JP2017063265A - パワーデバイスの過電流検出回路 - Google Patents
パワーデバイスの過電流検出回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017063265A JP2017063265A JP2015186511A JP2015186511A JP2017063265A JP 2017063265 A JP2017063265 A JP 2017063265A JP 2015186511 A JP2015186511 A JP 2015186511A JP 2015186511 A JP2015186511 A JP 2015186511A JP 2017063265 A JP2017063265 A JP 2017063265A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sense
- resistor
- electrode
- circuit
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】ターンオン直後の過渡的な現象に起因する誤判定のおそれがなく、簡素な回路構成を用いて過電流状態を従来よりも高速で検出できるパワーデバイスの過電流検出回路を提供する。【解決手段】入力電極21から出力電極22に流れる主電流Imと入力電極21からセンス電極23に流れるセンス電流Imとが相関し、ゲート電極24に入力されるゲート電圧Vgの有無に応じて主電流Imおよびセンス電流Isが通電および遮断されるパワーデバイス2において、全電流Itが過大となる過電流状態を検出する回路1であって、センス電極23に接続されて全電流Itの大きさに相関したセンス電圧Vsが発生するセンス抵抗3と、ゲート電圧Vgの継続時間よりも短い一定時間Tonだけセンス抵抗3の抵抗値を低減する抵抗値低減回路4と、センス電圧Vsが所定の閾値電圧Vr以上になったときに過電流状態と判定する過電流判定回路(コンパレータ5)と、を備えた。【選択図】図1
Description
本発明は、主電流が流れる出力電極に加えて過電流検出用のセンス電極を備えたパワーデバイスの過電流検出回路に関する。
パワーデバイスは、インバータ回路などに幅広く利用されており、通電位相の制御を可能とすることで電力制御を高度化している。パワーデバイスに接続された負荷や配線路で短絡などの故障が発生すると過電流が流れるが、パワーデバイス自身の過電流耐量を大きくすることは、デバイス価格の大幅な増加に直結するため難しい。このため、過電流を速やかに検出して高速で遮断することにより、高価なパワーデバイスを保護する必要が生じる。過電流検出の用途にセンス電極を内蔵したパワーデバイスが開発されており、その一例が特許文献1に開示されている。
特許文献1は、電流検出用電極(センス電極)を内蔵したパワーデバイスの過電流保護回路を開示している。この過電流保護回路は、駆動用の入力信号(ゲート電圧)に基づきターンオン時近傍の第1の期間とそれ以外の第2の期間とを識別する手段と、小さな第1の比較信号および大きな第2の比較信号を付与する手段と、電流検出用電極の検出信号を第2の期間中には第1の比較信号と比較し、第1の期間中には第2の比較信号と比較して過電流状態か否かを識別する手段と、を備える。さらに、実施形態の説明によれば、第1および第2の期間を識別する手段としてタイマーが用いられ、第1および第2の比較信号を切り替える手段としてアナログスイッチが用いられる。これによれば、ターンオン直後に過渡的に検出信号が持ち上がっても過電流と誤検出してしまうことがなく、正確に過電流保護機能が働く、とされている。
また、単一の比較信号を用いる従来技術では、検出信号をフィルタに通して過渡的なピーク波形を平坦化させることにより、誤検出を防止することが行われている。しかしながら、フィルタを追加した回路構成では、実際に過電流が発生したときに、フィルタの通過特性に相当する分だけ検出にタイムラグが生じ、或る程度の時間にわたって過電流が流れ、過電流の遮断が遅れる。
