JP2017103345A - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017103345A JP2017103345A JP2015235358A JP2015235358A JP2017103345A JP 2017103345 A JP2017103345 A JP 2017103345A JP 2015235358 A JP2015235358 A JP 2015235358A JP 2015235358 A JP2015235358 A JP 2015235358A JP 2017103345 A JP2017103345 A JP 2017103345A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flow rate
- film
- gas
- plasma
- coating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】酸素(O2)ガスと四塩化シリコン(SiCl4)ガスとを用い、コーティング処理によって、プラズマ処理装置に備わる処理室の内壁にコーティング膜を形成する工程、処理室内にウェハを搬入して、処理室内に設けられたステージ上にウェハを載置する工程、ウェハのエッチング処理と、コーティング膜のエッチング処理とを同時に行う工程、処理室内からウェハを搬出する工程とを有する。そして、上記コーティング処理においては、O2/(SiCl4+O2)流量比が0.5以下となる条件を用いて、膜密度が1.9g/cm3以上のコーティング膜を形成する。
【選択図】図4
Description
本実施の形態によるプラズマ処理方法がより明確となると思われるため、本発明者らによって見い出された、プラズマ処理における解決しようとする課題について詳細に説明する。
2,3 セラミックプレート
4 ウェハ
6 ステージ
7 処理室
8 間隙
9 貫通穴
10 ガス流量制御手段
11 圧力検出手段
12 排気手段
13 インピーダンス整合器
14 高周波電源
15 プラズマ
16 圧力調整手段
20 マグネトロン発振器
21 導波管
22,23 ソレノイドコイル
38 双極型の電極
41 構成部材
45 加熱機構
55 直流電源
60 マスク
61 溝パターン
62 基板
70,71,72,73 コーティング膜
Claims (14)
- (a)プラズマ処理装置に備わる処理室内に、酸素を含有する第1ガスとシリコンを含有する第2ガスとを供給し、第1流量の前記第1ガスと第2流量の前記第2ガスとを用いて生成したプラズマによって、前記処理室の内壁にコーティング膜を形成する工程、
(b)前記処理室内にウェハを搬入して、前記処理室内に設けられたステージ上に前記ウェハを載置する工程、
(c)前記ウェハのエッチング処理と、前記コーティング膜のエッチング処理とを同時に行う工程、
(d)前記処理室内から前記ウェハを搬出する工程、
を有し、
前記プラズマは、前記第1流量と前記第2流量の合計の流量(A)に対する前記第1流量(B)の比(B/A)が0.5以下の条件で生成される、プラズマ処理方法。 - 請求項1記載のプラズマ処理方法において、
前記コーティング膜の膜密度は、1.9g/cm3以上である、プラズマ処理方法。 - 請求項1記載のプラズマ処理方法において、
前記(c)工程において、前記ウェハのエッチング処理の終了時に前記コーティング膜が消失する、プラズマ処理方法。 - 請求項1記載のプラズマ処理方法において、
前記第1ガスは酸素ガス、前記第2ガスは四塩化シリコンガスである、プラズマ処理方法。 - (a)プラズマ処理装置に備わる処理室内に、酸素を含有する第1ガスとシリコンを含有する第2ガスとを供給し、第1流量の前記第1ガスと第2流量の前記第2ガスとを用いて生成した第1プラズマによって、前記処理室の内壁に第1膜を形成する工程、
(b)前記第1プラズマを消失させた後、前記処理室内に、酸素を含有する第3ガスとシリコンを含有する第4ガスとを供給し、第3流量の前記第3ガスと第4流量の前記第4ガスとを用いて生成した第2プラズマによって、前記第1膜上に第2膜を形成し、前記第1膜と前記第2膜との積層膜からなるコーティング膜を形成する工程、
(c)前記処理室内にウェハを搬入して、前記処理室内に設けられたステージ上に前記ウェハを載置する工程、
(d)前記ウェハのエッチング処理と、前記コーティング膜のエッチング処理とを同時に行う工程、
(e)前記処理室内から前記ウェハを搬出する工程、
を有し、
前記第1プラズマは、前記第1流量と前記第2流量の合計の流量(A)に対する前記第1流量(B)の比(B/A)が0.5以下の条件で生成され、
前記第2プラズマは、前記第3流量と前記第4流量の合計の流量(C)に対する前記第3流量(D)の比(D/C)が0.5よりも大きい条件で生成される、プラズマ処理方法。 - 請求項5記載のプラズマ処理方法において、
前記第1膜のシリコン含有量が前記第2膜のシリコン含有量よりも多い、プラズマ処理方法。 - 請求項5記載のプラズマ処理方法において、
前記第1膜の膜密度は、1.9g/cm3以上である、プラズマ処理方法。 - 請求項5記載のプラズマ処理方法において、
前記(d)工程において、前記ウェハのエッチング処理の終了時に前記コーティング膜が消失する、プラズマ処理方法。 - 請求項5記載のプラズマ処理方法において、
前記第1ガスおよび前記第3ガスは酸素ガス、前記第2ガスおよび前記第4ガスは四塩化シリコンガスである、プラズマ処理方法。 - (a)プラズマ処理装置に備わる処理室内に、酸素を含有する第1ガスとシリコンを含有する第2ガスとを供給し、第1流量の前記第1ガスと第2流量の前記第2ガスとを用いて生成した第1プラズマによって、前記処理室の内壁に第1膜を形成する工程、
(b)前記第1プラズマを生成した状態で、前記第1ガスの前記第1流量を第3流量に変更し、前記第2ガスの前記第2流量を第4流量に変更し、前記第3流量の前記第1ガスと前記第4流量の前記第2ガスとを用いて生成した第2プラズマによって、前記第1膜上に第2膜を形成し、前記第1膜と前記第2膜との積層膜からなるコーティング膜を形成する工程、
(c)前記処理室内にウェハを搬入して、前記処理室内に設けられたステージ上に前記ウェハを載置する工程、
(d)前記ウェハのエッチング処理と、前記コーティング膜のエッチング処理とを同時に行う工程、
(e)前記処理室内から前記ウェハを搬出する工程、
を有し、
前記第1プラズマは、前記第1流量と前記第2流量の合計の流量(A)に対する前記第1流量(B)の比(B/A)が0.5以下の条件で生成され、
前記第2プラズマは、前記第3流量と前記第4流量の合計の流量(C)に対する前記第3流量(D)の比(D/C)が0.5よりも大きい条件で生成される、プラズマ処理方法。 - 請求項10記載のプラズマ処理方法において、
前記第1膜のシリコン含有量が前記第2膜のシリコン含有量よりも多い、プラズマ処理方法。 - 請求項10記載のプラズマ処理方法において、
前記第1膜の膜密度は、1.9g/cm3以上である、プラズマ処理方法。 - 請求項10記載のプラズマ処理方法において、
前記(d)工程において、前記ウェハのエッチング処理の終了時に前記コーティング膜が消失する、プラズマ処理方法。 - 請求項10記載のプラズマ処理方法において、
前記第1ガスは酸素ガス、前記第2ガスは四塩化シリコンガスである、プラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015235358A JP6557585B2 (ja) | 2015-12-02 | 2015-12-02 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015235358A JP6557585B2 (ja) | 2015-12-02 | 2015-12-02 | プラズマ処理方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017103345A true JP2017103345A (ja) | 2017-06-08 |
JP2017103345A5 JP2017103345A5 (ja) | 2018-06-21 |
JP6557585B2 JP6557585B2 (ja) | 2019-08-07 |
Family
ID=59017491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015235358A Active JP6557585B2 (ja) | 2015-12-02 | 2015-12-02 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6557585B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190087323A (ko) * | 2018-01-16 | 2019-07-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치의 부품의 클리닝 방법 |
