JP2002076636A - 配線基板及び配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スルーホール基板に形成された蓋付スルーホ
ール導体と、スルーホール基板に積層された絶縁層の上
に形成された導体層との間の接続抵抗を低くすることが
できる配線基板及び配線基板の製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 配線基板１は、スルーホール導体１７と
蓋状導体層２１からなる蓋付スルーホール導体１５が形
成されたスルーホール基板３を備える。このスルーホー
ル基板３上には、第２ビア導体３３が形成された第２絶
縁層９が積層され、その上には、第３導体層３５が形成
されている。そして、一部の蓋付スルーホール導体１５
と第３導体層３５とは、複数の第２ビア導体３３を介し
て接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、蓋付のスルーホー
ル導体が形成されたスルーホール基板に絶縁層が積層さ
れた配線基板及び配線基板の製造方法に関し、特に、ス
ルーホール基板上の絶縁層に、蓋付スルーホール導体と
接続するビア導体が形成された配線基板及び配線基板の
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、蓋付のスルーホール導体を有
するスルーホール基板に、この蓋付スルーホール導体と
直接接続するビア導体を有する絶縁層が積層された配線
基板が知られている。例えば、図８に部分拡大断面図を
示す配線基板１０１が挙げられる。この配線基板１０１
は、その中心に略板形状のコア基板（スルーホール基
板）１０３を備え、その両面には絶縁層１０７が形成さ
れ、さらにそれらの上には、ソルダーレジスト層１０９
が形成されている。

【０００３】このうちコア基板１０３には、これを貫通
する貫通孔１１１が複数形成され、各貫通孔１１１には
蓋付スルーホール導体１１３が形成されている。即ち、
各貫通孔１１１の内周面には、略筒状のスルーホール導
体１１５がそれぞれ形成され、各スルーホール導体１１
５の端部には、これと導通する蓋状導体層１１９がそれ
ぞれ形成されている。なお、各蓋付スルーホール導体１
１３内には、略円柱状のプラグ材１１７がそれぞれ充填
されている。

【０００４】コア基板１０３上、即ち、コア基板１０３
と絶縁層１０７との層間には、蓋付スルーホール導体１
１３や後述するビア導体１２５と接続する第１導体層１
２１が形成されている。絶縁層１０７には、これを貫通
するビア用貫通孔１２３が複数形成され、各ビア用貫通
孔１２３内には、蓋付スルーホール導体１１３または第
１導体層１２１と接続する略椀状のビア導体１２５がそ
れぞれ形成されている。絶縁層１０７上、即ち、絶縁層
１０７とソルダーレジスト層１０９との層間には、第２
導体層１２７が形成され、ビア導体１２５を介して、蓋
付スルーホール導体１１３または第１導体層１２１と接
続されている。そして、この第２導体層１２７のうち接
続パッド１２９は、ソルダーレジスト層１０９を貫通し
て形成された開口１３１内に露出している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな配線基板１０１では、蓋付スルーホール導体１１３
は、その径が大きく、電気抵抗が小さいのに対して、こ
れと接続するビア導体１２５は、その径が小さく、しか
も椀形状であるため、その電気抵抗が比較的大きい。こ
のため、蓋付スルーホール導体１１３と第２導体層１２
７との接続抵抗が大きくなる。特に、ビア導体１２５を
介して接続する蓋付スルーホール導体１１３及び第２導
体層１２７が、＋電位や−電位、あるいは接地電位を供
給する電源配線の一部を構成している場合には、ビア導
体１２５により接続抵抗が大きくなると、ＩＣチップな
ど配線基板１０１に実装する電子部品等に効率よく電力
を供給することが困難となる。

【０００６】本発明はかかる現状に鑑みてなされたもの
であって、スルーホール基板に形成された蓋付スルーホ
ール導体と、スルーホール基板に積層された絶縁層の上
に形成された導体層との間の接続抵抗を低くすることが
できる配線基板及び配線基板の製造方法を提供すること
を目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、複数の貫通孔、並びに、この複数の貫通孔にそ
れぞれ形成された複数の蓋付スルーホール導体であっ
て、上記貫通孔の内周面に形成された略筒状のスルーホ
ール導体、及び、このスルーホール導体の端部に形成さ
れ、このスルーホール導体と導通する蓋状導体層、を有
する複数の蓋付スルーホール導体、を備える略板形状の
スルーホール基板と、上記スルーホール基板上に形成さ
れた絶縁層と、上記絶縁層上に形成された導体層と、上
記絶縁層を貫通するビア用貫通孔内に形成され、上記蓋
状導体層と上記導体層とを接続するビア導体と、を備
え、少なくともいずれかの上記蓋付スルーホール導体
は、１つの蓋付スルーホール導体について複数の上記ビ
ア導体を介して上記導体層と接続している配線基板であ
る。

