JP6066253B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、発光装置の製造方法に関する。
発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）チップを用いた発光装置（ＬＥＤランプ）の一般照明用途への展開が急速に進む中、配線基板上にＬＥＤチップを実装し、ＬＥＤチップの表面を個々に蛍光体層で被覆した構造のものが、高価な蛍光体の使用量が少なくてすむことから注目されている。
一方、ＬＥＤランプは、年々、ハイパワー化が進んでおり、蛍光体自身のストークス損による発熱も問題となるレベルになってきている。このような蛍光体自身のエネルギー損失による熱を効率よく逃がすためには、上記蛍光体層をＬＥＤチップの表面形状に沿った被覆、いわゆるコンフォーマルコーティングとして、蛍光体からＬＥＤチップへの熱伝導を良くすることが望ましい。また、コンフォーマルコーティングとすることにより、色ムラ等の発生も抑えられる。
しかしながら、ＬＥＤチップのような小さな素子の表面にコンフォーマルコーティングを施すことは非常に難しく、特に、０．２ｍｍ×０．２ｍｍのような微小サイズのチップの場合、さらに困難であった。
特開平１０−３１９８７７号公報
本発明が解決しようとする課題は、微小サイズのＬＥＤチップであってもコンフォーマル性の高い蛍光体層を形成することができ、放熱性に優れ、また色ムラ等の少ない発光装置を製造することができる方法を提供することにある。
実施形態の発光装置の製造方法は、基板上に発光素子を搭載する第一工程と、前記発光素子から放射される光により励起されて発光するミクロンオーダの蛍光体粒子を液状透明樹脂に分散させ、この分散液を静電塗布または静電噴霧することにより、前記発光素子の上面に前記蛍光体粒子を含む層を形成する第二工程とを具備し、前記発光素子は絶縁性の素子基板上に半導体発光層を形成したＬＥＤであり、ＬＥＤが実装された基板とノズルの間にパルス電圧をかけ、その静電力でノズル先端の液材を微小液滴として引き出し、電界によって基板に引き寄せ、かつ、ノズル先端の基板に対する位置を水平方向に相対的に移動させる又はその角度を相対的に変化させることによりＬＥＤに塗布すると共に、前記ＬＥＤの半導体発光層上には１対の素子電極が形成されており、前記蛍光体粒子を含む層を、１対の素子電極形成部を除くＬＥＤ上面とそれに続く半導体発光層の側面を含む角部のみに選択的に形成する。
本発明によれば、微小サイズのＬＥＤチップであってもコンフォーマル性の高い蛍光体層を形成することができ、放熱性に優れ、また色ムラ等が少ない発光装置を製造することが可能となる。
実施形態により製造される発光装置の一例を示す断面図である。 図１に示す発光装置の要部を拡大して示す図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図である。 実施形態に使用される静電塗布装置の一例を概略的に示す図である。 図１に示す発光装置の変形例を示す断面図である。 図１に示す発光装置の他の変形例を示す断面図である。 他の実施形態により製造される発光装置の一例を示す断面図である。 図７に示す発光装置の要部を拡大して示す断面図である。 比較例により製造された発光装置の例を示す断面図である。
以下、図面を参照して、実施形態を説明する。なお、以下の図面の記載において、特に断らない限り、同一要素または同一機能を有する要素には同一符号を付しており、重複する説明を省略する。
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態により製造される発光装置の一例を示す断面図、図２はその要部を拡大して示す図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
図１および図２に示す発光装置１０は、基板１と、その上に形成された配線層２と、発光素子としてのＬＥＤチップ３と、蛍光体層４とを備えている。
基板１は、例えば、放熱性と剛性を有するアルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ガラスエポキシ、セラミック等の平板からなる。
