JP2017060122A - 圧電振動片及び圧電振動子 - Google Patents

圧電振動片及び圧電振動子 Download PDF

Info

Publication number
JP2017060122A
JP2017060122A JP2015185771A JP2015185771A JP2017060122A JP 2017060122 A JP2017060122 A JP 2017060122A JP 2015185771 A JP2015185771 A JP 2015185771A JP 2015185771 A JP2015185771 A JP 2015185771A JP 2017060122 A JP2017060122 A JP 2017060122A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
piezoelectric
vibrating piece
piezoelectric plate
axis direction
piezoelectric vibrating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015185771A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6611534B2 (ja
Inventor
皿田 孝史
Takashi Sarada
孝史 皿田
加藤 良和
Yoshikazu Kato
良和 加藤
鎮範 相田
Fuminori Aida
鎮範 相田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SII Crystal Technology Inc
Original Assignee
SII Crystal Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SII Crystal Technology Inc filed Critical SII Crystal Technology Inc
Priority to JP2015185771A priority Critical patent/JP6611534B2/ja
Publication of JP2017060122A publication Critical patent/JP2017060122A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6611534B2 publication Critical patent/JP6611534B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

【課題】優れた振動特性を備える小型の圧電振動片及び圧電振動子を提供する。
【解決手段】圧電振動片10は、ATカット水晶基板により形成された圧電板11と、圧電板11のうち厚さ方向で対向する第1面11Aと第2面11Bとにそれぞれ形成された励振電極51A,51Bと、を備え、少なくとも第1面11Aには、励振電極51Aが形成されている第1主面21と、第1主面21の外周縁に接続され、第1主面21に対し傾斜する第1側面22と、が形成され、第1側面22は、厚さ方向から見た平面視で滑らかに連続する外形に形成されている。
【選択図】図1

