JP2017118091A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017118091A5 JP2017118091A5 JP2016110071A JP2016110071A JP2017118091A5 JP 2017118091 A5 JP2017118091 A5 JP 2017118091A5 JP 2016110071 A JP2016110071 A JP 2016110071A JP 2016110071 A JP2016110071 A JP 2016110071A JP 2017118091 A5 JP2017118091 A5 JP 2017118091A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency power
- high frequency
- wafer
- etching method
- containing gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 8
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW105140600A TWI723096B (zh) | 2015-12-18 | 2016-12-08 | 蝕刻方法 |
US15/375,405 US9997374B2 (en) | 2015-12-18 | 2016-12-12 | Etching method |
KR1020160170499A KR102100011B1 (ko) | 2015-12-18 | 2016-12-14 | 에칭 방법 |
SG10201610489WA SG10201610489WA (en) | 2015-12-18 | 2016-12-14 | Etching method |
CN201611165712.4A CN106952798B (zh) | 2015-12-18 | 2016-12-16 | 蚀刻方法 |
US15/977,043 US10381237B2 (en) | 2015-12-18 | 2018-05-11 | Etching method |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015247568 | 2015-12-18 | ||
JP2015247568 | 2015-12-18 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017118091A JP2017118091A (ja) | 2017-06-29 |
JP2017118091A5 true JP2017118091A5 (enrdf_load_stackoverflow) | 2019-02-07 |
JP6498152B2 JP6498152B2 (ja) | 2019-04-10 |
Family
ID=59234560
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016110071A Active JP6498152B2 (ja) | 2015-12-18 | 2016-06-01 | エッチング方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6498152B2 (enrdf_load_stackoverflow) |
KR (1) | KR102100011B1 (enrdf_load_stackoverflow) |
CN (1) | CN106952798B (enrdf_load_stackoverflow) |
SG (1) | SG10201610489WA (enrdf_load_stackoverflow) |
TW (1) | TWI723096B (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6948181B2 (ja) * | 2017-08-01 | 2021-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 多層膜をエッチングする方法 |
JP6945388B2 (ja) * | 2017-08-23 | 2021-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びエッチング処理装置 |
US10340387B2 (en) | 2017-09-20 | 2019-07-02 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Low temperature poly-silicon thin film transistor, manufacturing method thereof, and array substrate |
CN107507869A (zh) * | 2017-09-20 | 2017-12-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板 |
JP7229033B2 (ja) * | 2019-02-01 | 2023-02-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
KR20200100555A (ko) * | 2019-02-18 | 2020-08-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 에칭 방법 |
US11651969B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-16 | Kioxia Corporation | Etching method, semiconductor manufacturing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07104927B2 (ja) | 1985-08-30 | 1995-11-13 | キヤノン株式会社 | 画像処理装置 |
JPH0722393A (ja) | 1993-06-23 | 1995-01-24 | Toshiba Corp | ドライエッチング装置及びドライエッチング方法 |
JPH0722149A (ja) | 1993-06-28 | 1995-01-24 | Yazaki Corp | 電線の接続装置及び接続方法 |
JP2956524B2 (ja) | 1995-04-24 | 1999-10-04 | 日本電気株式会社 | エッチング方法 |
JP4593402B2 (ja) * | 2005-08-25 | 2010-12-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | エッチング方法およびエッチング装置 |
JP5192209B2 (ja) * | 2006-10-06 | 2013-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置、プラズマエッチング方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
JP5514413B2 (ja) * | 2007-08-17 | 2014-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
JP2010118549A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
JP5608384B2 (ja) * | 2010-02-05 | 2014-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法及びプラズマエッチング装置 |
JP6211947B2 (ja) * | 2013-07-31 | 2017-10-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6277004B2 (ja) * | 2014-01-31 | 2018-02-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ドライエッチング方法 |
JP6230930B2 (ja) * | 2014-02-17 | 2017-11-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6498022B2 (ja) * | 2015-04-22 | 2019-04-10 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング処理方法 |
-
2016
- 2016-06-01 JP JP2016110071A patent/JP6498152B2/ja active Active
- 2016-12-08 TW TW105140600A patent/TWI723096B/zh active
- 2016-12-14 KR KR1020160170499A patent/KR102100011B1/ko active Active
- 2016-12-14 SG SG10201610489WA patent/SG10201610489WA/en unknown
- 2016-12-16 CN CN201611165712.4A patent/CN106952798B/zh active Active