基板１は、０．５〜１．５ｍｍの厚さを有することが好ましい。また、基板１は、２５℃における熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましい。基板１の厚さが０．５ｍｍ未満の場合には、強度が不十分で、器具等への取り付けや動作中に割れが生じるおそれがある。また、基板１の厚さが１．５ｍｍを超えると、熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であっても基板１全体としての放熱性が不十分となるおそれがある。基板１の熱伝導率は、例えば、熱抵抗測定装置を用いて、ジャンクション温度と基板最冷点との温度差と構造から算出することができる。
配線層２は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）等の導体金属を主体とする層である。配線層２は、例えば、Ａｇ等の導電体粉末（微粒子）を含むペースト（インク）を、基板１の表面に所望のパターンで印刷（スクリーン印刷、インクジェット印刷等）した後、塗布層を乾燥・焼成することにより形成することができる。
発光素子であるＬＥＤチップ３としては、例えば、主波長が４２０〜４８０ｎｍ（例えば４６０ｎｍ）の青色光を発するＬＥＤチップ、紫外線を発するＬＥＤチップ等が用いられる。ただし、これらに限定されるものではなく、光を放射し、その放射した光により蛍光体を励起して可視光を発光するものであればよく、発光装置１０の用途や、目的とする発光色等に応じて、種々の発光素子を使用することができる。
ＬＥＤチップ３は、絶縁性の素子基板３ａ上に半導体発光層３ｂを形成し、さらにその上に１対の電極３ｃ，３ｃを形成した構造を有する。ＬＥＤチップ３は、基板１上に接着剤５により接着（ダイボンド）されており、１対の電極３ｃ，３ｃがそれぞれ配線層２と金線のようなボンディングワイヤ６を介して接続されている。すなわち、ＬＥＤチップ３は、基板１にフェイスアップ、つまり、半導体発光層３ｂ形成側の表面を上に向けて搭載されている。
蛍光体層４は、このように基板１にフェイスアップで搭載されたＬＥＤチップ３の上面およびそれに続く角部３ｄに、１種または２種以上の蛍光体粒子を液状透明樹脂に分散させた分散液を静電塗布し、その後、塗布した樹脂を硬化させることにより形成されている。静電塗布を用いることで、蛍光体層４は、図２に示すように、素子電極３ｃ，３ｃ形成部を除くＬＥＤチップ３上面と、それに続く角部３ｄ上に、均一乃至略均一な厚さに形成されている。なお、本明細書中、蛍光体層について「均一乃至略均一な厚さ」というときは、発光装置を発光させたときに、後述するような「色ムラ」が生じない厚さをいう。
図３は、蛍光体層４の形成に使用される静電塗布装置３０の一例を概略的に示す図である。この静電塗布装置３０は、ＬＥＤチップ３が実装された基板１と噴霧ノズル３１との間にパルス電圧をかけ、その静電力で、噴霧ノズル３１先端の液材（ここでは、蛍光体粒子を液状透明樹脂に分散させた分散液）３２を微小液滴３３、例えば５０〜１００μｍの液滴として引き出し、電界によって基板１に引き寄せ、基板１上のＬＥＤチップ３に塗布できるようにしたものである。このような静電塗布装置においては、噴霧ノズル３１先端の基板１に対する位置を水平方向に相対的に移動させたり、その向き（角度）を相対的に変化させることにより、ＬＥＤチップ３上面から側面の所要の領域に液材３２を塗布することができ、この塗布した液材を硬化させることで、均一乃至略均一な膜（ここでは、蛍光体層４）を形成することができる。本実施形態では、液材３２を素子電極３ｃ，３ｃ形成部を除くＬＥＤチップ３上面上、およびそれに続く角部３ｄ上に塗布しており、それらの領域に、均一乃至略均一な厚さの蛍光体層４が形成されている。なお、図３中、符号３４は、パルス電圧発生装置を示している。このパルス電圧発生装置３４により基板１と噴霧ノズル３１との間に印加されるパルス電圧で、ＬＥＤチップ３が破損したり、その機能が喪失したりすることはない。