KR20190087322A (ko) * | 2018-01-16 | 2019-07-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치의 부품의 클리닝 방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09237838A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-09 | Lg Semicon Co Ltd | 金属配線構造及びその形成方法 |
JP2009158504A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Panasonic Corp | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP2010232229A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-14 | Toshiba Corp | 不揮発性記憶装置及びその製造方法 |
JP2013214584A (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
WO2014042192A1 (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理基体を処理する方法、及びプラズマ処理装置 |
JP2015130509A (ja) * | 2014-01-06 | 2015-07-16 | 上海和輝光電有限公司Everdisplay Optronics (Shanghai) Limited | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
-
2015
- 2015-12-02 JP JP2015235358A patent/JP6557585B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09237838A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-09 | Lg Semicon Co Ltd | 金属配線構造及びその形成方法 |
JP2009158504A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Panasonic Corp | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP2010232229A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-14 | Toshiba Corp | 不揮発性記憶装置及びその製造方法 |
JP2013214584A (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
WO2014042192A1 (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理基体を処理する方法、及びプラズマ処理装置 |
JP2015130509A (ja) * | 2014-01-06 | 2015-07-16 | 上海和輝光電有限公司Everdisplay Optronics (Shanghai) Limited | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190087323A (ko) * | 2018-01-16 | 2019-07-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치의 부품의 클리닝 방법 |
KR20190087322A (ko) * | 2018-01-16 | 2019-07-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치의 부품의 클리닝 방법 |
KR102648956B1 (ko) | 2018-01-16 | 2024-03-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치의 부품의 클리닝 방법 |
KR102650948B1 (ko) | 2018-01-16 | 2024-03-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치의 부품의 클리닝 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6557585B2 (ja) | 2019-08-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9859126B2 (en) | Method for processing target object | |
TWI496210B (zh) | A plasma etch method and a plasma etch apparatus and a memory medium | |
EP2911187A1 (en) | Etching method | |
TWI750295B (zh) | 電漿處理方法及電漿處理裝置 | |
TWI697046B (zh) | 蝕刻方法 | |
US9911607B2 (en) | Method of processing target object | |
US20220359172A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
TWI686863B (zh) | 蝕刻有機膜之方法 | |
KR101858324B1 (ko) | 플라즈마 에칭 방법 | |
JP2008078515A (ja) | プラズマ処理方法 | |
TWI716378B (zh) | 蝕刻方法 | |
JP5528244B2 (ja) | プラズマ処理方法および記憶媒体 | |
TW201724162A (zh) | 被處理體之處理方法 | |
TW201334018A (zh) | 電漿處理裝置及電漿處理方法 | |
JP2008021791A (ja) | プラズマエッチング方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 | |
KR101540816B1 (ko) | 플라즈마 에칭 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 플라즈마 에칭 장치 | |
US10553409B2 (en) | Method of cleaning plasma processing apparatus | |
KR20070098499A (ko) | 플라즈마 처리용의 전극판 및 플라즈마 처리 장치 | |
TW201721713A (zh) | 被處理體之處理方法 | |
TWI745590B (zh) | 蝕刻多孔質膜之方法 | |
US9548214B2 (en) | Plasma etching method of modulating high frequency bias power to processing target object | |
TWI756424B (zh) | 電漿處理裝置之洗淨方法 | |
JP6557585B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP2008172184A (ja) | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP2023053351A (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180508 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180508 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190212 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190214 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190411 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190529 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190618 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190712 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6557585 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |