JP2017088656A - 難燃性樹脂組成物、難燃性樹脂フィルム及び半導体装置とその製造方法 - Google Patents

難燃性樹脂組成物、難燃性樹脂フィルム及び半導体装置とその製造方法 Download PDF

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和紀 近藤
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揚一郎 市岡
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Abstract

【課題】ウエハモールド後において低反り性及び良好なウエハ保護性能を与えることができる難燃性樹脂組成物及び難燃性樹脂フィルムを提供する。
【解決手段】下記（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分を含有する難燃性樹脂組成物。（Ａ）組成式（１）の構成単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００であるシリコーン樹脂、
Figure 2017088656

［Ｘは式（２）で示される２価の有機基である。
Figure 2017088656

（Ｂ）トリアジン変性フェノールノボラック化合物、（Ｃ）フィラー。
【選択図】なし

Description

本発明は、難燃性樹脂組成物、難燃性樹脂フィルム及び半導体装置とその製造方法に関する。
近年の半導体装置の製造に用いられるウエハのサイズは大口径化、薄膜化が進んでおり、これらをウエハレベルで封止する技術が求められている。そこで、従来の固形タイプのエポキシ樹脂のトランスファー成形方法の他、液状タイプのエポキシ樹脂を用いた圧縮成形方法が提案されている（特許文献１）。
しかしながら、トランスファー成形では狭部に樹脂を流動させるためワイヤ変形を起こすことが懸念され、封止面積の増大に伴う充填不良も起こしやすくなるという問題がある。また、圧縮成形法ではウエハの端面部分での成形範囲の細かい制御が難しい上、成形機へ液状封止樹脂を流し込む際の流動性と物性とを最適化することが容易ではないという問題があった。
その上、近年のウエハサイズの大口径化、ウエハの薄膜化により、これまで問題にならなかったモールド後のウエハの反りが問題となってきており、更には良好なウエハ保護性能も求められる。そのため、ウエハ表面への充填不良等の問題を生じさせずにウエハを一括してモールドすることができ、モールド後において低反り性及び良好なウエハ保護性能を有するウエハモールド材の開発が望まれていた。
更に、電子部品や電気部品に使用されている封止材組成物は、そのままでは非常に燃えやすく、難燃性を持たせるためにハロゲン化合物やアンチモン化合物などの難燃性や難燃助剤が使用されてきた。しかしながら、環境負荷を低く抑えるという観点から、近年、このような化合物の使用が制限されるようになり、そのため、リン系難燃剤が使用されるようになってきた。しかしながら、リン系難燃剤は水質に対して悪影響を与える可能性があり、これらリン系難燃剤を使わないモールド材が望まれていた。
国際公開第２００９／１４２０６５号
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、実質的に難燃剤を含有せず、ウエハを一括してモールド（ウエハモールド）することができ、特に、大口径、薄膜ウエハに対して良好なモールド性を有し、同時に、モールド後において低反り性及び良好なウエハ保護性能を与え、更に、モールド工程を良好に行うことができ、ウエハレベルパッケージに好適に用いることができる難燃性樹脂組成物及び難燃性樹脂フィルムを提供すること、また該難燃性樹脂フィルムによりモールドされた半導体装置、及びその半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、下記（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分を含有することを特徴とする難燃性樹脂組成物を提供する。
（Ａ）下記組成式（１）で表される構成単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００であるシリコーン樹脂、
Figure 2017088656
 ［式中、Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ独立に炭素数１〜８の１価炭化水素基を示す。但し、Ｒ3とＲ4は同時にメチル基であることはなく、ｍとｎはそれぞれ独立に０〜３００の整数、Ｒ5〜Ｒ8は同一でも異なっていてもよい炭素数１〜１０の２価炭化水素基を示す。また、ａ、ｂは共に正数で、ａ＋ｂ＝１である。Ｘは下記一般式（２）で示される２価の有機基である。
Figure 2017088656
 （式中、Ｖは
Figure 2017088656
 のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。Ｒ9及びＲ10はそれぞれ炭素数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に異なっていても同一でもよい。ｈは０、１及び２のいずれかである。）］
（Ｂ）トリアジン骨格を有する変性フェノールノボラック化合物、
（Ｃ）フィラー。
この場合、（Ｂ）成分としては、アミノ基含有トリアジン骨格フェノールノボラック樹脂が好ましく、更に具体的には下記一般式（７）で示されるトリアジン骨格を有するフェノールノボラック化合物を用いることができる。
Figure 2017088656
（式中、Ｒ11は、水素原子又はメチル基であり、ｓは１〜１０の整数、ｔは１〜５の整数である。）
このような難燃性樹脂組成物であれば、フィルム状に形成することが可能であるため、ウエハを一括してモールド（ウエハモールド）でき、かつ、大口径、薄膜ウエハに対して良好なモールド性能、密着性、低反り性、ウエハ保護性、信頼性及び難燃性に優れたものとなり、ウエハレベルパッケージに好適に用いることができる難燃性樹脂組成物となる。
また、前記（Ｂ）成分の量が、前記（Ａ）成分１００質量部に対して５〜５０質量部であり、全質量に対する前記（Ｃ）成分の質量分率が、６０〜９５質量％、さらに好ましくは、７０〜９０質量％である。
このような難燃性樹脂組成物であれば、フィルム状に形成することが容易であるため、ウエハを容易に一括してモールド（ウエハモールド）でき、かつ、大口径、薄膜ウエハに対して更に良好なモールド性能、密着性、低反り性、ウエハ保護性、信頼性及び難燃性に優れたものとなり、ウエハレベルパッケージに更に好適に用いることができる難燃性樹脂組成物となる。
更に、ウエハへの密着性、ウエハ保護性が一層良好となるため、エポキシ樹脂硬化促進剤を含有することが好ましく、ウエハレベルパッケージに更に好適に用いることができる。また、エポキシ樹脂を配合することで、密着性、保護性を更に向上させることができる。
前記フィラーとしてはシリカであることが好ましい。フィラーがシリカであれば、ウエハ保護性を更に向上させることができ、耐熱性、耐湿性、強度等を更に向上させ、信頼性、難燃性を向上することができるため好都合である。
本発明は、更に前記難燃性樹脂組成物を用いて形成された難燃性樹脂フィルムを提供する。
フィルム状に形成された難燃性樹脂フィルムであれば、大口径、薄膜ウエハに対して良好なモールド性能を有するものとなり、ウエハを一括してモールドする際に、樹脂を流し込む必要がないため、ウエハ表面への充填不良等の問題を生じさせることがない。また、前記難燃性樹脂組成物を用いて形成された樹脂フィルムであれば、ウエハに対する密着性、ウエハ保護性を同時に併せ持つウエハモールド材となる。