上記静電塗布に用いる液状透明樹脂としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。なかでも、耐光性、耐熱性等の観点から、シリコーン樹脂の使用が好ましい。
蛍光体としては、ＬＥＤチップ３からの光により励起される各種蛍光体が使用される。例えば、青色光により励起される蛍光体としては、黄色光乃至橙色光を発する、例えばＲＥ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体（ＲＥはＹ、ＧｄおよびＬａから選ばれる少なくとも１種を示す。以下同じ）等のＹＡＧ蛍光体、ＡＥ２ＳｉＯ４：Ｅｕ蛍光体（ＡＥはＳｒ、Ｂａ、Ｃａ等のアルカリ土類元素である。以下同じ）等のケイ酸塩蛍光体、サイアロン系蛍光体（例えば、ＣａｘＳｉｙＡｌｚＯＮ：Ｅｕ２＋）等の黄色系蛍光体、演色性等の向上を図るために、そのような黄色系蛍光体とともに用いられる、例えばＲＥ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体（ＲＥはＹ、ＧｄおよびＬａから選ばれる少なくとも１種を示す。以下同じ）等のＹＡＧ蛍光体、ＡＥ２ＳｉＯ４：Ｅｕ蛍光体（ＡＥはＳｒ、Ｂａ、Ｃａ等のアルカリ土類元素である。以下同じ）等のケイ酸塩蛍光体、サイアロン系蛍光体（例えば、ＣａｘＳｉｙＡｌｚＯＮ：Ｅｕ２＋）、窒化物系蛍光体（ＣＡＳＮ）（例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）等の赤色発光体等が使用される。
また、紫外光により励起される蛍光体としては、例えばＬａ２Ｏ３Ｓ：Ｅｕ３＋蛍光体等の酸硫化物蛍光体、例えばマンガン付活マグネシウムフルオロジャーマネート（２．５ＭｇＯ・ＭｇＦ２：Ｍｎ４＋）等のジャーマネート系蛍光体、窒化物系蛍光体（例えば、ＡＥ２Ｓｉ５Ｎ８：ＥｕやＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）、酸窒化物系蛍光体（例えば、Ｙ２Ｓｉ３Ｏ３Ｎ４：Ｃｅ）、サイアロン系蛍光体（例えばＡＥｘ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｎ，Ｏ）１６：Ｅｕ）等が使用される。これらの蛍光体は、目的とする発光装置１０の発光色等に応じて適宜選択されて使用される。
蛍光体粒子は、ミクロンオーダ、すなわち、数μｍ〜数十μｍ程度の粒径のものが使用される。蛍光体粒子は、平均粒径が３〜２０μｍであることが好ましく、３〜１０μｍであることがより好ましい。蛍光体粒子の平均粒径が３μｍ未満では、蛍光体自身の外部量子効率が低下して発光効率が低下する。また、平均粒径が２０μｍを超えると、液滴の粒径が大きくなって、ＬＥＤチップ３のサイズによっては、上記のような均一な厚さで、所要の領域に選択的に塗布することが困難になるおそれがある。また、平均粒径が２０μｍを超える粒子を長時間、樹脂中に沈降させることなく分散させておくことは困難である。上記蛍光体の粒径および平均粒径は、例えば、レーザー回折式粒度分布測定装置により求めることができ、平均粒径については、同装置で測定された粒度分布において積算重量が５０％になる粒径である。
なお、図１および図２では、蛍光体層４は、１種または２種以上の蛍光体粒子を液状透明樹脂に均一に分散させた１種類の分散液を用いて全体が均質な層に形成されているが、組成の異なる２種類以上の分散液を用いて、例えば、図４や図５に示すように、領域によって異なる蛍光体等を含有するようにしてもよい。図４の例では、ＬＥＤチップ３の上面が２つの領域に分けられ、それぞれ互いに異なる蛍光体を含有する蛍光体層４１，４２が形成されている。また、図５の例では、異なる蛍光体を含有する蛍光体層４１，４２が上下に積層されるように設けられている。