【０００８】本発明によれば、スルーホール基板に形成
された蓋付スルーホール導体の少なくともいずれかは、
その上の絶縁層上に形成された導体層と、１つではな
く、複数のビア導体を介して接続されている。このよう
に複数のビア導体で接続されていれば、個々のビア導体
の抵抗値が比較的高くても、これが複数あることによ
り、蓋付スルーホール導体と導体層との接続抵抗を低く
することができる。

【０００９】さらに、上記の配線基板であって、前記ビ
ア導体は、フィルドビアである配線基板とするのが好ま
しい。ビア用貫通孔の内周面に沿って形成され、中央が
凹んだ椀状のビア導体は、ビア導体の抵抗値が大きい傾
向にある。これに対し、ビア用貫通孔内に導体が充填さ
れたフィルドビアは、中央に凹みがないので、比較的そ
の抵抗値が小さい。従って、蓋付スルーホール導体と導
体層とを、複数のフィルドビアを介して接続すれば、こ
れらの接続抵抗をさらに低くすることができる。

【００１０】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記複数のビア導体を介して接続している前
記蓋付スルーホール導体及び前記導体層は、電源電位を
供給する電源配線の一部である配線基板とすると良い。

【００１１】信号を伝える信号配線は電流があまり流れ
ないのに対し、＋電位や−電位、あるいは接地電位を供
給する電源配線は、配線基板に搭載するＩＣチップなど
を駆動するため、比較的多くの電流が流される。従っ
て、このような電源配線について、蓋付スルーホール導
体と導体層とを複数のビア導体で接続すれば、その一部
の接続抵抗を低下させることができ、ＩＣチップなどの
電子部品に効率よく電力を送ることができる。

【００１２】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記ビア用貫通孔は、いずれも同径である配
線基板とすると良い。

【００１３】本発明では、蓋付スルーホール導体と導体
層とを複数のビア導体で接続するものも、単数のビア導
体で接続するものも、ビア用貫通孔が同径である。ビア
用貫通孔が同径であると、ビア用貫通孔を形成する際、
絶縁層に同じ条件で形成できるので効率的に形成できて
都合がよい。特に、ビア用貫通孔をレーザ加工によって
形成する場合には、同一条件で次々に形成できるので都
合がよい。さらに、ビア導体をフィルドビアとする場合
には、ビア用貫通孔内をメッキで充填するに際して、ビ
ア用貫通孔の径が同じであると、各ビア導体をほぼ同じ
速度で精度よく充填することができる。

【００１４】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記絶縁層及び導体層の上方に形成された、
少なくとも１層の上部絶縁層と、上記上部絶縁層上、ま
たは、上記上部絶縁層上及び上部絶縁層の層間に形成さ
れた上部導体層と、上記上部絶縁層を貫通して、上記導
体層と上記上部導体層とを、または上記上部導体層同士
を接続する上部ビア導体と、を備え、上記上部導体層の
うち、前記複数のビア導体を介して前記蓋付スルーホー
ル導体に接続された上記導体層に接続する上記上部導体
層は、上記導体層と複数の上記上部ビア導体を介して接
続する、または、上記導体層と複数の上記上部ビア導体
を介して接続すると共に、上記上部導体層同士もそれぞ
れ複数の上記上部ビア導体を介して接続する配線基板と
すると良い。

【００１５】本発明によれば、蓋付スルーホール導体と
その上の導体層とを複数のビア導体で接続するだけでな
く、この導体層とその上の上部導体層との間や上部導体
層同士についても、複数の上部ビア導体を介して接続し
ている。従って、スルーホール基板上の絶縁層上に、さ
らに上部絶縁層がある場合にも、導体層と上部導体層と
の接続抵抗を低くすることができ、ひいては、蓋付スル
ーホール導体から上部絶縁層上の上部導体層までの接続
抵抗を低くすることができる。

【００１６】さらに、上記の配線基板であって、前記上
部ビア導体は、フィルドビアである配線基板とするのが
好ましい。上部ビア導体が、その中央が凹んだ椀状のビ
ア導体である場合は、上部ビア導体の抵抗値が大きいの
に対して、中央に凹みがないフィルドビアである場合
は、その抵抗値が比較的小さい。従って、導体層と上部
導体層を、あるいは、上部導体層同士を、複数のフィル
ドビアを介して接続すれば、これらの接続抵抗をさらに
低くすることができる。