ところで、特許文献1の技術では、大きさの異なる第1および第2の比較信号を生成する必要があって、回路構成部品が多くなる。また、タイマーおよびアナログスイッチを用いた回路構成では、ターンオン直後の高速切り替え動作に限界があるため、誤判定のおそれが完全に解消されるとは言い難い。さらに、フィルタを追加した従来技術では、過電流の検出にタイムラグが生じる。このため、ターンオン直後の誤判定を無くすとともに過電流を高速で検出する性能をさらに一層向上する必要がある。
本発明は、上記背景技術の問題点に鑑みてなされたものであり、ターンオン直後の過渡的な現象に起因する誤判定のおそれがなく、簡素な回路構成を用いて過電流状態を従来よりも高速で検出できるパワーデバイスの過電流検出回路を提供することを解決すべき課題とする。
上記課題を解決する本発明のパワーデバイスの過電流検出回路は、入力電極、出力電極、センス電極、およびゲート電極を有し、前記入力電極から前記出力電極に流れる主電流と前記入力電極から前記センス電極に流れるセンス電流とが相関し、前記ゲート電極に入力されるゲート電圧の有無に応じて前記主電流および前記センス電流が通電および遮断されるパワーデバイスにおいて、前記主電流と前記センス電流とを加算した全電流が過大となる状態を検出する過電流検出回路であって、前記センス電極に接続され、前記センス電流が流れたときに前記全電流の大きさに相関したセンス電圧が発生するセンス抵抗と、前記ゲート電極に前記ゲート電圧が入力されると、前記ゲート電圧の継続時間よりも短い一定時間だけ前記センス抵抗の抵抗値を低減する抵抗値低減回路と、前記センス電圧が所定の閾値電圧以上になったときに前記過電流状態と判定する過電流判定回路と、を備えた。
本発明のパワーデバイスの過電流検出回路によれば、ゲート電圧が入力されたターンオン直後の一定時間だけセンス抵抗の抵抗値が小さくなる。したがって、ターンオン直後に過渡的にセンス電流が増加しても、センス電圧の増加が抑制され、過電流状態と誤判定するおそれは生じない。また、抵抗値低減回路は、複数の抵抗の接続を切り替える構成を採用できるので、センス電圧の波形にタイムラグや変歪などは発生しない。したがって、実際に過電流状態が発生したときには従来よりも高速で検出できる。
本発明の第1実施形態のパワーデバイスの過電流検出回路1について、図1〜図3を参考にして説明する。図1は、第1実施形態の過電流検出回路1をパワーデバイス2とともに示す回路図である。パワーデバイス2は、電力用半導体とも呼ばれ、電力の通電および遮断の切り替えを行う。パワーデバイス2は、単独で用いられる他にも、6個を三相ブリッジ接続してインバータを構成するなど、様々な用途に用いられる。第1実施形態では、パワーデバイス2が単独で用いられる場合について例示説明するが、過電流検出回路1は用途に限定されない。パワーデバイス2として、IGBT素子を例示でき、これに限定されない。
パワーデバイス2は、入力電極21、出力電極22、センス電極23、およびゲート電極24を有する。入力電極21は負荷25の一端に接続され、負荷25の他端はバッテリ26の高圧端子に接続されている。さらに、バッテリ26の低圧端子は出力電極22に接続され、閉じた主回路が構成されている。また、パワーデバイス2に対して並列に、パワーダイオード27が接続されている。パワーダイオード27は、パワーデバイス2の外部における出力電極22から入力電極21への通電を許容して、逆方向の起電力を抑制する。
ゲート電極24は、ゲート抵抗Rgを介してゲート制御回路28に接続されている。ゲート制御回路28は、入力されたゲート制御信号Sgに基づいてゲート電圧Vgを生成し、ゲート抵抗Rgを介してゲート電極24に出力する。ゲート制御信号Sgは、電気負荷25を制御する目的、例えば、電気負荷25がモータである場合に出力トルクや回転数を制御する目的で別途生成される。
入力電極21を流れる全電流Itは、出力電極22に流れる主電流Im、およびセンス電極23に流れるセンス電流Isに分かれる。ただし、全電流Itの大部分は主電流Imとなり、センス電流Isは主電流Imよりも桁違いに小さい。ゲート電極24のゲート電圧Vgが所定のターンオン電圧Vtn以上になると、主電流Imおよびセンス電流Isは、ターンオンされて通電される。また、ゲート電圧Vgがターンオン電圧Vtn未満になると、主電流Imおよびセンス電流Isは遮断される。主電流Imおよびセンス電流Isは、相互に関連しており、過渡的な一時期を除き比例関係を維持して変化する。
