JP2017055088A - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents

発光装置およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2017055088A
JP2017055088A JP2015180109A JP2015180109A JP2017055088A JP 2017055088 A JP2017055088 A JP 2017055088A JP 2015180109 A JP2015180109 A JP 2015180109A JP 2015180109 A JP2015180109 A JP 2015180109A JP 2017055088 A JP2017055088 A JP 2017055088A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
resin
emitting device
phosphor
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015180109A
Other languages
English (en)
Inventor
未希 遠島
Miki Tojima
未希 遠島
藤井 孝佳
Takayoshi Fujii
孝佳 藤井
直忠 岡田
Naotada Okada
直忠 岡田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2015180109A priority Critical patent/JP2017055088A/ja
Publication of JP2017055088A publication Critical patent/JP2017055088A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】生産性が向上する発光装置およびその製造方法を提供することである。【解決手段】実施形態の発光装置は、基板と、前記基板の上に設けられた発光素子と、前記基板の上および前記発光素子の上に設けられたレンズであって、液状の樹脂と、蛍光体と、カバー層と、を含み、前記蛍光体は、前記樹脂に分散されているレンズと、を備える。前記発光素子、前記樹脂、および前記蛍光体は、前記基板と前記カバー層とによって封止されている。【選択図】図1

Description

本発明の実施形態は、発光装置およびその製造方法に関する。
基板の上に発光素子を設け、発光素子の上に蛍光体層を設けた発光装置がある。発光装置が複数製造されると、複数の発光装置の中には、色度が目的の色度になっていないものがある。目的の色度になっていない発光装置を使用せず、廃棄すると、発光装置の生産性が低下する。
特開2001−036148号公報
本発明が解決しようとする課題は、生産性が向上する発光装置およびその製造方法を提供することである。
実施形態の発光装置は、基板と、前記基板の上に設けられた発光素子と、前記基板の上および前記発光素子の上に設けられたレンズであって、液状の樹脂と、蛍光体と、カバー層と、を含み、前記蛍光体は、前記樹脂に分散されているレンズと、を備える。前記発光素子、前記樹脂、および前記蛍光体は、前記基板と前記カバー層とによって封止されている。
図1(a)は、第1実施形態に係る発光装置を表す模式的断面図である。図1(b)は、第1実施形態に係る発光装置を表す模式的上面図である。 図2(a)〜図2(b)は、第1実施形態に係る発光装置の製造過程を表す模式的断面図である。 図3(a)〜図3(b)は、第1実施形態に係る発光装置の製造過程を表す模式的断面図である。 図4(a)〜図4(b)は、第1実施形態に係る発光装置の製造過程を表す模式的断面図である。 図5(a)〜図5(b)は、第1実施形態に係る発光装置の製造過程を表す模式的断面図である。 図6は、第1参考例に係る発光装置を表す模式的断面図である。 図7(a)は、第2参考例に係る発光装置の製造過程を表す模式的断面図である。図7(b)は、第2参考例に係る発光装置の製造過程を表す模式的断面図である。図7(c)は、図7(a)の状態のときと、図7(b)の状態のときの色度の変化を表すグラフ図である。 図8(a)は、第2実施形態に係る発光装置の一部を表す模式的断面図である。図8(b)は、第2実施形態に係る発光装置の一部を表す模式的断面図である。 図9(a)は、第3実施形態に係る発光装置を表す模式的断面図である。図9(b)は、第3実施形態に係る発光装置を表す模式的断面図である。 図10は、第3実施形態に係る発光装置の他の作用を表す模式的断面図である。 図11(a)および図11(b)は、第3実施形態の別の例に係る発光装置を表す模式的断面図である。 図12(a)は、第4実施形態に係る発光装置を表す模式的断面図である。図12(b)は、第4実施形態に係る発光装置を表す模式的断面図である。 図13(a)および図13(b)は、第4実施形態の別の例に係る発光装置を表す模式的断面図である。 図14(a)は、第5実施形態に係る発光装置を表す模式的断面図である。図14(b)は、第5実施形態に係る発光装置を表す模式的断面図である。
以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。各図には、XYZ座標が導入される場合がある。