この場合、例えば、剥離フィルム又は保護フィルムとするフィルム上に難燃性樹脂組成物をコートした樹脂形成フィルムを２つ以上用意し、該樹脂形成フィルムから剥離フィルム又は保護フィルムをそれぞれ剥離し、露呈した樹脂形成フィルム相互を重ね合わせる工程を有することにより、難燃性樹脂フィルムを製造することができる。
更に、本発明は、前記難燃性樹脂フィルムを半導体ウエハに貼り付け、該半導体ウエハをモールドする工程と、前記難燃性樹脂フィルムを加熱硬化する工程と、該モールドされた半導体ウエハを個片化する工程とを有する半導体装置の製造方法を提供する。
このように、前記難燃性樹脂フィルムでモールドされた半導体ウエハは反りが少なく十分に保護されたものとなるので、これを個片化することで歩留まりよく高品質な半導体装置を製造することができる。
また、更に、本発明は、前記難燃性樹脂フィルムを加熱硬化した加熱硬化皮膜でモールドされた半導体ウエハを個片化してなり、前記加熱硬化皮膜を有するものであることを特徴とする半導体装置を提供する。
このように、難燃性樹脂フィルムを加熱硬化した加熱硬化皮膜でモールドされた半導体ウエハは反りが少なく十分に保護されたウエハであり、これを個片化することで得られる半導体装置は反りのない高品質な半導体装置とすることができる。
本発明の難燃性樹脂組成物は、フィルム状に加工することが可能であるため、大口径、薄膜ウエハに対して良好なモールド性能を有するものとなる。また、密着性、低反り性、ウエハ保護性に優れ、ウエハを一括してモールドすることが可能となるため、ウエハレベルパッケージに好適に用いることができる難燃性樹脂フィルムとなる。
また、本発明の半導体装置及びその製造方法であれば、歩留まりよく高品質な半導体装置を提供することができる。
前述のように、最近において、ウエハ表面への充填不良等の問題を生じさせずにウエハを一括してモールドすることができ、モールド後において密着性、低反り性及び良好なウエハ保護性能を有する難燃性ウエハモールド材の開発が望まれていた。
そこで、本発明者らは、上記課題を達成するため鋭意検討を重ねた結果、下記（Ａ）シリコーン樹脂と（Ｂ）特定構造を有するフェノール化合物を組み合わせることでウエハへの密着性、硬化後の低反り性及び難燃性に優れた樹脂組成物を与えることを見出し、更に下記（Ｃ）フィラーがウエハ保護性並びに硬化後の樹脂組成物の信頼性及び難燃性を向上させるため、これらの成分からなる難燃性樹脂組成物より得られた難燃性樹脂フィルムが、ウエハに対する密着性、ウエハ保護性を同時に併せ持つウエハモールド材となることを見出して、本発明を完成させたものである。
以下、本発明の難燃性樹脂組成物並びにそれから得られる樹脂フィルム（複合フィルム）、半導体装置及びその製造方法について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明の難燃性樹脂組成物は、
（Ａ）シリコーン樹脂、
（Ｂ）トリアジン骨格を有する変性フェノールノボラック化合物、
（Ｃ）フィラー
を含有する。
＜樹脂組成物＞
［（Ａ）シリコーン樹脂］
本発明において、（Ａ）成分のシリコーン樹脂はフィルム形成能を与えるものとして機能する。
また、得られた樹脂フィルムをウエハモールド材として用いた場合、ウエハへの密着性、低反り性、良好なモールド性を与える。
この（Ａ）成分のシリコーン樹脂は、下記組成式（１）で表される構成単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００であるシリコーン樹脂である。
Figure 2017088656
［式中、Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ独立に炭素数１〜８の１価炭化水素基を示す。但し、Ｒ3とＲ4は同時にメチル基であることはなく、ｍとｎはそれぞれ独立に０〜３００の整数、Ｒ5〜Ｒ8は同一でも異なっていてもよい炭素数１〜１０の２価炭化水素基を示す。また、ａ、ｂは共に正数で、ａ＋ｂ＝１である。Ｘは下記一般式（２）で示される２価の有機基である。
Figure 2017088656
 （式中、Ｖは
Figure 2017088656
 のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。Ｒ9及びＲ10はそれぞれ炭素数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に異なっていても同一でもよい。ｈは０、１、及び２のいずれかである。）］
本発明のシリコーン樹脂は、上記式（１）で表される繰返し単位を含有し、テトラヒドロフランを溶出溶媒としてＧＰＣで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量が３，０００〜５００，０００、好ましくは５，０００〜２００，０００である重合体である。ａ、ｂは共に正数であり、ａ＋ｂ＝１である。各単位はランダムに結合していても、ブロック重合体として結合していてもよい。
上記式（１）において、ｍとｎはそれぞれ独立に０〜３００の整数であり、好ましくはｍは０〜２００、特に０〜１００、ｎは１〜２００、特に５〜１００である。また、Ｘは上記式（２）で示される２価の有機基である。Ｒ1〜Ｒ4は、互いに独立に、炭素数１〜８、好ましくは１〜６の１価炭化水素基であり、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基などが挙げられ、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、及びフェニル基などが挙げられる。中でもメチル基及びフェニル基が原料の入手の容易さから好ましい。但し、Ｒ3とＲ4は同時にメチル基ではない。
上記式（２）において、Ｒ9とＲ10は互いに独立に、炭素数１〜４、好ましくは１〜２のアルキル基又はアルコキシ基であり、メチル基、エチル基、プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、メトキシ基、及びエトキシ基などが挙げられる。ｈは０、１又は２であり、好ましくは０である。
上記式（２）において、Ｖは、下記に示す基のいずれかより選ばれる２価の基である。ｐは０又は１である。
Figure 2017088656
ａ、ｂは正数で、ａ＋ｂ＝１であるが、好ましくは０．０５≦ａ≦０．８０、特に０．１０≦ａ≦０．７０、好ましくは０．２０≦ｂ≦０．９５、特に０．３０≦ｂ≦０．９０である。
［（Ａ）シリコーン樹脂の製造方法］
本発明のシリコーン樹脂は、下記一般式（３）、下記一般式（４）、下記一般式（５）及び下記一般式（６）で表される化合物から選択される化合物を用いて金属触媒存在下、付加重合することにより製造することができる。
Figure 2017088656
Figure 2017088656
 （式中、Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ独立に炭素数１〜８の１価炭化水素基を示す。但し、Ｒ3とＲ4は同時にメチル基であることはなく、ｍとｎはそれぞれ独立に０〜３００の整数である。）
Figure 2017088656
 （式中、Ｖは
Figure 2017088656
 のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。Ｒ9及びＲ10はそれぞれ炭素数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に異なっていても同一でもよい。ｈは０、１及び２のいずれかである。また、Ｒ11は水素原子又はメチル基を示し、ｇは０〜７の整数である。）
Figure 2017088656
 （式中、Ｒ3とＲ4はそれぞれ独立に炭素数１〜８の１価炭化水素基を示す。但し、Ｒ3とＲ4は同時にメチル基であることはなく、ｑとｒはそれぞれ独立に０〜３００の整数である。また、Ｒ12は水素原子又はメチル基を示し、ｋは０〜７の整数である。）