過電流検出回路1は、センス電極23に接続されている。過電流検出回路1は、負荷25を始めとする主回路で短絡などの故障が発生したときに全電流Itが過大となる状態を検出する。過電流検出回路1は、センス抵抗3、抵抗値低減回路4、および過電流判定回路に相当するコンパレータ5などで構成されている。
センス抵抗3は、主抵抗Rs1および並列補助抵抗Rs2からなる。主抵抗Rs1および並列補助抵抗Rs2は、センス電極23とバッテリ26の低圧端子との間に並列接続されている。センス電流Isが流れたとき、センス抵抗3の両端には、全電流Itの大きさに相関したセンス電圧Vsが発生する。つまり、センス電極23にセンス電圧Vsが発生する。
抵抗値低減回路4は、並列補助抵抗Rs2に直列接続されて一定時間だけ閉じる(導通する)スイッチ回路の役割を果たす。抵抗値低減回路4が開いている間(遮断されている間)、センス抵抗3の抵抗値は、主抵抗Rs1単独の抵抗値となる。抵抗値低減回路4が閉じると(導通すると)、センス抵抗3の抵抗値は、主抵抗Rs1および並列補助抵抗Rs2の並列接続からなる抵抗値となって、主抵抗Rs1単独の抵抗値よりも低減される。
抵抗値低減回路4は、並列補助抵抗Rs2とバッテリ26の低圧端子との間に直列接続された制御用デバイス41、および制御用デバイス41を制御する波形変換回路42で構成されている。制御用デバイス41は、入力端子C、出力端子E、および制御端子Bを有する。入力端子Cは、並列補助抵抗Rs2に接続され、出力端子Eは、バッテリ26の低圧端子に接続されている。制御端子Bには、波形変換回路42から出力された制御電圧VBが入力される。制御用デバイス41は、制御電圧VBが所定のオン電圧Von以上となっている間だけ、入力端子Cと出力端子Eとの間が閉じる(導通する)。制御用デバイス41として、スイッチング機能を有するバイポーラトランジスタや電界効果トランジスタなどを用いることができ、これらに限定されない。
波形変換回路42は、ゲート電圧Vgの波形を変換して制御電圧VBを生成し、制御端子Bに出力する。波形変換回路42は、コンデンサCmおよび抵抗Rmの直列接続によって構成されている。コンデンサCmは、一端にゲート電圧Vgが入力され、他端が中間接続点43に接続されている。抵抗Rmは、一端が中間接続点43に接続され、他端が制御用デバイス41の出力端子Eおよびバッテリ26の低圧端子に接続されている。さらに、中間接続点43は、制御用デバイス41の制御端子Bに接続されている。後述するように、中間接続点43には制御電圧VBが発生する。
過電流判定回路として、コンパレータ5が用いられる。コンパレータ5の入力端子51には、センス電極23のセンス電圧Vsが入力される。コンパレータ5のレファレンス端子52には、過電流状態を判定する所定の閾値電圧Vrが入力される。閾値電圧Vrは、パワーデバイス2のターンオン時の動作特性、およびセンス抵抗3の抵抗値を考慮して適宜設定される。コンパレータ5の出力端子53は、ゲート制御回路28に接続されている。コンパレータ5は、センス電圧Vsが閾値電圧Vr以上となったときに過電流状態と判定して、過電流信号Sfをゲート制御回路28に出力する。ゲート制御回路28は、過電流信号Sfを受け取ると、最優先でゲート電圧Vgをシャットダウンする。
次に、第1実施形態の過電流検出回路1の動作および作用について説明する。図2は、波形変換回路42の動作を模式的に説明する波形図である。図2において、横軸は共通の時間tを表し、上側の波形はゲート電圧Vgを表し、下側の波形は中間接続点43の制御電圧VBを表している。波形変換回路42は、ゲート電圧Vgを用いてコンデンサCmを充電する充電回路となっている。したがって、時刻t1にゲート電圧VgがコンデンサCmの一端に入力されると、制御電圧VBは急峻にゲート電圧Vg近くまで上昇する。その後、回路構成によって定まる充電時定数にしたがい、コンデンサCmの充電が進む。その一方で、制御電圧VBは、徐々に低下して、時刻t2にオン電圧Vonまで低下する。