(第1実施形態)
図1(a)は、第1実施形態に係る発光装置を表す模式的断面図である。図1(b)は、第1実施形態に係る発光装置を表す模式的上面図である。図1(a)には、図1(b)のA1−A2線に沿った断面が表されている。
第1実施形態に係る発光装置1は、基板10と、発光素子20と、レンズ30と、を備える。発光装置1は、例えば、LEDレンズモジュールとも称される。
実施形態において、基板10からレンズ30に向かう方向をZ方向とする。X方向は、Z方向に交差する。Y方向は、X方向およびZ方向に交差する。
基板10は、基材11と、金属層12pと、金属層12nと、を含む。基材11は、例えば、樹脂、セラミック、ガラス等を含む。金属層12pおよび金属層12nは、例えば、銅(Cu)またはタングステン銅(CuW)等の金属を含む。金属層12pは、例えば、発光素子20のp側の電極配線である。金属層12nは、例えば、発光素子20のn側の電極配線である。
基板10は、基材11、金属層12p、および金属層12nを含む回路基板である。基板10がX−Y平面(Z方向に対して垂直な平面)に投影されたとき、基板10は、発光素子20と重なる。X−Y平面における基板10の外形は、例えば、矩形である。但し、基板10の外形は、任意である。基板10において、発光素子20が設けられている主面を上面10u、上面10uと反対側の主面を下面10dとする。
発光素子20は、基板10の上面10uの上に設けられている。発光素子20は、例えば、窒化物半導体を含むLED(Light Emitting Diode)チップである。発光素子20は、フリップチップ型のLEDである。発光素子20は、例えば、多重量子井戸(MQW:Multiple Quantum Well)構造を有する。発光素子20は、例えば、青色領域(440nm〜470nm)の光を発光する。発光素子20をX−Y平面に投影したときの外形は、例えば、矩形である。但し、発光素子20の外形は、任意である。発光素子20の外形は、基板10の外形よりも内側に位置する。
ここで、「外側」とは、例えば、以下の概念で定義される。例えば、基板10の中心から基板10の外端部10eに向かう方向において、基板10の中心から遠ざかるほど、「外側」であると定義される。また、例えば、基板10の外端部10eから基板10の中心に向かう方向において、基板10の外端部10eから遠ざかるほど、「内側」であると定義される。
発光素子20は、n側の電極20nと、p側の電極20pと、を含む。電極20nおよび電極20pは、発光素子20の下に設けられている。電極20nは、例えば、半田材を介して金属層12nに電気的に接続されている。電極20pは、金属層12pに、例えば、半田材を介して電気的に接続されている。発光素子20において、光の取り出しは、基板10の下面10dとは反対側のレンズ30の側から行われる。
レンズ30は、基板10の上および発光素子20の上に設けられている。レンズ30は、液状の樹脂31と、蛍光体32と、カバー層33と、を含む。蛍光体32は、樹脂31に分散されている。レンズ30は、半球状である。レンズ30は、基板10から上に向けて凸になり、レンズ30の表面が曲面になっている。レンズ30をX−Y平面に投影したときの外形は、例えば、円である。この円の直径は、例えば、ナノオーダー以上、10mm以下である。但し、レンズ30の外形は、任意である。発光素子20、樹脂31、および蛍光体32は、基板10とカバー層33とによって封止されている。基板10の一部は、レンズ30から外側に延在している(図1(b))。
樹脂31は、常温以上または発光装置1が使用されるときには、液状である。樹脂31の粘性は、温度により変化する。樹脂31は、透光性のある樹脂である。例えば、樹脂31は、発光素子20または蛍光体32から放出される熱によって、カバー層33内で対流する程度の粘性を有してもよい。樹脂31が冷却されて、ある温度以下なると固化する。例えば、樹脂31の温度が樹脂31のガラス転移温度より低く、または融点より低くなると、樹脂31は固化する。樹脂31は、絶縁性を有する。樹脂31の粘性は低い。
樹脂31は、例えば、シリコーンオイルを含む。樹脂31は、例えば、ジメチルシリコーンオイル、ジメチルシリコーンオイル、メチルハイドロジェンシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル、ジメチルシリコーンオイル、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル、環状ジメチルシリコーンオイルの少なくともいずれか1つを含む。
蛍光体32は、発光素子20から発せられる光の波長を、違う波長に変換する。例えば、蛍光体32は、発光素子20から発せられる光(例えば、青色光)の一部を吸収し、黄色光を放つ。蛍光体32の粒径は、ナノオーダーである。蛍光体32の粒径は、数10nmである。粒径とは、蛍光体の最大長さの平均粒径である。蛍光体の粒径は、例えば、粒度分布計または動的散乱法により算出される。また、蛍光体の粒径がサブナノオーダーの場合は、蛍光体の粒径は、例えば、誘導回折法によって計測されてもよい。蛍光体32の粒径が数10nmのとき、蛍光体32の自重による沈降が抑制され、蛍光体32が液状の樹脂31に略均等に分散される。
