JP2017125156A - ガス化炉 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ガス化炉には、酸化域を所定温度または所定温度範囲に維持する手段が設けられ、原料を酸化域に所定時間範囲内で通過させる手段として、原料導入部が想定チャー層の最上部よりも上方に設けられ、酸化剤導入部が想定チャー層の最下部に臨む位置と最上部よりも上方でかつ原料導入部における開口よりも下方とに設けられ、下側に設けた酸化剤導入部における開口が酸化剤の導入方向が上方または略上方に向くように形成され、上側に設けた酸化剤導入部における開口が酸化剤の導入方向が水平方向または水平方向よりも上向きに沿うように形成され、生成ガス流出部が全ての酸化剤導入部よりも上方に設けられている。
【選択図】図7
Description
原料を酸化して生成ガスを生成するガス化炉であって、前記原料を酸化する酸化域を予め定めた所定温度または所定温度範囲に維持する手段を設け、前記原料を前記酸化域に予め定めた所定時間範囲内で通過させる手段として、前記原料を導入する原料導入部を予め定めた所定の想定チャー層の最上部よりも上方に設け、酸化剤を導入する酸化剤導入部を、前記想定チャー層の最下部に臨む位置と前記想定チャー層の最上部よりも上方でかつ前記原料導入部における開口よりも下方とに設け、前記想定チャー層の最下部に臨む位置に設けた前記酸化剤導入部における開口を前記酸化剤の導入方向が上方または略上方に向くように形成し、前記想定チャー層の最上部よりも上方で前記原料導入部における開口よりも下方に設けた前記酸化剤導入部における開口を前記酸化剤の導入方向が水平方向または水平方向よりも上向きに沿うように形成し、前記生成ガスを流出させる生成ガス流出部を全ての前記酸化剤導入部よりも上方に設けたことを特徴とするガス化炉。
原料を酸化して生成ガスを生成するガス化炉であって、前記原料を酸化する酸化域を予め定めた所定温度または所定温度範囲に維持する手段を設け、前記原料を前記酸化域に予め定めた所定時間範囲内で通過させる手段として、前記原料を導入する原料導入部を予め定めた所定の想定チャー層の最上部よりも上方に設け、酸化剤を導入する酸化剤導入部を前記想定チャー層の最下部に臨む位置に設け、前記酸化剤の導入量を制御する酸化剤導入量制御部を設け、前記酸化剤を導入する酸化剤導入部における開口を前記酸化剤の導入方向が上方または略上方に向くように形成し、前記生成ガスを流出させる生成ガス流出部を前記想定チャー層の最上部よりも上方に設けたことを特徴とするガス化炉。
原料を酸化して生成ガスを生成するガス化炉であって、前記原料を酸化する酸化域を予め定めた所定温度または所定温度範囲に維持する手段を設け、前記原料を前記酸化域に予め定めた所定時間範囲内で通過させる手段として、前記原料を導入する原料導入部を予め定めた所定の想定チャー層の最上部よりも上方に設け、酸化剤を導入する酸化剤導入部を前記想定チャー層の最下部に臨む位置に設け、前記酸化剤と吸熱反応剤および熱容量剤の少なくとも一方とを調整する調整制御部を設け、前記酸化剤導入部における開口を前記酸化剤の導入方向が上方または略上方に向くように形成し、前記生成ガスを流出させる生成ガス流出部を前記想定チャー層の最上部よりも上方に設けたことを特徴とするガス化炉。
原料を酸化して生成ガスを生成するガス化炉であって、前記原料を酸化する酸化域を予め定めた所定温度または所定温度範囲に維持する手段を設け、前記原料を前記酸化域に予め定めた所定時間範囲内で通過させる手段として、前記原料を導入する原料導入部、および、酸化剤を導入する酸化剤導入部を並列に設け、前記原料導入部における開口を前記原料の導入方向が前記生成ガスの流れ方向または略前記流れ方向に沿うように形成し、前記酸化剤導入部における開口を前記酸化剤の導入方向が前記生成ガスの流れ方向または略前記流れ方向に沿うように形成し、前記生成ガスを流出させる生成ガス流出部を前記生成ガスの流れ方向において前記原料導入部および前記酸化剤導入部よりも下流側に設け、前記酸化剤の導入量を制御する酸化剤導入量制御部を設けたことを特徴とするガス化炉。