【００１７】また、他の解決手段は、配線基板の製造方
法であって、複数の貫通孔、並びに、この複数の貫通孔
にそれぞれ形成された複数の蓋付スルーホール導体であ
って、上記貫通孔の内周面に形成された略筒状のスルー
ホール導体、及び、このスルーホール導体の端部に形成
され、このスルーホール導体と導通する蓋状導体層、を
有する複数の蓋付スルーホール導体、を備える略板形状
のスルーホール基板上に、絶縁層を形成する絶縁層形成
工程と、レーザ加工により、上記絶縁層を貫通し、上記
蓋状導体層が底部に露出するビア用貫通孔を穿孔する穿
孔工程であって、いずれも同径の上記ビア用貫通孔を穿
孔し、しかも、少なくともいずれかの上記蓋状導体層に
ついて複数のビア用貫通孔を形成する穿孔工程と、メッ
キにより、上記ビア用貫通孔内に蓋状導体層と接続する
ビア導体を形成すると共に、上記絶縁層上に上記ビア導
体と接続する導体層を形成する導体形成工程と、を備え
る配線基板の製造方法である。

【００１８】本発明の配線基板の製造方法では、穿孔工
程において、少なくともいずれかの蓋状導体層について
複数のビア用貫通孔を形成するので、導体形成工程を経
ると、少なくともいずれかの蓋付スルーホール導体とそ
の上の導体層とは、複数のビア導体で接続される。従っ
て、これらの間では、接続抵抗を小さくすることができ
る。また、穿孔工程では、レーザ加工により同径のビア
用貫通孔を形成するので、レーザ加工の加工条件をビア
用貫通孔毎に変更する必要が無く、効率よく同径のビア
用貫通孔を穿孔することができる。なお、メッキ工程お
いて、フィルドビアであるビア導体を形成する場合に
は、ビア用貫通孔がいずれも同径となっているので、各
ビア用貫通孔に同じ速度で精度よくメッキを充填するこ
とができて、さらに都合がよい。

【００１９】

【発明の実施の形態】（実施形態１）以下、本発明の実
施の形態を、図面を参照しつつ説明する。本実施形態の
配線基板１について、図１に基板主面２側の部分拡大断
面図を示す。この配線基板１は、基板主面２と基板裏面
（図示しない）とを有する略矩形の略板形状をなし、そ
の中心にスルーホール基板３を備える。

【００２０】スルーホール基板３は、ガラス繊維布にエ
ポキシ樹脂を含浸させた複合材からなるコア基板５の両
面に、エポキシ樹脂等からなる第１絶縁層７がそれぞれ
積層されたものである。スルーホール基板３の両面、即
ち第１絶縁層７上には、エポキシ樹脂等からなる第２絶
縁層９がそれぞれ形成されている。そして、第２絶縁層
９上には、エポキシ樹脂等からなるソルダーレジスト層
１１がそれぞれ形成されている。

【００２１】配線基板１のうちスルーホール基板３に
は、これを貫通する直径約３００μｍの貫通孔１３が複
数形成され、各貫通孔１３には、蓋付スルーホール導体
１５がそれぞれ形成されている。この蓋付スルーホール
導体１５は、貫通孔１３の内周面に沿って略筒状に形成
された厚さ約２０μｍのスルーホール導体１７と、この
スルーホール導体１７の端部に形成され、このスルーホ
ール導体１７と導通する直径約５００μｍの略円盤形状
の蓋状導体層２１とからなり、内部には、エポキシ樹脂
等からなる略円柱形状のプラグ材１９が充填されてい
る。

【００２２】また、スルーホール基板３のうちコア基板
５と第１絶縁層７との層間には、所定パターンの配線や
パッドなどを有する第１導体層２３が形成され、その一
部は、蓋付スルーホール導体１５のうちスルーホール導
体１７に接続している。また、第１絶縁層７には、これ
を貫通する直径約７５μｍの第１ビア用貫通孔２５が複
数形成され、各第１ビア用貫通孔２５内には、メッキに
より充填されたフィルドビアである第１ビア導体２７が
形成されている。この第１ビア導体２７は、それぞれ上
記の第１導体層２３と接続している。

【００２３】スルーホール基板３上、即ち、スルーホー
ル基板３と第２絶縁層９との層間には、所定パターンの
配線やパッドなどを有する第２導体層２９が形成され、
第１ビア導体２７等と接続している。第２絶縁層９に
は、これを貫通する直径約７５μｍの第２ビア用貫通孔
３１が複数形成され、各第２ビア用貫通孔３１内には、
メッキにより充填されたフィルドビアである第２ビア導
体３３が形成されている。これらの第２ビア導体３３
は、蓋付スルーホール導体１５の蓋状導体層２１あるい
は第２導体層２９と接続している。このうち、電源電位
を供給する蓋付スルーホール導体１５の蓋状導体層２１
には、図１中に示すように、１つの蓋状導体層２１に対
して、複数の第２ビア導体３３がそれぞれ接続してい
る。