したがって、時刻t1から時刻t2までの間、制御電圧VBがオン電圧Von以上となり、この期間が一定時間Tonとなる。一定時間Tonの間、制御用デバイス41の入力端子Cと出力端子Eとの間が導通して、センス抵抗3の抵抗値が低減される。一定時間Tonの長さは、コンデンサCmの静電容量値および抵抗Rmの抵抗値を変更して充電時定数を変更することにより、調整可能である。
次に、図3は、パワーデバイス2のターンオン時における過電流検出回路1の動作を模式的に説明する波形図である。図3において、横軸は共通の時間tを表し、上段の波形はゲート電極24におけるゲート電圧Vgを表し、中段の波形は全電流Itを表し、下段の波形はセンス電圧Vsを表している。さらに、並列補助抵抗Rs2や抵抗値低減回路4を備えない従来回路で発生するセンス電圧VXを、一点鎖線で下段に重ねて示している。
ゲート電圧Vgが時刻t11に立ち上がって、時刻t12にターンオン電圧Vtnに達すると、全電流Itが流れ始める。時刻t12に概ね同期して一定時間Tonが始まり、制御用デバイス41が導通する。全電流Itは、時刻t13に過渡的に増加し、一旦減少して、その後は徐々に増加する。最終的に、全電流Itは、負荷25の負荷電流に落ち着き、通常は破線で示される過電流値Iocまで増加しない。
ここで、従来回路においては、図3に一点鎖線で示されるように、全電流Itの過渡的な増加に起因して、時刻t13の前にセンス電圧VXが閾値電圧Vrを越える。このため、従来回路において、コンパレータ5は、誤って過電流信号Sfをゲート制御回路28に出力してしまう。
一方、第1実施形態においては、時刻t12から時刻t14までの一定時間Tonの間、センス抵抗3の抵抗値が低減される。例えば、主抵抗Rs1と並列補助抵抗Rs2とが同じ抵抗値であると、センス抵抗3の抵抗値は半分になる。したがって、第1実施形態におけるセンス電圧Vsは、従来技術のセンス電圧VXよりも小さくなり、閾値電圧Vrに達しない。このため、コンパレータ5は、過電流状態を誤って検出することが無い。
また、時刻t12から一定時間Tonが経過した後の時刻t14に、制御用デバイス41は遮断される。この後の時刻t15に、負荷25で短絡故障が発生した場合を仮定する。図3に破線で示されるように、短絡故障時に全電流Itfは増加し、主抵抗Rs1に流れるセンス電流Isも全電流Itfに概ね比例して増加する。これにより、センス電圧Vsfが閾値電圧Vrを越え、コンパレータ5は過電流信号Sfをゲート制御回路28に出力する。ここで、抵抗値低減回路4は、並列補助抵抗Rs2を入り切りするだけの簡易な構成であるので、センス電圧Vsfの波形にタイムラグや変歪などは発生しない。したがって、コンパレータ5は、過電流状態を高速で検出できる。
第1実施形態のパワーデバイスの過電流検出回路1は、入力電極21、出力電極22、センス電極23、およびゲート電極24を有し、入力電極21から出力電極22に流れる主電流Imと入力電極21からセンス電極23に流れるセンス電流Isとが相関し、ゲート電極24に入力されるゲート電圧Vgの有無に応じて主電流Imおよびセンス電流Isが通電および遮断されるパワーデバイス2において、主電流Imとセンス電流Isとを加算した全電流Itが過大となる状態を検出する過電流検出回路であって、センス電極23に接続され、センス電流Isが流れたときに全電流Itの大きさに相関したセンス電圧Vsが発生するセンス抵抗3と、ゲート電極24にゲート電圧Vgが入力されると、ゲート電圧Vgの継続時間よりも短い一定時間Tonだけセンス抵抗3の抵抗値を低減する抵抗値低減回路4と、センス電圧Vsが所定の閾値電圧Vr以上になったときに過電流状態と判定するコンパレータ5(過電流判定回路)と、を備えた。
これによれば、ゲート電圧Vgが入力されたターンオン直後の一定時間Tonだけセンス抵抗3の抵抗値が小さくなる。したがって、ターンオン直後に過渡的にセンス電流Isが増加しても、センス電圧Vsの増加が抑制され、過電流状態と誤判定するおそれは生じない。また、抵抗値低減回路4は、複数の抵抗の接続を切り替える構成を採用できるので、センス電圧Vsの波形にタイムラグや変歪などは発生しない。したがって、実際に過電流状態が発生したときには従来よりも高速で検出できる。