また、蛍光体層４の熱伝導性を高める目的で、上記分散液には、蛍光体粒子とともに、熱伝導性が良好で光透過性を有する無機フィラーを含有させることができる。無機フィラーは、熱伝導性が良好で光透過性を有するものであればよく、例えば、シリカ、酸化タンタル（ＴａＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の粉末が使用される。これらの無機フィラーは、単独または２種以上混合して使用することができる。無機フィラーは、用いる蛍光体より粒径の小さいものを使用することが好ましい。このような蛍光体より粒径の小さい無機フィラーを用いることにより、蛍光体の粒子間の隙間を埋め、各蛍光体粒子が発した熱のＬＥＤチップへの伝達性を高めることができる。無機フィラーの粒径は、例えば、レーザー回折式粒度分布測定装置により求めることができる。無機フィラーは、サブミクロンオーダ、つまり数百ｎｍ程度の粒径を有するもの使用することがより好ましい。
このような発光装置１０においては、蛍光体層４を静電塗布により形成したことで、蛍光体層４は、素子電極３ｃ，３ｃ形成部を除くＬＥＤチップ３上面と、それに続く角部３ｄ上に、略均一な厚さに形成されている。このため、蛍光体からＬＥＤチップ３への熱伝導が良くなり、放熱性を向上させることができる。したがって、近年の発光装置のハイパワー化にも十分対応可能で、大光量で高効率の発光を実現することができる。また、蛍光体が過度に付着することがないので、蛍光体量を減らすことができる。
さらに、厚さが均一であるため、色ムラの発生を抑制することができる。また、厚さが不均一で、ＬＥＤチップ３の角部３ｄ上に蛍光体層４が設けられていなかったり、あるいはその厚さが不十分であったりすると、ＬＥＤチップ３から放射される光が角部３ｄから外部に漏れて、例えば、青色光を発するＬＥＤチップの場合にいわゆるブルーリング現象が生ずるおそれがある。本実施形態の発光装置１０では、角部３ｄにも所要の、上面と略同じ厚さの蛍光体層が設けられているので、このようなブルーリング現象が生ずることはない。
本実施形態においては、特に、ＬＥＤチップ３が、例えば０．２ｍｍ×０．２ｍｍのように面積０．０４ｍｍ２の微小サイズのものであっても、蛍光体層４を、均一な厚さに、しかも所要の領域に選択的に形成することができる利点を有する。すなわち、このような微小サイズのＬＥＤチップでは、例えばジェットディスペンサ法を用いた場合、液滴の大きさが大きい（最小で２００μｍ程度）ため、均一な厚さに、しかも所要の領域に選択的に形成することは略不可能である。また、スプレーコート法では、マスクを用いることで選択的領域への塗布が可能であるが、この方法は本来大面積に塗布する方法であり、１チップ毎に塗布する方法としては適していない。また、チップ側面への塗布も困難である。これに対し、静電塗布では、前述したように、５０〜１００μｍの液滴で塗布できるため、ＬＥＤチップが微小サイズのものであっても、所要の領域に選択的に、かつ均一乃至略均一な厚さに塗布することができる。
なお、本実施形態に係る発光装置１０では、蛍光体層４をＬＥＤチップ３の上面および角部３ｄにのみ形成している。これは、本実施形態では、ＬＥＤチップ３をフェイスアップで基板１上に搭載しており、この場合、ＬＥＤチップ３の半導体発光層３ｂは上面側に存在し、ＬＥＤチップ３からの光は、ＬＥＤチップ３の上面と、それに続く角部３ｄからのみ放出されるからである。本実施形態においては、蛍光体層４の形成に静電塗布を用いたことで、かかる選択的塗布も容易に行うことができ、ＬＥＤチップ３の表面全体に蛍光体層を設ける場合に比べて、蛍光体の使用量を減らすことができ、しかも、良好な発光特性を有する発光装置１０を得ることができる。
（第２の実施形態）
図６は、第２の実施形態により製造される発光装置の一例を示す断面図、図７はその要部を拡大して示す断面図である。なお、本実施形態においては、重複する説明を避けるため、第１の実施形態と共通する点については説明を省略または簡略化し、相違点を中心に説明する。
図６および図７に示す発光装置２０は、基板１と、その上に形成された配線層（図示なし）と、発光素子としてのＬＥＤチップ３と、蛍光体層４とを備えている。
