JP2017085125A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1に本発明の実施の形態の一つによる発光装置1000を上面から見た模式図を示す。発光装置1000は、低温同時焼成セラミックス(LTCC)基板1上に、順に銀反射層(図示せず)及びガラス層(被覆層)3が形成された構造を持ち、その上に発光部1001を備えている。発光部1001は蛍光体含有封止樹脂6で封止されている。LTCC基板1上にはさらに、正電極外部接続端子8及び負電極外部接続端子7が設けられており、それぞれの外部接続端子には外部配線15が接続されている。外部配線15はLTCC基板1に設けられた外部配線用穴16を通って外部に配線される。LTCC基板1は発光装置1000をネジによって他の装置へ固定するための取り付け部13を有する。ここで、発光装置1000の外形形状をほぼ正方形状にし、発光部1001の形状はほぼ長方形状とした。
図7(a)は本発明の他の実施の形態による発光装置1002を示す模式断面図であり、図7(b)はその平面図である。なお、説明の便宜上、実施の形態1で用いた部材と同一の機能を有する部材には同一の部材番号を付記し、その説明を省略する。発光装置1002は、低温同時焼成セラミックス(LTCC)基板10、LTCC基板10上に形成された銀反射層2、銀反射層2を覆うガラス層3、ガラス層3の上に設置されたLEDチップ4、及びガラス層3の上に形成された正電極外部接続端子81と負電極外部接続端子71と、から成る。LEDチップ4とそれぞれの外部接続端子81、71はボンディングワイヤWで電気接続されている。LEDチップ4とボンディングワイヤWとはドーム状の蛍光体含有封止樹脂61で封止されている。外部接続端子81、71はLTCC基板10のそれぞれ反対側の側面まで延びて形成されている。
図8は本発明の他の実施の形態による発光装置1005を示す模式断面図である。なお、説明の便宜上、実施の形態2で用いた部材と同一の機能を有する部材には同一の部材番号を付記し、その説明を省略する。本実施の形態が実施の形態2と違うのは、蛍光体含有封止樹脂の代わりに、蛍光体を含んだ蛍光体含有樹脂部63と、蛍光体含有樹脂部63を覆うように形成された透明樹脂部64とからなるドーム形状の封止樹脂によって、LEDチップ4とボンディングワイヤWとが封止されている点である。蛍光体含有樹脂部63及び透明樹脂部64はそれぞれドーム形状をしている。
図9は本発明の他の実施の形態による発光装置1003を示す模式断面図である。なお、説明の便宜上、実施の形態2で用いた部材と同一の機能を有する部材には同一の部材番号を付記し、その説明を省略する。発光装置1003は、低温同時焼成セラミックス(LTCC)基板11、LTCC基板11上に形成された銀反射層2、LTCC基板11上で銀反射層2だけを覆うガラス層3、ガラス層3の上に設置されたLEDチップ4、及びLTCC基板11上に形成された正電極外部接続端子81と負電極外部接続端子71と、から成る。LEDチップ4とそれぞれの外部接続端子81、71とはボンディングワイヤWで電気接続されている。LEDチップ4とボンディングワイヤWと外部接続端子81,71とは蛍光体含有封止樹脂62で封止されている。LTCC基板11は多層(10層)のLTCC層11a〜11jから成り、銀で形成された複数の放熱ビア21が、各層を貫通して、すなわちLTCC基板11に対して垂直方向に、それぞれ形成され銀反射層2に接続されている。また、外部接続端子81、71はLTCC基板11を貫通する2つの配線ビア(放熱ビア)22にそれぞれ接続されており、各配線ビア22はLTCC基板11の下面側に形成された外部端子82、72にそれぞれ接続されている。ここで、LTCC基板11はグリーンシートを10枚積層して作製される。尚、本実施の形態はLEDチップ4を4個設置したものであるが、図9には簡単のため1つのLEDチップの断面を示す。
図10は本発明の他の実施の形態による発光装置1004を示す模式断面図である。なお、説明の便宜上、実施の形態4で用いた部材と同一の機能を有する部材には同一の部材番号を付記し、その説明を省略する。発光装置1004は、アルミナ基板12、アルミナ基板12上に形成された銀反射層2、銀反射層2だけを覆うガラス層3、ガラス層3の上に設置されたLEDチップ4、及びアルミナ基板12上に形成された正電極外部接続端子81と負電極外部接続端子71と、から成る。LEDチップ4とそれぞれの外部接続端子81、71とはボンディングワイヤWで電気接続されている。LEDチップ4とボンディングワイヤWと外部接続端子81,71とは蛍光体含有封止樹脂62で封止されているが、図10の奥行き方向に関しては、アルミナ基板12の全面を覆っているわけではない。アルミナ基板12上には正電極接続ランド81及び負電極接続ランド71を表面に露出させ、外部電源(図示せず)と接続できるようするために、封止されていない領域がある。尚、本実施の形態はLEDチップ4を36個設置したものであるが、図9には簡単のため1つのLEDチップの断面を示す。
(発光装置)
実施の形態6の発光装置の構造を示す平面図および断面図を図13(a)及び図13(b)に示す。図13(b)において、発光装置2001は、カップ状の凹部108を備えたパッケージ110と、LEDチップ112と、蛍光体114を備える。LEDチップ112は凹部108底面の略中央部であるチップ載置部113にダイボンディングされ、蛍光体114が分散された封止樹脂116により被覆されている。LEDチップ112が発する1次光(例えば波長が400nm以上500nm以下の青色波長領域に発光ピークを有する青色光)と、1次光により励起された蛍光体114が発する2次光(例えば波長が550nm以上600nm以下の黄色波長領域に発光ピークを有する黄色光)とが混合し、凹部108の開口した側の面である出射面118より白色光として出射するように構成されている。
続いて発光装置2001の製造方法について説明する。図14は発光装置の製造方法を示すフローチャート、図15は積層体の構成を示す断面図、図16は発光装置の製造方法を示す断面図である。