Description

本発明は、圧電振動片及び圧電振動子に関するものである。
従来より、ATカット水晶基板より形成される圧電振動片は、圧電板と、圧電板の表裏面にそれぞれ形成された励振電極と、を備えている。圧電振動片は、励振電極間に電圧が印加されることで、厚みすべり振動する。
ところで、上述した圧電振動片では、小型化を図ると、振動領域(励振電極が形成された部分)で発生した振動が圧電振動片の周縁部へ伝播し易くなる。振動が圧電振動片の周縁部に伝播すると、周縁部で不要振動が誘発される。
そこで、圧電板の表裏面のうち、少なくとも一方の面にメサ部を形成した、いわゆるメサ型の圧電振動片が知られている(例えば、下記特許文献1参照)。メサ型の圧電振動片では、振動領域となる圧電板の中央領域の厚みを、圧電板の周縁部の厚みよりも厚くすることができ、振動エネルギーを振動領域内に閉じ込めることが可能になる。よって、圧電振動片のクリスタルインピーダンス(以下、CI値)を低減することが可能になる。
特開2011−66905号公報
ところで、上述したメサ型の圧電振動片において、メサ部は圧電板の外周部分に対してウェットエッチング(結晶異方性エッチング)を施すことで形成される。この場合、メサ部の側面のうち、周方向で隣り合う面同士を接続する切り替え部には、水晶特有のエッチング異方性によって側面の内周縁から外周縁に向けて延びる稜線が形成される。
しかしながら、上述した稜線では、メサ部で発生した振動の伝播強度が低下し難いため、振動が稜線を経てメサ部の外側に伝播されるおそれがある。その結果、メサ部の外側への振動漏れが発生し、振動特性が低下するという課題がある。
本発明に係る態様は、優れた振動特性を備える小型の圧電振動片及び圧電振動子を提供することを目的とする。
(1)本発明に係る一態様の圧電振動片は、ATカット水晶基板により形成された圧電板と、前記圧電板のうち厚さ方向で対向する第1面と第2面とにそれぞれ形成された励振電極と、を備え、少なくとも前記第1面には、前記励振電極が形成されている第1主面と、前記第1主面の外周縁に接続され、前記第1主面に対し傾斜する第1側面と、が形成され、前記第1側面は、前記厚さ方向から見た平面視で滑らかに連続する外形に形成されていることを特徴とする。
上記(1)の態様によれば、側面が厚さ方向から見た平面視で滑らかに連続する外形に形成されているため、側面において、主面に対する側面の傾斜方向(側面の内周縁から外周縁に向かう方向)に沿う稜線が形成されない。これにより、側面での圧電振動片の厚みすべり振動の伝播強度を低下させることができ、圧電板のうち側面よりも外側に振動が伝播されるのを抑制できる。そのため、圧電板のうち側面よりも外側への振動漏れ等を抑制し、優れた振動特性を得ることができる。
(2)上記(1)の態様において、前記第1主面は、前記平面視で滑らかに連続する外形に形成されていてもよい。
上記(2)の場合、厚さ方向から見た平面視において、主面の外周縁に稜線(角部)が形成されないことになる。そのため、主面の外周縁で不要振動が誘発されるのを抑制し、振動特性の更なる向上を図ることができる。
(3)上記(1)又は(2)の態様において、前記平面視で、前記圧電板は、前記ATカット水晶基板のZ´軸方向を長手方向とする矩形状に形成されていてもよい。
上記(3)の場合、圧電板を小型化した場合であっても低いCI値を維持できる。
すなわち、ATカット水晶基板はX軸とZ´軸で構成される。このような構成のもと、ATカット水晶基板が厚み滑り振動をしているとき、X軸とZ´軸では電気偏極が生じる。電気偏極は電荷の偏りであり、X軸では正弦波状、Z´軸では直線状になる。電気偏極が直線状になるZ´軸を長辺とすることで、最も強い電荷が生じる辺を長くすることができる。強い電荷が生じる領域が広がれば、よりCI値は低くなる。したがって、Z´軸を長辺とすることでより低いCI値を維持することが可能となる。
(4)上記(1)から(3)の何れか1つの態様において、前記圧電板のうち前記ATカット水晶基板のZ´軸方向に離間する両端部には、前記圧電板の面方向に突出する突出部が、それぞれ形成されていてもよい。
上記(4)の場合、パッケージに圧電振動片を実装するためのマウント領域として、突出部を利用することで、振動領域(励振電極が形成されている部分)とマウント領域との間の間隔を確保できる。これにより、振動領域で発生する振動エネルギーがマウント領域を経て実装部材やパッケージに伝播するのを抑制し、振動漏れを抑制できる。また、圧電板と実装部材との付着面積を確保できるので、実装部材と圧電板との接合強度を確保できる。
(5)上記(1)から(4)の何れか1つの態様において、前記励振電極は、少なくとも前記第1面において、前記第1主面及び前記第1側面に亘って形成されていてもよい。
上記(5)の場合、主面及び側面(斜面)に亘って励振電極が形成されているので、主面のみに励振電極が形成されている場合に比べて励振電極の面積を確保できる。その結果、CI値を低減して、振動特性を向上させることができる。
(6)上記(5)の態様において、前記圧電板は、前記第1側面の周囲を取り囲むとともに、前記圧電板の面方向に延在する辺縁部を含み、少なくとも前記第1面において、前記励振電極の外周縁は、前記辺縁部上に配置されていてもよい。
上記(6)の場合、主面、斜面及び辺縁部に亘って励振電極が形成されているので、主面のみに励振電極が形成されている場合に比べて励振電極の面積を確保できる。その結果、CI値を低減して、振動特性を向上させることができる。
(7)上記(1)から(6)の何れか1つの態様において、前記第1側面は、前記第1主面に対する傾斜角度が互いに異なり前記厚さ方向に連なる複数の斜面を含み、前記圧電板の面方向における前記複数の斜面の前記傾斜角度は、前記第1主面から離間する位置に形成されている斜面ほど大きくなっていてもよい。
上記(7)の場合、圧電板の面方向における側面(斜面)の外形が主面から離間するものほど大きくなっているため、厚さ方向で隣り合う面同士が垂直に交わる階段状の側面に比べて、厚さ方向で隣り合う面同士がなす角度を緩やかにすることができる。そのため、厚さ方向で隣り合う面の境界部分において、不要振動が誘発されるのを抑制できる。
また、主面と側面との境界部分、及び圧電板のうち側面の外側に連なる部分と側面との境界部分のうち、少なくとも一方の境界部分での傾斜角度が、側面が主面に対して一様な傾斜角度で形成されている場合に比べて緩やかになる。そのため、少なくとも一方の境界部分において、不要振動が誘発されるのを抑制できる。
その結果、CI値を低減して、振動特性を向上させることができる。
(8)本発明に係る一態様の圧電振動子は、上記(1)から(7)の何れか1つの態様の圧電振動片と、前記圧電振動片が実装されるパッケージと、を備えることを特徴とする。
上記(8)の態様によれば、上述した圧電振動片を備えているため、優れた振動特性を備える小型の圧電振動子を得ることができる。
本発明に係る態様によれば、優れた振動特性を備える小型の圧電振動片及び圧電振動子を提供することができる。
