JP2020092150A - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体発光素子の側面から出射される光の損失を抑えることを可能とした半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子３と、半導体発光素子３が実装される基板２Ａと、半導体発光素子３を覆うと共に、蛍光体４を含有した封止樹脂５とを備え、基板２Ａは、半導体発光素子３が実装される一面２ａ側とは反対の他面２ｂ側に設けられた一対の端子電極と、一対の端子電極の間に位置して一面２ａと他面２ｂとの間を貫通した一対の孔部１１ａ，１１ｂとを有し、封止樹脂５は、一対の孔部１１ａ，１１ｂに埋め込まれた状態で、基板２Ａの一面２ａ側と他面２ｂ側との間に亘って設けられ、なお且つ、基板２Ａの一面２ａ側において、一対の孔部１１ａ，１１ｂの間で封止樹脂５が連続して設けられると共に、基板２Ａの他面２ｂ側において、一対の孔部１１ａ，１１ｂの間で封止樹脂５が分断して設けられている。
【選択図】図４

Description

本発明は、半導体発光装置及びその製造方法に関する。

近年、発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザーダイオード（ＬＤ）などの半導体発光素子と、この半導体発光素子が発する光（励起光）に励起されて光（蛍光光）を発する蛍光体とを組み合わせて、可視光（主に白色光）を出射することができる半導体発光装置が提案されている（例えば、下記特許文献１，２を参照。）。

このような半導体発光装置では、青色半導体発光素子が発する青色光と、この青色光により励起された黄色蛍光体が発する黄色光との混色により白色光を得たり、青色半導体発光素子が発する青色光と、この青色光により励起された緑色蛍光体及び赤色蛍光体が発する緑色光及び赤色光との混色により白色光を得たりすることが可能となっている。

国際公開第２０１５／０６８６５２号 特開２０１５−１６４２１６号公報

ところで、上述した半導体発光装置の中は、基板と、基板の一面側に実装された半導体発光素子と、半導体発光素子の少なくとも上面及び側面を覆うと共に、蛍光体を含有した封止樹脂とを備え、半導体発光素子の上面及び側面から出射された光によって、封止樹脂内に分散された蛍光体を励起させるものがある。

このような半導体発光装置では、封止樹脂の半導体発光素子を覆う厚みの均一性が重要となっている。すなわち、半導体発光素子の発光面となる上面及び側面を覆う封止樹脂に厚みムラが生じた場合、得られる白色光に色ムラや色度ズレが発生することになる。

このため、上記特許文献１に記載の発明では、ＬＥＤチップの上面及び側面を蛍光体シートで被覆した構造が提案されている。しかしながら、この構造の場合、蛍光体シートに皺や伸びが発生することで、蛍光体シートに厚みムラが発生してしまう。

一方、上記特許文献２に記載の発明では、回路基板上にフリップチップ実装されたＬＥＤ素子の発光面上に、蛍光体板と拡散板とを積層し、ＬＥＤ素子の側面と蛍光体板及び拡散板の側面とを反射性の白色部材で充填封止した構造が提案されている。しかしながら、この構造の場合、ＬＥＤ素子の側面から出射される光の損失が大きくなり、発光出力が低下することになる。

本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、半導体発光素子の側面から出射される光の損失を抑えることを可能とした半導体発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明は以下の手段を提供する。
〔１〕 半導体発光素子と、
前記半導体発光素子が実装される基板と、
前記半導体発光素子を覆うと共に、蛍光体を含有した封止樹脂とを備え、
前記基板は、前記半導体発光素子が実装される一面側とは反対の他面側に設けられた一対の端子電極と、前記一対の端子電極の間に位置して前記一面と前記他面との間を貫通した一対の孔部とを有し、
前記封止樹脂は、前記一対の孔部に埋め込まれた状態で、前記基板の一面側と他面側との間に亘って設けられ、
なお且つ、前記基板の一面側において、前記一対の孔部の間で前記封止樹脂が連続して設けられると共に、前記基板の他面側において、前記一対の孔部の間で前記封止樹脂が分断して設けられていることを特徴とする半導体発光装置。
〔２〕 前記基板の他面側において前記封止樹脂を分断する方向が、前記一対の端子電極が並ぶ方向となっていることを特徴とする前記〔１〕に記載の半導体発光装置。
〔３〕 前記基板の他面側に設けられて、前記一対の孔部の間で前記封止樹脂を分断する隔壁を備えることを特徴とする前記〔１〕又は〔２〕に記載の半導体発光装置。
〔４〕 前記一対の孔部は、前記半導体発光素子の輪郭と平面視で重なる位置又はその位置よりも外側に設けられていることを特徴とする前記〔１〕〜〔３〕の何れか一項に記載の半導体発光装置。
〔５〕 前記一対の孔部は、前記一対の端子電極が並ぶ方向とは交差する方向に並んで設けられていることを特徴とする前記〔１〕〜〔４〕の何れか一項に記載の半導体発光装置。
〔６〕 前記封止樹脂は、前記半導体発光素子の上面を覆う上面樹脂部と、
前記上面樹脂部に連続して前記半導体発光素子の側面を覆う側面樹脂部と、
前記一対の孔部に埋め込まれた埋込樹脂部と、
前記側面樹脂部と前記埋込樹脂部との間で連続して設けられた中継樹脂部とを有することを特徴とする前記〔１〕〜〔５〕の何れか一項に記載の半導体発光装置。
〔７〕 前記封止樹脂は、前記実装基板の他面側において、前記一対の端子電極の間に埋め込まれたランナー樹脂部を有し、
前記ランナー樹脂部は、前記隔壁により分断された状態で、前記一対の孔部に埋め込まれた前記埋込樹脂部と連続して設けられていることを特徴とする前記〔２〕〜〔６〕の何れか一項に記載の半導体発光装置。
〔８〕 半導体発光素子と、
前記半導体発光素子が実装される基板と、
前記半導体発光素子を覆うと共に、蛍光体を含有した封止樹脂とを備えた半導体発光装置の製造方法であって、
前記基板の一面側との間でキャビティ空間を形成する第１の金型と、前記基板の他面側との間でランナー空間を形成する第２の金型との間で、前記半導体発光素子が実装された前記基板を挟み込んだ状態とし、
前記基板を貫通する一対の孔部のうち、一方の孔部を通して前記ランナー空間から前記キャビティ空間に向けて、溶融した前記封止樹脂を導入すると共に、他方の孔部を通して前記キャビティ空間から前記ランナー空間に向けて、溶融した前記封止樹脂を導出し、
前記キャビティ空間及び前記ランナー空間に充填された前記封止樹脂が硬化した後に、前記基板を前記第１の金型及び前記第２の金型から離型する封止工程を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
〔９〕 前記基板の他面側において、前記一対の孔部の間で前記ランナー空間を分断する隔壁を設けることを特徴とする前記〔８〕に記載の半導体発光装置の製造方法。
〔１０〕 前記基板となる部分が複数並んで形成された母基板の一面側に、前記基板となる部分毎に前記半導体発光素子が複数並んで実装された前記半導体発光装置の中間体を準備する工程と、
前記中間体の前記基板となる部分に対して前記封止工程を連続して実施する工程と、
前記中間体を前記基板となる部分毎に切断することによって、個々の前記半導体発光装置に分割する工程とを含むことを特徴とする前記〔８〕又は〔９〕に記載の半導体発光装置の製造方法。
〔１１〕 前記中間体の前記基板となる部分に対して前記封止工程を連続して実施する際に、
前記母基板の前記基板となる部分毎に前記キャビティ空間が形成された前記第１の金型と、
前記母基板の前記溶融した封止樹脂を導入する方向において、互いに隣り合う一方の前記基板となる部分の前記他方の孔部と、他方の前記基板となる部分の前記一方の孔部との間で連続した前記第ランナー空間が形成された前記第２の金型とを用いることを特徴とする前記〔１０〕に記載の半導体発光装置の製造方法。
〔１２〕 前記母基板の前記溶融した封止樹脂を導入する方向が、前記基板の前記半導体発光素子が実装される一面側とは反対の他面側に設けられた一対の端子電極が並ぶ方向とは交差する方向であることを特徴とする前記〔１１〕に記載の半導体発光装置の製造方法。

