレジストが形成される。めっきレジストから露出する銅箔１６上に電解銅めっきにより電解銅めっき膜２４が形成される。めっきレジストが除去される。電解銅めっき膜２４から成る第１導体層３４が形成される（図２（Ｂ））。第１導体層の厚みｔ０は２．５μｍである。第１導体層３４と銅箔１６上に第１樹脂絶縁層５０Ａが形成される（図２（Ｃ））。第１導体層３４は第１樹脂絶縁層５０Ａの第１面Ｆ１側に埋まっている。

レーザで第１樹脂絶縁層５０Ａに第１導体層３４に至る第１ビア導体用の開口５１Ａが形成される（図２（Ｄ））。厚みｔ０は薄いが、第１導体層３４は銅箔１６上に形成されている。そのため、レーザで発生する熱が第１導体層３４から銅箔１６に伝わる。従って、レーザが第１導体層３４を貫通し難い。無電解めっき膜５２Ａが第１樹脂絶縁層５０Ａの第２面Ｆ２と開口５１Ａ内に形成される。その後、無電解めっき膜５２Ａ上にめっきレジスト５３Ａが形成される。めっきレジスト５３Ａから露出する無電解めっき膜５２Ａ上に電解めっき膜５４Ａが形成される。開口５１Ａ内に電解めっきが充填されフィルドビア３６Ａが形成される（図２（Ｅ））。第２導体層５８Ａを形成するためのめっき膜（電解めっき膜）５４と第１ビア導体３６Ａを形成するフィルドビアが同時に形成される。無電解めっき膜５２Ａの厚みと電解めっき膜５４Ａの厚みの和ｔ５は約５μｍである。

めっきレジスト５３Ａと電解めっき膜（めっき膜）５４Ａ上にエッチングレジスト組成物５５αが塗布される（図３（Ａ））。めっき膜５４Ａから第２導体層５８Ａ内の第１導体回路５８ＡＣ１と第２導体層５８Ａ内の第２導体回路５８ＡＣ２と第２導体層内の第３導体回路５８ＡＣ３を形成するため、めっきレジスト５３Ａから露出するめっき膜５４Ａ上にエッチングレジスト５５Ａが形成される（図３（Ｂ））。エッチングレジスト５５Ａは、写真技術により、エッチングレジスト組成物５５αから形成される。エッチングレジスト５５Ａを形成する位置は第１導体部５８Ａ１上である。めっき膜５４Ａを部分的に薄くすることで、第２導体部５８Ａ２と第１導体回路５８ＡＣ１が形成される。めっき膜５４Ａから第２導体層５８Ａが形成される場合、めっき膜５４Ａを薄くすることで、第２導体部５８Ａ２と第１導体回路５８ＡＣ１が形成される。そのため、第２導体部５８Ａ２と第１導体回路５８ＡＣ１を形成するためのめっき膜５４Ａ上にエッチングレジスト５５Ａは形成されない。第２導体部５８Ａ２と第１導体回路５８ＡＣ１に変化するめっき膜５４はエッチングレジスト５５Ａから露出する。図３（Ｃ）に示されるように、エッチングレジスト５５Ａから露出するめっき膜５４Ａの厚みが薄くされる。無電解めっき膜５２Ａと電解めっき膜５４Ａの厚みｔ２が２．５μｍに調整される。第１ビア導体３６Ａのランド５８ＡＣ２を形成している第１導体部５８Ａ１はめっき膜５４Ａのみで形成されている。また、第１ビア導体３６Ａのランド５８ＡＣ２を形成している第２導体部５８Ａ２はシード層５２Ａとシード層５２Ａ上のめっき膜５４Ａで形成されている。第３導体回路５８ＡＣ３を形成する第１導体部５８Ａ１と第２導体部５８Ａ２はシード層５２Ａとシード層上のめっき膜５４Ａで形成されている。