【００２４】第２絶縁層９上、即ち、第２絶縁層９とソ
ルダーレジスト層１１との層間には、所定パターンの配
線やパッドなどを有する第３導体層３５が形成され、第
２ビア導体３３と接続している。ソルダーレジスト層１
１には、これを貫通する開口３７が複数形成され、各開
口３７内には、第３導体層３５のうち接続パッド３９が
露出している。

【００２５】このような配線基板１は、一部の蓋付スル
ーホール導体１５が、その上の第３導体層３５と複数の
第２ビア導体３３を介して接続している。従って、これ
らの蓋付スルーホール導体１５と第３導体層３５との接
続は、従来の単数のビア導体で接続していた場合に比べ
て、その接続抵抗を低くすることができる。特に、本実
施形態では、第２ビア導体３３をいずれもフィルドビア
としたので、椀状のビア導体に比して、その抵抗値が低
く、従って、蓋付スルーホール導体１５と第３導体層３
５との接続抵抗を低くすることができる。

【００２６】また、本実施形態では、＋電位や−電位、
あるいは接地電位を供給する電源配線の一部である蓋付
スルーホール導体１５が、複数の第２ビア導体３３と接
続している。電源配線は、信号配線に比して比較的多く
の電流が流れるので、このように複数の第２ビア導体３
３を介して接続することにより、その接続抵抗を低下さ
せることができ、外部へ効率よく電力を送ることができ
る。

【００２７】また、本実施形態では、同一の絶縁層（第
２絶縁層９）に形成されたいずれの第２ビア用貫通孔３
１も同径である。このため、第２ビア用貫通孔３１を形
成するときに、レーザ加工等によって第２絶縁層９に同
じ条件で形成することができる。従って、第２ビア用貫
通孔３１を効率的に形成することができて都合がよい。
なお、異なる絶縁層では、ビア用貫通孔を同時にあるい
は連続して形成しないので、ビア用貫通孔の径を同じに
する必要はない。さらに、第２ビア導体３３が、フィル
ドビアであるので、第２ビア用貫通孔３１がそれぞれ同
径であることにより、メッキにより、同時に精度よく、
ほぼ同形状のフィルドビアを容易に形成することができ
る。

【００２８】次に、上記配線基板１の製造方法につい
て、図２〜図６を参照しつつ説明する。まず、図２に示
すように、コア基板５の両面に銅箔５１が張られた略板
形状の両面銅張コア基板５３を用意する。次に、第１導
体層形成工程において、銅箔５１上に所定パターンのエ
ッチングレジスト層を形成し、このレジスト層から露出
する銅箔５１をエッチング除去することにより、第１導
体層２３を形成する（図３参照）。

【００２９】次に、第１絶縁層形成工程において、コア
基板５上及び第１導体層２３上に、第１絶縁層７を形成
する（図３参照）。その後、第１レーザ穿孔工程におい
て、第１絶縁層７の所定の位置をレーザにより穿孔し
て、第１絶縁層７を貫通し、底面に第１導体層２３が露
出する第１ビア用貫通孔２５を形成する（図３参照）。
その際、第１ビア用貫通孔２５は、いずれも同径である
ので、第１ビア用貫通孔２５毎にレーザの条件を変更す
る必要がなく、効率よく穿孔することができる。次に、
ドリル穿孔工程において、図３に示すように、ドリルに
より、コア基板５及び第１絶縁層７等（スルーホール基
板３）を貫通する貫通孔１３を所定の位置に形成する。

【００３０】次に、第１メッキ工程において、スルーホ
ール基板３の両面、即ち、第１絶縁層７上にメッキ層を
形成すると共に、貫通孔１３の内周面に略筒状のスルー
ホール導体１７を形成し、また、第１ビア用貫通孔２５
内をメッキで充填して、フィルドビアである第１ビア導
体２７を形成する（図４参照）。具体的には、まず、無
電解メッキを施し、スルーホール基板３の両面、貫通孔
１３の内周面、並びに第１ビア用貫通孔２５の内周面
に、無電解メッキ層を形成する。その後、ブライトナー
（光沢剤）を希釈したプレディップ槽で前処理した後、
電解メッキを施し、無電解メッキ層上に電解メッキ層を
形成することにより、メッキ層、スルーホール導体１７
及び第１ビア導体２７を形成する。この際、第１ビア用
貫通孔２５は、いずれも同径となっているので、フィル
ドビア（第１ビア導体２７）を、同じ速度で精度よく充
填することができる。

【００３１】次に、プラグ材形成工程において、スルー
ホール導体１７内に、エポキシ樹脂に無機フィラー、金
属フィラー、硬化剤等を混ぜた樹脂ペーストを印刷充填
し、これを加熱して半硬化させる。その後、スルーホー
ル基板３の両面から膨出した余分な樹脂を研磨除去し、
さらに、半硬化の樹脂を加熱硬化させて、プラグ材１９
を形成する（図４参照）。