この発光装置２０においては、ＬＥＤチップ３は、基板１にフェイスダウンで、つまり、ＬＥＤチップ３の素子電極３ｃを基板１上の配線層の電極２ａに直接接続するフリップチップ実装により搭載されている。この場合、ＬＥＤチップ３に形成された半導体発光層３ｂは基板１側に位置することになり、半導体発光層３ｂから出た光は、上面（ここでは、素子電極３ｃが形成されている面と反対側の面をいう）のみならず、側面からも放出されることになる。したがって、この発光装置２０では、蛍光体層４は、ＬＥＤチップ３の表面全体を覆うように、つまり、ＬＥＤチップ３の上面上、側面上および角部３ｂ上のすべてに設けられている。そして、本実施形態においても、蛍光体層４は、例えば、図３に示すような静電塗布装置３０により静電塗布し、これを硬化させることにより形成されており、略均一な厚さに形成されている。
なお、図示は省略したが、本実施形態においても、第１の実施形態と同様、蛍光体層４を、組成の異なる２種類以上の分散液を用いて、領域によって異なる蛍光体等を含有するようにしてもよい。
また、蛍光体層４の熱伝導性を高める目的で、分散液には、蛍光体粒子とともに、熱伝導性が良好で光透過性を有する無機フィラー、例えば、シリカ、酸化タンタル（ＴａＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の粉末を含有させることができる。無機フィラーは、用いる蛍光体より粒径の小さいものを使用することが好ましい。
第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様、蛍光体層４を静電塗布により形成するので、略均一な厚さに形成することができ、蛍光体からＬＥＤチップ３への熱伝導を良くし、放熱性を向上させることができる。したがって、近年の発光装置のハイパワー化にも十分対応可能で、大光量で高効率の発光を実現することができる。また、蛍光体が過度に付着することがないので、蛍光体量を減らすことができる。
さらに、厚さが均一であるため、色ムラの発生を抑制することができる。また、ＬＥＤチップ３の角部３ｄ上に蛍光体層４が十分に設けられていなかったりした場合の、ブルーリング現象等の発生も防止することができる。
また、ＬＥＤチップ３が、例えば０．２ｍｍ×０．２ｍｍのように面積０．０４ｍｍ２の微小サイズのものであっても、蛍光体層４を、均一な厚さに形成することができる。
以上説明した実施形態では、いずれも蛍光体層を蛍光体粒子を液状透明樹脂に分散させた分散液を静電塗布することによって形成しているが、静電塗布に代えて静電噴霧を用いることもできる。静電噴霧は液滴を帯電させることによって微小化して噴霧するもので、静電塗布と同様、均一乃至略均一な膜（蛍光体層）を形成することができる。
ただし、静電噴霧では、対象物（ＬＥＤチップ）の上方から下方に拡がるように噴霧されるため、その側面まで均一な膜を形成することはやや難しい。したがって、上記第２の実施形態のように、ＬＥＤチップの側面にまで蛍光体層を形成する必要がある場合には、静電塗布を用いることが好ましい。第１の実施形態のように、ＬＥＤチップの上面とそれに続く角部に蛍光体層を形成する場合には、静電塗布及び静電噴霧のいずれの方法であってもよい。
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、この実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
次に、本発明の具体的実施例およびその評価結果について記載する。
（実施例１）
Ａｇ配線層を設けたセラミックス基板上に、波長４５０〜４６０ｎｍの青色光を発する青色ＬＥＤチップ（５７５μｍ×３２５μｍ×１７０μｍ、電極パッドφ７０μｍ）を複数個、シリコーン系接着剤で接着するとともに、ワイヤーボンディングにより青色ＬＥＤチップとセラミック基板上のＡｇ配線層とを電気的に接合した。
また、上記青色光で励起されて発光する平均粒径（Ｄ５０）１１μｍのミクロンオーダの蛍光体をシリコーン樹脂中に混合し分散させた。
この分散液を図３に示す静電塗布装置（噴霧ノズル先端径：１．６ｍｍ）３０を用いて、上記セラミックス基板上のＬＥＤチップの上面及びそれに続く角部（電極パッド上を除く）に静電塗布し硬化させたところ、ＬＥＤチップ上面及びそれに続く角部（電極パッド上を除く）に略均一な厚さの蛍光体層を有する発光装置１０が製造された。
得られた発光装置１０を発光させたところ、色ムラのない光が得られ、ブルーリング現象も観察されなかった。