原料を酸化して生成ガスを生成するガス化炉であって、前記原料を酸化する酸化域を予め定めた所定温度または所定温度範囲に維持する手段を設け、前記原料を前記酸化域に予め定めた所定時間範囲内で通過させる手段として、前記原料を導入する原料導入部、および、酸化剤を導入する酸化剤導入部を前記生成ガスの流れ方向における上流側端面に並列に設け、前記生成ガスを流出させる生成ガス流出部を前記上流側端面の対向面である下流側端面に設け、前記酸化剤の導入量を制御する酸化剤導入量制御部を設けたことを特徴とするガス化炉。
原料を酸化して生成ガスを生成するガス化炉であって、前記原料を酸化する酸化域を予め定めた所定温度または所定温度範囲に維持する手段を設け、前記原料を前記酸化域に予め定めた所定時間範囲内で通過させる手段として、前記原料を導入する原料導入部を前記生成ガスの流れ方向における上流側端面に設け、前記生成ガスを流出させる生成ガス流出部を前記上流側端面の対向面である下流側端面に設け、酸化剤を導入する複数の酸化剤導入部を前記上流側端面と前記下流側端面との間で前記生成ガスの流れ方向における上流側から下流側に順に設け、前記複数の酸化剤導入部の前記酸化剤の導入量を制御する酸化剤導入量制御部を設け、前記生成ガスの流れ方向における上流側から下流側に掛けて前記酸化剤の温度を次第に低くする酸化剤温度制御部を設けたことを特徴とするガス化炉。
原料を酸化して生成ガスを生成するガス化炉であって、前記原料を酸化する酸化域を予め定めた所定温度または所定温度範囲に維持する手段を設け、前記原料を前記酸化域に予め定めた所定時間範囲内で通過させる手段として、前記原料を導入する原料導入部を前記生成ガスの流れ方向における上流側端面に設け、前記生成ガスを流出させる生成ガス流出部を前記上流側端面の対向面である下流側端面に設け、酸化剤を導入する複数の酸化剤導入部を前記上流側端面と前記下流側端面との間で前記生成ガスの流れ方向における上流側から下流側に順に設け、前記複数の酸化剤導入部の前記酸化剤の導入量を制御する酸化剤導入量制御部を設け、前記生成ガスの流れ方向における上流側から下流側に掛けて前記酸化剤の濃度を次第に低くする酸化剤濃度制御部を設けたことを特徴とするガス化炉。
原料を酸化して生成ガスを生成するガス化炉であって、前記原料を酸化する酸化域を予め定めた所定温度または所定温度範囲に維持する手段を設け、前記原料を前記酸化域に予め定めた所定時間範囲内で通過させる手段として、前記原料を導入する原料導入部を前記生成ガスの流れ方向における上流側端面に設け、前記生成ガスを流出させる生成ガス流出部を前記上流側端面の対向面である下流側端面に設け、酸化剤を導入する酸化剤導入部を前記上流側端面と前記下流側端面との間で前記生成ガスの流れ方向における上流側に設け、前記酸化剤導入部の前記酸化剤の導入量を制御する酸化剤導入量制御部を設け、前記酸化剤導入部よりも下流側に吸熱反応剤を導入する吸熱反応剤導入部、および、熱容量剤を導入する熱容量剤導入部のうち少なくとも一方を設けたことを特徴とするガス化炉。
原料を酸化して生成ガスを生成するガス化炉であって、前記原料を酸化する酸化域を予め定めた所定温度または所定温度範囲に維持する手段を設け、前記原料を前記酸化域に予め定めた所定時間範囲内で通過させる手段として、前記原料を導入する原料導入部を前記生成ガスの流れ方向における上流側端面に設け、前記生成ガスを流出させる生成ガス流出部を前記上流側端面の対向面である下流側端面に設け、酸化剤を導入する酸化剤導入部を前記上流側端面および前記下流側端面の間に設け、前記酸化剤の導入量を制御する導入量制御部を設け、互いに異なる複数種類の温度の前記酸化剤を切り替える酸化剤温度切替制御部を設けたことを特徴とするガス化炉。
