JP2017063185A - 放熱構造及び半導体装置、並びに放熱構造の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
さらに、はんだは融点が低いため、高温動作での利用には接合材としての信頼性が不十分である。特許文献2に開示された技術においては、LED素子の接合に、比較的高価な銀ペーストなどの導電性接着剤を必要とする。特許文献3に開示された構成においても、セラミクスから構成される絶縁回路基板が放熱の律速要因になりうるという問題があった。
d1−d2 ≧ L0/200
で表されることが好ましい。
前記配線金属部の中央部厚みe0と側端部の厚みe2との差e1が、以下の関係
e1 ≧ M0/200
で表されることが好ましい。
図1は、第1実施形態に係る放熱構造を備える半導体装置を模式的に示す断面図である。図1を参照すると、パワーモジュールに用いられる放熱構造1Aは、主として、発熱体であるデバイスチップ17と、被伝熱部材である絶縁回路基板13Aと、これらの間に位置する接合層10Aとから構成される。接合層10Aは、銅板もしくは銅合金板で形成される伝熱コア11と、銅めっき層12Aとから構成される。
d1−d2 ≧ L0/200
ここで、d2は、0であってもよい。
図4は、第2実施形態に係る放熱構造を備える半導体装置を模式的に示す断面図である。図4を参照すると、パワーモジュールに用いられる放熱構造1Bは、主として、発熱体であるデバイスチップ17と、被伝熱部材である絶縁回路基板13Bと、これらの間に位置する接合層10Bとから構成される点で、第1実施形態による放熱構造1Aと共通している。第2実施形態においては、被伝熱部材である絶縁回路基板13Bを構成する配線金属部14Bが、中央部が厚く、側端部が薄い構造をなしている。これにより、めっき層12Bの形成前に、伝熱コア11と配線金属部14Bとの間隙が大きく、めっき液が回り易い構造としている。
e1 ≧ M0/200
これは、第1実施形態において、伝熱コア11の設計態様として説明したのと同様に、穴埋めめっきにおけるアスペクト比(接合長さ/開口部)が100以下となるように設計することが好ましいためである。なお、配線金属部14B(a)が、平面視した場合に正方形の場合は、一辺の長さをM0として、上記の関係を満たすことが好ましいが、配線金属部14B(a)が、平面視した場合に長方形の場合は、長辺の長さをM0として、上記の関係を満たせばよい。
積層工程は、絶縁回路基板13Aと、伝熱コア11と、裏面電極を備えるデバイスチップ17とを順に積層して積層体を得る工程である。この工程においては、先に詳述した発熱体であるデバイスチップ17、伝熱コア11、絶縁回路基板13Aを、図1に示す順に積層する。
次いで、この積層体を治具により固定し、めっき浴に浸漬する。積層体の全てがめっき浴に浸漬されることが好ましい。図6は、積層体及び治具の一例を示す概念図である。積層体は、絶縁性で耐薬品性に優れ、めっき処理中で変質しない材料、例えばポリ塩化ビニル、ポリプロピレンなどから構成される第1の平面板23と第2の平面板24とで挟み込んで固定する。第1、第2の平面板24は、貫通孔を備えており、これによりめっき液の流れを形成することができる。また、第1の平面板23には、積層体を固定した2枚の平面板23、24を、めっき装置の所定の位置に掛けるための部材25が設けられている。
本発明に係るめっき工程では、アスペクト比が大きいため、液流れの悪い伝熱コアの中央部に十分銅イオンを供給する必要があり、通常よりも高濃度の銅イオンが必要となる。よって硫酸銅5水和物は溶解でき、かつ高濃度となる120〜200g/L、より好ましくは150〜200g/Lである。硫酸は、導電性を確保するために必要であるが、本めっき浴では硫酸銅5水和物が多いため、導電性確保のためのイオンがある程度存在する。よって硫酸は、好ましくは30〜120g/L程度、より好ましくは50〜100g/L程度であってよい。塩酸は銅イオンの還元反応に関わってくるため、硫酸銅濃度に対しての必要量が存在する。よって、好ましくは10〜100mg/L、より好ましくは30〜60mg/Lの濃度が必要となる。