以上のように、本発明によれば、半導体発光素子の側面から出射される光の損失を抑えることを可能とした半導体発光装置及びその製造方法を提供することが可能である。

本発明の第１の実施形態に係る半導体発光装置の上面図である。 図１に示す半導体発光装置の下面図である。 図１中に示す線分Ａ−Ａによる半導体発光装置の断面図である。 図１中に示す線分Ｂ−Ｂによる半導体発光装置の断面図である。 図１に示す半導体発光装置の製造工程を説明するための図であり、（Ａ）は中間体の平面図、（Ｂ）は線分Ｂ−Ｂによる中間体の断面図である。 図１に示す半導体発光装置の製造工程を説明するための図であり、第１の金型と第２の金型との間で中間体を挟み込む前の状態を示す断面図である。 図１に示す半導体発光装置の製造工程を説明するための図であり、第１の金型及び第２の金型と中間体との間に形成されるキャビティ空間及びランナー空間内に封止樹脂を充填した状態を示す断面図である。 図１に示す半導体発光装置の製造工程を説明するための図であり、（Ａ）は封止後の中間体の平面図、（Ｂ）は線分Ｂ−Ｂによる封止後の中間体の断面図である。 図１に示す半導体発光装置の製造工程を説明するための図であり、（Ａ）は切断後の中間体の平面図、（Ｂ）は線分Ｂ−Ｂによる切断後の中間体の断面図である。 比較例となる半導体発光装置の製造工程を説明するための図であり、中間体の断面図である。 比較例となる半導体発光装置の製造工程を説明するための図であり、第１の金型と第２の金型との間で中間体を挟み込む前の状態を示す断面図である。 比較例となる半導体発光装置の製造工程を説明するための図であり、第１の金型及び第２の金型と中間体との間に形成されるキャビティ空間及びランナー空間内に封止樹脂を充填した状態を示す断面図である。 比較例となる半導体発光装置の製造工程を説明するための図であり、（Ａ）は封止後の中間体の平面図、（Ｂ）は線分Ｂ−Ｂによる封止後の中間体の断面図である。 比較例となる半導体発光装置の製造工程を説明するための図であり、個片化された半導体発光装置の平面図、（Ｂ）は線分Ｂ−Ｂによる個片化された半導体発光装置の断面図である。 図１に示す半導体発光装置にレンズ体を取り付けた第１の変形例を示す上面図である。 図１５に示す半導体発光装置の下面図である。 図１５中に示す線分Ａ−Ａによる半導体発光装置の断面図である。 図１５中に示す線分Ｂ−Ｂによる半導体発光装置の断面図である。 図１に示す半導体発光装置に枠体を取り付けた第２の変形例を示す上面図である。 図１９に示す半導体発光装置の下面図である。 図１９中に示す線分Ａ−Ａによる半導体発光装置の断面図である。 図１９中に示す線分Ｂ−Ｂによる半導体発光装置の断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る半導体発光装置の上面図である。 図２３に示す半導体発光装置の下面図である。 図２３中に示す線分Ａ−Ａによる半導体発光装置の断面図である。 図２３中に示す線分Ｂ−Ｂによる半導体発光装置の断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る半導体発光装置の上面図である。 図２７に示す半導体発光装置の下面図である。 図２７中に示す線分Ｃ−Ｃによる半導体発光装置の断面図である。 図２７中に示す線分Ｄ−Ｄによる半導体発光装置の断面図である。 図２７に示す半導体発光装置の製造工程を説明するための図であり、（Ａ）は中間体の平面図、（Ｂ）は線分Ｄ−Ｄによる中間体の断面図である。 図２７に示す半導体発光装置の製造工程を説明するための図であり、第１の金型と第２の金型との間で中間体を挟み込む前の状態を示す断面図である。 図２７に示す半導体発光装置の製造工程を説明するための図であり、第１の金型及び第２の金型と中間体との間に形成されるキャビティ空間及びランナー空間内に封止樹脂を充填した状態を示す断面図である。 図２７に示す半導体発光装置の製造工程を説明するための図であり、（Ａ）は封止後の中間体の平面図、（Ｂ）は線分Ｄ−Ｄによる封止後の中間体の断面図である。 図２７に示す半導体発光装置の製造工程を説明するための図であり、（Ａ）は切断後の中間体の平面図、（Ｂ）は線分Ｄ−Ｄによる切断後の中間体の断面図である。 図２７に示す半導体発光装置にレンズ体を取り付けた第３の変形例を示す上面図である。 図３６に示す半導体発光装置の下面図である。 図３６中に示す線分Ｃ−Ｃによる半導体発光装置の断面図である。 図３６中に示す線分Ｄ−Ｄによる半導体発光装置の断面図である。 図２７に示す半導体発光装置に枠体を取り付けた第４の変形例を示す上面図である。 図４０に示す半導体発光装置の下面図である。 図４０中に示す線分Ｃ−Ｃによる半導体発光装置の断面図である。 図４０中に示す線分Ｄ−Ｄによる半導体発光装置の断面図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面においては、各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがあり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料等は一例であって、本発明はそれらに必ずしも限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。

また、以下に示す図面では、ＸＹＺ直交座標系を設定し、Ｘ軸方向を半導体発光装置の水平面内における第１の方向（後述する一対の端子電極が並ぶ方向）Ｘとし、Ｙ軸方向を半導体発光装置の水平面内における第１の方向Ｘと直交した第２の方向（後述する一対の端子電極が並ぶ方向とは直交する方向）Ｙとし、Ｚ軸方向を半導体発光装置の厚み方向（高さ方向）Ｚとして、それぞれ示すものとする。

［第１の実施形態］
（半導体発光装置）
先ず、本発明の第１の実施形態として、例えば図１〜図４に示す半導体発光装置１Ａについて説明する。

なお、図１は、半導体発光装置１Ａの上面図である。図２は、半導体発光装置１Ａの下面図である。図３は、図１中に示す線分Ａ−Ａによる半導体発光装置１Ａの断面図である。図４は、図１中に示す線分Ｂ−Ｂによる半導体発光装置１Ａの断面図である。

本実施形態の半導体発光装置１Ａは、青色ＬＥＤ素子が発する青色光（励起光）と、この青色光により励起された黄色蛍光体が発する黄色光（蛍光光）との混色により白色光（可視光）を得ることが可能なＬＥＤパッケージに本発明を適用したものである。

具体的に、この半導体発光装置１Ａは、図１〜図４に示すように、実装基板２Ａと、実装基板２Ａの一面（本実施形態では上面）２ａ側に実装された半導体発光素子であるＬＥＤ素子３と、ＬＥＤ素子３の少なくとも上面及び側面（本実施形態では上面、下面及び側面）を覆うと共に、蛍光体４を含有した封止樹脂５とを概略備えている。

実装基板２Ａは、平面視で矩形状（本実施形態では長方形状）のＬＥＤ素子３よりも大きい矩形状（本実施形態では長方形状）のプリント配線基板（ＰＷＢ）からなる。実装基板２Ａは、その一面２ａに設けられた一対のパッド電極６ａ，６ｂと、その一面２ａとは反対側の他面（本実施形態は下面）２ｂに設けられた一対の端子電極７ａ，７ｂと、パッド電極６ａ，６ｂと端子電極７ａ，７ｂとの各間で貫通して設けられた一対の貫通電極８ａ，８ｂとを有している。

なお、本実施形態では、実装基板２Ａとして、例えばガラス繊維強化エポキシ樹脂（ＧＦＲＰ）からなる基材（ＧＦＲＰ基板）の表面に、銅（Ｃｕ）や金（Ａｕ）などからなる導体パターンが設けられたＧＦＲＰ配線基板が用いられている。また、基材には、ＧＦＲＰの代わりに、カーボン繊維や、アラミド繊維、ポリエチレン繊維などの強化エポキシ樹脂（ＦＲＰ）を用いることができる。また、基材には、上述した強化エポキシ樹脂（ＦＲＰ）の他にも、シリコーン樹脂やフェノール樹脂などを用いることもできる。

一対のパッド電極６ａ，６ｂは、ＬＥＤ素子３の下面に設けられた一対の素子電極（ｐ側素子電極及びｎ側素子電極）９ａ，９ｂと平面視で重なるように、第１の方向Ｘに並んで設けられている。一対の端子電極７ａ，７ｂは、他面２ｂの第１の方向Ｘに沿って対向した位置に、第２の方向Ｙに延長して設けられている。一対の貫通電極８ａ，８ｂは、パッド電極６ａ，６ｂと端子電極７ａ，７ｂとの各間を電気的に接続している。本実施形態において、一対の貫通電極８ａ，８ｂは、それぞれ第２の方向Ｙに複数（本字形態では２つ）並んで設けられている。一対の素子電極９ａ，９ｂは、互いに対称な形状を有して、第１の方向Ｘに並んで設けられている。