原料を酸化して生成ガスを生成するガス化炉であって、前記原料を酸化する酸化域を予め定めた所定温度または所定温度範囲に維持する手段を設け、前記原料を前記酸化域に予め定めた所定時間範囲内で通過させる手段として、前記原料を導入する原料導入部を前記生成ガスの流れ方向における上流側端面に設け、前記生成ガスを流出させる生成ガス流出部を前記上流側端面の対向面である下流側端面に設け、酸化剤を導入する酸化剤導入部を前記上流側端面および前記下流側端面の間に設け、前記酸化剤の導入量を制御する導入量制御部を設け、互いに異なる複数種類の濃度の前記酸化剤を切り替える酸化剤濃度切替制御部を設けたことを特徴とするガス化炉。
先ず、本発明の実施の形態に係るガス化炉102を備えたガス化装置100(ガス化システム)の全体構成について説明する。
本実施の形態に係るガス化炉102は、原料Fを酸化して燃料ガスGを生成するガス化炉である。
本実施の形態に係るガス化炉102の運転方法では、酸化域αの酸化雰囲気温度Tと、原料Fが酸化域αに入った時点から原料F自身の温度が結晶性シリカ生成温度Tcに達するまでの時間である結晶性シリカ生成温度到達時間tcとの相関関係ρ(後述する図6参照および[表1]参照)に基づいて所定温度または所定温度範囲の中央温度および所定時間範囲内の酸化域通過時間tpを決定する。本実施の形態に係るガス化炉102は、酸化雰囲気温度Tと結晶性シリカ生成温度到達時間tcとの相関関係ρに基づいて所定温度または所定温度範囲の中央温度および所定時間範囲内の酸化域通過時間tpを決定する第3手段をさらに備えている。
本発明者らの知見によると、酸化雰囲気温度Tが結晶性シリカ生成温度Tc(この例では750℃)より下回る場合には、結晶性シリカは生成されず、結晶性シリカ生成温度到達時間tcは理論上無限大になる。一方、結晶性シリカ生成温度到達時間tcは実際上0分になることはない。そして、実験結果のグラフ(図6参照)からすると、酸化雰囲気温度Tと結晶性シリカ生成温度到達時間tcとの相関関係ρは反比例の関係とみなすことができる。
また、酸化雰囲気温度Tと結晶性シリカ生成温度到達時間tcとの相関関係ρは、カリウムの所定の含有濃度の原料Fを基準とした以下の[表1]で示される相関表に対応させることができる。
本実施の形態において、ガス化炉102の設置時または原料Fの調達地の決定時若しくは変更時に相関関係ρを設定または更新する。
第6実施形態に係るガス化炉102の運転方法は、原料Fを導入するに先立ち、炉102b内を所定温度または所定温度範囲に予熱する。本実施の形態に係るガス化炉102は、原料Fを導入するに先立ち、炉102b内を所定温度または所定温度範囲に予熱する第4手段をさらに備えている。詳しくは、第4手段は、予熱部102cを含んでいる。
図7に示す第1実施形態に係るガス化炉102Aは、チャーRを流動させてチャー層δ(具体的にはチャー流動層)を形成するガス化炉(いわゆる流動床式ガス化炉)である。なお、第1実施形態に係るガス化炉102Aにおいて、図1に示すガス化装置100には、図示を省略した流動層用の循環ラインが設けられている。このことは、後述する第2実施形態および第3実施形態に係るガス化炉102B,102Cについても同様である。
図8に示す第2実施形態に係るガス化炉102Bは、チャーRを流動させてチャー層δ(具体的にはチャー流動層)を形成するガス化炉(いわゆる流動床式ガス化炉)である。
図9に示す第3実施形態に係るガス化炉102Cは、チャーRを流動させてチャー層δ(具体的にはチャー流動層)を形成するガス化炉(いわゆる流動床式ガス化炉)である。
図10に示す第4実施形態に係るガス化炉102Dは、チャーRを噴流させて燃料ガスGを予め定めた所定の流れ方向Vに移動させるガス化炉(いわゆる噴流床式ガス化炉)である。
図11に示す第5実施形態に係るガス化炉102Eは、図10に示すガス化炉102Dにおいて、炉温度制御部102qを設けたものである。
図12に示す第6実施形態に係るガス化炉102Fは、炉102bを軸線回りに回転させながら燃料ガスGを予め定めた所定の流れ方向Vに移動させるガス化炉(いわゆるロータリキル式ガス化炉)である。
図13に示す第7実施形態に係るガス化炉102Gは、炉102bを軸線X回りに回転させながら燃料ガスGを予め定めた所定の流れ方向Vに移動させるガス化炉(いわゆるロータリキル式ガス化炉)である。