金属触媒は、例えば、白金（白金黒を含む）、ロジウム、パラジウム等の白金族金属単体；Ｈ2ＰｔＣｌ4・ｘＨ2Ｏ、Ｈ2ＰｔＣｌ6・ｘＨ2Ｏ、ＮａＨＰｔＣｌ6・ｘＨ2Ｏ、ＫＨＰｔＣｌ6・ｘＨ2Ｏ、Ｎａ2ＰｔＣｌ6・ｘＨ2Ｏ、Ｋ2ＰｔＣｌ4・ｘＨ2Ｏ、ＰｔＣｌ4・ｘＨ2Ｏ、ＰｔＣｌ2、Ｎａ2ＨＰｔＣｌ4・ｘＨ2Ｏ（式中、ｘは０〜６の整数が好ましく、特に０又は６が好ましい）等の塩化白金、塩化白金酸及び塩化白金酸塩；アルコール変性塩化白金酸（例えば、米国特許第３，２２０，９７２号明細書に記載のもの）；塩化白金酸とオレフィンとの錯体（例えば、米国特許第３，１５９，６０１号明細書、米国特許第３，１５９，６６２号明細書、及び米国特許第３，７７５，４５２号明細書に記載のもの）；白金黒やパラジウム等の白金族金属をアルミナ、シリカ、カーボン等の担体に担持させたもの；ロジウム−オレフィン錯体；クロロトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム（所謂ウィルキンソン触媒）；及び、塩化白金、塩化白金酸又は塩化白金酸塩とビニル基含有シロキサン（特にビニル基含有環状シロキサン）との錯体を使用することができる。
触媒の使用量は触媒量であればよく、白金族金属として、反応に供する原料化合物の総量に対して０．０００１〜０．１質量％、好ましくは０．００１〜０．０１質量％であることが好ましい。付加反応は溶剤が存在しなくても実施可能であるが、必要に応じて溶剤を使用してもよい。溶剤としては、例えばトルエン、キシレン等の炭化水素系溶剤が好ましい。反応温度は、触媒が失活せず、かつ、短時間で重合の完結が可能である温度であればよく、例えば４０〜１５０℃、特に６０〜１２０℃が好ましい。反応時間は、重合物の種類及び量により適宜選択すればよく、例えば０．５〜１００時間、特に０．５〜３０時間が好ましい。溶剤を使用した場合には、反応終了後に減圧留去に供して溶剤を留去する。
反応方法は特に制限されるものではないが、例えば、式（３）で表される化合物と、式（４）で表される化合物と、式（５）で表される化合物と、式（６）で表される化合物とを反応させる場合、先ず、式（５）及び式（６）で表される化合物を混合して加温した後、前記混合液に金属触媒を添加し、次いで式（３）及び式（４）で表される化合物を０．１〜５時間かけて滴下するのがよい。
各化合物の配合比は、上記式（３）及び式（４）で表される化合物が有するヒドロシリル基のモル数の合計と、上記式（５）及び式（６）で表される化合物が有するアルケニル基のモル数の合計が、アルケニル基の合計モル数に対するヒドロシリル基の合計モル数が０．６７〜１．６７、好ましくは０．８３〜１．２５となるように配合するのがよい。重合体の重量平均分子量はｏ−アリルフェノールのようなモノアリル化合物、又は、トリエチルヒドロシランのようなモノヒドロシランやモノヒドロシロキサンを分子量調整剤として使用することにより制御することが可能である。
なお、樹脂中のシロキサン量は、３０〜８０質量％であるとフィルムの形成性、モールド性能、低反り性の点で好ましい。
［（Ｂ）トリアジン骨格を有するフェノールノボラック化合物］
（Ｂ）成分は、トリアジン骨格を有するフェノールノボラック化合物であり、フェノール類、アルデヒド類及びアミノ基含有トリアジン類を縮合して得られる化合物である。フェノール類としては、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、キシレノール、エチルフェノール、ブチルフェノール、ノニルフェノール、オクチルフェノール等のアルキルフェノール類；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、ビスフェノールＡＤ、テトラメチルビスフェノールＡ、レゾルシン、カテコール等の多価フェノール類；モノヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類；フェニルフェノール、アミノフェノール等が挙げられ、アルデヒド類との縮合で、ノボラック樹脂とする。特にクレゾールノボラックがよい。
更にトリアジンとノボラック樹脂との縮合により、本発明のトリアジン骨格を有するフェノール化合物が得られる。具体的には、下記一般式（７）で示されるトリアジン骨格を有するフェノール化合物が挙げられる。
Figure 2017088656
（式中、Ｒ11は、水素原子又はメチル基であり、ｓは１〜１０の整数、ｔは１〜５の整数である。Ｒ11はメチル基が好ましい。）
上記トリアジン骨格を有するフェノール樹脂としては、例えばＤＩＣ（株）より市販されているフェノライトＬＡシリーズを用いることができる。
このトリアジン骨格を有するフェノール樹脂としては、トリアジン骨格を樹脂中に５〜２４質量％有することが好ましく、更には窒素含有率が５〜２５質量％、好ましくは８〜２０質量％、水酸基当量が１００〜１６０、好ましくは１２０〜１５０のものを使用することができる。この中でも、難燃性の観点から、窒素含有率が１０質量％以上２０質量％以下のものを用いることが望ましい。
（Ｂ）成分は、シリコーン樹脂（Ａ）と熱によって架橋反応をするための成分であり、（Ｂ）成分を加えることで、樹脂のウエハへの密着性、保護性、信頼性、難燃性がより向上する。上記のフェノール化合物は、１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
（Ｂ）成分のトリアジン骨格を有するフェノール化合物の配合量は特に限定されないが、（Ａ）成分１００質量部に対して５〜５０質量部であるのがよく、好ましくは５〜４０質量部である。トリアジン骨格を有するフェノール化合物の配合量が上記範囲内であれば、難燃性樹脂組成物の密着性、保護性、難燃性が更に向上する。また、該樹難燃性脂組成物の硬化物は信頼性に優れた硬化物となるため好ましい。
［（Ｃ）フィラー］
（Ｃ）成分は、本発明の難燃性樹脂組成物に、ウエハ保護性を与え、更に、耐熱性、耐湿性、強度等を向上させ、信頼性、難燃性を上げることができる。フィラーとしては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、溶融シリカ（溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ）、結晶シリカ粉末等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩又は亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素等の窒化物等を挙げることができる。これらのフィラーは１種単独で混合しても、２種以上を併せて混合してもよい。これらの中でも溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ粉末が好ましい。前記シリカ粉末としては、例えば、ヒュームドシリカ、沈降性シリカ等の補強性シリカ；石英等の結晶性シリカが挙げられる。具体的には、日本アエロジル社製のＡｅｒｏｓｉｌ Ｒ９７２、Ｒ９７４、Ｒ９７６；（株）アドマテックス製のＳＥ−２０５０、ＳＣ−２０５０、ＳＥ−１０５０、ＳＯ−Ｅ１、ＳＯ−Ｃ１、ＳＯ−Ｅ２、ＳＯ−Ｃ２、ＳＯ−Ｅ３、ＳＯ−Ｃ３、ＳＯ−Ｅ５、ＳＯ−Ｃ５；信越化学工業（株）製のＭｕｓｉｌ１２０Ａ、Ｍｕｓｉｌ１３０Ａ等が例示される。
フィラーの平均粒径は、特に限定されないが、０．０１μｍ以上２０μｍ以下が好ましく、特には０．０１μｍ以上１０μｍ以下が好ましい。無機充填剤の平均粒子径が上記下限値以上であれば、無機充填剤が凝集しにくくなり、強度が高くなるため好ましい。また上記上限値以下であれば、チップ間への樹脂の流動性が高くなり、充填性が良好になるため好ましい。なお、平均粒径はレーザー光回折法による粒度分布測定装置によって求めることができ、質量平均値Ｄ50（即ち、累積質量が５０％となるときの粒子径又はメジアン径）として測定することができる。