めっき膜５４Ａから第２導体層５８Ａが形成されているので、第１ビア導体３６Ａのランド５８ＡＣ２と第１ビア導体３６Ａは同時に形成されている。ランド５８ＡＣ２と第１ビア導体３６Ａは一体的に形成されている。

エッチングレジスト５５Ａが除去される。めっきレジスト５３Ａが除去される。めっきレジスト５３Ａとエッチングレジスト５５Ａは同時に除去される。めっき膜５４Ａから露出する無電解めっき膜５２Ａが除去される。第２導体層５８Ａが形成される（図３（Ｄ））。第１導体回路５８ＡＣ１の厚みｔ２は２．５μｍであり、第２導体回路５８ＡＣ２と第３導体回路５８ＡＣ３の厚ｔ１みは５μｍである。

第１樹脂絶縁層５０Ａと第２導体層５８Ａ上に第２樹脂絶縁層５０Ｂが形成される。第２樹脂絶縁層５０Ｂに第２導体層５８Ａに至る第２ビア導体３６Ｂ用の開口５１Ｂが形成される（図３（Ｅ））。開口５１Ｂは第１導体部５８Ａ１に至る。第１導体部５８Ａ１の厚みｔ１は５μｍである。第１導体部５８Ａ１の厚みは厚いため、レーザが第１導体部５８Ａ１を貫通しがたい。図２（Ｅ）と図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図３（Ｄ）に示される工程と同様な工程が行われる。第２樹脂絶縁層５０Ｂの第４面Ｆ４上に図５（Ｂ）に示される第３導体層５８Ｂが形成される（図４（Ａ））。第３導体層５８Ｂは第３導体層５８Ｂ内の第１導体回路５８ＢＣ１と第３導体層５８Ｂ内の第２導体回路５８ＢＣ２と第３導体層５８Ｂ内の第３導体層５８ＢＣ３を有する。第２樹脂絶縁層５０Ｂに第２導体層５８Ａと第３導体層５８Ｂを接続する第２ビア導体３６Ｂが形成される（図４（Ａ））。第１導体回路５８ＢＣ１の厚みｔ３２は２．５μｍであり、第１導体部５８Ｂ１と第２導体部５８Ｂ２を有する導体回路５８ＢＣ２、５８ＢＣ３の厚みｔ３１は５μｍである。第１導体部５８Ｂ１の厚みｔ３１は５μｍであり、第２導体部５８Ｂ２の厚みｔ３２は２．５μｍである。

第２樹脂絶縁層５０Ｂと第３導体層５８Ｂ上に第３樹脂絶縁層５０Ｃが形成される。第３樹脂絶縁層５０Ｃにレーザにより第１導体部５８Ｂ１に至る第３ビア導体３６Ｃ用の開口５１Ｃが形成される（図４（Ｂ））。この際、図３（Ｅ）に示される工程と同様に開口５１Ｃは第１導体部５８Ｂ１に至る。そのため、レーザが第３導体層５８Ｂを貫通しがたい。セミアディティブ法で無電解めっき膜５２Ｃと電解めっき膜５４Ｃから成る第４導体層５８Ｃと第３ビア導体３６Ｃが形成される（図４（Ｃ））。第４導体層５８Ｃは第２導体部のみで形成される。第４導体層５８Ｃの厚みｔ４は２．５μｍである。第３ビア導体３６ＣはコンフォーマルビアＣＶである。支持板１２ｚ上に第３実施形態のプリント配線板１０と銅箔１６とから成る中間基板１１０が形成される（図４（Ｃ））。

中間基板１１０が支持板１２ｚから分離される。中間基板１１０から銅箔１６が除去され、第３実施形態のプリント配線板１０が形成される（図５（Ａ））。

図４（Ａ）で第３導体層５８Ｂを第２導体部のみで形成することができる。支持板１２ｚ上に第２実施形態のプリント配線板１０と銅箔１６とから成る中間基板１１０が形成される。中間基板１１０と支持板が分離される。中間基板１１０から銅箔１６が除去される。第２実施形態のプリント配線板１０が形成される（図１（Ｄ））。