さらに、センス抵抗3は、主抵抗Rs1および並列補助抵抗Rs2の並列接続によって構成され、抵抗値低減回路4は、並列補助抵抗Rs2に直列接続されて一定時間Tonだけ閉じるスイッチ回路によって構成されている。また、スイッチ回路は、入力端子C、出力端子E、および制御端子Bを有し、入力端子Cおよび出力端子Eによって並列補助抵抗Rs2に直列接続され、制御端子Bに制御電圧VBが入力されている間だけ入力端子Cと出力端子Eとの間が導通する制御用デバイス41と、ゲート電圧Vgの波形を変換することにより制御端子Bに一定時間Tonだけ制御電圧VBを発生する波形変換回路42と、で構成されている。そして、制御用デバイス41は、スイッチング機能を有するトランジスタとされ、波形変換回路42は、コンデンサCmおよび抵抗Rmの直列接続によって構成されるとともに、コンデンサCmと抵抗Rmとの中間接続点43が制御用デバイス41の制御端子Bに接続されている。
これによれば、汎用の安価な部品を用いて回路構成できるので、コストは低廉である。さらに、速いスイッチング機能を有する制御用デバイス41および波形変換回路42を用いるので、タイマーおよびアナログスイッチを併用する従来技術と比較して、センス抵抗3の切り替え動作が高速でスムーズである。
次に、第2実施形態のパワーデバイスの過電流検出回路1Aについて、第1実施形態と異なる点を主に説明する。図4は、第2実施形態の過電流検出回路1Aを示す回路図である。第2実施形態において、センス抵抗3Aの構成および抵抗値低減回路4の機能が第1実施形態と異なる。
第2実施形態のセンス抵抗3Aは、主抵抗Rs3および直列補助抵抗Rs4の直列接続によって構成されている。抵抗値低減回路4は、直列補助抵抗Rs4に並列接続されている。抵抗値低減回路4は、第1実施形態と同様に、一定時間Tonだけ閉じて、直列補助抵抗Rs4の両端を短絡する。抵抗値低減回路4が開いている間、センス抵抗3Aの抵抗値は、主抵抗Rs3の抵抗値と直列補助抵抗Rs4の抵抗値とを加算した値になる。抵抗値低減回路4が閉じると、センス抵抗3の抵抗値は、主抵抗Rs3の抵抗値に低減される。
第2実施形態の過電流検出回路1Aの動作は、第1実施形態と同様であるので、説明は省略する。
第2実施形態のパワーデバイスの過電流検出回路1Aにおいて、センス抵抗3Aは、主抵抗Rs3および直列補助抵抗Rs4の直列接続によって構成され、抵抗値低減回路4は、直列補助抵抗RS4に並列接続されて一定時間Tonだけ閉じるスイッチ回路によって構成されている。
これによれば、第1実施形態と同様に、ターンオン直後に過渡的にセンス電流Isが増加しても過電流状態を誤判定するおそれは無く、また、実際に過電流状態が発生したときには従来よりも高速で検出できる。さらに、コストが低廉である点や、センス抵抗3Aの切り替え動作が高速でスムーズである点も、第1実施形態と同様である。
なお、第1実施形態において、主抵抗Rs1と並列補助抵抗Rs2とが同じ抵抗値である場合を説明したが、これに限定されない。主抵抗Rs1および並列補助抵抗Rs2の抵抗値は、パワーデバイス2のセンス電流Isの大きさや、コンパレータ5の仕様値などに基づいて適宜選定できる。同様に、第2実施形態における主抵抗Rs3および直列補助抵抗Rs4の抵抗値も、適宜選定できる。本発明は、その他にも様々な応用や変形などが可能である。
1、1A:パワーデバイスの過電流検出回路
2:パワーデバイス 21:入力電極 22:出力電極
23:センス電極 24:ゲート電極 28:ゲート制御回路
3、3A:センス抵抗 4:抵抗値低減回路
41:制御用デバイス 42:波形変換回路 43:中間接続点
5:コンパレータ(過電流判定回路)
It:全電流 Im:主電流 Is:センス電流
Vg:ゲート電圧 Vs:センス電圧 Vr:閾値電圧
Rs1:主抵抗 Rs2:並列補助抵抗
Rs3:主抵抗 Rs4:直列補助抵抗
Cm:コンデンサ Rm:抵抗
Ton:一定時間
2:パワーデバイス 21:入力電極 22:出力電極
23:センス電極 24:ゲート電極 28:ゲート制御回路
3、3A:センス抵抗 4:抵抗値低減回路
41:制御用デバイス 42:波形変換回路 43:中間接続点
5:コンパレータ(過電流判定回路)
It:全電流 Im:主電流 Is:センス電流
Vg:ゲート電圧 Vs:センス電圧 Vr:閾値電圧
Rs1:主抵抗 Rs2:並列補助抵抗
Rs3:主抵抗 Rs4:直列補助抵抗
Cm:コンデンサ Rm:抵抗
Ton:一定時間