図14に示す第8実施形態に係るガス化炉102Hは、図13に示すガス化炉102Gにおいて、複数の酸化剤温度制御部102r(1)〜102r(n)に代えて複数の酸化剤濃度制御部102s(1)〜102s(n)を設けたものである。
図15に示す第9実施形態に係るガス化炉102Iは、炉102bを軸線回りに回転させながら燃料ガスGを予め定めた所定の流れ方向Vに移動させるガス化炉(いわゆるロータリキル式ガス化炉)である。
図16に示す第10実施形態に係るガス化炉102Jは、炉102bを軸線X回りに回転させながら燃料ガスGを予め定めた所定の流れ方向Vに移動させるガス化炉(いわゆるロータリキル式ガス化炉)である。
図17に示す第11実施形態に係るガス化炉102Kは、図16に示すガス化炉102Jにおいて、複数の酸化剤温度制御部102r(1)〜102r(m)および酸化剤温度切替制御部102tに代えて複数の酸化剤濃度制御部102s(1)〜102s(m)および酸化剤濃度切替制御部102uを設けたものである。
図18に示す第12実施形態に係るガス化炉102Lは、図12に示すガス化炉102Fにおいて、炉温度制御部102qを設けたものである。
図19に示す第13実施形態に係るガス化炉102Mは、図18に示すガス化炉102Lにおいて、炉温度制御部102qを設ける領域を小さくしたものである。
101 貯留ホッパ
102 ガス化炉
102A ガス化炉
102B ガス化炉
102C ガス化炉
102D ガス化炉
102E ガス化炉
102F ガス化炉
102G ガス化炉
102H ガス化炉
102I ガス化炉
102J ガス化炉
102K ガス化炉
102L ガス化炉
102M ガス化炉
102a 原料導入部
102a1 原料導入コンベア
102a2 原料導入フィーダー
102ah 開口
102b 炉
102b1 頂面
102b2 側面
102b3 底面
102b5 上流側端面
102b6 下流側端面
102c 予熱部
102c1 ガス供給部
102c2 ガスボンベ
102d 酸化剤導入部
102dh 開口
102e 燃料ガス流出部(生成ガス流出部の一例)
102eh 流出口
102f 排出部
102f1 灰排出コンベア
102g 制御装置
102g1 処理部
102g2 記憶部
102h 熱電対
102i 吸熱反応剤導入部
102j 熱容量剤導入部
102o 酸化剤導入量制御部
102p 調整制御部
102p1 第1調整部
102p2 第2調整部
102q 炉温度制御部
102q1 熱源
102q2 駆動部
102r 酸化剤温度制御部
102s 酸化剤濃度制御部
102t 酸化剤温度切替制御部
102u 酸化剤濃度切替制御部
103 バグフィルタ
104 ガス冷却器
105 スクラバー
106 循環水槽
107 冷却塔
108 ガスフィルター
109 誘引ブロワ
110 前処理ユニット
111 ガスエンジン
112 水封槽
113 余剰ガス燃焼装置
113a 余剰ガス燃焼部
A〜E 設定値
F 原料
G 燃料ガス
H 酸化剤
Ha 酸化剤
Hb 酸化剤
Kc 含有濃度
M 吸熱反応剤
N 熱容量剤
R チャー
S 灰
T 酸化雰囲気温度
Tc 結晶性シリカ生成温度
V 流れ方向
X 軸線
a〜d 定数
g 可燃性ガス
t 結晶性シリカ生成許容時間
tc 結晶性シリカ生成温度到達時間
tmin タール発生許容時間
tp 酸化域通過時間
α 酸化域
β 低温域
γ 燃焼ガス層
δ チャー層
δa 頂部
δx 想定チャー層
δxa 最上部
δxb 最下部
κ 相関関数の式
ρ 相関関係
Claims (12)
- 原料を酸化して生成ガスを生成するガス化炉であって、
前記原料を酸化する酸化域を予め定めた所定温度または所定温度範囲に維持する手段を設け、前記原料を前記酸化域に予め定めた所定時間範囲内で通過させる手段として、