フィラーの含有量は、本発明の難燃性樹脂組成物の総質量に対し６０質量％以上９５質量％以下、好ましくは７０質量％以上９０質量％以下とすることが好ましい。フィラーの含有量が上記上限値以下であればフィルム系性能が高くなり、樹脂の流動性が高くなり、充填性が良好となるため好ましい。また、上記下限値以上であれば、十分に効果を奏する。
エポキシ樹脂
また、本発明の難燃性樹脂組成物には、ウエハへの密着性、保護性を向上させる目的でエポキシ樹脂を添加することもできる。エポキシ樹脂はシリコーン樹脂（Ａ）と共にフェノール化合物（Ｂ）と架橋反応するため、難燃性樹脂のウエハへの密着性、保護性、信頼性がより向上する。
エポキシ樹脂は、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、又はそれらに水素添化したもの、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のグリシジルエーテル系エポキシ樹脂、ヘキサヒドロフタル酸グリシジルエステル、ダイマー酸グリシジルエステル等のグリシジルエステル系エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン等のグリシジルアミン系エポキシ樹脂等が挙げられ、好ましくは、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂が挙げられるが、難燃性の観点から、芳香族炭素を多く含むエポキシ樹脂が好ましい。これらの市販品としては、例えば、商品名で、ｊＥＲ１００１（三菱化学製）、エピクロン８３０Ｓ（ＤＩＣ製）、ｊＥＲ５１７（三菱化学製）、ＥＯＣＮ１０３Ｓ（日本化薬製）等が挙げられる。
エポキシ樹脂の配合量は、配合する場合、（Ａ）成分１００質量部に対して１〜５０質量部、好ましくは２〜３０質量部であるのがよい。
エポキシ樹脂硬化促進剤
また、本発明の難燃性樹脂組成物は、更にエポキシ樹脂硬化促進剤を含有することができる。エポキシ樹脂硬化促進剤を含有することにより、硬化反応を適切かつ均一に進めることができる。エポキシ樹脂硬化促進剤の配合量は、（Ａ）成分１００質量部に対して０．１〜１０質量部、好ましくは０．２〜５質量部であるのがよい。
エポキシ樹脂硬化促進剤は、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、及びこれらの化合物のエチルイソシアネート化合物、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール化合物、１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７（ＤＢＵ）、１，５−ジアザビシクロ（４．３．０）ノネン−５（ＤＢＮ）、ＤＢＵの有機酸塩、ＤＢＵのフェノール樹脂塩、ＤＢＵ誘導体のテトラフェニルボレート塩等のＤＢＵ系化合物、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリス（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリス（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（ｐ−エトキシフェニル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボレート、テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルボレート等のトリオルガノホスフィン類、四級ホスホニウム塩、トリエチレンアンモニウム・トリフェニルボレート等の第三級アミン、及びそのテトラフェニルホウ素酸塩等が挙げられる。上記エポキシ樹脂硬化促進剤は、１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
シランカップリング剤
本発明の難燃性樹脂組成物はシランカップリング剤を含んでもよい。シランカップリング剤を含むことにより、難燃性樹脂組成物の被接着体への密着性を更に高めることができる。シランカップリング剤としては、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が挙げられる。これらは単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。シランカップリング剤の含有量は、特に限定されないが、本発明の難燃性接着剤組成物の総質量の０．０１質量％以上５質量％以下とすることが好ましい。
また、本発明の難燃性樹脂組成物は、上記以外の成分を含んでいてもよい。シリコーン樹脂（Ａ）とトリアジン骨格を有するフェノール化合物（Ｂ）の相溶性を向上するため、あるいは樹脂組成物の貯蔵安定性又は作業性等の各種特性を向上するために、各種添加剤を適宜添加してもよい。例えば、脂肪酸エステル、グリセリン酸エステル、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム等の内部離型剤、フェノール系、リン系、もしくは硫黄系酸化防止剤等を添加することができる。その他の任意成分は、無溶剤で本発明の難燃性樹脂組成物に添加してもよいが、有機溶剤に溶解又は分散し、溶液又は分散液として調製してから添加してもよい。
有機溶剤
溶剤は難燃性樹脂組成物の分散液を調製するための溶剤として以下に説明する有機溶剤を使用することができる。この有機溶剤としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、メチルエチルケトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、トルエン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、アセトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられ、好ましくはメチルエチルケトン、シクロペンタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられる。これらの有機溶剤は、１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。その使用量は、樹脂組成物の固形分濃度が５０〜８０質量％になるようにすることが好ましい。
＜樹脂フィルム＞
本発明の難燃性樹脂組成物はフィルム状に形成されることが好ましい。このような難燃性樹脂フィルムであれば、特に、大口径、薄膜ウエハに対して良好なモールド性を有するものとなり、ウエハを一括してモールドする際に、樹脂を流し込む必要がない。そのため、従来のトランスファー成形で生じうるワイヤ変形、ウエハ表面への充填不良や、圧縮成形法で生じうる成形範囲の制御の難しさ、液状封止樹脂の流動性と物性の問題は根本的に解消することができる。
更に、難燃性樹脂フィルムの厚みは、特に制限はないが、５０μｍ以上１，０００μｍ以下であることが好ましく、更には８０〜７００μｍがより好ましい。このような厚みであれば、低反り性、保護性に優れる難燃性樹脂フィルムとなるため好ましい。
従って、本発明は、前記難燃性樹脂組成物から形成される難燃性樹脂フィルムを提供する。該難燃性樹脂フィルムとして、例えば、本発明の難燃性樹脂組成物から形成される難燃性樹脂フィルムと、該難燃性樹脂フィルムを被覆する保護層とを有する保護層付き難燃性樹脂フィルムが挙げられる。該保護層は、後に説明するものを用いることができる。以下、本発明の難燃性樹脂フィルムの製造方法の一例について説明する。
（難燃性樹脂フィルムの製造方法）
予め本発明の（Ａ）シリコーン樹脂、（Ｂ）特定構造を有するフェノール化合物、（Ｃ）フィラー、必要に応じて、その他の任意成分、及び有機溶剤を混合して液状に調整した難燃性樹脂組成物溶液を作製し、該難燃性樹脂組成物溶液をリバースロールコータ、コンマコータ等を用いて、所望の厚さになるように保護層（保護フィルム、剥離フィルム）に塗布する。前記難燃性樹脂組成物溶液が塗布された保護層をインラインドライヤに通し、８０〜１６０℃で２〜２０分間かけて有機溶剤を除去することにより乾燥させ、次いでロールラミネーター等を用いて別の保護層と圧着し、積層することにより、本発明の難燃性樹脂フィルムを得ることができる。
