JP2017059773A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理装置(1)において、第1処理部(4)は、過酸化水素を含む薬液及び極性有機溶媒を含む薬液から選択される第1洗浄液(L1)を供給する第1洗浄液供給部(43a)を備え、基板(W1)に対して、第1洗浄液供給部(43a)により第1洗浄液(L1)を供給する。
【選択図】図3
Description
かかる有機ポリマーは、無電解めっき処理等により基板の銅配線上に金属膜を形成する際の障害となる。
(1)有機エッチングガスを使用するドライエッチング処理により形成された銅配線を有する基板から、前記基板の表面に付着する、前記ドライエッチング処理において生じた前記有機エッチングガス由来の有機ポリマーを除去する洗浄処理を行う洗浄処理部と、前記洗浄処理部の動作を制御する制御部とを備える基板処理装置であって、
前記洗浄処理部が、前記基板に対して、過酸化水素を含む薬液及び極性有機溶媒を含む薬液から選択される第1洗浄液を供給する第1洗浄液供給部を備え、
前記制御部が、前記基板に対して、前記第1洗浄液供給部により前記第1洗浄液が供給されるように、前記第1洗浄液供給部を制御する、前記基板処理装置。
(2)前記有機エッチングガスが、メタンガス、CF系ガス、メチル基を含むカルボン酸系ガス、及びアルコール系ガスから選択される1種又は2種以上のガスである、(1)に記載の基板処理装置。
(3)前記洗浄処理部が、前記基板に対して、フッ化水素を含む水溶液及び強アルカリ性水溶液から選択される第2洗浄液を供給する第2洗浄液供給部をさらに備え、
前記制御部が、前記基板に対して、前記第1洗浄液供給部による前記第1洗浄液の供給後に、前記第2洗浄液供給部により前記第2洗浄液が供給されるように、前記第1洗浄液供給部及び前記第2洗浄液供給部を制御する、(1)又は(2)に記載の基板処理装置。
(4)前記洗浄処理部が、前記基板に対して、フッ化水素を含む水溶液及び強アルカリ性水溶液から選択される第3洗浄液であって、前記第2洗浄液とは異なる前記第3洗浄液を供給する第3洗浄液供給部をさらに備え、
前記制御部が、前記基板に対して、前記第2洗浄液供給部による前記第2洗浄液の供給後に、前記第3洗浄液供給部により前記第3洗浄液が供給されるように、前記第1洗浄液供給部、第2洗浄液供給部及び前記第3洗浄液供給部を制御する、(3)に記載の基板処理装置。
(5)前記洗浄処理部が、前記基板に対して、リンス液を供給するリンス液供給部をさらに備え、
前記制御部が、前記基板に対して、前記第1洗浄液供給部による前記第1洗浄液の供給後であって前記第2洗浄液供給部による前記第2洗浄液の供給前に、及び/又は、前記第2洗浄液供給部による前記第2洗浄液の供給後であって前記第3洗浄液供給部による前記第3洗浄液の供給前に、前記リンス液供給部より前記リンス液が供給されるように、前記第1洗浄液供給部、前記第2洗浄液供給部、前記第3洗浄液供給部及び前記リンス液供給部を制御する、(3)又は(4)に記載の基板処理装置。
(6)前記基板処理装置が、前記基板の前記銅配線を金属膜でコーティングするコーティング処理を行うコーティング処理部をさらに備え、
前記制御部が、前記基板に対して、前記洗浄処理部による前記洗浄処理後に、前記コーティング処理部により前記コーティング処理が行われるように、前記洗浄処理部及び前記コーティング処理部を制御する、(1)〜(5)のいずれかに記載の基板処理装置。
(7)前記基板処理装置が、前記基板に対して、疎水化剤溶液を供給する疎水化剤溶液供給部をさらに備え、
前記制御部が、前記基板に対して、前記洗浄処理部による前記洗浄処理後であって前記コーティング処理部による前記コーティング処理前に、前記疎水化剤溶液供給部により前記疎水化剤溶液が供給されるように、前記洗浄処理部、前記コーティング処理部及び前記疎水化剤溶液供給部を制御する、(6)に記載の基板処理装置。
(8)前記コーティング処理が無電解めっき処理である、(6)又は(7)に記載の基板処理装置。
(9)有機エッチングガスを使用するドライエッチング処理により形成された銅配線を有する基板から、前記基板の表面に付着する、前記ドライエッチング処理において生じた前記有機エッチングガス由来の有機ポリマーを除去する洗浄工程を含む、基板処理方法であって、
前記洗浄工程において、前記基板に対して、過酸化水素を含む薬液及び極性有機溶媒を含む薬液から選択される第1洗浄液を供給する、前記基板処理方法。
(10)前記有機エッチングガスが、メタンガス、CF系ガス、メチル基を含むカルボン酸系ガス、及びアルコール系ガスから選択される1種又は2種以上のガスである、(9)に記載の基板処理方法。
(11)前記洗浄工程において、前記基板に対して、前記第1洗浄液の供給後に、フッ化水素を含む水溶液及び強アルカリ性水溶液から選択される第2洗浄液を供給する、(9)又は(10)に記載の基板処理方法。
(12)前記洗浄工程において、前記基板に対して、前記第2洗浄液の供給後に、フッ化水素を含む水溶液及び強アルカリ性水溶液から選択される第3洗浄液であって、前記第2洗浄液とは異なる前記第3洗浄液を供給する、(11)に記載の基板処理方法。