なお、本実施形態では、例えば、パッド電極６ａ，６ｂ及び端子電極７ａ，７ｂにＣｕとＡｕとの積層膜を用い、貫通電極８ａ，８ｂにＣｕを用いている。また、これら各電極の材料については、電気抵抗の小さい金属を用いることが好ましく、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｐｄ（パラジウム）の何れかの金属又は何れかの金属を含む合金から適宜選択して用いることができる。

ＬＥＤ素子３は、青色光（励起光）を発する青色ＬＥＤチップであり、実装基板２Ａの一面２ａ側にフリップチップ実装により固定されている。具体的には、一対の素子電極９ａ，９ｂと一対のパッド電極６ａ，６ｂとの各間を一対のバンプ１０ａ，１０ｂを介して接合することによって、実装基板２Ａの一面２ａ側にＬＥＤ素子３が固定（実装）されている。

また、一対の素子電極９ａ，９ｂと一対のパッド電極６ａ，６ｂとの各間が一対のバンプ１０ａ，１０ｂを介して電気的に接続されることによって、一対の端子電極７ａ，７ｂからＬＥＤ素子３への給電が可能となっている。なお、本実施形態では、バンプ１０ａ，１０ｂにＡｕを用いている。

ＬＥＤ素子３は、一対の素子電極９ａ，９ｂが設けられた下面の略全面を一対の素子電極９ａ，９ｂが覆った構造とすることが好ましい。これにより、ＬＥＤ素子３の下面から出射される光を素子電極９ａ，９ｂにより遮光（又は反射）することができる。また、後述するＬＥＤ素子３の下面側を覆う側面樹脂部５ｂ及び中継樹脂部５ｄから埋込樹脂部５ｃを介して実装基板２Ａの他面２ｂ側に光が抜けてしまうこと（いわゆる光抜け）を抑制することができる。

なお、本実施形態の半導体発光装置１Ａでは、上述したＬＥＤ素子３の実装構造に必ずしも限定されるものではなく、ＬＥＤ素子３の実装構造について適宜変更を加えることが可能である。例えば、ＬＥＤ素子３の実装構造については、図示を省略するものの、実装基板２Ａの側面から上面と下面との間に亘って設けられた一対のリード電極と、ＬＥＤ素子３の一対の素子電極９ａ，９ｂとの各間を一対のバンプ１０ａ，１０ｂ又ははんだ（例えば、金錫はんだなど。）を介して電気的に接続することによって、実装基板２Ａの一面２ａ側にＬＥＤ素子３を実装した構造であってもよい。

なお、実装基板２Ａは、その具体的な各部の材質について特に限定されるものではなく、従来より公知のものを使用することが可能である。また、実装基板２Ａには、上述したＰＷＢ以外にも、例えばセラミック基板にパッド電極６ａ，６ｂ、端子電極７ａ，７ｂ及び貫通電極８ａ，８ｂを設けたセラミック配線基板や、金属板に絶縁膜を介してパッド電極６ａ，６ｂ、端子電極７ａ，７ｂ及び貫通電極８ａ，８ｂを設けた金属コア配線基板などのＬＥＤ素子３が実装可能な基板を用いることが可能である。実装基板ＡＢにセラミック配線基板や金属コア配線基板を用いた場合には、高い放熱効果を得ることが可能である。

ＬＥＤ素子３は、その具体的な構成について特に限定されるものではなく、従来より公知のものを使用することが可能である。例えば、ＬＥＤ素子３としては、成長用基板の上に、ｎ型半導体層と、発光層と、ｐ型半導体層とがエピタキシャル成長により順次積層されたエピタキシャル成長層（ＬＥＤ動作層）を備えるＬＥＤ素子や、このようなＬＥＤ動作層をシリコン支持基板に貼り合わせたＬＥＤ素子などを用いることができる。また、何れのＬＥＤ素子も、一対の素子電極９ａ，９ｂがＬＥＤ素子３の同一面側に配置され、一対の素子電極９ａ，９ｂが配置された面と対向した面が発光面（出光面）となるＬＥＤ素子３であればよい。

実装基板２Ａには、この実装基板２Ａを厚み方向Ｚに貫通する一対の孔部１１ａ，１１ｂが設けられている。一対の孔部１１ａ，１１ｂは、一対の端子電極７ａ，７ｂが並ぶ方向（第１の方向Ｘ）とは交差（本実施形態では直交）する方向（第２の方向Ｙ）に並んで設けられている。

また、一対の孔部１１ａ，１１ｂは、ＬＥＤ素子３の輪郭と平面視で重なる位置又はそれよりも外側（本実施形態では重なる位置）に設けられている。具体的に、本実施形態では、ＬＥＤ素子３の輪郭を構成する４つの辺部のうち、ＬＥＤ素子３の第２の方向Ｙに位置する２つの辺部の中央付近と平面視で重なる位置に、一対の孔部１１ａ，１１ｂが設けられている。

一対の孔部１１ａ，１１ｂとＬＥＤ素子３の輪郭とが平面視で重なる位置にある場合、後述する一対の孔部１１ａ，１１ｂに埋め込まれた埋込樹脂部５ｃと側面樹脂部５ｂとが平面視で重なる面積が大きくなることが望ましい。これは、後述する一対の孔部１１ａ，１１ｂを通して溶融した封止樹脂５を流れ易くするためである。このため、本実施形態では、平面視で円形状に形成された一対の孔部１１ａ，１１ｂの中心が、ＬＥＤ素子３の輪郭と平面視で重なる位置と、後述する側面樹脂部５ｂの輪郭と平面視で重なる位置との間に位置するように、一対の孔部１１ａ，１１ｂが設けられている。なお、孔部１１ａ，１１ｂの平面視形状については、上述した円形状に限らず、楕円形状や長円形状、矩形状などであってもよい。

蛍光体４は、ＬＥＤ素子３が発する青色光（励起光）により励起されて、黄色光（蛍光光）を発する黄色蛍光体粒子からなる。封止樹脂５は、青色光及び黄色光を透過させる熱硬化性樹脂からなる。蛍光体４は、この封止樹脂５の内部に均一に分散された状態で配置されている。なお、以下の説明では、蛍光体４と封止樹脂５とを特に区別しない限り、封止樹脂５と言った場合、蛍光体４を含有した封止樹脂５のことを意味するものとする。

なお、蛍光体４及び封止樹脂５は、その具体的な材質について特に限定されるものではなく、従来より公知のものを使用することが可能である。例えば、本実施形態では、Ｃｅ等の付活剤が導入されたＹＡＧや、オルトシリケート、サイアロンなどの黄色蛍光体を、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂に均一に分散したものを用いることができる。

また、封止樹脂５は、上述した蛍光体４の他にも、半導体発光装置１Ａから出射される光の配光特性を制御するため、例えば熱硬化樹脂より屈折率の高い酸化アルミ粒子や酸化チタン粒子などの拡散剤を含有した構成であってもよい。さらに、蛍光体４や拡散剤の粒子の凝集を防止するため、例えばナノサイズ径の酸化珪素粒子や酸化アルミ粒子などの分散剤を含有した構成であってもよい。

本実施形態の半導体発光装置１Ａでは、封止樹脂５が一対の孔部１１ａ，１１ｂに埋め込まれた状態で、実装基板２Ａの一面２ａ側と他面２ｂ側との間に亘って設けられている。また、実装基板２Ａの一面２ａ側には、一対の孔部１１ａ，１１ｂの間で封止樹脂５が連続して設けられている。

具体的に、この封止樹脂５は、ＬＥＤ素子３の上面を覆う上面樹脂部５ａと、上面樹脂部に連続してＬＥＤ素子３の４つの側面を覆う側面樹脂部５ｂと、一対の孔部１１ａ，１１ｂに埋め込まれた埋込樹脂部５ｃと、側面樹脂部５ｂと埋込樹脂部５ｃとの間で連続して設けられた中継樹脂部５ｄとを有している。