Claims (5)
- 入力電極、出力電極、センス電極、およびゲート電極を有し、前記入力電極から前記出力電極に流れる主電流と前記入力電極から前記センス電極に流れるセンス電流とが相関し、前記ゲート電極に入力されるゲート電圧の有無に応じて前記主電流および前記センス電流が通電および遮断されるパワーデバイスにおいて、前記主電流と前記センス電流とを加算した全電流が過大となる状態を検出する過電流検出回路であって、
前記センス電極に接続され、前記センス電流が流れたときに前記全電流の大きさに相関したセンス電圧が発生するセンス抵抗と、
前記ゲート電極に前記ゲート電圧が入力されると、前記ゲート電圧の継続時間よりも短い一定時間だけ前記センス抵抗の抵抗値を低減する抵抗値低減回路と、
前記センス電圧が所定の閾値電圧以上になったときに前記過電流状態と判定する過電流判定回路と、
を備えたパワーデバイスの過電流検出回路。 - 前記センス抵抗は、主抵抗および並列補助抵抗の並列接続によって構成され、
前記抵抗値低減回路は、前記並列補助抵抗に直列接続されて前記一定時間だけ閉じるスイッチ回路によって構成された請求項1に記載のパワーデバイスの過電流検出回路。 - 前記センス抵抗は、主抵抗および直列補助抵抗の直列接続によって構成され、
前記抵抗値低減回路は、前記直列補助抵抗に並列接続されて前記一定時間だけ閉じるスイッチ回路によって構成された請求項1に記載のパワーデバイスの過電流検出回路。 - 前記スイッチ回路は、
入力端子、出力端子、および制御端子を有し、前記入力端子および前記出力端子によって前記並列補助抵抗に直列接続され、あるいは前記直列補助抵抗に並列接続され、前記制御端子に制御電圧が入力されている間だけ前記入力端子と前記出力端子との間が導通する制御用デバイスと、
前記ゲート電圧の波形を変換することにより前記制御端子に前記一定時間だけ前記制御電圧を発生する波形変換回路と、
で構成された請求項2または3に記載のパワーデバイスの過電流検出回路。 - 前記制御用デバイスは、スイッチング機能を有するトランジスタであり、
前記波形変換回路は、コンデンサおよび抵抗の直列接続によって構成されるとともに、前記コンデンサと前記抵抗との中間接続点が前記制御用デバイスの前記制御端子に接続された請求項4に記載のパワーデバイスの過電流検出回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015186511A JP2017063265A (ja) | 2015-09-24 | 2015-09-24 | パワーデバイスの過電流検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015186511A JP2017063265A (ja) | 2015-09-24 | 2015-09-24 | パワーデバイスの過電流検出回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017063265A true JP2017063265A (ja) | 2017-03-30 |
Family
ID=58429291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015186511A Pending JP2017063265A (ja) | 2015-09-24 | 2015-09-24 | パワーデバイスの過電流検出回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017063265A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018211840A1 (ja) | 2017-05-16 | 2018-11-22 | 富士電機株式会社 | 制御装置及び半導体装置 |
JP2019110486A (ja) * | 2017-12-20 | 2019-07-04 | 富士電機株式会社 | 半導体素子の電流検出回路及び電流検出方法 |
-
2015