【００３２】次に、第２メッキ工程において、スルーホ
ール基板３の両面上、即ち、上記メッキ層及びプラグ材
１９の端面等の上に、さらにメッキ層を形成する。次
に、第２導体層形成工程において、上記メッキ層上に所
定パターンのエッチングレジスト層を形成し、このレジ
スト層から露出するメッキ層をエッチング除去する。こ
れにより、図４に示すように、第１絶縁層７上に所定パ
ターンの第２導体層２９が形成され、また、プラグ材１
９の端面及びスルーホール導体１７の端部上に、略円盤
状の蓋状導体層２１が形成される。

【００３３】次に、第２絶縁層形成工程において、第１
絶縁層形成工程と同様にして、スルーホール基板３上、
即ち、第１絶縁層７、第２導体層２９及び蓋状導体層２
１上に、第２絶縁層９を形成する（図５参照）。その
後、第２レーザ穿孔工程において、図５に示すように、
第２絶縁層９の所定の位置をレーザにより穿孔して、第
２絶縁層９を貫通し、底面に蓋状導体層２１または第２
導体層２９が露出する第２ビア用貫通孔３１を形成す
る。このとき、電源電位を供給する配線の一部をなす蓋
状導体層２１については、複数の第２ビア用貫通孔３１
を形成する。穿孔の際、第２ビア用貫通孔３１も、いず
れも同径であるので、第２ビア用貫通孔３１毎にレーザ
の条件を変更する必要がなく、効率よく穿孔することが
できる。

【００３４】次に、導体形成工程において、まず、第１
メッキ工程と同様にして、第２絶縁層９上にメッキ層を
形成すると共に、第２ビア用貫通孔３１内をメッキで充
填して、フィルドビアである第２ビア導体３３を形成す
る（図６参照）。その際、第２ビア用貫通孔３１も、い
ずれも同径となっているので、第２ビア導体３３の充填
速度のバラツキをなくし、ほぼ均一に充填することがで
きる。その後、上記のメッキ層上に所定パターンのエッ
チングレジスト層を形成し、このレジスト層から露出す
るメッキ層をエッチング除去することにより、図６に示
すように、第３導体層３５を形成する。この工程によ
り、一部の蓋付スルーホール導体１５と第３導体層３５
とが複数の第２ビア導体３３で接続される。従って、こ
れらの間の接続抵抗を小さくすることができる。

【００３５】次に、ソルダーレジスト層形成工程におい
て、第２絶縁層９及び第３導体層３５上に、接続パッド
３９が内部に露出する開口３７を有するソルダーレジス
ト層１１を形成する。具体的には、第２絶縁層９及び第
３導体層３５上に、半硬化のソルダーレジスト層を形成
し、開口３７に対応した所定パターンのマスクを用いて
露光し、現像する。その後、さらに加熱処理し硬化させ
て、開口３７を有するソルダーレジスト層１１を形成す
る。このようにして、配線基板１が完成する。なお、こ
の配線基板１の接続パッド３９にハンダなどでピンを立
設したり、あるいはハンダバンプを形成してもよい。

【００３６】（実施形態２）次いで、第２の実施形態の
配線基板２０１及び配線基板２０１の製造方法につい
て、図を参照しつつ説明する。本実施形態の配線基板２
０１は、図７に示すように、スルーホール基板２０３上
に形成された第２絶縁層２０９上に、さらに２層の上部
絶縁層２４１，２４９を積層してからソルダーレジスト
層２１１を形成している点が、上記実施形態１の配線基
板１と異なる。

【００３７】さらに詳細に説明すると、この配線基板２
０１は、上記実施形態１の配線基板１と同様に、コア基
板２０５に第１絶縁層２０７が積層されたスルーホール
基板２０３を備える。スルーホール基板２０３には、貫
通孔２１３が複数形成されている。各貫通孔２１３に
は、スルーホール導体２１７及び蓋状導体層２２１から
なる蓋付スルーホール導体２１５が形成され、その内部
には、プラグ材２１９が充填されている。また、スルー
ホール基板２０３は、第１導体層２２３と、第１ビア用
貫通孔２２５に形成された第１ビア導体２２７と、第２
導体層２２９とを備える。そして、スルーホール基板２
０３上には、第２ビア用貫通孔２３１に第２ビア導体２
３３が形成された第２絶縁層２０９が積層され、その上
には、第３導体層２３５が形成されている。なお、電源
電位を供給する配線の一部を構成する蓋付スルーホール
導体２１５と第３導体層２３５とは、複数の第２ビア導
体２３３を介して接続している。