このうち、上面樹脂部５ａ及び側面樹脂部５ｂは、ＬＥＤ素子３の上面及び４つの側面を略均一となる厚みで被覆している。中継樹脂部５ｄは、実装基板２Ａの一面２ａとＬＥＤ素子３の下面との間に埋め込まれた状態で、側面樹脂部５ｂと埋込樹脂部５ｃとの間で側面樹脂部５ｂと連続した側面を形成している。

一方、実装基板２Ａの他面２ｂ側には、一対の孔部１１ａ，１１ｂの間で封止樹脂５が分断して設けられている。具体的に、この実装基板２Ａの他面２ｂには、一対の孔部１１ａ，１１ｂの間で封止樹脂５を分断する隔壁１２が設けられている。

隔壁１２は、絶縁材からなり、端子電極７ａ，７ｂ間の中央部分に配置されている。また、隔壁１２は、実装基板２Ａの一面２ａ側に設けられたＬＥＤ素子３と平面視で重なる位置に設けられている。

隔壁１２の第２の方向Ｙにおける長さは、ＬＥＤ素子３の第２の方向Ｙにおける長さの１／２以上であることが好ましい。これにより、ＬＥＤ素子３を実装基板２Ａに実装する際の接合不良を防止することができる。

また、隔壁１２と一対の端子電極７ａ，７ｂとが接する面は、図示を省略するものの、隔壁１２の一部又は全部が一対の端子電極７ａ，７ｂ側に凸状に突き出しているか、一対の端子電極７ａ，７ｂの一部が隔壁１２側に凸状に突き出していることが好ましい。これにより、溶融した封止樹脂５による隔壁１２の破損を防止することが可能である。

封止樹脂５は、実装基板２Ａの他面２ｂ側において、一対の端子電極７ａ，７ｂの間に埋め込まれたランナー樹脂部５ｅを有している。ランナー樹脂部５ｅは、隔壁１２により分断された状態で、一対の孔部１１ａ，１１ｂと平面視で重なる位置に、一対の孔部１１ａ，１１ｂに埋め込まれた埋込樹脂部５ｃと連続して設けられている。

ここで、孔部１１ａ，１１ｂの第１の方向Ｘにおける幅（Ｒ）は、ランナー樹脂部５ｅの第１の方向Ｘにおける幅（Ｗ）に対して同じかそれ以下である（Ｒ≦Ｗ）ことが好ましい。これにより、側面樹脂部５ｂから中継樹脂部５ｄ及び埋込樹脂部５ｃを介して実装基板２Ａの他面２ｂ側に光が抜けてしまうこと（いわゆる光抜け）を抑制することができる。

また、ランナー樹脂部５ｅは、隔壁１２を挟んだ両側において分断された状態で、第２の方向Ｙに延長して設けられている。したがって、実装基板２Ａの他面２ｂ側において封止樹脂５を分断する方向は、一対の端子電極７ａ，７ｂが並ぶ第１の方向Ｘとなっている。また、本実施形態では、ランナー樹脂部５ｅのＸＺ平面における断面積（以下、「ランナー樹脂部５ｅの断面積」という。）が、埋込樹脂部５ｃのＸＹ平面における断面積（以下、埋込樹脂部５ｃの断面積」という。）より大きくなっている。

以上のような構成を有する本実施形態の半導体発光装置１Ａでは、ＬＥＤ素子３の上面及び側面を覆う封止樹脂５（上面樹脂部５ａ及び側面樹脂部５ｂ）の厚みをより均一化することができる。これにより、本実施形態の半導体発光装置１Ａでは、ＬＥＤ素子３の側面から出射される光の損失を抑えつつ、良好な白色光を得ることが可能である。

なお、本実施形態の半導体発光装置１Ａは、この半導体発光装置１Ａを駆動する駆動回路が設けられた回路基板（図示せず。）などに実装する場合、回路基板上に設けられた一対のランド部と、一対の端子電極７ａ，７ｂとの各間をはんだを介して接合することになる。この場合、ランナー樹脂部５ｅの側面と、ランナー樹脂部５ｅ及び隔壁１２の下面とによって、一方の端子電極７ａと他方の端子電極７ｂとの間ではんだが濡れ広がることを防ぐことが可能である。

（半導体発光装置の製造方法）
次に、上記半導体発光装置１Ａの製造方法について、図５〜図９を参照しながら説明する。

なお、図５は、半導体発光装置１Ａの製造工程を説明するための図であり、（Ａ）は中間体５０Ａの平面図、（Ｂ）は線分Ｂ−Ｂによる中間体５０Ａの断面図である。図６は、半導体発光装置１Ａの製造工程を説明するための図であり、第１の金型１０１Ａと第２の金型１０２Ａとの間で中間体５０Ａを挟み込む前の状態を示す断面図である。図７は、半導体発光装置１Ａの製造工程を説明するための図であり、第１の金型１０１Ａ及び第２の金型１０２Ａと中間体５０Ａとの間に形成されるキャビティ空間Ｓ１及びランナー空間Ｓ２内に封止樹脂５を充填した状態を示す断面図である。図８は、半導体発光装置１Ａの製造工程を説明するための図であり、（Ａ）は封止後の中間体５０Ａの平面図、（Ｂ）は線分Ｂ−Ｂによる封止後の中間体５０Ａの断面図である。図９は、半導体発光装置１Ａの製造工程を説明するための図であり、（Ａ）は切断後の中間体５０Ａの平面図、（Ｂ）は線分Ｂ−Ｂによる切断後の中間体５０Ａの断面図である。

上記半導体発光装置１Ａを製造する際は、先ず、図５（Ａ），（Ｂ）に示すように、半導体発光装置１Ａの中間体５０Ａを準備する。中間体５０Ａは、実装基板２Ａとなる部分が第２の方向Ｙに複数（本実施形態では３つ）並んで形成された母基板２０Ａを備えている。

中間体５０Ａは、母基板２０Ａの一面（本実施形態では上面）２０ａ側に、実装基板２Ａとなる部分毎にＬＥＤ素子３を実装し、母基板２０Ａの他面（本実施形態では下面）２０ｂ側に、実装基板２Ａとなる部分毎に隔壁１２を設けることによって作製される。

中間体５０Ａを作製する際は、例えば、ＧＦＲＰからなる基材の両面に、銅（Ｃｕ）や金（Ａｕ）などからなる導体層が設けられた母基板２０Ａの原板を用意する。また、母基板２０Ａの原板には、実装基板２Ａとなる部分毎に、一対の貫通電極８ａ，８ｂが形成されている。

この母基板２０Ａの原板を用いて、実装基板２Ａとなる部分毎に、隔壁１２に対応した位置の導体層を除去して、凹部を形成する。この凹部に、硬化前のＧＦＲＰを充填した後、加熱硬化させることで、隔壁１２を形成する。

その後、実装基板２Ａとなる部分毎に、一対のパッド電極６ａ，６ｂ及び一対の端子電極７ａ，７ｂを形成する。さらに、実装基板２Ａとなる部分毎に、一対の孔部１１ａ，１１ｂを形成する。これにより、母基板２０Ａを作製することができる。

なお、母基板２０Ａについては、上述した母基板２０Ａの原板に隔壁１２を形成したものを用いる場合に限らず、予め隔壁１２が設けられた母基板２０Ａを準備して用いてもよい。

なお、本実施形態では、実装基板２Ａとなる部分が第２の方向Ｙに複数並んだ母基板２０Ａを備えた中間体５０Ａを例示しているが、１つの中間体５０Ａから一括して作製される上記半導体発光装置１Ａの数を増やすため、実装基板２Ａとなる部分が第２の方向Ｙだけでなく、第１の方向Ｘにも複数並んだ母基板２０Ａを備えた中間体５０Ａを準備することも可能である。

次に、中間体５０Ａの実装基板２Ａとなる部分に対して封止工程を連続して実施する。具体的な封止工程については、先ず、図６に示すように、母基板２０Ａの一面２０ａ側との間で実装基板２Ａとなる部分毎にキャビティ空間Ｓ１を形成する第１の金型１０１Ａと、母基板２０Ａの他面２０ｂ側との間で実装基板２Ａとなる部分毎にランナー空間Ｓ２を形成する第２の金型１０２Ａとの間で、母基板２０Ａを挟み込んだ状態とする。