- 2015-09-24 JP JP2015186511A patent/JP2017063265A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018211840A1 (ja) | 2017-05-16 | 2018-11-22 | 富士電機株式会社 | 制御装置及び半導体装置 |
US11387642B2 (en) | 2017-05-16 | 2022-07-12 | Fuji Electric Co., Ltd. | Overcurrent sense control of semiconductor device |
JP2019110486A (ja) * | 2017-12-20 | 2019-07-04 | 富士電機株式会社 | 半導体素子の電流検出回路及び電流検出方法 |
US10809285B2 (en) | 2017-12-20 | 2020-10-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Current detection circuit and current detection method of semiconductor element |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9112344B2 (en) | Driver for switching element and control system for rotary machine using the same | |
KR102338061B1 (ko) | 고상 회로 차단기 및 모터 구동 시스템 | |
US8466734B2 (en) | Gate driving circuit for power semiconductor element | |
JP6428939B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2669117B2 (ja) | 電圧駆動形半導体素子の駆動回路 | |
US9214873B2 (en) | Method for operating an electrical power rectifier, as well as an electrical power rectifier | |
US9103888B2 (en) | Protection circuit and gate driving circuit for semiconductor switching device | |
JP2008118834A (ja) | サージ低減回路およびサージ低減回路を備えたインバータ装置 | |
JP2016025388A (ja) | 半導体装置 | |
WO2015064222A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014207823A (ja) | 駆動対象スイッチング素子の駆動回路 | |
JP4853100B2 (ja) | 絶縁ゲート型半導体素子の駆動装置およびその方法 | |
CN112130050B (zh) | 一种igbt退饱和故障的检测装置 | |
JP2014217249A (ja) | 駆動対象スイッチング素子の駆動回路 | |
JP6436001B2 (ja) | 駆動回路 | |
JP7205091B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6459519B2 (ja) | 電力変換装置の保護装置 | |
JP2017063265A (ja) | パワーデバイスの過電流検出回路 | |
JP6394036B2 (ja) | 電力用半導体素子の駆動装置 | |
US20160079974A1 (en) | Current control circuit | |
CN113544953B (zh) | 开关的驱动装置 | |
JP5982289B2 (ja) | 過電圧保護回路 | |
JP6414440B2 (ja) | スイッチング素子の駆動装置 | |
US10141834B2 (en) | Multi-phase power conversion device control circuit | |
JP6590437B2 (ja) | 半導体電力変換装置 |