【００３８】さらに、本実施形態では、第２絶縁層２０
９及び第３導体層２３５上に、エポキシ樹脂等からなる
第３絶縁層（上部絶縁層）２４１が形成されている。こ
の第３絶縁層２４１には、直径約７５μｍの第３ビア用
貫通孔２４３が形成され、各第３ビア用貫通孔２４３に
は、第３導体層２３５と接続するフィルドビアである第
３ビア導体（上部ビア導体）２４５がそれぞれ形成され
ている。このうち、蓋付スルーホール導体２１５と複数
の第２ビア導体２３３を介して接続した第３導体層２３
５（図中中央）には、複数の第３ビア導体２４５が接続
している。また、第３絶縁層２４１上には、所定パター
ンの配線やパッドなどからなり、第３ビア導体２４５と
接続する第４導体層（上部導体層）２４７が形成されて
いる。

【００３９】またさらに、第３絶縁層２４１及び第４導
体層２４７上には、エポキシ樹脂等からなる第４絶縁層
（上部絶縁層）２４９が形成されている。この第４絶縁
層２４９には、直径約７５μｍの第４ビア用貫通孔２５
１が形成され、各第４ビア用貫通孔２５１には、第４導
体層２４７と接続するフィルドビアである第４ビア導体
（上部ビア導体）２５３が形成されている。このうち、
蓋付スルーホール導体２１５と、複数の第２ビア導体２
３３、第３導体層２３５及び複数の第３ビア導体２４５
を介して接続した第４導体層２４７（図中中央）には、
複数の第４ビア導体２５３が接続している。

【００４０】また、第４絶縁層２４９上には、所定パタ
ーンの配線やパッドなどからなり、第４ビア導体２５３
と接続する第５導体層（上部導体層）２５５が形成され
ている。第４絶縁層２４９及び第５導体層２５５上に
は、上記実施形態１と同様に、第５導体層２５５の接続
パッド２３９が内部に露出する開口２３７を有するソル
ダーレジスト層２１１が形成されている。

【００４１】このような配線基板２０１も、一部の蓋付
スルーホール導体２１５とその上の第３導体層２３５と
が、複数の第２ビア導体２３３で接続されているので、
この蓋付スルーホール導体２１５と第３導体層２３５と
の接続抵抗を低くすることができる。さらに、本実施形
態では、さらに複数の上部絶縁層（第３絶縁層２４１及
び第４絶縁層２４９）が形成されているが、第３絶縁層
２４１上に形成された第４導体層２４７と、複数の第２
ビア導体２３３を介して蓋付スルーホール導体２１５と
接続する第３導体層２３５とは、複数の第３ビア導体２
４５を介して接続されている。また、その第４導体層２
４７と、その上の第５導体層２５５も、同様に、複数の
第４ビア導体２５３で接続されている。

【００４２】従って、第３導体層２３５と第４導体層２
４７との接続抵抗も、第４導体層２４７と第５導体層２
５５との接続抵抗も、低くすることができるので、結
局、蓋付スルーホール導体２１５から第５導体層２５５
までの接続抵抗を低くすることができる。特に、第２ビ
ア導体２３３だけでなく、第３ビア導体２４５及び第４
ビア導体２５３もフィルドビアであるので、その抵抗値
が低く、従って、接続抵抗を低くすることができる。

【００４３】また、電源配線の一部である蓋付スルーホ
ール導体２１５と第３導体層２３５とが、複数の第２ビ
ア導体２３３で接続されているだけでなく、この第３導
体層２３５と第４導体層２４７も複数の第３ビア導体２
４５で接続され、さらに、この第４導体層２４７と第５
導体層２５５も複数の第４ビア導体２５３で接続されて
いる。従って、これらの接続抵抗を低くすることがで
き、これらを通して効率よく外部へ電力を供給すること
ができる。

【００４４】また、各第２ビア用貫通孔２３１だけでな
く、各第３ビア用貫通孔２４３も同径であり、また、各
第４ビア用貫通孔２５１も同径である。このため、第３
ビア用貫通孔２４３を形成するとき、あるいは第４ビア
用貫通孔２５１を形成するときも、第２ビア用貫通孔２
３１を形成する場合と同様に、レーザ加工等の条件を同
じにして、効率的に形成することができる。

【００４５】次いで、上記配線基板２０１の製造方法に
ついて説明する。まず、上記実施形態１と同様に、両面
銅張コア基板を用意し、第１導体層形成工程、第１絶縁
層形成工程、第１レーザ穿孔工程、ドリル穿孔工程、第
１メッキ工程、プラグ材形成工程、第２メッキ工程、第
２導体層形成工程、第２絶縁層形成工程、第２レーザ穿
孔工程、及び導体形成工程を順次行い、第３導体層２３
５まで形成する。