蛍光体32は、例えば、YAG系蛍光体(イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体)であってもよい。蛍光体は、例えば、Li(Eu,Sm)W、(Y,Gd),(Al,Ga)12:Ce3+、LiSrSiO:Eu2+、(Sr(Ca,Ba))SiO:Eu2+、SrSiON2.7:Eu2+等の少なくともいずれかである。
また、蛍光体32は、黄色系の蛍光体に限らず、例えば、赤色を発する蛍光体でもよい。例えば、蛍光体32は、YS:Eu、YS:Eu+pigment、Y:Eu、Zn(PO:Mn、(Zn,Cd)S:Ag+In、(Y,Gd,Eu)BO、(Y,Gd,Eu)、YVO:Eu、LaS:Eu,Sm、LaSi:Eu2+、α−sialon:Eu2+、CaAlSiN:Eu2+、CaSiN:Eu2+、CaSiN:Ce2+、MSi:Eu2+、CaAlSiN:Eu2+、(SrCa)AlSiN:EuX+、Sr(SiAl(ON):EuX+等の少なくともいずれかであってもよい。
発光装置1においては、発光素子20から放出される青色光と、蛍光体32から放出される黄色光とが混色して白色光が放出される。
基板10とカバー層33との間には、接合剤40が設けられている。接合剤40は、例えば、熱可塑性接着剤等である。カバー層33は、発光素子20には接していない。接合剤40によって基板10の外端部10eにカバー層33の下端33dが接合されている。カバー層33は、シート状の層である。カバー層33は、樹脂31および蛍光体32を覆う。発光装置1では、カバー層33が局部的に基板10に接合されている。カバー層33は、レンズ30の最表層である。カバー層33は、例えば、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、およびガラス等の少なくともいずれかを含む。また、基板10とカバー層33との間に接合剤を設けず、加熱により基板10とカバー層33とを直接接合させた構造も実施形態に含まれる。
図2(a)〜図5(b)は、第1実施形態に係る発光装置の製造過程を表す模式的断面図である。
例えば、図2(a)に表すように、型90は、上側の第1型90uと、下側の第2型90dと、を有する。第1型90uと第2型90dとが合わさると、型90の内部にスペース90sが形成される。スペース90sの第1型90u側の内壁90uwには、レンズ30の表面に対応した形状が形成されている。スペース90sの第2型90d側の内壁90dwには、基板10および発光素子20の表面に対応した形状が形成されている。このスペース90sに、液状の樹脂31が導入口90hを通して導入される。樹脂31には、蛍光体32が分散されている。
型90の温度は、室温以下の温度に設定されている。型90の温度は、樹脂31が固化する温度に設定されている。例えば、型90の温度は、樹脂31のガラス転移温度より低いか、または融点より低く設定されている。これにより、図2(b)に表すように、樹脂31は、スペース90s内で固化する。これにより、樹脂31は、レンズ状になる。このレンズ状の固化した成型体を、第1樹脂成形体35Aとする。この後、第1樹脂成形体35Aは、固化した状態で、型90から取り出される(図3(a))。
次に、図3(b)に表すように、第1樹脂成形体35Aは、発光素子20が設けられた基板10の上に載置される。基板10には、第1樹脂成形体35Aの外周に接合剤40が形成されている。
この後、図1(a)に表すように、第1樹脂成形体35Aは、カバー層33で覆われる。カバー層33の下端33dは、接合剤40に接合される。これにより、第1樹脂成形体35Aおよび発光素子20は、カバー層33と基板10とによって封止される。この後、第1樹脂成形体35Aは、外気またはヒーターによって加熱され、第1樹脂成形体35Aの温度が樹脂31のガラス転移温度以上、または融点以上になる。これにより、第1樹脂成形体35Aは、カバー層33内で液状の樹脂31に転移する。このような製造過程で、発光装置1が形成される。
発光装置1において、発光素子20から放出される光と、蛍光体32から放出される光と、を含む混色光(例えば、白色光)の色度が目的とする色度でない場合、または、発光装置1において、X−Y平面内における混合色の色度分布が目的とする分布でない場合には、次に示す製造過程がさらに追加される。
例えば、図4(a)に表すように、接合剤40を加熱したり、またはカバー層33の下端33dと接合剤40との界面を有機溶剤に晒したりする。これにより、接合剤40とカバー層33との密着力が弱められる。カバー層33は、基板10に対して局部的に接合されているため、接合剤40とカバー層33との密着力が弱められると、カバー層33は、容易に基板10から取り除かれる。
次に、図4(b)に表すように、蛍光体32が分散された樹脂31が基板10および発光素子20から除去される。基板10の表面および発光素子20の表面は、洗浄処理(例えば、洗剤、有機溶剤、または、プラズマ処理等)が施される。
次に、図5(a)に表すように、蛍光体32の含有量を変えた液状の樹脂31が型90に導入される。そして、型90により、樹脂31が冷却されることによって、レンズ状の第2樹脂成形体35Bが形成される。第2樹脂成形体35Bは、型90から取り出される(図5(b))。