第1実施形態に係る圧電振動片の平面図である。 第1実施形態に係る圧電振動子の分解斜視図である。 図2のIII−III線に相当する断面図である。 第1実施形態に係る圧電振動片の製造工程の手順を示す断面図である。 第2実施形態に係る圧電振動片の平面図である。 圧電振動片の他の構成を示す図であり、(a)は平面図、(b)は部分断面図を示している。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
[第1実施形態]
最初に、第1実施形態の圧電振動片及び圧電振動子について説明する。
図1は、第1実施形態に係る圧電振動片10の平面図である。図2は、第1実施形態に係る圧電振動子1の分解斜視図である。図3は、図2のIII−III線に相当する断面図である。
図1〜図3に示すように、圧電振動片10は、圧電板11と、励振電極51A,51B(第1励振電極51A,第2励振電極51B)と、マウント電極13A,13Bと、引き回し配線16A,16Bと、を備える。
圧電板11は、ATカット水晶基板により形成され、励振電極51A,51Bによる印加電圧により、厚みすべりモードで振動する。
ここで、ATカットは、人工水晶の結晶軸である電気軸(X軸)、機械軸(Y軸)及び光学軸(Z軸)の3つの結晶軸のうち、Z軸に対してX軸周りに35度15分だけ傾いた方向(Z´軸方向)に切り出す加工手法である。ATカットによって切り出された圧電板11を有する圧電振動片10は、周波数温度特性が安定しており、構造や形状が単純で加工が容易であり、CI値が低いという利点がある。
なお、以下の説明において、各図の構成を説明する際には、XY´Z´座標系を用いる。このXY´Z´座標系のうち、Y´軸はX軸及びZ´軸に直交する軸である。また、X軸方向、Y´軸方向及びZ´軸方向は、図中矢印方向を+方向とし、矢印とは反対の方向を−方向として説明する。
圧電板11は、Y´軸方向から見た平面視で、Z´軸方向を長手方向とする矩形状に形成されている。圧電板11は、厚さ方向がY´軸方向に沿って形成されている。圧電板11は、Y´軸方向+側に第1面11Aと、Y´軸方向−側に第2面11Bと、XZ´平面外側に第1面11Aと第2面11Bとを接続する外周端面11Cと、を有している。
図1〜図3に示すように、圧電板11の第1面11Aは、中央部に形成された第1メサ部(メサ部)20と、第1メサ部20の周囲を取り囲む辺縁面24と、を含む。また、圧電板11の第2面11Bは、中央部に形成された第2メサ部(メサ部)30と、第2メサ部30の周囲を取り囲む辺縁面34と、を含む。
なお、適宜に、Y´軸方向から見た平面視でメサ部20,30より外側の圧電板11の部分(辺縁面24,辺縁面34,外周端面11Cを含む圧電板11の部分)を、辺縁部40と呼ぶ。
第1メサ部20は、第1面11Aの中央部において、Y´軸方向+側に膨出している。第1メサ部20は、第1頂面(第1主面)21と、第1頂面21の周囲を取り囲む第1斜面22(側面)と、を有する。
第1頂面21は、XZ´軸方向に延在する平坦面となっている。第1頂面21及び第1斜面22の外形は、Y´軸方向から見た平面視において、Z´軸方向を長軸方向とする楕円形状に形成されている。
第1斜面22は、第1頂面21と辺縁面24とを接続している。第1斜面22のうち、内周縁は第1頂面21の外周縁に連続して形成され、外周縁は辺縁面24の内周縁に連続して形成されている。第1斜面22は、第1頂面21の外周縁から外側に向かうに従い、−Y´軸方向に向かって延在している。
第1斜面22は、平面視において、全周に亘って滑らかに連続する外形に形成されている。本実施形態において、第1斜面22は長軸方向をZ´軸方向とする楕円環状に形成されている。
なお、第1頂面21に対する第1斜面22の各面の傾斜角度は20°未満に設定されている。第1斜面22の幅寸法(Y´軸方向から見た平面視における第1斜面22の内周縁から外周縁までの距離)は、第1斜面22の全周における最小幅寸法に対する最大幅寸法の比が、1以上2以下の範囲で設定されている。
第2メサ部30は、第2面11Bの中央部において、Y´軸方向−側に膨出している。第2メサ部30は、第2頂面(頂面、第2主面(主面))31と、第2頂面31の周囲を取り囲む第2斜面32(斜面、第2側面(側面))と、を有する。
第2頂面31は、XZ´軸方向に延在する平坦面となっている。第2頂面31及び第2斜面32の外形は、Y´軸方向から見た平面視において、Z´軸方向を長軸方向とする楕円形状に形成されている。
第2斜面32は、第2頂面31と辺縁面34とを接続している。第2斜面32のうち、内周縁は第2頂面31の外周縁に連続して形成され、外周縁は辺縁面34の内周縁に連続して形成されている。第2斜面32は、第2頂面31の外周縁から外側に向かうに従い、+Y´軸方向に向かって延在している。
第2斜面32は、平面視において、全周に亘って滑らかに連続する外形に形成されている。本実施形態において、第2斜面32は長軸方向をZ´軸方向とする楕円環状に形成されている。
なお、第2頂面31に対する第2斜面32の各面の傾斜角度は20°未満に設定されている。第2斜面32の幅寸法(Y´軸方向から見た平面視における第2斜面32の内周縁から外周縁までの距離)は、第2斜面32の全周における最小幅寸法に対する最大幅寸法の比が、1以上2以下の範囲で設定されている。
第1頂面21の外周縁と第2頂面31の外周縁とは、Y´軸方向から見た平面視において重なるように形成されている。また、第1斜面22の外周縁と第2斜面32の外周縁とは、Y´軸方向から見た平面視において重なるように形成されている。
なお、メサ部20,30(斜面22,32)の平面視外形は、滑らかに連続する外形(全周に亘って角がない外形)であれば、適宜変更可能である。例えば、メサ部20,30(斜面22,32)の平面視外形は、円形,トラック形状,矩形の各角部がR面取りされた形状、等に形成してもよい。また、頂面21,31の平面視外形は、上記滑らかに連続する外形以外の外形でも構わない。
第1励振電極51Aは、Y´軸方向から見た平面視において、Z´軸方向を長軸方向とする楕円形状に形成されている。第1励振電極51Aは、第1頂面21に形成されている。
第2励振電極51Bは、Y´軸方向から見た平面視において、Z´軸方向を長軸方向とする楕円形状に形成されている。第2励振電極51Bは、第2頂面31に形成されている。
第1励振電極51Aと第2励振電極51Bとは、Y´軸方向から見た平面視において重なるように形成されている。
なお、励振電極51A,51Bの平面視外形は、頂面21,31の平面視外形に合わせて、適宜変更可能である。
一対のマウント電極13A,13Bは、圧電板11のうちX軸方向の一端部であってZ´軸方向に離間する両端部にそれぞれ形成されている。
マウント電極13Aは、圧電板11のX軸方向+側かつZ´軸方向+側に位置する角部において、第1面11A、第2面11B及び外周端面11Cに亘って形成されている。マウント電極13Aは、圧電板11の第1面11A上において、引き回し配線16Aを介して励振電極51Aに接続されている。