なお、圧着条件としては、特に制限はないが、温度５０〜１００℃、線圧０．５〜５ｋｇｆ／ｃｍ、速度０．１〜５ｍ／ｍｉｎでラミネートすることが好ましい。
また、別の態様として、上記難燃性樹脂フィルム（保護層／難燃性樹脂組成物フィルム／保護層）を２つ以上用意し、それぞれの難燃性樹脂フィルムから保護層を剥離して、両難燃性樹脂フィルム同士を積層させることで、多層の難燃性樹脂フィルムから形成される複合フィルムを得ることもできる。積層の際は、３０〜１２０℃で加温しながらフィルム同士を積層させることが好ましい。
保護層（保護フィルム／剥離フィルム）
前記保護層は、本発明の難燃性樹脂組成物からなる樹脂フィルムの形態を損なうことなく剥離できるものであれば特に限定されないが、ウエハ用の保護フィルム及び剥離フィルムとして活用するものであり、通常、ポリエチレン（ＰＥ）フィルム、ポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、ポリメチルペンテン（ＴＰＸ）フィルム、離型処理を施したポリエステルフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。また、剥離力は５０〜３００ｍＮ／ｍｉｎが好ましく、厚さは２５〜１５０μｍ、好ましくは３８〜１２５μｍである。
（モールドされるウエハ）
本発明の難燃性樹脂フィルムにより一括してモールドされるウエハとしては、特に制限されないが、表面に半導体素子（チップ）が積載されたウエハであっても、表面に半導体素子が作製された半導体ウエハであってもよい。本発明の難燃性樹脂フィルムは、モールド前にはこのようなウエハ表面に対する充填性が良好であり、また、モールド後には低反り性を有し、このようなウエハの保護性に優れる。また、本発明の難燃性樹脂フィルムは特に制限されないが、直径８インチ以上、例えば、直径８インチ（２００ｍｍ）、１２インチ（３００ｍｍ）又はそれ以上といった大口径（４５０ｍｍ）のウエハや薄型ウエハをモールドするのに好適に用いることができる。
また、薄型ウエハとしては、厚さ５〜３００μｍに薄型加工されたウエハに用いることが好ましい。
（ウエハのモールド方法）
本発明の難燃性樹脂フィルムを用いたウエハのモールド方法については、特に限定されないが、例えば、樹脂フィルム上に貼られた一方の保護層を剥がし、（株）タカトリ製の真空ラミネーター（製品名：ＴＥＡＭ−３００）等を用いて、真空チャンバー内を真空度５０〜１，０００Ｐａ、好ましくは５０〜５００Ｐａ、例えば１００Ｐａに設定し、８０〜２００℃、好ましくは８０〜１３０℃、例えば１００℃で他方の保護層が貼られた難燃性樹脂フィルムを上記ウエハに一括して密着させ、常圧に戻した後、上記ウエハを室温まで冷却して上記真空ラミネーターから取り出し、他方の保護層を剥離することで行うことができる。
また、半導体チップが積層されたウエハに対しては、コンプレッションモールド装置や真空ダイヤフラムラミネーターと平坦化のための金属板プレスを備えた装置等を好適に使用することができる。例えば、コンプレッションモールド装置としては、アピックヤマダ（株）製の装置（製品名：ＭＺ−８２４−０１）を使用することができ、半導体チップが積層された３００ｍｍシリコンウエハをモールドする際は、１００〜１８０℃、成型圧力１００〜３００ｋＮ、クランプタイム３０〜９０秒、成型時間５〜２０分で成型が可能である。
また、真空ダイヤフラムラミネーターと平坦化のための金属板プレスを備えた装置としては、ニチゴー・モートン（株）製の装置（製品名：ＣＶＰ−３００）を使用することができ、ラミネーション温度１００〜１８０℃、真空度５０〜５００Ｐａ、圧力０．１〜０．９ＰＭａ、ラミネーション時間３０〜３００秒でラミネートした後、上下熱板温度１００〜１８０℃、圧力０．１〜３．０ＭＰａ、加圧時間３０〜３００秒で難燃性樹脂成型面を平坦化することが可能である。
モールド後、１２０〜２２０℃で１５〜１８０分間の条件で難燃性樹脂フィルムを加熱することにより、難燃性樹脂を硬化することができる。
＜半導体装置＞
更に、本発明では、前記難燃性樹脂フィルムを加熱硬化した加熱硬化皮膜でモールドされた半導体ウエハを個片化した、加熱硬化皮膜を有する半導体装置を提供する。モールドされたウエハは、ダイシングテープなどの半導体加工用保護テープにモールド樹脂面、或いは、ウエハ面が接するように貼られ、ダイサーの吸着テーブル上に設置され、このモールドされたウエハは、ダイシングブレードを備えるダイシングソー（例えば、ＤＩＳＣＯ製、ＤＦＤ６３６１）を使用して切断される。ダイシング時のスピンドル回転数及び切断速度は適宜選択すればよいが、通常、スピンドル回転数２５，０００〜４５，０００ｒｐｍ、切断速度１０〜５０ｍｍ／ｓｅｃである。また、個片化されるサイズは半導体パッケージの設計によるが、概ね２ｍｍ×２ｍｍ〜３０ｍｍ×３０ｍｍ程度である。
本発明により、反りが少なく十分に保護されたウエハをダイシングブレード等を用いたダイシングにより個片化することで得られる半導体装置は、歩留まりのよい高品質な半導体装置となる。
＜半導体装置の製造方法＞
また、本発明では両面に保護層を形成された難燃性樹脂フィルムの一方の保護層を難燃性樹脂フィルムから剥離し、表面に露出した難燃性樹脂フィルムを半導体ウエハに貼り付け、他方の保護層を難燃性樹脂フィルムから剥離して半導体ウエハを上記したようにモールドする工程と、モールドされた半導体ウエハを個片化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法をも提供する。
以下、合成例、実施例及び比較例を示して本発明を更に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。
［合成例１〜３］
合成例において、各重合体の重量平均分子量は、ＧＰＣカラム ＴＳＫｇｅｌ Ｓｕｐｅｒ ＨＺＭ−Ｈ（東ソー社製）を用い、流量０．６ミリリットル／分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度４０℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定した。
実施例、比較例において使用した化合物を以下に示す。
Figure 2017088656
［合成例１］
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した３Ｌフラスコ内に、上記式（Ｓ−１）で示される化合物１４７ｇ（０．３５モル）及び上記式（Ｓ−２）で示される化合物２７．９ｇ（０．１５モル）を加えた後、トルエン２，０００ｇを加え、７０℃に加温した。その後、塩化白金酸トルエン溶液（白金濃度０．５質量％）１．０ｇを投入し、上記式（Ｓ−３）で示される化合物７７．８ｇ（０．４モル）及び上記式（Ｓ−４）で示される化合物（ｘ＝４０）２７６．７ｇ（０．１モル）を１時間かけて滴下した（ヒドロシリル基の合計モル数／アルケニル基の合計モル数＝１／１）。滴下終了後、１００℃まで加温し６時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して得られた生成物のＧＰＣにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量は４５，０００であった。これを樹脂（１）とし、実施例、比較例に供した。なお、樹脂（１）中に含まれるシロキサン量は５８質量％である。なお、樹脂（１）における構成単位比は、仕込み量により、ａ＝０．２、ｂ＝０．８である。
［合成例２］