図２（Ｂ）の工程で、銅箔１６の上面で形成される面上にめっきレジストが形成される。その後、めっきレジストから露出する銅箔上にめっき膜（電解銅めっき膜）２４が形成される。図３（Ａ）と図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図３（Ｄ）に示される工程と同様な工程が行われる。銅箔１６上に第１導体回路５８ＡＣ１と第２導体回路５８ＡＣ２と第３導体部５８ＡＣ３とからなる第２導体層５８Ａが形成される。第２導体回路５８ＡＣ２と第３導体部５８ＡＣ３は第１導体部５８Ａ１と第２導体部５８Ａ２で形成されている。その後、銅箔１６と第２導体層５８Ａ上に第２樹脂絶縁層５０Ｂが形成される。図３（Ｅ）と図４（Ａ）に示される工程と同様な工程が行われる。支持板１２ｚ上に第１実施形態のプリント配線板１０と銅箔１６とから成る中間基板１１０が形成される。中間基板１１０と支持板が分離される。中間基板１１０から銅箔１６が除去される。第１実施形態のプリント配線板１０が形成される（図１（Ａ））。

図２（Ｄ）の工程で、もし、レーザが第１導体層３４を貫通しても、レーザは銅箔１６で止まる。その例が図６（Ａ）に示される。図６（Ａ）に示される開口５１Ａは第１樹脂絶縁層５０Ａと第１導体層３４を貫通している。無電解銅めっき膜等のシード層５２Ａが、第１樹脂絶縁層５０Ａの第２面Ｆ２上と第１ビア導体用の開口５１Ａ内に形成される。図６（Ｂ）に示されるように、開口５１Ａが第１導体層３４を貫通しても、開口５１Ａは銅箔１６で閉じられている。シード層５２Ａは開口５１Ａにより露出される銅箔１６上に形成されるので、シード層５２Ａにより、開口５１Ａの底が閉じられる。開口５１Ａの底は銅箔１６上に位置している。その後、シード層５２Ａ上にめっきレジストが形成される。めっきレジストから露出するシード層上に銅等からなる電解めっき膜５４Ａが形成される。第１ビア導体用の開口５１Ａは電解めっき膜５４Ａで充填される。開口５１Ａにフィルドビアからなる第１ビア導体３６Ａが形成される（図２（Ｅ））。図６（Ｂ）に示されるように、開口５１Ａが第１導体層３４を貫通しても、開口５１Ａの底はシード層５２Ａで閉じられているので、開口５１Ａ内にシード層５２Ａと電解めっき膜５４Ａとからなる第１ビア導体を形成することができる（図６（Ｃ））。図６（Ｃ）に示されるように、プリント配線板１０は第１導体層３４に至る第１ビア導体３６ＡＮと第１導体層３４を貫通する第１ビア導体３６ＡＴを共に有しても良い。もしくは、全ての第１ビア導体３６Ａが第１導体層３４を貫通する第１ビア導体３６ＡＴで形成されても良い。第１ビア導体３６ＡＴではビア導体３６Ａの底３６Ａｂが露出している。プリント配線板１０が第１ビア導体３６ＡＴを有すると、回路基板や電子部品等からビア導体３６ＡＴに、直接、データや電源等が伝送される。あるいは、ビア導体３６ＡＴから回路基板や電子部品等に、直接、データや電源等が伝送される。伝送の損失が小さくなる。

導体回路を形成する第１導体部５８Ａ１、５８Ｂ１の厚みは第２導体部５８Ａ２、５８Ｂ２の厚みより厚い。

１０ プリント配線板
３４ 第１導体層
３６Ｂ 第２ビア導体
３６Ｃ 第３ビア導体
５０Ａ 第１樹脂絶縁層
５０Ｂ 第２樹脂絶縁層
５０Ｃ 第３樹脂絶縁層
５８Ａ 第２導体層
５８Ｂ 第３導体層