マウント電極13Bは、圧電板11のX軸方向+側かつZ´軸方向−側に位置する角部において、第1面11A、第2面11B及び外周端面11Cに亘って形成されている。マウント電極13Bは、圧電板11の第2面11B上において、引き回し配線16B(図1参照)を介して励振電極51Bに接続されている。
なお、マウント電極13Bは、少なくとも第2面11B側の面に形成されていれば構わない。
ここで、励振電極51A,51B、マウント電極13A,13B、及び引き回し配線16A,16Bは、金等の金属の単層膜や、クロム等の金属を下地層とし、金等の金属を上地層とした積層膜等で形成されている。
(圧電振動子)
次いで、圧電振動片10を備える圧電振動子1について説明する。
図2に示すように、本実施形態の圧電振動子1は、パッケージ5のキャビティCの内部に圧電振動片10を収容したものである。パッケージ5は、ベース基板2とリッド基板3とを重ね合わせて形成されている。なお、ベース基板2及びリッド基板3は、ともにセラミック材料等により形成されている。
ベース基板2は、平面視で矩形状に形成された底壁部2aと、底壁部2aの周縁部から+Y´軸方向に立設された側壁部2bと、を備えている。
側壁部2bは、底壁部2aの周縁部における全周に亘って形成されている。
底壁部2aのうち、Y´軸方向+側に位置する面(底壁部表面)には、一対の内部電極7が形成されている。一対の内部電極7は、Z´軸方向に離間して形成されている。また、底壁部2aのうち、Y´軸方向−側に位置する面(底壁部裏面)には、一対の外部電極(不図示)が形成されている。そして、内部電極7及び外部電極は、底壁部2aを厚さ方向に貫通する貫通電極(不図示)により電気的に接続されている。なお、内部電極7と外部電極との接続形態はこれに限定されるものではなく、例えば、セラミックシートの面方向に延出する配線を介して、内部電極7と外部電極とを接続する形態であってもよい。
リッド基板3は、平面視矩形の板状に形成されている。リッド基板3の周縁部は、ベース基板2の側壁部2bの端面に+Y´軸方向から接着される。
ベース基板2の底壁部2a及び側壁部2bとリッド基板3とで囲まれた領域に、キャビティCが形成されている。
図3に示すように、キャビティCには、圧電振動片10が収容されている。
圧電振動片10は、導電ペースト等の実装部材9を介して、ベース基板2の底壁部2aに実装される。より具体的には、ベース基板2の底壁部2aに形成された一対の内部電極7に対して、圧電振動片10の対応するマウント電極13A,13Bが第2面11B側から実装される。これにより、圧電振動片10は、パッケージ5に機械的に保持されると共に、マウント電極13A,13Bと内部電極7とがそれぞれ導通された状態となっている。
(製造方法)
次に、図4を参照して、圧電振動片10の製造方法について説明する。
図4は、圧電振動片10の製造工程の手順を示す断面図である。
以下の説明では、ATカット水晶基板(以下、単にウエハSという。)から複数の圧電振動片10を一括で形成する方法について説明する。
また、以下の説明では、ウエハSの片面(Y´軸方向+側の面)にのみメサ部(第1メサ部20)を形成する工程を示すが、ウエハSの両面(Y´軸方向+側の面及びY´軸方向−側の面)にメサ部(第1メサ部20及び第2メサ部30)を同時に形成してもよい。
まず、水晶のランバート原石をATカットして一定の厚みとしたウエハを、ラッピングして粗加工した後、加工変質層をエッチングで取り除く。この後、ポリッシュ等の鏡面研磨加工を行なって所定の厚みのウエハSを準備する。
以下の説明において、適宜に、上述した圧電板11の第1面11Aに相当する面を、ウエハSの表面と呼ぶ。
次に、図4(a)に示すように、ウエハSの表面をドライエッチング加工する(ドライエッチング工程)。
ドライエッチングとしては、例えばリアクティブイオンエッチング(RIE)や、逆スパッタ等を選択できる。
この工程により、ウエハSの表面が平坦化される。このとき、ウエハSの表面粗さは、JIS B 0031に規格化されている算術平均粗さRaで例えば10nm未満(Ra<10nm)、最大高さRyで例えば100nm未満(Ry<100nm)に形成されることが好ましい。
なお、ドライエッチングの範囲は、後述するウエハSに斜面を形成するエッチング工程(図4(e)、メサ部形成工程)において、斜面(第1斜面22)が形成できる範囲内に少なくとも施されていれば、特に限定されない。
次に、図4(b)に示すように、ウエハSにエッチング保護膜80とフォトレジスト膜81とをそれぞれ成膜する(成膜工程)。
エッチング保護膜80は、例えば、クロム(Cr)を数10nm成膜したエッチング保護膜と、金(Au)を数10nm成膜したエッチング保護膜とが、順次積層された積層膜である。
この工程においては、まず、ウエハSの表面に、順次、エッチング保護膜80を、それぞれスパッタリング法や蒸着法等により成膜する。
次いで、エッチング保護膜80上に、スピンコート法等によりレジスト材料を塗布して、フォトレジスト膜81を形成する。
本実施形態で用いるレジスト材料としては、環化ゴム(例えば、環化イソプレン)を主体にしたゴム系ネガレジストが好適に用いられている。ゴム系ネガレジストは、環化ゴムを有機溶剤に溶解し、さらにビスアジド感光剤を加えて、ろ過し、不純物を除去することで精製されたものである。
次に、図4(c)に示すように、フォトレジスト膜81に、メサ部20の平面視外形に対応するフォトマスク81aを形成する(フォトマスク形成工程)。
具体的には、まずメサ部20の平面視外形に対応する外形パターンが形成された露光用マスクを用いて、ウエハS上に形成されたフォトレジスト膜81を露光する。その後、フォトレジスト膜81を現像する。
これにより、フォトレジスト膜81に、フォトマスク81aが形成される。
次に、図4(d)に示すように、エッチング保護膜80に、フォトマスク81aに対応する(メサ部20の平面視外形に対応する)メサ部マスク80aを形成する(メサ部マスク形成工程)。
具体的には、フォトマスク81aが形成されたフォトレジスト膜81をマスクとして、マスクされていないエッチング保護膜80にエッチング加工を行ない、エッチング保護膜80を選択的に除去する。その後、フォトレジスト膜81を剥離する。なお、フォトレジスト膜81を残存させても構わない。
メサ部マスク形成工程におけるエッチング加工には、エッチング保護膜80とフォトレジスト膜81が形成されたウエハSを、薬液に浸漬して行うウェットエッチング方式を用いることができる。例えば、エッチング保護膜80が、金(Au)からなる場合には、薬液としてヨウ素を用いてエッチングすることができる。
次に、図4(e)に示すように、ウエハSの表面に、メサ部マスク80aに対応する第1メサ部20を形成する(メサ部形成工程)。
具体的には、メサ部マスク80aが形成されたエッチング保護膜80をマスクとして、ウエハSの表面のうちマスクされていない部分(以下、単に露出面という。)にエッチング加工を行う。