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した３Ｌフラスコ内に、上記式（Ｓ−１）で示される化合物２１０ｇ（０．５モル）を加えた後、トルエン２，１００ｇを加え、７０℃に加温した。その後、塩化白金酸トルエン溶液（白金濃度０．５質量％）１．０ｇを投入し、上記式（Ｓ−３）で示される化合物７７．８ｇ（０．４モル）及び上記式（Ｓ−４）で示される化合物（ｘ＝１００）３６１．９ｇ（０．１モル）を２時間かけて滴下した（ヒドロシリル基の合計モル数／アルケニル基の合計モル数＝１／１）。滴下終了後、１００℃まで加温し６時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して得られた生成物のＧＰＣにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量は４８，０００であった。これを樹脂（２）とし、実施例に供した。なお、樹脂（２）中に含まれるシロキサン量は６９質量％である。なお、樹脂（２）における構成単位比は、仕込み量により、ａ＝０．２、ｂ＝０．８である。
［合成例３］
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した３Ｌフラスコ内に、上記式（Ｓ−１）で示される化合物１０５ｇ（０．２５モル）及び上記式（Ｓ−２）で示される化合物４６．５ｇ（０．２５モル）を加えた後、トルエン１，０００ｇを加え、７０℃に加温した。その後、塩化白金酸トルエン溶液（白金濃度０．５質量％）０．５ｇを投入し、上記式（Ｓ−３）で示される化合物７７．８ｇ（０．４０モル）及び上記式（Ｓ−４）で示される化合物（ｘ＝８）７０．６ｇ（０．１０モル）を１時間かけて滴下した（ヒドロシリル基の合計モル数／アルケニル基の合計モル数＝１／１）。滴下終了後、１００℃まで加温し６時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して得られた生成物のＧＰＣにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量は３５，０００であった。これを樹脂（３）とし、実施例に供した。なお、樹脂（３）中に含まれるシロキサン量は３９質量％である。なお、樹脂（３）における構成単位比は、仕込み量により、ａ＝０．２、ｂ＝０．８である。
［比較合成例１］
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した３Ｌフラスコ内に、上記式（Ｓ−５）で示される化合物１５１ｇ（０．３５モル）及び上記式（Ｓ−２）で示される化合物２７．９ｇ（０．１５モル）を加えた後、トルエン２，０００ｇを加え、７０℃に加温した。その後、塩化白金酸トルエン溶液（白金濃度０．５質量％）１．０ｇを投入し、上記式（Ｓ−３）で示される化合物７７．８ｇ（０．４モル）及び上記式（Ｓ−４）で示される化合物（ｘ＝４０）２７６．７ｇ（０．１モル）を１時間かけて滴下した（ヒドロシリル基の合計モル数／アルケニル基の合計モル数＝１／１）。滴下終了後、１００℃まで加温し６時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して得られた生成物のＧＰＣにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量は３８，０００であり、これを樹脂（４）とし、比較例に供した。なお、樹脂（４）中に含まれるシロキサン量は５７質量％である。
［実施例１〜６及び比較例１〜４］
＜難燃性樹脂組成物の調製＞
下記表１に記載した組成で、（Ａ）上記合成例１〜３で合成したシリコーン樹脂（上記樹脂（１）〜（３））、（Ｂ）特定構造を有するフェノール化合物、（Ｃ）フィラー及び任意成分を配合した。更に固形成分濃度が６５質量％となる量のシクロペンタノンを添加し、ボールミルを使用して撹拌し、混合及び溶解分散して、樹脂組成物の分散液を調製した。なお、表１中の配合量を示す数値の単位は「質量部」である。比較例１は本発明のシリコーン樹脂（Ａ）とは異なるシリコーン樹脂（上記樹脂（４））を含む樹脂組成物である。比較例２は、本発明以外のフェノール化合物であるフェノールノボラック樹脂を含む樹脂組成物である。比較例３は（Ｃ）フィラーを含まない樹脂組成物である。
（樹脂フィルムの形成）
フィルムコーターとしてダイコーターを用い、下記Ｅ７３０４を剥離フィルム（１）として用いて、表１の実施例１に示す難燃性樹脂組成物を剥離フィルム上に塗布した。次いで、１００℃に設定された熱風循環オーブン（長さ４ｍ）を５分間で通過させることにより、膜厚１００μｍの難燃性樹脂フィルムを上記剥離フィルム（１）上に形成した。
次に難燃性樹脂フィルムの上から、ポリエチレンフィルム（厚さ１００μｍ）をラミネートロールを用いて線圧力１０Ｎ／ｃｍ，１００℃で貼り合わせて、剥離フィルム（１）／難燃性樹脂フィルム／保護フィルムからなる積層フィルム（１）を作製した。
また、剥離フィルム（１）の代りに下記Ｅ７３０２を剥離フィルム（２）として用いる以外は上記と同様にして剥離フィルム（２）／難燃性樹脂フィルム／保護フィルムからなる積層フィルム（２）を作製した。
更に、得られた積層フィルム（１），（２）のそれぞれのポリエチレンフィルム（保護フィルム）を取り除き、難燃性樹脂フィルム同士を重ね合わせ、６０℃に加温された熱ロールラミネーターに投入し、膜厚が２００μｍの樹脂フィルムを有する剥離フィルム（１）／難燃性樹脂フィルム／剥離フィルム（２）からなる複合フィルムを形成した。
実施例１と同様の方法にて、表１の他の樹脂組成物を用いて膜厚が２００μｍの樹脂フィルムを有する複合フィルムを作製した。
なお、実施例６では、同様の方法で、膜厚が５００μｍの樹脂フィルムを作製した。
樹脂組成物の調製に用いた各成分を下記に示す。
（Ｂ）トリアジン骨格を有するフェノール化合物
・フェノライトＬＡ−７０５４（商品名）（トリアジン骨格含有クレゾールノボラックＤＩＣ（株）製、窒素含有率：１２質量％、ＯＨ当量：１２５）
・フェノライトＬＡ−７７５１（商品名）（トリアジン骨格含有クレゾールノボラックＤＩＣ（株）製、窒素含有率：１４質量％、ＯＨ当量：１３５）
・フェノライトＬＡ−１３５６（商品名）（トリアジン骨格含有クレゾールノボラックＤＩＣ（株）製、窒素含有率：１９質量％、ＯＨ当量：１４６）
（Ｃ）フィラー
・シリカ（アドマテックス製、平均粒径５．０μｍ）
その他の成分
・ＥＯＣＮ−１０３Ｓ（商品名）（日本化薬（株）製エポキシ樹脂、エポキシ当量：２０９〜２１９）
・キュアゾール２Ｐ４ＭＨＺ（商品名）（四国化成工業（株）製、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール）
・フェノライトＴＤ−２０９０（商品名）（ＤＩＣ（株）製、ＯＨ当量：１０５、ノボラック型フェノール樹脂、トリアジン骨格不含有）
・メラミン（和光純薬工業(株)製、アミン当量：４２、窒素含有率：６６．６質量％）
剥離フィルム（１）：Ｅ７３０４（商品名）（東洋紡績（株）製ポリエステル、厚さ７５μｍ、剥離力２００ｍＮ／５０ｍｍ）
剥離フィルム（２）：Ｅ７３０２（商品名）（東洋紡績（株）製ポリエステル、厚さ７５μｍ、剥離力９０ｍＮ／５０ｍｍ）
保護フィルム：ポリエチレンフィルム（厚さ１００μｍ）
Figure 2017088656
［樹脂フィルムのウエハへのモールド］
ウエハ厚み１００μｍの直径１２インチ（３００ｍｍ）シリコンウエハを用意した。実施例１〜６及び比較例１〜４の複合フィルムについて、剥離フィルム（２）を剥離し、真空ラミネーター（（株）タカトリ製、製品名：ＴＥＡＭ−３００Ｍ）を用いて、真空チャンバー内を真空度２５０Ｐａに設定し、１１０℃で、樹脂フィルムを一括して上記シリコンウエハに貼り付けた。常圧に戻した後、上記シリコンウエハを２５℃に冷却して上記真空ラミネーターから取り出し、残りの剥離フィルム（１）を剥離した。
得られた樹脂フィルム付ウエハは、イナートオーブンにて、１８０℃，２時間加熱することにより樹脂の硬化を行った。
［評価１：ウエハ反り量］