この後、第2樹脂成形体35Bは、発光素子20が設けられた基板10の上に載置される。次に、第2樹脂成形体35Bは、カバー層33で覆われる。そして、第2樹脂成形体35Bおよび発光素子20は、カバー層33と基板10とによって封止される。これにおり、蛍光体32の含有量が再度調整された発光装置1が形成される。
発光装置1において、発光素子20から放出される光と、蛍光体32から放出される光と、を含む混色光(例えば、白色光)の色度が目的とする色度でない場合、または、発光装置1において、X−Y平面内における混合色の色度分布が目的とする分布でない場合には、再び、樹脂31に含まれる蛍光体32の含有量が変えられ、図4(a)〜図5(b)に示す製造過程が繰り返される。
これにより、発光装置1においては、混色光の色度が目的とする色度になり、またはX−Y平面内における混合色の色度分布が目的とする分布になっている。
第1実施形態の作用を説明する前に、参考例に係る発光装置の作用を説明する。
図6は、第1参考例に係る発光装置を表す模式的断面図である。
第1参考例に係る発光装置100では、基板10の上に筐体101が設けられている。筐体101の凹部101cには、発光素子20が設けられている。発光素子20は、凹部101cの底に設けられている。発光素子20の上には、樹脂層131が設けられている。樹脂層131には、蛍光体32が分散されている。樹脂層131は、常温以上または発光装置100が使用されるときには、固化している。樹脂層131は、筐体101および発光素子20に固着している。
第1参考例においては、蛍光体32の樹脂層131への調合と、蛍光体32が分散された樹脂層131の凹部101cへの塗布と、発光装置100の光の測定と、が繰り返され、発光装置100の混合光の色度、または混合色の色度分布が最適の範囲に収められる。但し、樹脂層131は、常温以上または発光装置100が使用されるときには、固化している。これにより、蛍光体32を樹脂層131に再調合するには、樹脂層131を高温に加熱し、樹脂層131を液状にしなければならない。
第1参考例では、試行錯誤で見つけた最適条件で発光装置100を形成し、その色度、または色度分布が目的とする範囲に収まらなかったとき、樹脂層131に含まれる蛍光体32の含有量は変え難い。これは、樹脂層131が凹部101c内において、凹部101cの内壁および発光素子20に強固に固着しているためである。
色度または色度分布が目的に収まらない発光装置100は、廃棄することもできる。しかし、色度または色度分布が目的に収まらない発光装置100を廃棄すると、発光装置100の生産性が低下する。
図7(a)は、第2参考例に係る発光装置の製造過程を表す模式的断面図である。図7(b)は、第2参考例に係る発光装置の製造過程を表す模式的断面図である。図7(c)は、図7(a)の状態のときと、図7(b)の状態のときの色度の変化を表すグラフ図である。図7(c)の横軸は、CIE色度座標のCxであり、縦軸は、CIE色度座標のCyである。
第2参考例では、例えば、図7(a)に表すように、蛍光体32を含む樹脂シート310が発光素子20の上に形成される。この段階では、レンズは設けられていない。この段階での色度は、図7(c)の点Aとして表されている。
次に、図7(b)に表すように、基板10の上、および樹脂シート310の上にレンズ300が形成される。これにより、基板10、発光素子20、樹脂シート310、蛍光体32、およびレンズ300を備えた発光装置101が形成される。レンズ300は、固形樹脂である。
しかし、レンズ300が基板10および樹脂シート310に固着される前後において、色度が変化する。例えば、レンズ300が基板10および樹脂シート310に固着された後の色度は、図7(c)の点Bとして表されている。第2参考例では、点Bの色度が目的とする色度である。このため、第2参考例では、レンズ300が取り付けられた後の色度(点B)を目標として、樹脂シート310中の蛍光体32が予め調合される。
また、第2参考例の発光装置101では、レンズ300の下面300dが基板10の上面10uおよび発光素子20に固着している。これにより、色度、または色度分布が目的とする範囲に収まらなかったとき、樹脂シート310を変えることは難しい。
色度または色度分布が目的に収まらない発光装置101は、廃棄することもできる。しかし、色度または色度分布が目的に収まらない発光装置101を廃棄すると、発光装置101の生産性が低下する。
これに対し、第1実施形態では、発光素子20から放出される光と、蛍光体32から放出される光と、を含む混合色(白色光)の色度が目的とする色度でない場合、または、X−Y平面内における混合色の色度分布が目的とする分布でない場合には、カバー層33を基板10から取り外し、樹脂31中の蛍光体32の含有量を容易に変えることができる。これは、樹脂31が常温以上で、液状だからである。また、カバー層33は、基板10に対して局部的に接合している。これにより、カバー層33を基板10から簡便に剥がせるからである。
第1実施形態では、色度または色度分布が目的に収まらない発光装置1については、樹脂31中の蛍光体32の含有量を変え、発光素子20と、基板10とを再利用することができる。これにより、発光装置1の生産性が向上する。
また、樹脂31においては、常温で液状である。これにより、蛍光体32を樹脂31を再調合するとき、樹脂31を高温に加熱して溶融する必要がない。