メサ部形成工程におけるエッチング加工には、メサ部マスク80aが形成されたウエハSを、薬液に浸漬して行うウェットエッチング方式を用いることができる。例えば、薬液としてフッ酸を用いてエッチングすることができる。
ここで、通常、水晶のウェットエッチングでは、水晶特有のエッチング異方性によって、特定の角度を有する自然結晶面が現れる。そのため、ウエハSの表面のうち、メサ部マスク80aによりマスクされている部分(以下、マスク面という)では、エッチングが進行することはほとんどみられない。
しかしながら、本実施形態では、メサ部形成工程においてウエハSにエッチング加工を行う前に、ウエハSにドライエッチング加工を行っている。そのため、メサ部形成工程におけるウェットエッチングが、ウエハSのマスク面の外周部分にまで進行し、ウエハSのマスク面に、自然結晶面の角度に依存しない緩やかな傾斜角度を有する斜面(上述した第1メサ部20の第1斜面22に相当)が形成される。
このように、メサ部形成工程におけるエッチング加工では、ウエハSの露出面に加え、マスク面の外周部分もエッチングされる。
これにより、ウエハSの表面には、ウエハSのうち、露出面を底面とし、マスク面の外周部分を内側面とする凹部82が形成される。このとき、凹部82の内側面は、マスク面の中央部(マスク面のうちエッチングされていない部分)に対して緩やかな角度θ(0°<θ<20°)で交差する斜面に形成される。
次に、図4(f)に示すように、エッチング保護膜80を除去するエッチング加工を行なう。
以上の工程により、ウエハSの表面(Y´軸方向+側の面)にメサ部(第1メサ部20)が形成されたウエハSが得られる。
この後、ウエハSの両面(Y´軸方向+側の面及びY´軸方向−側の面)にメサ部(第1メサ部20及び第2メサ部30)が形成されたウエハSを、圧電板11の外形にエッチングし、ウエハSから個片化することで、圧電振動片10が得られる。
なお、上記に示した圧電振動片10の製造方法では、第1メサ部20(凹部82)をエッチングにより形成した後に、圧電板11の外形をエッチングにより形成したが、これに限らない。圧電板11の外形をエッチングにより形成した後に、第1メサ部20をエッチングにより形成してもよい。
以上のように、本実施形態の圧電振動片10は、ATカット水晶基板により形成された圧電板11と、圧電板11のうち厚さ方向で対向する第1面11Aと第2面11Bとにそれぞれ形成された励振電極51A,51Bと、を備え、第1面11Aには、第1励振電極51Aが形成されている第1主面21と、第1主面21の外周縁に接続され、第1主面21に対し傾斜する第1側面22と、が形成され、第2面11Bには、第2励振電極51Bが形成されている第2主面31と、第2主面31の外周縁に接続され、第2主面31に対し傾斜する第2側面32と、が形成され、側面22,32が、厚さ方向から見た平面視で滑らかに連続する外形に形成されている構成とした。
この構成によれば、側面22,32が厚さ方向から見た平面視で滑らかに連続する外形に形成されているため、側面22,32において、主面21,31に対する側面22,32それぞれの傾斜方向(側面22,32それぞれの内周縁から外周縁に向かう方向)に沿う稜線が形成されない。これにより、側面22,32での圧電振動片10の厚みすべり振動の伝播強度を低下させることができ、圧電板11のうち側面22,32よりも外側に振動が伝播されるのを抑制できる。そのため、圧電板11のうち側面22,32よりも外側への振動漏れ等を抑制し、優れた振動特性を得ることができる。
また、本実施形態では、主面21,31が、平面視で滑らかに連続する外形に形成されている構成とした。
この構成によれば、厚さ方向から見た平面視において、主面21,31の外周縁に稜線(角部)が形成されないことになる。そのため、主面21,31の外周縁で不要振動が誘発されるのを抑制し、振動特性の更なる向上を図ることができる。
また、本実施形態では、平面視で、圧電板11は、ATカット水晶基板のZ´軸方向を長手方向とする矩形状に形成されている構成とした。
この構成によれば、圧電板を小型化した場合であっても低いCI値を維持できる。
すなわち、ATカット水晶基板はX軸とZ´軸で構成される。このような構成のもと、ATカット水晶基板が厚み滑り振動をしているとき、X軸とZ´軸では電気偏極が生じる。電気偏極は電荷の偏りであり、X軸では正弦波状、Z´軸では直線状になる。電気偏極が直線状になるZ´軸を長辺とすることで、最も強い電荷が生じる辺を長くすることができる。強い電荷が生じる領域が広がれば、よりCI値は低くなる。したがって、Z´軸を長辺とすることでより低いCI値を維持することが可能となる。
そして、本実施形態の圧電振動子1は、上述した圧電振動片10を備えているため、優れた振動特性を備える小型の圧電振動子1を得ることができる。
[第2実施形態]
次に、第2実施形態の圧電振動子及び圧電振動片について説明する。
図5は、第2実施形態に係る圧電振動片110の平面図である。
図5に示す圧電振動片110は、圧電板11に突出部112A,112Bを形成した点で、第1実施形態の圧電振動片10と異なっている。
なお、以下の説明では、上述した第1実施形態と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
図5に示すように、本実施形態の圧電振動片110の圧電板111は、第1実施形態と同様のメサ部20,30及び辺縁部40に加え、突出部(第1突出部112A及び第2突出部112B)と、を有している。
第1突出部112Aは、平面視で平行四辺形に形成されている。第1突出部112Aは、辺縁部40のX軸方向+側かつZ´軸方向+側の角部から、+X軸方向に向かうに従い+Z´軸方向に向かうようXZ´軸方向に延在している。
第1突出部112Aには、第1マウント電極113Aが形成されている。第1マウント電極113Aは、第1突出部112Aの表面全体(第1面111A、第2面111B及び外周端面111C)に亘って形成されている。第1マウント電極113Aは、圧電板111の第1面111A上(第1突出部112AのY´軸方向+側の面上)において、引き回し配線116Aを介して圧電板111の第1頂面21に形成された第1励振電極51Aに接続されている。
第2突出部112Bは、平面視で平行四辺形に形成されている。第2突出部112Bは、辺縁部40のX軸方向+側かつZ´軸方向−側の角部から、+X軸方向に向かうに従い−Z´軸方向に向かうようXZ´軸方向に延在している。即ち、突出部112Bは、水晶結晶軸のZ´軸方向において、第1突出部112Aと離間している。
第2突出部112Bには、第2マウント電極113Bが形成されている。第2マウント電極113Bは、第2突出部112Bの表面全体(第1面111A、第2面111B及び外周端面111C)に亘って形成されている。第2マウント電極113Bは、圧電板111の第2面111B上(第2突出部112BのY´軸方向−側の面上)において、引き回し配線116Bを介して圧電板111の第2頂面31に形成された第2励振電極51Bに接続されている。