前記原料を導入する原料導入部を予め定めた所定の想定チャー層の最上部よりも上方に設け、酸化剤を導入する酸化剤導入部を、前記想定チャー層の最下部に臨む位置と前記想定チャー層の最上部よりも上方でかつ前記原料導入部における開口よりも下方とに設け、前記想定チャー層の最下部に臨む位置に設けた前記酸化剤導入部における開口を前記酸化剤の導入方向が上方または略上方に向くように形成し、前記想定チャー層の最上部よりも上方で前記原料導入部における開口よりも下方に設けた前記酸化剤導入部における開口を前記酸化剤の導入方向が水平方向または水平方向よりも上向きに沿うように形成し、前記生成ガスを流出させる生成ガス流出部を全ての前記酸化剤導入部よりも上方に設けたことを特徴とするガス化炉。 - 原料を酸化して生成ガスを生成するガス化炉であって、
前記原料を酸化する酸化域を予め定めた所定温度または所定温度範囲に維持する手段を設け、前記原料を前記酸化域に予め定めた所定時間範囲内で通過させる手段として、
前記原料を導入する原料導入部を予め定めた所定の想定チャー層の最上部よりも上方に設け、酸化剤を導入する酸化剤導入部を前記想定チャー層の最下部に臨む位置に設け、前記酸化剤の導入量を制御する酸化剤導入量制御部を設け、前記酸化剤を導入する酸化剤導入部における開口を前記酸化剤の導入方向が上方または略上方に向くように形成し、前記生成ガスを流出させる生成ガス流出部を前記想定チャー層の最上部よりも上方に設けたことを特徴とするガス化炉。 - 原料を酸化して生成ガスを生成するガス化炉であって、
前記原料を酸化する酸化域を予め定めた所定温度または所定温度範囲に維持する手段を設け、前記原料を前記酸化域に予め定めた所定時間範囲内で通過させる手段として、
前記原料を導入する原料導入部を予め定めた所定の想定チャー層の最上部よりも上方に設け、酸化剤を導入する酸化剤導入部を前記想定チャー層の最下部に臨む位置に設け、前記酸化剤と吸熱反応剤および熱容量剤の少なくとも一方とを調整する調整制御部を設け、前記酸化剤導入部における開口を前記酸化剤の導入方向が上方または略上方に向くように形成し、前記生成ガスを流出させる生成ガス流出部を前記想定チャー層の最上部よりも上方に設けたことを特徴とするガス化炉。 - 原料を酸化して生成ガスを生成するガス化炉であって、
前記原料を酸化する酸化域を予め定めた所定温度または所定温度範囲に維持する手段を設け、前記原料を前記酸化域に予め定めた所定時間範囲内で通過させる手段として、
前記原料を導入する原料導入部、および、酸化剤を導入する酸化剤導入部を並列に設け、前記原料導入部における開口を前記原料の導入方向が前記生成ガスの流れ方向または略前記流れ方向に沿うように形成し、前記酸化剤導入部における開口を前記酸化剤の導入方向が前記生成ガスの流れ方向または略前記流れ方向に沿うように形成し、前記生成ガスを流出させる生成ガス流出部を前記生成ガスの流れ方向において前記原料導入部および前記酸化剤導入部よりも下流側に設け、前記酸化剤の導入量を制御する酸化剤導入量制御部を設けたことを特徴とするガス化炉。 - 原料を酸化して生成ガスを生成するガス化炉であって、
前記原料を酸化する酸化域を予め定めた所定温度または所定温度範囲に維持する手段を設け、前記原料を前記酸化域に予め定めた所定時間範囲内で通過させる手段として、
前記原料を導入する原料導入部、および、酸化剤を導入する酸化剤導入部を前記生成ガスの流れ方向における上流側端面に並列に設け、前記生成ガスを流出させる生成ガス流出部を前記上流側端面の対向面である下流側端面に設け、前記酸化剤の導入量を制御する酸化剤導入量制御部を設けたことを特徴とするガス化炉。 - 原料を酸化して生成ガスを生成するガス化炉であって、
前記原料を酸化する酸化域を予め定めた所定温度または所定温度範囲に維持する手段を設け、前記原料を前記酸化域に予め定めた所定時間範囲内で通過させる手段として、
前記原料を導入する原料導入部を前記生成ガスの流れ方向における上流側端面に設け、前記生成ガスを流出させる生成ガス流出部を前記上流側端面の対向面である下流側端面に設け、酸化剤を導入する複数の酸化剤導入部を前記上流側端面と前記下流側端面との間で前記生成ガスの流れ方向における上流側から下流側に順に設け、前記複数の酸化剤導入部の前記酸化剤の導入量を制御する酸化剤導入量制御部を設け、前記生成ガスの流れ方向における上流側から下流側に掛けて前記酸化剤の温度を次第に低くする酸化剤温度制御部を設けたことを特徴とするガス化炉。 - 原料を酸化して生成ガスを生成するガス化炉であって、