Claims (10)

1. 第１導体部と前記第１導体部を囲み前記第１導体部と一体に形成されている第２導体部とからなる導体回路を有する第２導体層と、
   前記第２導体層上に形成され、前記第１導体部に至る第２ビア導体用の第２開口を有する第２樹脂絶縁層と、
   前記第２樹脂絶縁層上に形成されている第３導体層と、
   前記第２開口に形成され、前記第２導体層と前記第３導体層を接続する第２ビア導体を有するプリント配線板であって、
   前記第１導体部の厚みは前記第２導体部の厚みより厚い。
2. 請求項１のプリント配線板であって、さらに、前記第２導体層と前記第２樹脂絶縁層下に形成されている第１樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層下に形成されている第１導体層と、前記第１樹脂絶縁層を貫通し前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する第１ビア導体とを有し、前記導体回路は前記第１ビア導体のランドであって、前記第１導体部は前記第１ビア導体上に形成されていて前記第２導体部は前記第１樹脂絶縁層上に形成されている。
3. 請求項１のプリント配線板であって、前記第１導体部の厚みは３．５μｍ以上、６．５μｍ以下であり、前記第２導体部の厚みは１μｍ以上４μｍ以下である。
4. 請求項１のプリント配線板であって、前記第２開口はレーザで形成されている。
5. 請求項１のプリント配線板であって、前記第１導体部の上面は略平坦である。
6. 請求項２のプリント配線板であって、前記導体回路と前記第１ビア導体は同時に形成されている。
7. 請求項１のプリント配線板であって、さらに、前記第２導体層と前記第２樹脂絶縁層下に形成されている第１樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層下に形成されている第１導体層と、前記第１樹脂絶縁層を貫通し前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する第１ビア導体とを有し、前記第２導体層を形成する前記導体回路は複数であって、前記導体回路は前記第１樹脂絶縁層上に形成されている第３導体回路と前記第１ビア導体のランドを形成する第２導体回路を含み、前記第３導体回路の前記第１導体部と前記第３導体回路の前記第２導体部は前記第１樹脂絶縁層上に形成されていて、前記第２導体回路の前記第１導体部は前記第１ビア導体上に形成されていて前記第２導体回路の前記第２導体部は前記第１樹脂絶縁層上に形成されている。
8. 請求項２のプリント配線板であって、前記第１導体部は電解めっき膜のみで形成され、前記第２導体部はシード層と前記シード層上の前記電解めっき膜で形成されている。
9. 請求項７のプリント配線板であって、前記第２導体回路の前記第１導体部は電解めっき膜のみで形成され、前記第２導体回路の前記第２導体部はシード層と前記シード層上の前記電解めっき膜で形成されていて、前記第３導体回路の前記第１導体部と前記第３導体回路の前記第２導体部はシード層と前記シード層上の前記電解めっき膜で形成されている。
10. 面上に、第２導体回路を形成するためのめっきレジストを形成することと、
    前記めっきレジストから露出する前記面上にめっき膜を形成することと、
    前記めっきレジストから露出する前記めっき膜上にエッチングレジストを形成することと、
    前記エッチングレジストから露出する前記めっき膜を薄くすることで、第１導体部と前記第１導体部の厚みより薄い厚みを有する第２導体部とで形成される前記第２導体回路を形成することと、
    前記エッチングレジストを除去することと、
    前記めっきレジストを除去することと、
    前記面と前記第２導体回路上に第２樹脂絶縁層を形成することと、
    前記第２樹脂絶縁層を貫通し、前記第１導体部に至る第２ビア導体用の開口を形成することと、
    前記第２樹脂絶縁層上に第３導体層を形成すること、
    前記第２ビア導体用の開口に、前記第２導体回路と前記第３導体層とを接続する前記第２ビア導体を形成すること、とを有するプリント配線板の製造方法。

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