第１の金型１０１Ａの母基板２０Ａと対向する面には、キャビティ空間Ｓ１を形成する複数（本実施形態では３つ）の第１の凹部１０３が設けられている。第１の凹部１０３は、母基板２０Ａの実装基板２Ａとなる部分毎に分断された状態で、第２の方向Ｙに並んで設けられている。

第２の金型１０２Ａの母基板２０Ａと対向する面には、ランナー空間Ｓ２を形成する第２の凹部１０４が第２の方向Ｙに延長して設けられている。また、母基板２０Ａの他面２０ｂに第２の金型１０２Ａが突き合わされた際には、隔壁１２が第２の方向Ｙに複数（本実施形態では３つ）並んだ状態で、第２の凹部１０４の底面と突き合わされた状態となる。

これにより、隔壁１２は、第２の凹部１０４の内側において、母基板２０Ａの実装基板２Ａとなる部分毎に、一対の孔部１１ａ，１１ｂの間でランナー空間Ｓ２を分断することになる。また、第２の方向Ｙにおいて互いに隣り合う隔壁１２の間には、一方の実装基板２Ａとなる部分の他方の孔部１１ｂと、他方の実装基板２Ａとなる部分の一方の孔部１１ａとの間で連続したランナー空間Ｓ２が形成されることになる。

次に、図７に示すように、第１の金型１０１Ａと第２の金型１０２Ａとの間で母基板２０Ａを挟み込んだ状態から、キャビティ空間Ｓ１及びランナー空間Ｓ２内に溶融した封止樹脂５を充填する。

具体的には、第２の金型１０２Ａの第２の方向Ｙの一端側に設けられた注入口１０２ａから、ランナー空間Ｓ２に向けて溶融した封止樹脂５を注入する。このとき、実装基板２Ａとなる部分の一方の孔部１１ａを通して、ランナー空間Ｓ２からキャビティ空間Ｓ１に向けて溶融した封止樹脂５が導入される。また、実装基板２Ａとなる部分の他方の孔部１１ｂを通して、キャビティ空間Ｓ１からランナー空間Ｓ２に向けて溶融した封止樹脂５が導出される。

これにより、溶融した封止樹脂５は、第２の方向Ｙに並ぶ実装基板２Ａとなる部分毎に、キャビティ空間Ｓ１及びランナー空間Ｓ２内に充填されながら、最終的に第２の金型１０２Ａの第２の方向Ｙの他端側に設けられた排出口１０２ｂから排出されることになる。

なお、溶融した封止樹脂５を注入する場合、この溶融した封止樹脂５を圧送しながら注入する以外にも、真空引きにより溶融した封止樹脂５を注入することも可能である。

次に、図８（Ａ），（Ｂ）に示すように、キャビティ空間Ｓ１及びランナー空間Ｓ２内に充填された封止樹脂５を加熱することによって、この封止樹脂５を硬化させる。そして、封止樹脂５が硬化した後に、中間体５０Ａを第１の金型１０１Ａ及び第２の金型１０２Ａから離型する。これにより、中間体５０Ａの実装基板２Ａとなる部分に対して封止工程を連続して実施することが可能である。

上記封止工程の後には、母基板２０Ａの一面２０ａ側において、実装基板２Ａとなる部分毎に、ＬＥＤ素子３の上面を覆う上面樹脂部５ａと、上面樹脂部５ａに連続してＬＥＤ素子３の４つの側面を覆う側面樹脂部５ｂと、一対の孔部１１ａ，１１ｂに埋め込まれた埋込樹脂部５ｃと、側面樹脂部５ｂと埋込樹脂部５ｃとの間で連続して設けられた中継樹脂部５ｄとが形成されることになる。一方、母基板２０Ａの他面２０ｂ側には、一対の端子電極７ａ，７ｂの間に埋め込まれたランナー樹脂部５ｅが、実装基板２Ａとなる部分の間で連続して形成されることになる。また、ランナー樹脂部５ｅの下面は、一対の端子電極７ａ，７ｂ及び隔壁１２の下面と面一に形成されている。

ここで、本実施形態におけるランナー空間Ｓ２のＸＺ平面における断面積（以下、「ランナー空間Ｓ２の断面積」という。）と、各孔部１１ａ，１１ｂのＸＹ平面における断面積（以下、「孔部１１ａ，１１ｂの断面積」という。）との関係について説明する。

なお、ランナー空間Ｓ２の断面積は、このランナー空間Ｓ２に充填されるランナー樹脂部５ｅの断面積に相当し、孔部１１ａ，１１ｂの断面積は、この孔部１１ａ，１１ｂに充填される埋込樹脂部５ｃの断面積に相当する。

ランナー空間Ｓ２の断面積は、孔部１１ａ，１１ｂの断面積より大きいことが好ましい。これにより、溶融した封止樹脂５のランナー空間Ｓ２における流動抵抗を低く抑えることができる。また、溶融した封止樹脂５のキャビティ空間Ｓ１への充填を安定させることができる。したがって、作製される半導体発光装置１Ａにおいて、封止樹脂５の上面樹脂部５ａ及び側面樹脂部５ｂにおける厚みムラの発生を抑制することが可能である。

また、孔部１１ａ，１１ｂの直径については、実装基板２Ａの厚みの０．５倍以上、２倍以下であることが好ましい。これにより、溶融した封止樹脂５による孔部１１ａ，１１ｂを形成する実装基板２Ａの変形を抑制すると共に、実装基板２Ａの変形に伴う側面樹脂部５ｂの剥離を防止することが可能である。

また、端子電極７ａ，７ｂの厚みを実装基板２Ａの厚みと同じかそれ以上とし、且つ、孔部１１ａ，１１ｂの直径を実装基板２Ａの厚みと同じかそれ以上とすることが好ましい。なお、本実施形態では、例えば、実装基板２Ａの厚みを１００μｍとし、端子電極７ａ，７ｂの厚みを１２０μｍとし、孔部１１ａ，１１ｂの直径を１００μｍとしている。

次に、図８（Ａ），（Ｂ）に示すように、上述した封止工程の後に、個片化工程として、ダイシングブレード３００を用いて、カットラインＣＬに沿って中間体５０Ａを実装基板２Ａとなる部分毎に切断する。これにより、図９（Ａ），（Ｂ）に示すように、中間体５０Ａを個々の半導体発光装置１Ａに分割（個片化）することができる。

個片化工程では、実装基板２Ａとなる部分毎に、母基板２０Ａ、一対の端子電極７ａ，７ｂ及びランナー樹脂部５ｅが分断されることになる。また、切断面からは、実装基板２Ａ、一対の端子電極７ａ，７ｂ及びランナー樹脂部５ｅの各側面が面一で露出することになる。なお、端子電極７ａ，７ｂの切断面には、メッキを施してもよい。その場合、例えば、フラッシュめっきで金めっきを施すことができる。
以上のような工程を経ることによって、複数の半導体発光装置１Ａを一括して製造することが可能である。

以上のように、本実施形態の半導体発光装置１Ａの製造方法では、ＬＥＤ素子３の上面及び側面を覆う封止樹脂５（上面樹脂部５ａ及び側面樹脂部５ｂ）の厚みをより均一化した半導体発光装置１Ａを効率良く製造することが可能である。

（比較例となる半導体発光装置の製造方法）
ここで、比較例となる半導体発光装置の製造方法について、図１０〜図１４を参照しながら説明する。

なお、図１０は、比較例となる半導体発光装置１００の製造工程を説明するための図であり、中間体５０Ａ’の断面図である。図１１は、比較例となる半導体発光装置１００の製造工程を説明するための図であり、第１の金型２０１と第２の金型２０２との間で中間体５０Ａ’を挟み込む前の状態を示す断面図である。図１２は、比較例となる半導体発光装置１００の製造工程を説明するための図であり、第１の金型２０１と中間体５０Ａ’との間に形成されるキャビティ空間Ｓ１’内に封止樹脂５を充填した状態を示す断面図である。図１３は、比較例となる半導体発光装置１００の製造工程を説明するための図であり、（Ａ）は封止後の中間体５０’の平面図、（Ｂ）は線分Ｂ−Ｂによる封止後の中間体５０’の断面図である。図１４は、比較例となる半導体発光装置１００の製造工程を説明するための図であり、個片化された半導体発光装置１００の平面図、（Ｂ）は線分Ｂ−Ｂによる個片化された半導体発光装置１００の断面図である。また、以下の説明では、上記半導体発光装置１Ａ、上記中間体５０Ａ及び上記母基板２０Ａと同等の部位については、説明を省略すると共に、図面において同じ符号を付すものとする。