図17は実施の形態7の発光装置の構造を示す断面図である。発光装置2002は、ガラス層121に代え、蛍光体114が分散された、蛍光体入りガラス層160を備えることを特徴とし、LEDチップ112が発する青色光である1次光と、1次光により励起された蛍光体114が発する黄色光である2次光とが混合し、凹部108の開口した側の面である出射面118より白色光として出射するように構成されている。
図18は実施の形態8の発光装置の構造を示す断面図である。本実施の形態は、パッケージ110の凹部108の底面に凹陥部が設けられ、凹陥部の底面に電極パッド123が形成されるとともに、電極パッド123と銀反射層120との間に、絶縁層132が介在することを特徴とする。それ以外の部分については実施の形態1と同等である。
図19(a)、(b)は実施の形態9の面光源の構造を示す模式図である。本実施の形態における面光源2004は、前述の実施の形態6から8の何れかに記載の構成を備えた発光装置305と該発光装置305の出射光を導光し面状発光として出射面316より出射させる導光板310とを備え、発光装置305の出射面118は導光板310の入射端面312に正対されて配置されている。なお、導光板310の入射端面312における屈折等は省略して示されている。
本発明の一態様に係る発光装置は、セラミックス基板と、外部に露出しており、上記セラミックス基板上に設けられた第1の外部端子および第2の外部端子と、上記セラミックス基板上に設けられた金属層と、上記第1の外部端子および上記第2の外部端子と電気的に接続され、かつ、上記金属層の上面の上方に設けられた発光ダイオードチップと、上記金属層の厚さより大きい厚さを有し、上記金属層の下側に接続されている複数の金属ビアと、上記発光ダイオードチップを覆う蛍光体含有樹脂と、上記蛍光体含有樹脂上に設けられており、ドーム型の外形形状を有する透明樹脂とを備え、上記第1の外部端子は上記セラミックス基板の表面に沿って延伸する第1の水平部を有し、上記第2の外部端子は上記セラミックス基板の表面に沿って延伸する第2の水平部を有し、上記第1の水平部は外部に露出した第1の外部露出部を有し、上記第2の水平部は外部に露出した第2の外部露出部を有し、上記第1の外部露出部が上記金属層に対向するように、上記第1の外部露出部は上記セラミックス基板の上記表面に対して垂直な方向において上記金属層と重なり、上記第2の外部露出部が上記金属層に対向するように、上記第2の外部露出部は上記セラミックス基板の上記表面に対して垂直な方向において上記金属層と重なり、上記セラミックス基板は長方形の形状を有し、上記セラミックス基板の上記表面に対して垂直な方向から見たとき、上記透明樹脂の直径は上記セラミックス基板のそれぞれの辺より小さい。
本発明の一態様に係る発光装置は、基板上に光を出射する半導体装置及び複数の外部接続端子を有し、前記基板上に形成され前記半導体装置からの出射光を反射する光反射層と、少なくとも前記光反射層を被覆し、かつ、前記光反射層にて反射した光を透過する被覆層とを備え、前記半導体装置は、前記被覆層上に形成されるとともに、前記外部接続端子と接続部を介して電気的に接続されており、前記半導体装置と前記接続部とを覆うように封止樹脂で封止されている。
2、120 銀反射層(光反射層)
3、121 ガラス層
4、112 LEDチップ
W ボンディングワイヤ(接続部)
6、61、62 蛍光体含有封止樹脂(封止樹脂)
7、71 負電極外部接続端子(外部接続端子)
8、81 正電極外部接続端子(外部接続端子)
9 配線パターン(接続部)
10a〜10j、11a〜11j LTCC層
12 アルミナ基板(基板)
21 放熱ビア
22 配線ビア
41、113 チップ載置部
63 蛍光体含有樹脂部
64 透明樹脂部
110 パッケージ
114 蛍光体
1000、1002、1003、1004、1005、2001、2002、2003
発光装置
1001 発光部
2004 面光源
Claims (8)
- 凹部を有する第1面と、上記第1面とは反対側の第2面とを含むパッケージと、
外部に露出しており、上記第2面上に設けられた第1の外部端子および第2の外部端子と、
上記凹部の表面上に設けられた金属層と、
上記金属層の厚さより大きい厚さを有し、上記金属層の下側に接続されている金属ビアと、
上記第1の外部端子および上記第2の外部端子と電気的に接続され、かつ、上記金属層の上面の上方に設けられた発光ダイオードチップと、
上記発光ダイオードチップを覆う蛍光体含有樹脂と、
を備えることを特徴とする発光装置。 - 上記パッケージの素材はセラミックであることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 上記第1の外部端子および上記第2の外部端子が並べられた方向において、上記発光ダイオードチップの下側の上記金属層の長さは上記発光ダイオードチップの長さよりも長いことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 上記第1の外部端子は上記第2面に沿って延伸する第1の水平部を備えることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 上記第2の外部端子は上記第2面に沿って延伸する第2の水平部を備えることを特徴とする請求項4に記載の発光装置。
- 上記第1の水平部が上記金属層に対向するように、上記第1の水平部は、上記第2面に対して垂直な方向において上記金属層と重なることを特徴とする請求項4に記載の発光装置。
- 上記第1の水平部が上記金属層に対向するように、上記第1の水平部は、上記第2面に対して垂直な方向において上記金属層と重なり、
上記第2の水平部が上記金属層に対向するように、上記第2の水平部は、上記第2面に対して垂直な方向において上記金属層と重なることを特徴とする請求項5に記載の発光装置。 - 上記パッケージは長方形の形状を有することを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
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