前記原料を酸化する酸化域を予め定めた所定温度または所定温度範囲に維持する手段を設け、前記原料を前記酸化域に予め定めた所定時間範囲内で通過させる手段として、
前記原料を導入する原料導入部を前記生成ガスの流れ方向における上流側端面に設け、前記生成ガスを流出させる生成ガス流出部を前記上流側端面の対向面である下流側端面に設け、酸化剤を導入する複数の酸化剤導入部を前記上流側端面と前記下流側端面との間で前記生成ガスの流れ方向における上流側から下流側に順に設け、前記複数の酸化剤導入部の前記酸化剤の導入量を制御する酸化剤導入量制御部を設け、前記生成ガスの流れ方向における上流側から下流側に掛けて前記酸化剤の濃度を次第に低くする酸化剤濃度制御部を設けたことを特徴とするガス化炉。 - 原料を酸化して生成ガスを生成するガス化炉であって、
前記原料を酸化する酸化域を予め定めた所定温度または所定温度範囲に維持する手段を設け、前記原料を前記酸化域に予め定めた所定時間範囲内で通過させる手段として、
前記原料を導入する原料導入部を前記生成ガスの流れ方向における上流側端面に設け、前記生成ガスを流出させる生成ガス流出部を前記上流側端面の対向面である下流側端面に設け、酸化剤を導入する酸化剤導入部を前記上流側端面と前記下流側端面との間で前記生成ガスの流れ方向における上流側に設け、前記酸化剤導入部の前記酸化剤の導入量を制御する酸化剤導入量制御部を設け、前記酸化剤導入部よりも下流側に吸熱反応剤を導入する吸熱反応剤導入部、および、熱容量剤を導入する熱容量剤導入部のうち少なくとも一方を設けたことを特徴とするガス化炉。 - 原料を酸化して生成ガスを生成するガス化炉であって、
前記原料を酸化する酸化域を予め定めた所定温度または所定温度範囲に維持する手段を設け、前記原料を前記酸化域に予め定めた所定時間範囲内で通過させる手段として、
前記原料を導入する原料導入部を前記生成ガスの流れ方向における上流側端面に設け、前記生成ガスを流出させる生成ガス流出部を前記上流側端面の対向面である下流側端面に設け、酸化剤を導入する酸化剤導入部を前記上流側端面および前記下流側端面の間に設け、前記酸化剤の導入量を制御する導入量制御部を設け、互いに異なる複数種類の温度の前記酸化剤を切り替える酸化剤温度切替制御部を設けたことを特徴とするガス化炉。 - 原料を酸化して生成ガスを生成するガス化炉であって、
前記原料を酸化する酸化域を予め定めた所定温度または所定温度範囲に維持する手段を設け、前記原料を前記酸化域に予め定めた所定時間範囲内で通過させる手段として、
前記原料を導入する原料導入部を前記生成ガスの流れ方向における上流側端面に設け、前記生成ガスを流出させる生成ガス流出部を前記上流側端面の対向面である下流側端面に設け、酸化剤を導入する酸化剤導入部を前記上流側端面および前記下流側端面の間に設け、前記酸化剤の導入量を制御する導入量制御部を設け、互いに異なる複数種類の濃度の前記酸化剤を切り替える酸化剤濃度切替制御部を設けたことを特徴とするガス化炉。 - 請求項1から請求項10までの何れか1つに記載のガス化炉であって、
前記所定温度または前記所定温度範囲は、タールが熱分解するために必要な温度であるタール熱分解温度以上の温度または該温度を中央温度とする温度範囲であり、
前記所定時間範囲は、タールの発生を許容レベル以下に抑えるために必要な時間であるタール発生許容時間以上、かつ、結晶性シリカの生成を許容レベル以下に抑えるための時間である結晶性シリカ生成許容時間以下であることを特徴とするガス化炉。 - 請求項1から請求項11までの何れか1つに記載のガス化炉であって、
前記原料を導入するに先立ち、炉内を前記所定温度または前記所定温度範囲に予熱する手段を設けたことを特徴とするガス化炉。
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