比較例となる半導体発光装置１００の製造方法では、先ず、図１０に示すように、比較例となる中間体５０Ａ’を準備する。中間体５０Ａ’は、実装基板２Ａとなる部分が第２の方向Ｙに複数（本実施形態では３つ）並んで形成された母基板２０Ａ’を備えている。

中間体５０Ａ’は、上記隔壁１２が省略された構成となっている。母基板２０Ａ’は、一対の孔部１１ａ，１１ｂが省略された構成となっている。それ以外は、上記中間体５０Ａ及び上記母基板２０Ａと基本的に同じ構成を有している。

次に、中間体５０Ａ’の実装基板２Ａとなる部分に対して封止工程を連続して実施する。具体的な封止工程については、先ず、図１１に示すように、母基板２０Ａ’の一面２０ａ側との間で実装基板２Ａとなる部分毎にキャビティ空間Ｓ１’及びランナー空間Ｓ２’を形成する第１の金型２０１と、母基板２０Ａ’の他面２０ｂ側と突き合わされる第２の金型１０２Ａとの間で、母基板２０Ａ’を挟み込んだ状態とする。

第１の金型２０１の母基板２０Ａ’と対向する面には、キャビティ空間Ｓ１’を形成する複数（本実施形態では３つ）の第１の凹部２０３と、ランナー空間Ｓ２’を形成する第２の凹部２０４とが設けられている。

第１の凹部２０３は、母基板２０Ａ’の実装基板２Ａとなる部分毎に第２の方向Ｙに並んで設けられている。第２の凹部２０４は、第２の方向Ｙに並ぶ第１の凹部２０３の中央部分を連結するように第２の方向Ｙに延長して設けられている。

第２の金型２０２の母基板２０Ａ’と対向する面は、母基板２０Ａ’の他面２０ｂと突き合わされる平面により構成されている。

次に、図１２に示すように、第１の金型２０１と第２の金型２０２との間で母基板２０Ａ’を挟み込んだ状態から、キャビティ空間Ｓ１’及びランナー空間Ｓ２’内に溶融した封止樹脂５を充填する。

具体的には、第１の金型２０１の第２の方向Ｙの一端側に設けられた注入口２０１ａから、ランナー空間Ｓ２’に向けて溶融した封止樹脂５を注入する。これにより、溶融した封止樹脂５は、第２の方向Ｙに並ぶ実装基板２Ａとなる部分毎に、キャビティ空間Ｓ１’及びランナー空間Ｓ２’内に充填されながら、最終的に第１の金型２０１の第２の方向Ｙの他端側に設けられた排出口２０１ｂから排出されることになる。

次に、図１３に示すように、キャビティ空間Ｓ１’及びランナー空間Ｓ２’内に充填された封止樹脂５を加熱することによって、この封止樹脂５を硬化させる。そして、封止樹脂５が硬化した後に、中間体５０Ａ’を第１の金型２０１及び第２の金型２０２から離型する。これにより、中間体５０Ａ’の実装基板２Ａとなる部分に対して封止工程を連続して実施する。

次に、図１３に示すように、上述した封止工程の後に、ダイシングブレード３００を用いて、カットラインＣＬに沿って中間体５０Ａ’を実装基板２Ａとなる部分毎に切断する。これにより、図１４（Ａ），（Ｂ）に示すように、中間体５０Ａ’を個々の半導体発光装置１Ａ’に分割（個片化）する。
以上のような工程を経ることによって、比較例となる半導体発光装置１００を作製した。

比較例となる半導体発光装置１００は、ＬＥＤ素子３の上面及び側面を覆う封止樹脂５（上面樹脂部５ａ及び側面樹脂部５ｂ）とは別に、封止樹脂５（側面樹脂部５ｂ）の側面から第２の方向Ｙに延長された一対のランナー樹脂部５ｆを有している。

この場合、比較例となる半導体発光装置１００では、封止樹脂５の側面のうち、ランナー樹脂部５ｆが形成された部分の厚みが不均一となっている。したがって、この半導体発光装置１Ａ’では、このランナー樹脂部５ｆが形成された部分において色ムラが発生し易くなっている。

これに対して、本実施形態の半導体発光装置１Ａの製造方法では、上述した封止樹脂５（側面樹脂部５ｂ）の側面にランナー樹脂部５ｆが形成されることがない。したがって、本実施形態の半導体発光装置１Ａの製造方法によれば、ＬＥＤ素子３の上面及び側面を覆う封止樹脂５（上面樹脂部５ａ及び側面樹脂部５ｂ）の厚みをより均一に形成することが可能である。

（半導体発光装置の第１の変形例）
次に、半導体発光装置の第１の変形例について、図１５〜図１８を参照しながら説明する。

なお、図１５は、上記半導体発光装置１Ａにレンズ体３０を取り付けた第１の変形例を示す上面図である。図１６は、図１５に示す半導体発光装置１Ａの下面図である。図１７は、図１５中に示す線分Ａ−Ａによる半導体発光装置１Ａの断面図である。図１８は、図１５中に示す線分Ｂ−Ｂによる半導体発光装置１Ａの断面図である。

第１の変形例として示す半導体発光装置１Ａは、図１５〜図１８に示すように、上記半導体発光装置１Ａの構成に加えて、レンズ体３０を備えている。レンズ体３０は、例えばシリコーン樹脂やエポキシ樹脂、ポリカーボネイト樹脂、アクリル樹脂等の空気よりも屈折率の高い透明樹脂からなる。レンズ体３０は、実装基板２Ａの一面２ａ側において、封止樹脂５により封止されたＬＥＤ素子３を覆った状態で、球面凸状のレンズ面３０ａを構成している。

第１の変形例として示す半導体発光装置１Ａでは、このようなレンズ体３０を備えることで、この半導体発光装置１Ａが出射する光（白色光）をレンズ体３０により集光しながら、その配光を制御することが可能である。また、第１の変形例として示す半導体発光装置１Ａでは、ＬＥＤ素子３の上面及び側面を覆う封止樹脂５（上面樹脂部５ａ及び側面樹脂部５ｂ）の厚みがより均一化されているため、このレンズ体３０による配光制御を精度良く行うことが可能である。

（半導体発光装置の第２の変形例）
次に、半導体発光装置の第２の変形例について、図１９〜図２２を参照しながら説明する。

なお、図１９は、上記半導体発光装置１Ａに枠体４０を取り付けた第２の変形例を示す上面図である。図２０は、図１９に示す半導体発光装置１Ａの下面図である。図２１は、図１９中に示す線分Ａ−Ａによる半導体発光装置１Ａの断面図である。図２２は、図１９中に示す線分Ｂ−Ｂによる半導体発光装置１Ａの断面図である。

第２の変形例として示す半導体発光装置１Ａは、図１９〜図２２に示すように、上記半導体発光装置１Ａの構成に加えて、枠体４０を備えている。枠体４０は、反射率の高い白色の樹脂材料からなる。枠体４０は、実装基板２Ａの一面２ａ側において、封止樹脂５により封止されたＬＥＤ素子３の周囲を囲んだ状態で、その開口端に向かって傾斜する反射面４０ａを構成している。

第２の変形例として示す半導体発光装置１Ａでは、このような枠体４０を備えることで、この半導体発光装置１Ａが出射する光（白色光）を枠体４０により反射しながら、その配光を制御することが可能である。また、第２の変形例として示す半導体発光装置１Ａでは、ＬＥＤ素子３の上面及び側面を覆う封止樹脂５（上面樹脂部５ａ及び側面樹脂部５ｂ）の厚みがより均一化されているため、この枠体４０による配光制御を精度良く行うことが可能である。

［第２の実施形態］
（半導体発光装置）
次に、本発明の第２の実施形態として、例えば図２３〜図２６に示す半導体発光装置１Ｂについて説明する。

なお、図２３は、半導体発光装置１Ｂの上面図である。図２４は、半導体発光装置１Ｂの下面図である。図２５は、図２３中に示す線分Ａ−Ａによる半導体発光装置１Ｂの断面図である。図２６は、図２３中に示す線分Ｂ−Ｂによる半導体発光装置１Ｂの断面図である。また、以下の説明では、上記半導体発光装置１Ａと同等の部位については、説明を省略すると共に、図面において同じ符号を付すものとする。