【００４６】次に、第３絶縁層形成工程において、第２
絶縁層形成工程と同様にして、第２絶縁層２０９及び第
３導体層２３５上に、第３絶縁層２４１を形成する。そ
の後、第３レーザ穿孔工程において、第２レーザ穿孔工
程と同様にして、第３ビア用貫通孔２４３を形成する。
次に、第２の導体形成工程において、前述した導体形成
工程と同様にして、第３絶縁層２４１上にメッキ層を形
成すると共に、第３ビア用貫通孔２４３内をメッキで充
填して、第３ビア導体２４５を形成する。さらに、メッ
キ層を所定のパターンにエッチングして、第４導体層２
４７を形成する。

【００４７】次に、第４絶縁層形成工程において、第２
絶縁層形成工程と同様にして、第３絶縁層２４１及び第
４導体層２４７上に、第４絶縁層２４９を形成する。そ
の後、第４レーザ穿孔工程において、第２レーザ穿孔工
程と同様にして、第４ビア用貫通孔２５１を形成する。
次に、第３の導体形成工程において、前述した導体形成
工程と同様にして、第４絶縁層２４９上にメッキ層を形
成すると共に、第４ビア用貫通孔２５１内をメッキで充
填して、第４ビア導体２５３を形成する。さらに、メッ
キ層を所定のパターンにエッチングして、第５導体層２
５５を形成する。その後、ソルダーレジスト層形成工程
において、上記実施形態１と同様にして、開口２３７を
有するソルダーレジスト層２１１を形成すれば、配線基
板２０１が完成する。

【００４８】本実施形態の第３レーザ穿孔工程及び第４
レーザ穿孔工程も、第１ビア用貫通孔２２５及び第２ビ
ア用貫通孔２３１と同様に、いずれもそれぞれ同径の第
３ビア用貫通孔２４３及び第４ビア用貫通孔２５１を形
成するので、貫通孔毎にレーザの条件を変更することな
く、効率よく穿孔することができる。また、第２の導体
形成工程及び第３の導体形成工程では、第３ビア用貫通
孔２４３及び第４ビア用貫通孔２５１もそれぞれ同径と
なっているので、第１ビア導体２２７及び第２ビア導体
２３３と同様に、それぞれ、ほぼ同じ速度で精度よくフ
ィルドビア（第３ビア導体２４５及び第４ビア導体２５
３）を形成することができる。

【００４９】また、本実施形態では、第３レーザ穿孔工
程において、蓋状導体層２２１と第２ビア導体２３３を
介して接続する第３導体層２３５について、複数の第３
ビア用貫通孔２４３を形成し、同様に、この第３導体層
２３５に接続する第４導体層２４７について、複数の第
４ビア用貫通孔２５１を形成している。このため、第２
の導体形成工程及び第３の導体形成工程を経ると、この
第３導体層２３５と第４導体層２４７は、複数の第３ビ
ア導体２４５で接続され、また、この第４導体層２４７
と第５導体層２５５は、複数の第４ビア導体２５３で接
続される。従って、これらの間の接続抵抗も、蓋状導体
層２２１と第３導体層２３５の接続と同様に低くするこ
とができる。

【００５０】以上において、本発明を実施形態に即して
説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して
適用できることはいうまでもない。例えば、上記実施形
態１，２では、電源電位を供給する配線の一部をなす蓋
付スルーホール導体１５，２１５に複数の第２ビア導体
３３，２３３を設けているが、信号配線の一部をなす蓋
付スルーホール導体１５，２１５を含めすべての蓋付ス
ルーホール導体１５，２１５に複数の第２ビア導体３
３，２３３を設けることもできる。

【００５１】また、１つの蓋付スルーホール導体１５，
２１５に設ける第２ビア導体３３，２３３の個数や配置
は、蓋状導体層２１，２２１の大きさと第２ビア導体３
３，２３３の大きさ、第２ビア導体３３等付近の第３導
体層３５，２３５の配線の引き回しなどを考慮して、適
宜変更することができる。また同様に、実施形態２にお
いて、第３導体層２３５と第４導体層２４７を接続する
第３ビア導体２４５の個数や配置、第４導体層２４７と
第５導体層２５５とを接続する第４ビア導体２５３の個
数や配置についても、適宜変更することができる。

【００５２】また、上記実施形態１，２では、コア基板
５，２０５に第１絶縁層７，２０７を形成した多層基板
（積層基板）をスルーホール基板３，２０３として、こ
れに蓋付スルーホール導体１５，２１５を形成したが、
コア基板のみ、即ち、単一層の基板をスルーホール基板
としてこれに蓋付スルーホール導体を形成したり、ある
いは、コア基板に複数層の絶縁層を形成したものをスル
ーホール基板として、これに蓋付スルーホール導体を形
成することもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１に係る配線基板の部分拡大断面図で
ある。