比較例１として、静電塗布装置３０に代えてジェットディスペンサ（液滴径：約２００μｍ）を用いた以外は実施例１と同様にして、実施例１と同一構成の発光装置の製造を試みたが、ＬＥＤチップ上面及びそれに続く角部（電極パッド上を除く）に均一な厚さの蛍光体層を形成することはできなかった。
すなわち、ＬＥＤチップ３上面の電極パッド間に液滴を２回塗布した場合には、図８（ａ）に示すように、ボンディングワイヤ６部分にも分散液が付着し、断面凹状の蛍光体層４Ａが形成された。また、ＬＥＤチップ３上面の電極パッド間に液滴を１回塗布した場合には、図８（ｂ）に示すように、断面凸状の蛍光体層４Ｂが形成された。いずれの場合も、ＬＥＤチップ３の角部３ｄに蛍光体層４Ｂはほとんど形成されることはなかった。
これらの比較例１で得られた発光装置（図８（ａ）および図８（ｂ）に示す発光装置）を発光させたところ、いずれも色ムラが認められ、さらにブルーリング現象も観察された。
（実施例２）
ＬＥＤチップ３として、青色ＬＥＤチップ（２００μｍ×２００μｍ×１７０μｍ、電極パッドφ７０μｍ）を用いた以外は実施例１と同様にして、発光装置を製造したところ、実施例１と同様、セラミックス基板上のＬＥＤチップの上面及びそれに続く角部（電極パッド上を除く）に均一な厚さの蛍光体層を形成することができた。また、得られた発光装置を発光させたところ、色ムラのない光が得られ、ブルーリング現象も観察されなかった。
（実施例３）
ＬＥＤチップ３として、青色ＬＥＤチップ（８００μｍ×８００μｍ×１７０μｍ、電極パッドφ１５０μｍ）を用い、このＬＥＤチップをセラミックス基板１上にＡｕＳｎフリップチップ接合するとともに、図３に示す静電塗布装置（噴霧ノズル先端径：１．６ｍｍ）３０を用いて、セラミックス基板上のＬＥＤチップの上面、側面およびそれらの角部に、実施例１と同様に調製した蛍光体含有分散液を塗布し硬化させたところ、ＬＥＤチップ上面、側面および角部に略均一な厚さの蛍光体層を有する発光装置が製造された。得られた発光装置を発光させたところ、色ムラのない光が得られ、ブルーリング現象も観察されなかった。
１…基板、２…配線層、３…ＬＥＤチップ、３ａ…素子基板、３ｂ…半導体発光層、３ｃ…素子電極、３ｄ…角部、４…蛍光体層、６…ボンディングワイヤ、１０，２０…発光装置、３０…静電塗布装置。

Claims (4)

  1. 基板上に発光素子を搭載する第一工程と；
    前記発光素子から放射される光により励起されて発光するミクロンオーダの蛍光体粒子を液状透明樹脂に分散させ、この分散液を静電塗布または静電噴霧することにより、前記発光素子の上面に前記蛍光体粒子を含む層を形成する第二工程と；
    を具備し、
    前記発光素子は絶縁性の素子基板上に半導体発光層を形成したＬＥＤであり、ＬＥＤが実装された基板とノズルの間にパルス電圧をかけ、その静電力でノズル先端の液材を微小液滴として引き出し、電界によって基板に引き寄せ、かつ、ノズル先端の基板に対する位置を水平方向に相対的に移動させる又はその角度を相対的に変化させることによりＬＥＤに塗布すると共に、
    前記ＬＥＤの半導体発光層上には１対の素子電極が形成されており、前記蛍光体粒子を含む層を、１対の素子電極形成部を除くＬＥＤ上面とそれに続く半導体発光層の側面を含む角部のみに選択的に形成することを特徴とする発光装置の製造方法。
  2. 前記第一工程において、前記発光素子は前記基板上にフェイスアップで搭載されることを特徴とする請求項１記載の発光装置の製造方法。
  3. 前記第二工程において、前記分散液に前記蛍光体粒子とともにサブミクロンオーダの熱伝導性フィラーをさらに分散させることを特徴とする請求項１又は２項記載の発光装置の製造方法。
  4. 前記第二工程は、第１の蛍光体粒子を分散させた第１の分散液を静電塗布または静電噴霧する工程と、第２の蛍光体粒子を分散させた第２の分散液を静電塗布または静電噴霧する工程とを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の発光装置の製造方法。
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