本実施形態の半導体発光装置１Ｂは、図２３〜図２６に示すように、上述したパッド電極６ａ，６ｂ、端子電極７ａ，７ｂ、素子電極９ａ，９ｂ、バンプ１０ａ，１０ｂ、孔部１１ａ，１１ｂ、埋込樹脂部５ｃ、中継樹脂部５ｄ、ランナー樹脂部５ｅの代わりに、パッド電極６ｃ，６ｄ、端子電極７ｃ，７ｄ、素子電極９ｃ，９ｄ、バンプ１０ｃ，１０ｄ、孔部１１ｃ，１１ｄ、埋込樹脂部５ｇ、中継樹脂部５ｈ、ランナー樹脂部５ｉを備えている。それ以外は、上記半導体発光装置１Ａと基本的に同じ構成を有している。

具体的に、ＬＥＤ素子３の下面には、互いに非対称な形状を有する一対の素子電極９ｃ，９ｄが第１の方向Ｘに並んで設けられている。これに対応して、実装基板２Ａの一面２ａには、互いに非対称な形状を有する一対のパッド電極６ｃ，６ｄが第１の方向Ｘに並んで設けられている。すなわち、一対の素子電極９ｃ，９ｄのうち、一方の素子電極９ｃが他方の素子電極９ｄよりも大きくなっている。また、一対のパッド電極６ｃ，６ｄのうち、一方のパッド電極６ｃが他方のパッド電極６ｄよりも大きくなっている。

ＬＥＤ素子３は、一対の素子電極９ｃ，９ｄと一対のパッド電極６ｃ，６ｄとの各間を一対のバンプ１０ｃ，１０ｄを介して接合することによって、実装基板２Ａの一面２ａ側に固定（実装）されている。

実装基板２Ａの他面２ｂには、一対の端子電極７ｃ，７ｄが設けられている。一対の端子電極７ｃ，７ｄは、他面２ｂの第１の方向Ｘの両端に沿った位置に、第２の方向Ｙに延長して設けられている。隔壁１２は、これら端子電極７ｃ，７ｄ間の中央部分に埋め込まれた状態で配置されている。

実装基板２Ａには、この実装基板２Ａを厚み方向Ｚに貫通する一対の孔部１１ｃ，１１ｄが設けられている。一対の孔部１１ｃ，１１ｄは、第１の方向Ｘに延びる長円形状を有して、第２の方向Ｙに並んで設けられている。これに対応して、一対の端子電極７ｃ，７ｄは、一対の孔部１１ｃ，１１ｄと平面視で重なる位置から第２の方向Ｙの両端に向かって、孔部１１ｃ，１１ｄに対応した幅で切り欠かれた形状を有している。

本実施形態では、実装基板２Ａとして、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）からなる基材（酸化アルミニウム基板）に、一対のパッド電極６ｃ，６ｄと、一対の端子電極７ｃ，７ｄと、一対の貫通電極８ａ，８ｂとが設けられた酸化アルミニウム配線基板が用いられている。この酸化アルミニウム配線基板は、上述したＧＦＲＰ配線基板よりも撓みに対する強度が高いため、一対の孔部１１ｃ，１１ｄを長円形状とするのに適している。

なお、実装基板２Ａには、上述した酸化アルミニウム配線基板の代わりに、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を基材とする窒化アルミニウム配線基板や、窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）を基材とする窒化珪素配線基板などの金属酸化物又は金属窒化物からなるセラミック配線基板を用いることができる。

また、一対の孔部１１ｃ，１１ｄは、ＬＥＤ素子３の輪郭と平面視で重なる位置又はそれよりも外側（本実施形態では外側）に設けられている。具体的に、本実施形態では、ＬＥＤ素子３の輪郭を構成する４つの辺部のうち、ＬＥＤ素子３の第２の方向Ｙに位置する２つの辺部と平面視で重なる位置よりも外側に、一対の孔部１１ｃ，１１ｄが設けられている。

本実施形態の半導体発光装置１Ｂでは、封止樹脂５が一対の孔部１１ｃ，１１ｄに埋め込まれた状態で、実装基板２Ａの一面２ａ側と他面２ｂ側との間に亘って設けられている。また、実装基板２Ａの一面２ａ側には、一対の孔部１１ｃ，１１ｄの間で封止樹脂５が連続して設けられている。

具体的に、この封止樹脂５は、ＬＥＤ素子３の上面を覆う上面樹脂部５ａと、上面樹脂部５ａに連続してＬＥＤ素子３の４つの側面を覆う側面樹脂部５ｂと、一対の孔部１１ｃ，１１ｄに埋め込まれた埋込樹脂部５ｇと、側面樹脂部５ｂと埋込樹脂部５ｇとの間で連続して設けられた中継樹脂部５ｈとを有している。

このうち、上面樹脂部５ａ及び側面樹脂部５ｂは、ＬＥＤ素子３の上面及び４つの側面を略均一となる厚みで被覆している。中継樹脂部５ｈは、実装基板２Ａの一面２ａとＬＥＤ素子３の下面との間に埋め込まれた状態で、側面樹脂部５ｂと埋込樹脂部５ｇとの間で埋込樹脂部５ｇと連続した側面を形成している。

ここで、中継樹脂部５ｈの高さ（Ｔ）は、実装基板２Ａの一面２ａとＬＥＤ素子３の下面との間の間隔（Ｇ）よりも小さい（Ｔ＜Ｇ）ことが好ましい。なお、間隔（Ｇ）は、より具体的にはＬＥＤ素子３の出光面と素子電極９ｃ，９ｄとの間の距離である。これにより、側面樹脂部５ｂから中継樹脂部５ｈ及び埋込樹脂部５ｇを介して実装基板２Ａの他面２ｂ側に光が抜けてしまうこと（いわゆる光抜け）を抑制することができる。

一方、実装基板２Ａの他面２ｂ側には、一対の孔部１１ｃ，１１ｄの間で封止樹脂５が分断して設けられている。具体的に、この封止樹脂５は、実装基板２Ａの他面２ｂ側において、一対の端子電極７ｃ，７ｄの間に埋め込まれたランナー樹脂部５ｉを有している。ランナー樹脂部５ｉは、一対の孔部１１ｃ，１１ｄと平面視で重なる位置に、一対の孔部１１ｃ，１１ｄに埋め込まれた埋込樹脂部５ｇと連続して設けられている。

また、ランナー樹脂部５ｉは、隔壁１２を挟んだ両側において分断された状態で、第２の方向Ｙに延長して設けられている。したがって、実装基板２Ａの他面２ｂ側において封止樹脂５を分断する方向は、一対の端子電極７ｃ，７ｄが並ぶ第１の方向Ｘとなっている。また、本実施形態では、ランナー樹脂部５ｉのＸＺ平面における断面積（以下、「ランナー樹脂部５ｉの断面積」という。）が、埋込樹脂部５ｇのＸＹ平面における断面積（以下、埋込樹脂部５ｇの断面積」という。）より大きくなっている。

以上のような構成を有する本実施形態の半導体発光装置１Ｂでは、上記半導体発光装置１Ａと同様に、ＬＥＤ素子３の上面及び側面を覆う封止樹脂５（上面樹脂部５ａ及び側面樹脂部５ｂ）の厚みをより均一化することができる。これにより、本実施形態の半導体発光装置１Ｂでは、ＬＥＤ素子３の側面から出射される光の損失を抑えつつ、良好な白色光を得ることが可能である。

なお、本実施形態の半導体発光装置１Ｂは、この半導体発光装置１Ｂを駆動する駆動回路が設けられた回路基板（図示せず。）などに実装する場合、回路基板上に設けられた一対のランド部と、一対の端子電極７ｃ，７ｄとの各間をはんだを介して接合することになる。この場合、ランナー樹脂部５ｉの側面と、ランナー樹脂部５ｉ及び隔壁１２の下面とによって、一方の端子電極７ｃと他方の端子電極７ｄとの間ではんだが濡れ広がることを防ぐことが可能である。

また、本実施形態では、詳細な説明を省略するものの、上記半導体発光装置１Ａと同様の製造方法を用いて、ＬＥＤ素子３の上面及び側面を覆う封止樹脂５（上面樹脂部５ａ及び側面樹脂部５ｂ）の厚みをより均一化した半導体発光装置１Ｂを効率良く製造することが可能である。