なお、マウント電極113Bは、少なくとも第2面111B側(第2突出部112BのY´軸方向−側)の面に形成されていれば構わない。
ここで、マウント電極113A,113B、及び引き回し配線116A,116Bは、金等の金属の単層膜や、クロム等の金属を下地層とし、金等の金属を上地層とした積層膜等で形成されている。
本実施形態においては、突出部112A,112BのY´軸方向の厚さは、メサ部20,30の頂面21,31間の離間距離と同等になっているが、辺縁部40の厚さと同等であってもよい。
以上のように、本実施形態では、圧電板111のうちATカット水晶基板のZ´軸方向に離間する両端部には、圧電板111の面方向に突出する突出部112A,112Bが、それぞれ形成されている構成とした。
この構成によれば、パッケージ5に圧電振動片10を実装するためのマウント領域として、突出部112A,112Bを利用することで、振動領域(励振電極51A,51Bが形成されている部分)とマウント領域との間の間隔を確保できる。これにより、振動領域で発生する振動エネルギーがマウント領域を経て実装部材9やパッケージ5に伝播するのを抑制し、振動漏れを抑制できる。また、圧電板111と実装部材9との付着面積を確保できるので、実装部材9と圧電板111との接合強度を確保できる。
なお、突出部112A,112Bは、電気的導通及び機械的強度のうち、少なくとも一方に寄与する構成であれば構わない。すなわち、突出部112A,112Bは、少なくとも一部が実装部材9に接合される構成であればよい。この場合、例えば実装部材9の一部が辺縁部40に付着してもよい。また、マウント電極113A,113Bは辺縁部40に形成されていても構わない。
また、突出部112A,112Bの平面視外形は、適宜変更が可能である。
なお、本発明は、図面を参照して説明した上述の実施形態に限定されるものではなく、その技術的範囲において様々な変形例が考えられる。
例えば、図6(a)に示すように、励振電極51A´が、第1面11Aにおいて、第1主面21及び第1側面22に亘って形成され、励振電極51B´(不図示)が、第2面11Bにおいて、第2主面31及び第2側面32に亘って形成されていてもよい。
この構成によれば、第1主面21及び第1側面22(第1斜面22)に亘って励振電極51A´が形成され、第2主面31及び第2側面32(第2斜面32)に亘って励振電極51B´が形成されているので、主面のみに励振電極が形成されている場合に比べて励振電極の面積を確保できる。その結果、CI値を低減して、振動特性を向上させることができる。
この場合、励振電極51A´の外周縁が辺縁面24上まで配置され、励振電極51B´の外周縁が辺縁面34上まで配置されていてもよい。
この構成によれば、第1主面21、第1側面22(第1斜面22)及び辺縁面24に亘って励振電極51A´が形成され、第2主面31、第2側面32(第2斜面32)及び辺縁面34に亘って励振電極51A´が形成されているので、主面のみに励振電極が形成されている場合に比べて励振電極51A´の面積を確保できる。その結果、CI値を低減して、振動特性を向上させることができる。
ここで、辺縁部40は、圧電板11のうちメサ部20,30が形成されている部分よりも薄肉になっているため、辺縁部40で発生する振動エネルギーはメサ部20,30で発生する振動エネルギーよりも小さい。そのため、圧電板11の外周縁で誘発される不要振動によるCI値の増加に比べて、励振電極の面積増大に伴うCI値の低下が支配的になるため、結果として優れた振動特性を得ることができる。
また、例えば、図6(b)に示すように、第1側面22が、第1主面21に対する傾斜角度が互いに異なり厚さ方向に連なる第1斜面上段22a,第1斜面下段22bを含み、圧電板11の面方向における斜面22a,22bのそれぞれの傾斜角度が、第1主面21から離間する位置に形成されている斜面ほど大きくなっていてもよい。
この構成によれば、圧電板11の面方向における第1側面22(第1斜面22a,22b)の外形が第1主面21から離間するものほど大きくなっているため、厚さ方向で隣り合う面同士が垂直に交わる階段状の側面に比べて、厚さ方向で隣り合う面同士がなす角度を緩やかにすることができる。そのため、厚さ方向で隣り合う面の境界部分において、不要振動が誘発されるのを抑制できる。
また、第1主面21と第1側面22(第1斜面22a)との境界部分、及び圧電板11のうち第1側面22(第1斜面22a)の外側に連なる部分と第1側面22(第1斜面22a)との境界部分のうち、少なくとも一方の境界部分での傾斜角度が、側面が主面に対して一様な傾斜角度で形成されている場合に比べて緩やかになる。そのため、少なくとも一方の境界部分において、不要振動が誘発されるのを抑制できる。即ち、第1側面に傾斜角の異なる複数の斜面が形成されている場合は、外側に位置する斜面よりも、内側に位置する斜面の方の傾斜角が緩やかになると好適である(主面から離間した位置にある斜面の傾斜角ほど大きくなる)。
その結果、CI値を低減して、振動特性を向上させることができる。
上述した実施形態では、圧電振動片として、メサ型のうち、圧電板の第1面及び第2面にそれぞれ一段のメサ部が形成された構成について説明したが、これに限られない。例えば、メサ部を多段に形成してもよい。また、第1面及び第2面のうちの一方にメサ部が形成されている構成であってもよい。
また、圧電振動片としては、メサ型に限らず、いわゆるベベル型(辺縁部がない構成)であってもよく、逆メサ型(圧電板において、メサ型のメサ部が膨出方向とは逆向きに窪み、メサ型のメサ部の外形に対応した空間(凹部)が形成されている構成。この場合、頂面は主面と読み替える。)であってもよい。
また、圧電振動片は、Z´軸方向が長辺方向と一致する構成としたが、X軸方向を長辺方向と一致させる構成であってもよい。
また、上述した実施形態では、圧電板のうち、実装部材に実装される面とは反対側の面を第1面とし、実装部材に実装される側の面を第2面とした場合について説明したが、これに限られない。すなわち、圧電板のうち、実装部材に実装される側の面を第1面とし、圧電板のうち実装部材に実装される面とは反対側の面を第2面としても構わない。
その他、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、上記した実施形態における構成要素を周知の構成要素に置き換えることは適宜可能である。
1…圧電振動子
10,110…圧電振動片
11,111…圧電板
11A,111A…第1面
11B,111B…第2面
13A,113A…第1マウント電極(マウント電極)
13B,113B…第2マウント電極(マウント電極)
20…第1メサ部(メサ部)
21…第1頂面(頂面)(第1主面(主面))
22…第1斜面(斜面)(第1側面(側面))
30…第2メサ部(メサ部)
31…第2頂面(頂面)(第2主面(主面))
32…第2斜面(斜面)(第2側面(側面))
40…辺縁部
51A…第1励振電極(励振電極)
51B…第2励振電極(励振電極)
112A…第1突出部(突出部)
112B…第2突出部(突出部)