また、第1実施形態では、レンズ30が樹脂31と蛍光体32とを含む。これにより、第2参考例のように、レンズ300が取り付けられる前後で色度が変化する現象が起きない。これにより、第1実施形態では、色度調整の誤差が少なくなる。
また、樹脂31は、絶縁性を有する。これにより、カバー層33内では、例えば、電極20pと電極20pとの電気的短絡が起きない。
また、発光素子20または蛍光体32から発せられる熱により、樹脂31がカバー層33内で対流する。これにより、蛍光体32が樹脂31に略均一に分散される。
(第2実施形態)
図8(a)は、第2実施形態に係る発光装置の一部を表す模式的断面図である。図8(b)は、第2実施形態に係る発光装置の一部を表す模式的断面図である。
図8(a)に表す発光装置2は、発光装置1と同じ構成要素を含む。発光装置2は、発光装置1と同じ作用をする。さらに、発光装置2では、基板10の外端部10eにおいて、基板10の側面10wから基板10の中心に向かう凹部10cが設けられている。
凹部10cには、カバー層33に設けた凸部33tが嵌合する。凸部33tは、カバー層33の一部である。カバー層33は、基板10の側面10wに接している。発光装置2では、接合剤40が設けられていない。発光装置2では、カバー層33の凸部33tが基板10の凹部10cに嵌合することにより、蛍光体32と樹脂31とがカバー層33と基板10とによって封止される。
また、カバー層33は、樹脂を含み、柔軟性を有する。これによりカバー層33の凸部33tは、基板10の凹部10cから簡便に取り外すことができる(図8(b))。その結果、樹脂31を交換するときは、カバー層33を基板10からより簡便に外すことができる。さらに、カバー層33と基板10との間にO−リングを設け、ネジを用いてカバー層33と基板10とを接合してもよい。
(第3実施形態)
図9(a)は、第3実施形態に係る発光装置を表す模式的断面図である。図9(b)は、第3実施形態に係る発光装置を表す模式的断面図である。
図9(a)に表す発光装置3は、発光装置1と同じ構成要素を含む。発光装置3は、発光装置1と同じ作用をする。さらに、発光装置3のカバー層33には、孔33hが設けられている。孔33hは、発光素子20の上に位置している。孔33hは、カバー層33の最上に位置する。
また、図9(b)に表すように、孔33hは、閉塞部材33vによって閉じることができる。例えば、蛍光体32が分散された樹脂31がカバー層33内に導入された後、孔33hは、閉塞部材33vによって閉じられる。閉塞部材33vは、カバー層33の一部である。これにより、発光素子20、樹脂31、および蛍光体32は、基板10とカバー層33とによって封止される。閉塞部材33vとカバー層33との間には、接合剤を設けてもよい。
図10は、第3実施形態に係る発光装置の他の作用を表す模式的断面図である。
発光装置3においては、孔33hを通じて、蛍光体32が分散された樹脂31がカバー層33の内側に供給される。また、孔33hを通して、蛍光体32が分散された樹脂31がカバー層の外側に取り出されることが可能である。
例えば、蛍光体32が分散された樹脂31は、注入器200に充填されている。孔33hのX−Y平面における径は、例えば、注入器200のノズル201の径以上である。注入器200に充填された樹脂31は、注入器200のノズル201を通じてカバー層33内に導入される。また、カバー層33内に導入された樹脂31は、注入器200のノズル201を通じて、注入器200によって抜くことも可能である。
第3実施形態によれば、カバー層33を基板10から取り外すことなく、蛍光体32が分散された樹脂31を孔33hを通じて容易に交換できる。また、第3実施形態では、レンズ30の成型を要しない。これにより、蛍光体32が分散された樹脂31の交換がさらに簡便になる。
また、孔33hは、カバー層33の最上に位置する。これにより、孔33hが閉塞部材33vによって閉じられる前であっても、孔33hから樹脂31が漏れることはない。
図11(a)および図11(b)は、第3実施形態の別の例に係る発光装置を表す模式的断面図である。
例えば、図11(a)に表すように、閉塞部材33vは、カバー層33の横に設けてもよい。また、図11(b)に表すように、閉塞部材33vは、基板10に設けてもよい。これにより、発光素子20から発せられる光は、閉塞部材33vによって遮られ難くなり、発光効率がさらに増加する。
また、第3実施形態においては、樹脂31を固化させる必要がない。これにより、発光素子20として、フリップチップ型のほか、フェイスアップ型も採用でき、実装できる発光素子20の種類の自由度が増す。
(第4実施形態)
図12(a)は、第4実施形態に係る発光装置を表す模式的断面図である。図12(b)は、第4実施形態に係る発光装置を表す模式的断面図である。
図12(a)に表す発光装置4は、発光装置3と同じ構成要素を含む。発光装置4は、発光装置3と同じ作用をする。さらに、発光装置4においては、孔33hの近傍において、カバー層33の内壁33wに、弁36が設けられている。例えば、弁36の端36eは、カバー層33の内壁33wに接合されている。弁36は、シート状の樹脂である。弁36の厚さは、カバー層33の厚さより薄い。弁36は、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、およびガラス等の少なくともいずれかを含む。