樹脂フィルム硬化後のウエハ反り量をレーザー（東朋テクノロジー（株）製、ＦＬＸ−３３００−Ｔ）測定し、得られた値を表２に示す。
なお、反り量が大きく、本装置で測定できなかった場合は、定規（ＪＩＳ １級）を用いて測定した値を示した。
［評価２：ウエハサポート性］
ウエハサポート性はウエハの端を支持した際のウエハのたわみ量を定規（ＪＩＳ １級）で測定し、２０ｍｍ以内を良好とし、２０ｍｍを超えた場合を不良と判断した結果を表２に示す。
［評価３：密着力］
各樹脂フィルム（２５μｍ）を真空フィルムラミネーター（温度：１００℃、圧力：１００Ｐａ、ＴＥＡＭ−１００、（株）タカトリ製）を用いて、直径６インチ半導体ウエハ（厚み６２５μｍ、信越化学工業（株）製）に貼り合わせた。次いで、ダイシングブレードを備えるダイシングソー（ＤＡＤ６８５、ＤＩＳＣＯ社製）を使用して２ｍｍ×２ｍｍ角の大きさに切断した。別途用意した、１５ｍｍ×１５ｍｍ角のシリコンウエハ（ベース基板）上に、樹脂フィルムを介して１５０℃、５０ｍＮの荷重にて２ｍｍ×２ｍｍ角のチップ貼り合わせた。その後、１８０℃にて２時間加熱して樹脂フィルムを硬化させ、試験片を得た。試験片は各５個ずつ製造し、以下の接着力測定試験に供した。
ボンドテスター（Ｄａｇｅ ｓｅｒｉｅｓ ４０００−ＰＸＹ：Ｄａｇｅ社製）を用いて、半導体チップ（２ｍｍ×２ｍｍ）がベース基板（１５ｍｍ×１５ｍｍ角のシリコンウエハ）から剥離する時にかかる抵抗力を測定し、樹脂フィルム層の密着力を評価した。テスト条件は、テストスピード２００μｍ／ｓｅｃ、テスト高さ５０μｍで行った。結果を表２に示す。表２に示される数値は、各々５個の試験体における測定値の平均であり、数値が高いほど接着シートの接着力が高いことを示す。
［評価４：信頼性］
硬化後の樹脂フィルム付ウエハをダイシングブレードを備えるダイシングソー（ＤＡＤ６８５、ＤＩＳＣＯ社製、スピンドル回転数は４０，０００ｒｐｍ、切断速度は２０ｍｍ／ｓｅｃ）を使用して１０ｍｍ×１０ｍｍ角の試験片を得た。得られた試験片（各１０片づつ）をヒートサイクル試験（−２５℃で１０分間保持、１２５℃で１０分間保持を１，０００サイクル繰り返す）に供し、ヒートサイクル試験後の樹脂フィルムのウエハからの剥離状態を超音波検査により確認した。全く剥離を生じなかったものを「良好」、１つでも剥離を生じたものを「不良」として判定した。結果を表２に示す。
［評価５：難燃性］
実施例１〜６及び比較例１〜４の複合フィルムについて、剥離フィルム（２）を剥離し、イナートオーブンにて、１８０℃，２時間加熱することにより樹脂の硬化を行った。
得られた硬化フィルムについて、ＵＬ９４難燃性規格に準拠して、難燃性を評価した。ＵＬ９４Ｖ−０規格を満足する難燃性を示した場合を「良好」と評価し、該サンプルがＵＬ９４Ｖ−０規格を満足しなかった場合を「不良」と評価した。結果を表２に示す。
Figure 2017088656
以上の結果、本発明の難燃性樹脂組成物から得られる樹脂フィルムは、比較例と比べて全体的にウエハ反り量が少なく、ウエハサポート性、密着性、信頼性、難燃性に優れることがわかった。
以上説明したように、本発明の難燃性樹脂組成物であれば、フィルム状に形成することが可能であるためウエハを一括してモールド（ウエハモールド）できるものであり、大口径、薄膜ウエハに対して良好なモールド性を有するものであることが示された。また、本発明の樹脂組成物より得られる樹脂フィルムは、低反り性及びウエハ保護性に優れ、密着性、信頼性、難燃性にも優れることが示された。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

Claims (9)

  1. 下記（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分を含有することを特徴とする難燃性樹脂組成物。
    （Ａ）下記組成式（１）で表される構成単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００であるシリコーン樹脂、
    Figure 2017088656
     ［式中、Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ独立に炭素数１〜８の１価炭化水素基を示す。但し、Ｒ3とＲ4は同時にメチル基であることはなく、ｍとｎはそれぞれ独立に０〜３００の整数、Ｒ5〜Ｒ8は同一でも異なっていてもよい炭素数１〜１０の２価炭化水素基を示す。また、ａ、ｂは共に正数で、ａ＋ｂ＝１である。Ｘは下記一般式（２）で示される２価の有機基である。
    Figure 2017088656
     （式中、Ｖは
    Figure 2017088656
     のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。Ｒ9及びＲ10はそれぞれ炭素数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に異なっていても同一でもよい。ｈは０、１及び２のいずれかである。）］
    （Ｂ）トリアジン変性フェノールノボラック化合物、
    （Ｃ）フィラー。
  2. （Ｂ）成分が、下記一般式（７）で示されるトリアジン骨格を有するフェノール化合物であることを特徴とする請求項１記載の難燃性樹脂組成物。
    Figure 2017088656
    （式中、Ｒ11は、水素原子又はメチル基であり、ｓは１〜１０の整数、ｔは１〜５の整数である。）
  3. 前記（Ｂ）成分の量が、前記（Ａ）成分１００質量部に対して５〜５０質量部であり、全質量に対する前記（Ｃ）成分の質量分率が、７０〜９０質量％であることを特徴とする請求項１又は２記載の難燃性樹脂組成物。
  4. 更に、エポキシ樹脂を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の難燃性樹脂組成物。
  5. 更に、エポキシ樹脂硬化促進剤を含有するものであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の難燃性樹脂組成物。
  6. 前記フィラーがシリカであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の難燃性樹脂組成物。
  7. 請求項１〜６のいずれか１項記載の難燃性樹脂組成物をフィルム化して形成されたものであることを特徴とする難燃性樹脂フィルム。
  8. 請求項７記載の難燃性樹脂フィルムを半導体ウエハに貼り付け、該半導体ウエハをモールドする工程と、前記樹脂フィルムを加熱硬化する工程と、該モールドされた半導体ウエハを個片化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  9. 請求項７記載の難燃性樹脂フィルムを加熱硬化した加熱硬化皮膜でモールドされた半導体ウエハを個片化してなり、前記難燃性加熱硬化皮膜を有するものであることを特徴とする半導体装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019048905A (ja) * 2017-09-07 2019-03-28 信越化学工業株式会社 樹脂組成物、樹脂フィルム、半導体積層体、半導体積層体の製造方法及び半導体装置の製造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61236833A (ja) * 1985-04-15 1986-10-22 Matsushita Electric Works Ltd 積層板
JP2000226439A (ja) * 1999-02-03 2000-08-15 Sanyu Resin Kk 難燃性エポキシ樹脂組成物
JP2001226464A (ja) * 2000-02-15 2001-08-21 Japan Epoxy Resin Kk 熱硬化性樹脂組成物