Claims (8)

  1. ATカット水晶基板により形成された圧電板と、
    前記圧電板のうち厚さ方向で対向する第1面と第2面とにそれぞれ形成された励振電極と、を備え、
    少なくとも前記第1面には、
    前記励振電極が形成されている第1主面と、
    前記第1主面の外周縁に接続され、前記第1主面に対し傾斜する第1側面と、が形成され、
    前記第1側面は、前記厚さ方向から見た平面視で滑らかに連続する外形に形成されている
    ことを特徴とする圧電振動片。
  2. 前記第1主面は、前記平面視で滑らかに連続する外形に形成されている
    ことを特徴とする請求項1に記載の圧電振動片。
  3. 前記平面視で、前記圧電板は、前記ATカット水晶基板のZ´軸方向を長手方向とする矩形状に形成されている
    ことを特徴とする請求項1または2に記載の圧電振動片。
  4. 前記圧電板のうち前記ATカット水晶基板のZ´軸方向に離間する両端部には、前記圧電板の面方向に突出する突出部が、それぞれ形成されている
    ことを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の圧電振動片。
  5. 前記励振電極は、少なくとも前記第1面において、前記第1主面及び前記第1側面に亘って形成されている
    ことを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の圧電振動片。
  6. 前記圧電板は、前記第1側面の周囲を取り囲むとともに、前記圧電板の面方向に延在する辺縁部を含み、
    少なくとも前記第1面において、前記励振電極の外周縁は、前記辺縁部上に配置されている
    ことを特徴とする請求項5に記載の圧電振動片。
  7. 前記第1側面は、前記第1主面に対する傾斜角度が互いに異なり前記厚さ方向に連なる複数の斜面を含み、
    前記圧電板の面方向における前記複数の斜面の前記傾斜角度は、前記第1主面から離間する位置に形成されている斜面ほど大きい
    ことを特徴とする請求項1から6の何れか1項に記載の圧電振動片。
  8. 請求項1から7の何れか1項に記載の圧電振動片と、
    前記圧電振動片が実装されるパッケージと、を備える
    ことを特徴とする圧電振動子。
JP2015185771A 2015-09-18 2015-09-18 圧電振動片及び圧電振動子 Active JP6611534B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015185771A JP6611534B2 (ja) 2015-09-18 2015-09-18 圧電振動片及び圧電振動子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015185771A JP6611534B2 (ja) 2015-09-18 2015-09-18 圧電振動片及び圧電振動子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017060122A true JP2017060122A (ja) 2017-03-23
JP6611534B2 JP6611534B2 (ja) 2019-11-27