例えば、注入器200のノズル201が孔33hに挿入されたときは、ノズル201が弁36と接触して、弁36とカバー層33との間に隙間が形成される。これにより、樹脂31は、注入器200のノズル201を通じてカバー層33内に導入される。
この後、注入器200のノズル201を孔33hから離したときの状態を、図12(b)に表す。弁36は、カバー層33内の樹脂31の圧力によって、カバー層33の内壁33wに接触する。これにより、孔33hがカバー層33の内側から弁36によって閉じられる。
発光装置4においては、孔33hの位置の自由度が発光装置3に比べて増加する。例えば、孔33hおよび弁36の位置は、発光素子20の上とは限らない。孔33hおよび弁36の位置は、カバー層33の横に設けられてもよい。孔33hがカバー層33の横に設けられても、孔33hの近傍に弁36があるので、孔33hが弁36によって閉じられる。つまり、孔33hがカバー層33の横に設けられても、孔33hから樹脂31が漏れることはない。
例えば、図13(a)および図13(b)は、第4実施形態の別の例に係る発光装置を表す模式的断面図である。
図13(a)に表すように、弁36は、カバー層33の横に設けてもよい。また、図13(b)に表すように、基板10に孔10hを設け、弁36を基板10に設けてもよい。これにより、発光素子20から発せられる光は、弁36によって遮られ難くなり、発光効率がさらに増加する。また、第4実施形態においても、樹脂31を固化させる必要がない。これにより、発光素子20として、フリップチップ型のほか、フェイスアップ型も採用でき、実装できる発光素子20の種類の自由度が増す。
(第5実施形態)
図14(a)は、第5実施形態に係る発光装置を表す模式的断面図である。図14(b)は、第5実施形態に係る発光装置を表す模式的断面図である。
第1〜第4実施形態においては、蛍光体32が液状の樹脂31に分散されている。樹脂31内での蛍光体32の沈降を確実に抑制するために、第5実施形態に係る発光装置5A、5Bが提供される。
例えば、図14(a)に表す発光装置5Aは、カバー層33が帯電したとき、静電力によって樹脂31内の蛍光体32がカバー層33の側に引き寄せられる構造を有する。これにより、樹脂31内での蛍光体32の沈降が確実に抑制される。また、発光装置5Aでは、蛍光体32が発光素子20から離れ、カバー層33の側に位置する。これにより、発光装置5Aでは、リモートフォスファ効果が増す。
また、図14(b)に表す発光装置5Bのように、カバー層33と樹脂31との間に透明電極37を設けてもよい。透明電極37は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)を含む。透明電極37に静電位が印加されたとき、静電力によって樹脂31内の蛍光体32がカバー層33の側に引き寄せられる。これにより、樹脂31内での蛍光体32の沈降が確実に抑制される。また、この構造でも、蛍光体32が発光素子20から離れ、カバー層33の側に寄る。これにより、リモートフォスファ効果が増す。
例えば、蛍光体32は、発光素子20および蛍光体32から発せられる熱によって、樹脂31内を対流する。そして、対流によって、蛍光体32が樹脂31内で略均一に分散する。これにより、樹脂31内での蛍光体32の沈降が確実に抑制される。
本実施形態において「窒化物半導体」とは、総括的に、BInAlGa1−x−y−zN(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1,x+y+z≦1)なる化学式において組成比x、yおよびzをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、N(窒素)以外のV族元素もさらに含むもの、導電形などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、および、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。
上記の実施形態では、「AはBの上に設けられている」と表現された場合の「の上に」とは、AがBに接触して、AがBの上に設けられている場合の他に、AがBに接触せず、AがBの上方に設けられている場合との意味で用いられる場合がある。また、「AはBの上に設けられている」は、AとBとを反転させてAがBの下に位置した場合や、AとBとが横に並んだ場合にも適用される場合がある。これは、実施形態に係る半導体装置を回転しても、回転前後において半導体装置の構造は変わらないからである。
以上、具体例を参照しつつ実施形態について説明した。しかし、実施形態はこれらの具体例に限定されるものではない。すなわち、これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、実施形態の特徴を備えている限り、実施形態の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