JP2001316454A (ja) * 2000-02-29 2001-11-13 Otsuka Chem Co Ltd 難燃性エポキシ樹脂組成物及び電子部品
JP2003073641A (ja) * 2001-08-31 2003-03-12 Hitachi Chem Co Ltd 難燃性接着フィルム、半導体搭載用配線基板、半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2003119345A (ja) * 2001-10-16 2003-04-23 Dainippon Ink & Chem Inc フェノール樹脂組成物
JP2004059689A (ja) * 2002-07-26 2004-02-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2014159555A (ja) * 2013-01-23 2014-09-04 Nitto Denko Corp シート状の電子部品封止用熱硬化性樹脂組成物、樹脂封止型半導体装置、及び樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2015137327A (ja) * 2014-01-23 2015-07-30 信越化学工業株式会社 樹脂組成物、樹脂フィルム及び半導体装置とその製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3220972A (en) 1962-07-02 1965-11-30 Gen Electric Organosilicon process using a chloroplatinic acid reaction product as the catalyst
US3159601A (en) 1962-07-02 1964-12-01 Gen Electric Platinum-olefin complex catalyzed addition of hydrogen- and alkenyl-substituted siloxanes
US3159662A (en) 1962-07-02 1964-12-01 Gen Electric Addition reaction
US3775452A (en) 1971-04-28 1973-11-27 Gen Electric Platinum complexes of unsaturated siloxanes and platinum containing organopolysiloxanes
JP3785749B2 (ja) * 1997-04-17 2006-06-14 味の素株式会社 エポキシ樹脂組成物並びに該組成物を用いた多層プリント配線板の製造法
EP0877040B1 (en) * 1997-05-09 2000-04-12 Dainippon Ink And Chemicals, Inc. Phenol resin composition and method of producing phenol resin
JP3460820B2 (ja) * 1999-12-08 2003-10-27 日本電気株式会社 難燃性エポキシ樹脂組成物
US7070207B2 (en) * 2003-04-22 2006-07-04 Ibiden Co., Ltd. Substrate for mounting IC chip, multilayerd printed circuit board, and device for optical communication
EP1688770B1 (en) * 2003-11-27 2012-11-14 Ibiden Co., Ltd. Ic chip mounting board, substrate for mother board, device for optical communication, method for manufacturing substrate for mounting ic chip thereon, and method for manufacturing substrate for mother board
WO2009142065A1 (ja) 2008-05-21 2009-11-26 ナガセケムテックス株式会社 電子部品封止用エポキシ樹脂組成物
JP5413340B2 (ja) * 2009-09-30 2014-02-12 信越化学工業株式会社 エポキシ基含有高分子化合物、これを用いた光硬化性樹脂組成物、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜
JP5373736B2 (ja) * 2010-10-28 2013-12-18 信越化学工業株式会社 接着剤組成物及び接着剤シート、半導体装置保護用材料、及び半導体装置
CN104736589B (zh) * 2012-10-19 2017-05-24 三菱瓦斯化学株式会社 树脂组合物、预浸料、层压板、覆金属箔层压板以及印刷电路板
CN106795259B (zh) * 2014-10-01 2019-11-12 Dic株式会社 环氧树脂组合物及其固化物
JP6265105B2 (ja) * 2014-10-30 2018-01-24 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂、樹脂組成物、樹脂フィルム及び半導体装置とその製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61236833A (ja) * 1985-04-15 1986-10-22 Matsushita Electric Works Ltd 積層板
JP2000226439A (ja) * 1999-02-03 2000-08-15 Sanyu Resin Kk 難燃性エポキシ樹脂組成物
JP2001226464A (ja) * 2000-02-15 2001-08-21 Japan Epoxy Resin Kk 熱硬化性樹脂組成物
JP2001316454A (ja) * 2000-02-29 2001-11-13 Otsuka Chem Co Ltd 難燃性エポキシ樹脂組成物及び電子部品
JP2003073641A (ja) * 2001-08-31 2003-03-12 Hitachi Chem Co Ltd 難燃性接着フィルム、半導体搭載用配線基板、半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2003119345A (ja) * 2001-10-16 2003-04-23 Dainippon Ink & Chem Inc フェノール樹脂組成物
JP2004059689A (ja) * 2002-07-26 2004-02-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2014159555A (ja) * 2013-01-23 2014-09-04 Nitto Denko Corp シート状の電子部品封止用熱硬化性樹脂組成物、樹脂封止型半導体装置、及び樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2015137327A (ja) * 2014-01-23 2015-07-30 信越化学工業株式会社 樹脂組成物、樹脂フィルム及び半導体装置とその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019048905A (ja) * 2017-09-07 2019-03-28 信越化学工業株式会社 樹脂組成物、樹脂フィルム、半導体積層体、半導体積層体の製造方法及び半導体装置の製造方法

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