【図２】実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、
両面銅張コア基板を示す説明図である。

【図３】実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、
第１導体層、第１絶縁層、第１ビア用貫通孔及び貫通孔
を形成した状態を示す説明図である。

【図４】実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、
蓋付スルーホール導体、第１ビア導体及び第２導体層を
形成した状態を示す説明図である。

【図５】実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、
第２絶縁層及び第２ビア用貫通孔を形成した状態を示す
説明図である。

【図６】実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、
第２ビア導体及び第３導体層を形成した状態を示す説明
図である。

【図７】実施形態２に係る配線基板の部分拡大断面図で
ある。

【図８】従来技術に係る配線基板の部分拡大断面図であ
る。

【符号の説明】

１，２０１ 配線基板 ３，２０３ スルーホール基板 ９，２０９ 第２絶縁層 １３，２１３ 貫通孔 １５，２１５ 蓋付スルーホール導体 １７，２１７ スルーホール導体 １９，２１９ プラグ材 ２１，２２１ 蓋状導体層 ３１，２３１ 第２ビア用貫通孔 ３３，２３３ 第２ビア導体 ３５，２３５ 第３導体層 ２４１ 第３絶縁層（上部絶縁層） ２４３ 第３ビア用貫通孔 ２４５ 第３ビア導体（上部ビア導体） ２４７ 第４導体層（上部導体層） ２４９ 第４絶縁層（上部絶縁層） ２５１ 第４ビア用貫通孔 ２５３ 第４ビア導体（上部ビア導体） ２５５ 第５導体層（上部導体層）

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数の貫通孔、並びに、この複数の貫通孔
   にそれぞれ形成された複数の蓋付スルーホール導体であ
   って、上記貫通孔の内周面に形成された略筒状のスルー
   ホール導体、及び、このスルーホール導体の端部に形成
   され、このスルーホール導体と導通する蓋状導体層、を
   有する複数の蓋付スルーホール導体、を備える略板形状
   のスルーホール基板と、 上記スルーホール基板上に形成された絶縁層と、 上記絶縁層上に形成された導体層と、 上記絶縁層を貫通するビア用貫通孔内に形成され、上記
   蓋状導体層と上記導体層とを接続するビア導体と、を備
   え、 少なくともいずれかの上記蓋付スルーホール導体は、１
   つの蓋付スルーホール導体について複数の上記ビア導体
   を介して上記導体層と接続している配線基板。
2. 【請求項２】請求項１に記載の配線基板であって、 前記複数のビア導体を介して接続している前記蓋付スル
   ーホール導体及び前記導体層は、電源電位を供給する電
   源配線の一部である配線基板。
3. 【請求項３】請求項１または請求項２に記載の配線基板
   であって、 前記ビア用貫通孔は、いずれも同径である配線基板。
4. 【請求項４】請求項１〜請求項３のいずれかに記載の配
   線基板であって、 前記絶縁層及び導体層の上方に形成された、少なくとも
   １層の上部絶縁層と、 上記上部絶縁層上、または、上記上部絶縁層上及び上部
   絶縁層の層間に形成された上部導体層と、 上記上部絶縁層を貫通して、上記導体層と上記上部導体
   層とを、または上記上部導体層同士を接続する上部ビア
   導体と、を備え、 上記上部導体層のうち、前記複数のビア導体を介して前
   記蓋付スルーホール導体に接続された上記導体層に接続
   する上記上部導体層は、上記導体層と複数の上記上部ビ
   ア導体を介して接続する、または、上記導体層と複数の
   上記上部ビア導体を介して接続すると共に、上記上部導
   体層同士もそれぞれ複数の上記上部ビア導体を介して接
   続する配線基板。
5. 【請求項５】配線基板の製造方法であって、 複数の貫通孔、並びに、この複数の貫通孔にそれぞれ形
   成された複数の蓋付スルーホール導体であって、上記貫
   通孔の内周面に形成された略筒状のスルーホール導体、
   及び、このスルーホール導体の端部に形成され、このス
   ルーホール導体と導通する蓋状導体層、を有する複数の
   蓋付スルーホール導体、を備える略板形状のスルーホー
   ル基板上に、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、 レーザ加工により、上記絶縁層を貫通し、上記蓋状導体
   層が底部に露出するビア用貫通孔を穿孔する穿孔工程で
   あって、いずれも同径の上記ビア用貫通孔を穿孔し、し
   かも、少なくともいずれかの上記蓋状導体層について複
   数のビア用貫通孔を形成する穿孔工程と、 メッキにより、上記ビア用貫通孔内に蓋状導体層と接続
   するビア導体を形成すると共に、上記絶縁層上に上記ビ
   ア導体と接続する導体層を形成する導体形成工程と、を
   備える配線基板の製造方法。