Family

ID=58390665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015185771A Active JP6611534B2 (ja) 2015-09-18 2015-09-18 圧電振動片及び圧電振動子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6611534B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112688654A (zh) * 2019-10-18 2021-04-20 精工爱普生株式会社 振动元件以及振荡器

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000031781A (ja) * 1998-07-14 2000-01-28 Toyo Commun Equip Co Ltd 圧電振動子
JP2008098712A (ja) * 2006-10-05 2008-04-24 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶振動子
JP2009117902A (ja) * 2007-11-01 2009-05-28 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装用の水晶デバイス
JP2009246645A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Daishinku Corp 水晶振動片、および水晶振動子
JP2012199606A (ja) * 2011-03-18 2012-10-18 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶振動片及び水晶デバイス
JP2013197824A (ja) * 2012-03-19 2013-09-30 Seiko Epson Corp 振動片およびその製造方法、振動素子、振動子、電子デバイス、並びに電子機器
JP2013239808A (ja) * 2012-05-14 2013-11-28 Kyocera Crystal Device Corp 水晶素子及び水晶デバイス
JP2014179773A (ja) * 2013-03-14 2014-09-25 Sii Crystal Technology Inc 水晶振動片、水晶振動片の製造方法、および水晶振動子
JP2015061092A (ja) * 2013-09-17 2015-03-30 日本電波工業株式会社 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
JP2015144380A (ja) * 2014-01-31 2015-08-06 株式会社大真空 圧電振動片および当該圧電振動片を用いた圧電デバイス

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000031781A (ja) * 1998-07-14 2000-01-28 Toyo Commun Equip Co Ltd 圧電振動子
JP2008098712A (ja) * 2006-10-05 2008-04-24 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶振動子
JP2009117902A (ja) * 2007-11-01 2009-05-28 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装用の水晶デバイス
JP2009246645A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Daishinku Corp 水晶振動片、および水晶振動子
JP2012199606A (ja) * 2011-03-18 2012-10-18 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶振動片及び水晶デバイス
JP2013197824A (ja) * 2012-03-19 2013-09-30 Seiko Epson Corp 振動片およびその製造方法、振動素子、振動子、電子デバイス、並びに電子機器
JP2013239808A (ja) * 2012-05-14 2013-11-28 Kyocera Crystal Device Corp 水晶素子及び水晶デバイス
JP2014179773A (ja) * 2013-03-14 2014-09-25 Sii Crystal Technology Inc 水晶振動片、水晶振動片の製造方法、および水晶振動子
JP2015061092A (ja) * 2013-09-17 2015-03-30 日本電波工業株式会社 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
JP2015144380A (ja) * 2014-01-31 2015-08-06 株式会社大真空 圧電振動片および当該圧電振動片を用いた圧電デバイス

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112688654A (zh) * 2019-10-18 2021-04-20 精工爱普生株式会社 振动元件以及振荡器
CN112688654B (zh) * 2019-10-18 2023-07-14 精工爱普生株式会社 振动元件以及振荡器

Also Published As

Publication number Publication date
JP6611534B2 (ja) 2019-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5239748B2 (ja) 水晶振動片
JP4967707B2 (ja) 圧電振動子およびその製造方法
US8987974B2 (en) Piezoelectric device and method for manufacturing the same
US8431030B2 (en) Process for manufacturing crystal resonator
US10862453B2 (en) Crystal oscillating element, crystal oscillation device, and method of manufacturing crystal oscillating element
JP3767425B2 (ja) 圧電振動片及び圧電デバイス
JP6569874B2 (ja) 水晶振動子及びその製造方法
JP6570388B2 (ja) 圧電振動片及び圧電振動子
JP6392532B2 (ja) 圧電振動片、圧電振動子、および圧電振動片の製造方法
JP5272651B2 (ja) 振動片の製造方法
JP6439808B2 (ja) 音叉型振動子
JP6611534B2 (ja) 圧電振動片及び圧電振動子
JP2017060054A (ja) 圧電振動片及び圧電振動子
JP2017060123A (ja) 圧電振動片及び圧電振動子
JP2004242132A (ja) 圧電振動デバイス
JP5719056B1 (ja) 圧電振動片、圧電振動子、および圧電振動片の製造方法
JP6738149B2 (ja) 圧電振動片の製造方法
JP2017060124A (ja) 圧電振動片及び圧電振動子
JP5908630B2 (ja) 圧電振動片、圧電振動子、および圧電振動片の製造方法
JP2017060055A (ja) 圧電振動片及び圧電振動子
JP2019153873A (ja) 圧電振動片及び圧電振動子
JP7423231B2 (ja) 圧電振動片の製造方法、圧電振動片および圧電振動子
JP3734127B2 (ja) 圧電振動子及び圧電発振器とこれに用いる圧電振動素子の製造方法
JP2007208675A (ja) 基板
JP6525789B2 (ja) 水晶振動素子集合ウエハ

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20170913

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180703

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190329

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190409

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190604

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190730

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190829

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20191023

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20191029

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6611534

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250