(13)前記洗浄工程において、前記基板に対して、前記第1洗浄液の供給後であって前記第2洗浄液の供給前に、及び/又は、前記第2洗浄液の供給後であって前記第3洗浄液の供給前に、リンス液を供給する、(11)又は(12)に記載の基板処理方法。
(14)前記洗浄工程後に、前記基板の前記銅配線を金属膜でコーティングするコーティング工程をさらに含む、(9)〜(13)のいずれかに記載の基板処理方法。
(15)前記洗浄工程後であって前記コーティング工程前に、前記基板に対して、疎水化剤溶液を供給する疎水化剤溶液供給工程をさらに含む、(14)に記載の基板処理方法。
(16)前記コーティング工程において、無電解めっき処理により、前記基板の前記銅配線を金属膜でコーティングする、(14)又は(15)に記載の基板処理方法。
(17)ドライエッチング処理により所定の配線形状に形成された銅配線を有する基板を準備する工程と、
前記銅配線の表面に付着した前記ドライエッチング処理において生じたエッチングガス由来の有機ポリマーを洗浄液で除去する洗浄工程と、
前記洗浄工程後に、前記基板の前記銅配線の表面を選択的に金属膜でコーティングするコーティング工程と、を含む基板処理方法。
(18)基板処理装置の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、前記コンピュータが前記基板処理装置を制御して(9)〜(17)のいずれかに記載の基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体。
本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成について図1を参照して説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す概略図である。
次に、基板処理部2の構成について図2を参照して説明する。図2は、基板処理部2の構成を示す概略平面図である。なお、図2中の点線は基板を表す。
次に、第1処理部4の構成について図3を参照して説明する。図3は、第1処理部4の構成を示す概略断面図である。
次に、第2処理部5の構成について図4を参照して説明する。図4は、第2処理部5の構成を示す概略断面図である。
以下、基板処理装置1により実施される基板処理方法について説明する。基板処理装置1によって実施される基板処理方法は、ドライエッチング処理後の基板W1から、基板W1の表面に付着する有機ポリマーPを除去する洗浄工程と、洗浄工程後の基板W2の銅配線93を金属膜でコーティングするめっき工程とを含む。洗浄工程における洗浄処理は、第1処理部4により実施され、めっき工程におけるめっき処理は、第2処理部5により実施される。第1処理部4の動作及び第2処理部5の動作は、制御部3によって制御される。基板処理装置1によって実施される基板処理方法は、ドライエッチング工程を含んでいてもよい。
以下、図6を参照して変形例1について説明する。
図6に示すように、第1処理部4は、基板保持部42に保持された基板W1に対して、疎水化剤溶液Qを供給する疎水化剤溶液供給部6を備えていてもよい。
を備える。
上記実施形態では、洗浄処理後の基板W2の銅配線93を金属膜でコーティングするコーティング処理として、めっき処理が行われるが、その他のコーティング処理であってもよい。コーティング処理は、基板の銅配線を金属膜でコーティング可能である限り特に限定されない。その他のコーティング処理としては、例えば、CVD等が挙げられる。なお、変更例1で形成される疎水性膜は、CVDにおけるプラズマ処理により除去可能である。
2 基板処理部
3 制御部
4 第1処理部(洗浄処理部の一例)
5 第2処理部(めっき処理部の一例)
43a 第1洗浄液供給部
43b 第2洗浄液供給部
43c 第3洗浄液供給部
Claims (18)
- 有機エッチングガスを使用するドライエッチング処理により形成された銅配線を有する基板から、前記基板の表面に付着する、前記ドライエッチング処理において生じた前記有機エッチングガス由来の有機ポリマーを除去する洗浄処理を行う洗浄処理部と、前記洗浄処理部の動作を制御する制御部とを備える基板処理装置であって、
前記洗浄処理部が、前記基板に対して、過酸化水素を含む薬液及び極性有機溶媒を含む薬液から選択される第1洗浄液を供給する第1洗浄液供給部を備え、
前記制御部が、前記基板に対して、前記第1洗浄液供給部により前記第1洗浄液が供給されるように、前記第1洗浄液供給部を制御する、前記基板処理装置。 - 前記有機エッチングガスが、メタンガス、CF系ガス、メチル基を含むカルボン酸系ガス、及びアルコール系ガスから選択される1種又は2種以上のガスである、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記洗浄処理部が、前記基板に対して、フッ化水素を含む水溶液及び強アルカリ性水溶液から選択される第2洗浄液を供給する第2洗浄液供給部をさらに備え、