また、前述した各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて複合させることができ、これらを組み合わせたものも実施形態の特徴を含む限り実施形態の範囲に包含される。その他、実施形態の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても実施形態の範囲に属するものと了解される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1、2、3、4、5A、5B、100、101 発光装置、 10 基板、 10u 上面、 10d 下面、 10e 外端部、 10c 凹部、 10w 側面、 11 基材、 12n、12p 金属層、 20 発光素子、 20n、20p 電極、 30 レンズ、 31 樹脂、 32 蛍光体、 33 カバー層、 33d 下端、 33h 孔、 33t 凸部、 33v 閉塞部材、 33w 内壁、 35A 第1樹脂成形体、 35B 第2樹脂成形体、 36 弁、 36e 端、 37 透明電極、 40 接合剤、 90 型、 90u 第1型、 90d 第2型、 90h 導入口、 90s スペース、 90dw、90uw 内壁、 101 筐体、 101c 凹部、 131 樹脂層、 200 注入器、 201 ノズル、 300 レンズ、 300d 下面、 310 樹脂シート


Claims (7)

  1. 基板と、
    前記基板の上に設けられた発光素子と、
    前記基板の上および前記発光素子の上に設けられたレンズであって、液状の樹脂と、蛍光体と、カバー層と、を含み、前記蛍光体は、前記樹脂に分散されているレンズと、
    を備え、
    前記発光素子、前記樹脂、および前記蛍光体は、前記基板と前記カバー層とによって封止されている発光装置。
  2. 接合剤をさらに備え、
    前記接合剤によって前記基板の外端部に前記カバー層の下端が接合されている請求項1記載の発光装置。
  3. 前記カバー層に孔が設けられ、
    前記孔を通して、前記蛍光体が分散された前記樹脂が前記カバー層の内側に供給され、または、前記孔を通して、前記蛍光体が分散された前記樹脂が前記カバー層の外側に取り出されることが可能である請求項1または2に記載の発光装置。
  4. 前記孔は、前記発光素子の上に位置している請求項3記載の発光装置。
  5. 蛍光体が分散され、温度により粘性が変化する液状の樹脂であって、前記樹脂を型に導入し、前記樹脂を冷却することによって、レンズ状で前記蛍光体が分散された第1樹脂成形体を形成する工程と、
    前記第1樹脂成形体を、発光素子が設けられた基板の上に載置する工程と、
    前記第1樹脂成形体をカバー層で覆い、前記第1樹脂成形体および前記発光素子を、前記カバー層と前記基板とによって封止する工程と、
    を備えた発光装置の製造方法。
  6. 前記第1樹脂成形体が前記カバー層内で前記樹脂に転移した後において、
    前記発光素子から放出される光と、前記蛍光体から放出される光と、を含む光の色度が目的とする色度でない場合、前記カバー層を前記基板から除き、前記蛍光体が分散された前記樹脂を前記基板および前記発光素子から除去する工程をさらに備えた請求項5記載の発光装置の製造方法。
  7. 前記蛍光体の含有量を変えた前記樹脂を前記型に導入し、前記樹脂を冷却することによって、レンズ状の第2樹脂成形体を形成する工程と、
    前記第2樹脂成形体を、前記発光素子が設けられた前記基板の上に載置する工程と、
    前記第2樹脂成形体を前記カバー層で覆い、前記第2樹脂成形体および前記発光素子を、前記カバー層と前記基板とによって封止する工程と、
    をさらに備えた請求項6記載の発光装置の製造方法。
JP2015180109A 2015-09-11 2015-09-11 発光装置およびその製造方法 Pending JP2017055088A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015180109A JP2017055088A (ja) 2015-09-11 2015-09-11 発光装置およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015180109A JP2017055088A (ja) 2015-09-11 2015-09-11 発光装置およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2017055088A true JP2017055088A (ja) 2017-03-16

Family

ID=58317495

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015180109A Pending JP2017055088A (ja) 2015-09-11 2015-09-11 発光装置およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2017055088A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019096842A (ja) * 2017-11-28 2019-06-20 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2020092149A (ja) * 2018-12-04 2020-06-11 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP2020092150A (ja) * 