JP2017079230A - ウエーハの研削方法 - Google Patents
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Abstract
Description
ウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
ウエーハを平面で支持する支持面を有する支持部材と該支持部材の支持面と対面する平行な押圧面を有する押圧部材とを備えた保護テープ平坦化手段における該支持部材の支持面に保護テープが貼着されたウエーハを支持するウエーハ支持工程と、
少なくとも保護テープを加熱するとともに該保護テープ平坦化手段の支持部材の支持面と押圧部材の押圧面との間で保護テープが貼着されたウエーハをプレスして保護テープを平坦化する保護テープ平坦化工程と、
該保護テープ平坦化工程が実施された保護テープが貼着されたウエーハにおける保護テープ側をチャックテーブルに保持し、ウエーハの裏面を研削する裏面研削工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの研削方法が提供される。
図示の研削装置1は、略直方体状の装置ハウジング2を具備している。装置ハウジング2の図1において右上端には、静止支持板21が立設されている。この静止支持板21の前面には、上下方向に延びる2対の案内レール22、22および23、23が設けられている。一方の案内レール22、22には粗研削手段としての粗研削ユニット3が上下方向に移動可能に装着されており、他方の案内レール23、23には仕上げ研削手段としての仕上げ研削ユニット4が上下方向に移動可能に装着されている。
図2に示す半導体ウエーハ10は、厚みが例えば600μmのシリコンウエーハからなっており、表面10aに複数の分割予定ライン101が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン101によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス102が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ10の表面10aには、デバイス102を保護するために保護テープPTが貼着される(保護テープ貼着工程)。この保護テープPTは、加熱することによって軟化する合成樹脂シートで形成され、図示の実施形態においては厚さが100μmのポリ塩化ビニル(PVC)からなるシート状基材の表面にアクリル樹脂系の糊が厚さ5μm程度塗布されている。このようにして保護テープ貼着工程が実施され表面に保護テープPTが貼着された半導体ウエーハ10は、裏面を上側にして第1のカセット11に収容される。
上述したように、カセット搬入域に載置された第1のカセット11に収容されている半導体ウエーハ10の裏面を研削するには、被加工物搬送手段15を作動して第1のカセット11に収容されている研削加工前の半導体ウエーハ10を搬出し、中心合わせ手段13上に載置する。中心合わせ手段13に載置された半導体ウエーハ10は、ここで中心合わせが行われる。中心合わせ手段13において中心合わせが行われた半導体ウエーハ10は、被加工物搬入手段16によって被加工物搬入・搬出域Aに位置付けられているチャックテーブル6の上面である支持面上に載置される。半導体ウエーハ10がチャックテーブル6の支持面上に載置されたならば、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ10は保護テープPTを介してチャックテーブル6の支持面上に吸引保持される。
図5に示す保護テープ平坦化手段7aは、上記中心合わせ手段13と被加工物搬入・搬出域Aとの間において被加工物搬入手段16を構成する吸引パッド161の移動軌跡上に配設された押圧部材77を具備している。この押圧部材77は、ウエーハを平面で支持する支持面を有する支持部材として機能する上記被加工物搬入手段16の吸引パッド161の下面(支持面)と対面する平行な押圧面771を有しており、ヒーター770が内蔵されている。
上述したように中心合わせ手段13において中心合わせが行われた保護テープPTが貼着されている半導体ウエーハ10は、被加工物搬入手段16の吸引パッド161の下面(支持面)に吸着された状態で押圧部材77の直上に位置付けられる。次に、被加工物搬入手段16の吸引パッド161を支持する旋回アーム162を図示しない移動機構によって下方に移動し、図6に示すように吸引パッド161に吸着された半導体ウエーハ10に貼着された保護テープPTを押圧部材77上面である押圧面771に接触し所定の圧力で押圧する。このとき、押圧部材77に内蔵しているヒーター770を作動して半導体ウエーハ10に貼着された保護テープPTを100℃程度に加熱する。この結果、半導体ウエーハ10に貼着された保護テープPTは、加熱されつつ吸引パッド161の支持面と押圧部材77の押圧面771との間で半導体ウエーハ10を介してプレスされるので、厚さバラツキがあっても平坦化される(保護テープ平坦化工程)。そして、保護テープ平坦化工程は半導体ウエーハ10に貼着された保護テープPTを加熱しつつ吸引パッド161の支持面と押圧部材77の上面である押圧面771との間でプレスする比較的安価な保護テープ平坦化手段7aによって実施できるので、設備費が抑制され経済的である。
このようにして、保護テープ平坦化工程が実施された半導体ウエーハ10は、被加工物搬入手段16の吸引パッド161に吸着された状態で被加工物搬入・搬出域Aに位置付けられているチャックテーブル6に搬送される。そして、粗研削加工域Bおよび仕上げ研削加工域Cに順次位置付けられて上述した粗研削加工および仕上げ研削加工が施される。
また、上述した実施形態においては、保護テープ平坦化手段7または保護テープ平坦化手段7aを装備した研削装置1を用いて半導体ウエーハ10に貼着された保護テープPTを平坦化する平坦化工程を実施する例を示したが、研削装置に保護テープ平坦化手段を必ずしも装備する必要はなく、半導体ウエーハ10に貼着された保護テープPTを平坦化するための専用の保護テープ平坦化装置によって平坦化した保護テープPTが貼着された半導体ウエーハ10を上記第1のカセット11にストックするようにしてもよい。
2:研削装置の装置ハウジング
3:粗研削ユニット
33:粗研削ホイール
4:仕上げ研削ユニット
43:仕上げ研削ホイール
7,7a:保護テープ平坦化手段
75,77:押圧部材
10:半導体ウエーハ
PT:保護テープ
Claims (2)
- 表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの裏面を研削するウエーハの研削方法であって、
ウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
ウエーハを平面で支持する支持面を有する支持部材と該支持部材の支持面と対面する平行な押圧面を有する押圧部材とを備えた保護テープ平坦化手段における該支持部材の支持面に保護テープが貼着されたウエーハを支持するウエーハ支持工程と、
少なくとも保護テープを加熱するとともに該保護テープ平坦化手段の支持部材の支持面と押圧部材の押圧面との間で保護テープが貼着されたウエーハをプレスして保護テープを平坦化する保護テープ平坦化工程と、
該保護テープ平坦化工程が実施された保護テープが貼着されたウエーハにおける保護テープ側をチャックテーブルに保持し、ウエーハの裏面を研削する裏面研削工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの研削方法。 - 該保護テープ平坦化手段の支持部材は、該チャックテーブルが兼用する、請求項1記載のウエーハの研削方法。
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