前記制御部が、前記基板に対して、前記第1洗浄液供給部による前記第1洗浄液の供給後に、前記第2洗浄液供給部により前記第2洗浄液が供給されるように、前記第1洗浄液供給部及び前記第2洗浄液供給部を制御する、請求項1又は2に記載の基板処理装置。 - 前記洗浄処理部が、前記基板に対して、フッ化水素を含む水溶液及び強アルカリ性水溶液から選択される第3洗浄液であって、前記第2洗浄液とは異なる前記第3洗浄液を供給する第3洗浄液供給部をさらに備え、
前記制御部が、前記基板に対して、前記第2洗浄液供給部による前記第2洗浄液の供給後に、前記第3洗浄液供給部により前記第3洗浄液が供給されるように、前記第1洗浄液供給部、第2洗浄液供給部及び前記第3洗浄液供給部を制御する、請求項3に記載の基板処理装置。 - 前記洗浄処理部が、前記基板に対して、リンス液を供給するリンス液供給部をさらに備え、
前記制御部が、前記基板に対して、前記第1洗浄液供給部による前記第1洗浄液の供給後であって前記第2洗浄液供給部による前記第2洗浄液の供給前に、及び/又は、前記第2洗浄液供給部による前記第2洗浄液の供給後であって前記第3洗浄液供給部による前記第3洗浄液の供給前に、前記リンス液供給部より前記リンス液が供給されるように、前記第1洗浄液供給部、前記第2洗浄液供給部、前記第3洗浄液供給部及び前記リンス液供給部を制御する、請求項3又は4に記載の基板処理装置。 - 前記基板処理装置が、前記基板の前記銅配線を金属膜でコーティングするコーティング処理を行うコーティング処理部をさらに備え、
前記制御部が、前記基板に対して、前記洗浄処理部による前記洗浄処理後に、前記コーティング処理部により前記コーティング処理が行われるように、前記洗浄処理部及び前記コーティング処理部を制御する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記基板処理装置が、前記基板に対して、疎水化剤溶液を供給する疎水化剤溶液供給部をさらに備え、
前記制御部が、前記基板に対して、前記洗浄処理部による前記洗浄処理後であって前記コーティング処理部による前記コーティング処理前に、前記疎水化剤溶液供給部により前記疎水化剤溶液が供給されるように、前記洗浄処理部、前記コーティング処理部及び前記疎水化剤溶液供給部を制御する、請求項6に記載の基板処理装置。 - 前記コーティング処理が無電解めっき処理である、請求項6又は7に記載の基板処理装置。
- 有機エッチングガスを使用するドライエッチング処理により形成された銅配線を有する基板から、前記基板の表面に付着する、前記ドライエッチング処理において生じた前記有機エッチングガス由来の有機ポリマーを除去する洗浄工程を含む、基板処理方法であって、
前記洗浄工程において、前記基板に対して、過酸化水素を含む薬液及び極性有機溶媒を含む薬液から選択される第1洗浄液を供給する、前記基板処理方法。 - 前記有機エッチングガスが、メタンガス、CF系ガス、メチル基を含むカルボン酸系ガス、及びアルコール系ガスから選択される1種又は2種以上のガスである、請求項9に記載の基板処理方法。
- 前記洗浄工程において、前記基板に対して、前記第1洗浄液の供給後に、フッ化水素を含む水溶液及び強アルカリ性水溶液から選択される第2洗浄液を供給する、請求項9又は10に記載の基板処理方法。
- 前記洗浄工程において、前記基板に対して、前記第2洗浄液の供給後に、フッ化水素を含む水溶液及び強アルカリ性水溶液から選択される第3洗浄液であって、前記第2洗浄液とは異なる前記第3洗浄液を供給する、請求項11に記載の基板処理方法。
- 前記洗浄工程において、前記基板に対して、前記第1洗浄液の供給後であって前記第2洗浄液の供給前に、及び/又は、前記第2洗浄液の供給後であって前記第3洗浄液の供給前に、リンス液を供給する、請求項11又は12に記載の基板処理方法。
- 前記洗浄工程後に、前記基板の前記銅配線を金属膜でコーティングするコーティング工程をさらに含む、請求項9〜13のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記洗浄工程後であって前記コーティング工程前に、前記基板に対して、疎水化剤溶液を供給する疎水化剤溶液供給工程をさらに含む、請求項14に記載の基板処理方法。
- 前記コーティング工程において、無電解めっき処理により、前記基板の前記銅配線を金属膜でコーティングする、請求項14又は15に記載の基板処理方法。
- ドライエッチング処理により所定の配線形状に形成された銅配線を有する基板を準備する工程と、
前記銅配線の表面に付着した前記ドライエッチング処理において生じたエッチングガス由来の有機ポリマーを洗浄液で除去する洗浄工程と、
前記洗浄工程後に、前記基板の前記銅配線の表面を選択的に金属膜でコーティングするコーティング工程と、を含む基板処理方法。 - 基板処理装置の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、前記コンピュータが前記基板処理装置を制御して請求項9〜17のいずれか一項に記載の基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体。
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