次いで、電解めっきを実施する。電解めっきの際の条件としては、電流密度を、0.1〜5A/dm2とすることが好ましく、0.3〜1.0A/dm2とすることがさらに好ましい。低電流密度ではめっき速度が遅くなり量産に不向きとなる場合があり、一方高電流密度では穴埋めが困難になる場合がある。この際、めっき液がめっき処理中、常に流れるよう、任意の公知の手段で攪拌を行うことが好ましい。穴埋めめっきにおいて、隙間等が生じるのを防止するためである。また、この反応は、室温で実施することができる。
10A,B 接合層
11 伝熱コア
12A,B 銅めっき層
13A,B 絶縁回路基板(被伝熱部材)
14A,B 配線金属部
15 絶縁層
16 金属層
17 デバイスチップ(発熱体)
18 金属ワイヤ
2 冶具
21 陰極
22 陽極
23 第1の平面板
24 第2の平面板
25 引掛部材
26 引掛治具
Claims (10)
- 発熱体と、
銅板もしくは銅合金板で形成される伝熱コアと、
前記発熱体と前記伝熱コアとを接合する銅めっき層と、を備えることを特徴とする放熱構造。 - 前記銅めっき層によって前記伝熱コアに接合され、前記発熱体からの熱が伝熱される被伝熱部材をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の放熱構造。
- 前記伝熱コアは、銅めっき時に前記発熱体に当接する発熱体当接面と、銅めっき時に前記被伝熱部材に当接する被伝熱部材当接面と、銅めっき時に該発熱体および該被伝熱部材のいずれにも当接しない非当接面とを有し、該発熱体と該非当接面の間および該被伝熱部材と非当接面との間が前記銅めっき層により接合されていることを特徴とする請求項2に記載の放熱構造。
- 前記発熱体当接面および前記被伝熱部材当接面が当該伝熱コアの中心部を含む位置に設定されていることを特徴とする請求項3に記載の放熱構造。
- 前記伝熱コアが、平面視した場合に、長辺の長さL0の矩形形状をなし、
前記発熱体当接面と前記被伝熱部材当接面との距離で定義される当該伝熱コアの中央部厚みd1と、側端部厚みd2と、L0とが、以下の関係
d1−d2 ≧ L0/200で表される、請求項4に記載の放熱構造。 - 請求項2から5のいずれか1項に記載の放熱構造を備える半導体装置であって、
前記発熱体がデバイスチップであり、
前記被伝熱部材が、絶縁回路基板の少なくとも一方の面に、前記銅めっき層によって前記伝熱コアに接合される配線金属部を形成した絶縁回路基板であることを特徴とする半導体装置。 - 前記伝熱コアに接合される配線金属部が、中央部が厚く、側端部が薄く構成されており、前記中央部に前記伝熱コアに当接する伝熱コア当接面を有する、請求項6に記載の半導体装置。
- 前記伝熱コアに接合される配線金属部が、平面視した場合に、長辺の長さM0の矩形形状をなし、
前記配線金属部の中央部厚みe0と側端部の厚みe2との差e1が、以下の関係
e1 ≧ M0/200
で表される、請求項7に記載の半導体装置。 - 前記デバイスチップの接合面および前記配線金属部が、Cu、Ag、Au、Niから選択される1以上の成分を含んで構成されていることを特徴とする請求項6〜8のいずれかに記載の半導体装置。
- 発熱体と、銅板もしくは銅合金板で形成される伝熱コアと、被伝熱部材とをこの順に積層して積層体を得る工程と、
前記積層体を固定し、銅めっき浴に浸漬する工程と、
前記伝熱コアに、陰極を接触させて、電解めっきを行う工程と
を含む放熱構造の製造方法。
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