2018-12-04 2020-06-11 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP2021036623A (ja) * 2020-12-04 2021-03-04 日亜化学工業株式会社 発光装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019096842A (ja) * 2017-11-28 2019-06-20 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10586899B2 (en) 2017-11-28 2020-03-10 Nichia Corporation Light-emitting device
JP2020092149A (ja) * 2018-12-04 2020-06-11 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP2020092150A (ja) * 2018-12-04 2020-06-11 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP7211784B2 (ja) 2018-12-04 2023-01-24 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP7211783B2 (ja) 2018-12-04 2023-01-24 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP2021036623A (ja) * 2020-12-04 2021-03-04 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7001946B2 (ja) 2020-12-04 2022-01-20 日亜化学工業株式会社 発光装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7847302B2 (en) Blue LED with phosphor layer for producing white light and different phosphor in outer lens for reducing color temperature
CN105304805B (zh) 发光器件封装
US9691950B2 (en) Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
US9310062B2 (en) Light-emitting device and method of manufacturing the same
US8890199B2 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
KR20110066202A (ko) 증가된 광 추출 및 황색이 아닌 오프 상태 컬러를 위한 인캡슐런트 내의 입자들을 갖는 led
JP6066253B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP2003110153A (ja) 蛍光体変換発光素子
JP2008060542A (ja) 発光装置、発光装置の製造方法、及びこれを備えた光源装置
JP2007165787A (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2017055088A (ja) 発光装置およびその製造方法
US9761769B2 (en) Assembly that emits electromagnetic radiation and method of producing an assembly that emits electromagnetic radiation
JP7179923B2 (ja) 発光装置および調色装置
KR20140010927A (ko) 실리콘에 현탁되고 몰딩/성형되고 원격 형광체 구조에 사용되는 인광체
US20220238761A1 (en) Light-emitting device and method for manufacturing same
US9472730B2 (en) Light emitting device
TWI646706B (zh) 發光二極體晶片封裝體
JP5750538B1 (ja) Led発光装置
US11189769B2 (en) Light emitting device package with reflective side coating
WO2013153945A1 (ja) 発光装置およびその製造方法
WO2018023027A1 (en) Light emitting device package with reflective side coating
CN109075234B (zh) 发光装置及其制造方法
US10333041B2 (en) Integrated light-emitting package
JP7444718B2 (ja) 発光装置
KR101554904B1 (ko) 방열성능이 우수한 발광 다이오드 패키지의 제조방법