さらに、本実施形態の半導体発光装置１Ｂは、一対の孔部１１ｃ，１１ｄ及びランナー樹脂部５ｉを拡大することによって、上述した封止工程において、溶融した封止樹脂５の一対の孔部１１ｃ，１１ｄ及び第２の凹部１０４（ランナー空間Ｓ２）における流通性を高めることが可能である。これにより、封止樹脂５の厚みの均一性を更に高めることが可能である。

なお、孔部１１ｃ，１１ｄの形状が長円形状である場合は、孔部１１ｃ，１１ｄの短径が実装基板２Ａの厚みの０．５倍以上、孔部１１ｃ，１１ｄの長径が実装基板２Ａの厚みの２倍以下であることが好ましい。また、孔部１１ｃ，１１ｄの形状が楕円形状である場合も同様である。一方、孔部１１ａ，１１ｂの形状が矩形状である場合は、孔部１１ａ，１１ｂの短辺が実装基板２Ａの厚みの０．５倍以上、孔部１１ａ，１１ｂの長辺が実装基板２Ａの厚みの２倍以下であることが好ましい。

また、一対の孔部１１ｃ、１１ｄは、上述した長円形状である場合に限らず、その直径が実装基板２Ａの厚みの０．５倍以下、２倍以下である複数の孔部を一列又は複数列で並べた構成であってもよい。

（第３の実施形態）
［半導体発光装置］
次に、本発明の第３の実施形態として、例えば図２７〜図３０に示す半導体発光装置１Ｃについて説明する。

なお、図２７は、半導体発光装置１Ｃの上面図である。図２８は、半導体発光装置１Ｃの下面図である。図２９は、図２７中に示す線分Ｃ−Ｃによる半導体発光装置１Ｃの断面図である。図３０は、図２７中に示す線分Ｄ−Ｄによる半導体発光装置１Ｃの断面図である。また、以下の説明では、上記半導体発光装置１Ａと同等の部位については、説明を省略すると共に、図面において同じ符号を付すものとする。

本実施形態の半導体発光装置１Ｃは、図２７〜図３０に示すように、上述した実装基板２Ａ、パッド電極６ａ，６ｂ、端子電極７ａ，７ｂ、素子電極９ａ，９ｂ、バンプ１０ａ，１０ｂ、孔部１１ａ，１１ｂ、埋込樹脂部５ｃ、中継樹脂部５ｄ、ランナー樹脂部５ｅ、隔壁１２の代わりに、実装基板２Ｂ、パッド電極６ｅ，６ｆ、端子電極７ｅ，７ｆ、中間配線１３ａ，１３ｂ，１３ｃ、ビア電極１４ａ〜１４ｆ、素子電極９ｅ，９ｆ、バンプ１０ｅ，１０ｆ、孔部１１ｅ，１１ｆ、埋込樹脂部５ｊ、中継樹脂部５ｋ、第１のランナー樹脂部５ｍ、第２のランナー樹脂部５ｎ、隔壁１５を備えている。それ以外は、上記半導体発光装置１Ａと基本的に同じ構成を有している。

具体的に、ＬＥＤ素子３の下面には、互いに非対称な形状を有する一対の素子電極９ｅ，９ｆが第１の方向Ｘに並んで設けられている。これに対応して、実装基板２Ｂの一面２ａには、互いに非対称な形状を有する一対のパッド電極６ｅ，６ｆが第１の方向Ｘに並んで設けられている。すなわち、一対の素子電極９ｅ，９ｆのうち、一方の素子電極９ｅが他方の素子電極９ｆよりも大きくなっている。また、一対のパッド電極６ｅ，６ｆのうち、一方のパッド電極６ｅが他方のパッド電極６ｆよりも大きくなっている。

ＬＥＤ素子３は、一対の素子電極９ｅ，９ｆと一対のパッド電極６ｅ，６ｆとの各間を一対のバンプ１０ｅ，１０ｆを介して接合することによって、実装基板２Ｂの一面２ａ側に固定（実装）されている。

実装基板２Ｂの他面２ｂには、一対の端子電極７ｅ，７ｆが設けられている。一対の端子電極７ｅ，７ｆは、他面２ｂの第１の方向Ｘの両端に沿った位置に、第２の方向Ｙに延長して設けられている。

実装基板２Ｂは、ＧＦＲＰを基材とする多層プリント配線基板からなり、パッド電極６ｅ，６ｆと端子電極７ｅ，７ｆとの各間を電気的に接続する中間配線１３ａ，１３ｂ及びビア電極１４ａ，１４ｂを備えている。具体的に、この実装基板２Ｂは、その厚み方向Ｚの中間に位置して、一方のパッド電極６ｅ及び一方の端子電極７ｅと平面視で重なる中間配線１３ａと、他方のパッド電極６ｆ及び他方の端子電極７ｆと平面視で重なる中間配線１３ｂと、一方のパッド電極６ｅ及び後述する隔壁１５と平面視で重なる中間配線１３ｃとを有している。

また、実装基板２Ｂは、一方のパッド電極６ｅと中間配線１３ａとの間を貫通するビア電極１４ａと、一方の端子電極７ｅと中間配線１３ａとの間を貫通するビア電極１４ｂと、他方のパッド電極６ｆと中間配線１３ｂとの間を貫通するビア電極１４ｃと、他方の端子電極７ｆと中間配線１３ｂとの間を貫通するビア電極１４ｄと、一方のパッド電極６ｅと中間配線１３ｃとの間を貫通するビア電極１４ｄと、隔壁１５と中間配線１３ｃとの間を貫通するビア電極１４ｆとを有している。本実施形態において、ビア電極１４ａ〜１４ｆは、それぞれ第２の方向Ｙに複数（本字形態では２つ）並んで設けられている。

これにより、実装基板２Ｂでは、一対のパッド電極６ｅ，６ｆと一対の端子電極７ｅ，７ｆとの各間が中間配線１３ａ，１３ｂ及びビア電極１４ａ〜１４ｄを介して電気的に接続されている。

なお、本実施形態の半導体発光装置１Ｃでは、上述したＬＥＤ素子３の実装構造に必ずしも限定されるものではなく、上記半導体発光装置１Ａと同様に、ＬＥＤ素子３の実装構造について適宜変更を加えることが可能である。また、実装基板２Ｂについても、上記実装基板２Ａと同様である。

実装基板２Ｂには、この実装基板２Ｂを厚み方向Ｚに貫通する一対の孔部１１ｅ，１１ｆが設けられている。一対の孔部１１ｅ，１１ｆは、ＬＥＤ素子３の一対の素子電極９ａ，９ｂが並ぶ第１の方向Ｘとは交差する方向に並んで設けられている。本実施形態では、一対の孔部１１ｅ，１１ｆがＬＥＤ素子３の対角方向に並んで設けられている。

また、一対の孔部１１ｅ，１１ｆは、ＬＥＤ素子３の輪郭よりも平面視で外側、且つ、中継樹脂部５ｋと平面視で重なる位置に設けられている。具体的に、本実施形態では、ＬＥＤ素子３の輪郭を構成する４つの辺部のうち、ＬＥＤ素子３の第２の方向Ｙに位置する２つの辺部端の対角付近と平面視で重なる位置よりも外側に、一対の孔部１１ｅ，１１ｆが設けられている。

本実施形態の半導体発光装置１Ｃでは、封止樹脂５が一対の孔部１１ｅ，１１ｆに埋め込まれた状態で、実装基板２Ｂの一面２ａ側と他面２ｂ側との間に亘って設けられている。また、実装基板２Ｂの一面２ａ側には、一対の孔部１１ｅ，１１ｆの間で封止樹脂５が連続して設けられている。

具体的に、この封止樹脂５は、ＬＥＤ素子３の上面を覆う上面樹脂部５ａと、上面樹脂部５ａに連続してＬＥＤ素子３の４つの側面を覆う側面樹脂部５ｂと、一対の孔部１１ｅ，１１ｆに埋め込まれた埋込樹脂部５ｊと、側面樹脂部５ｂと埋込樹脂部５ｊとの間で連続して設けられた中継樹脂部５ｋとを有している。

このうち、上面樹脂部５ａ及び側面樹脂部５ｂは、ＬＥＤ素子３の上面及び４つの側面を略均一となる厚みで被覆している。中継樹脂部５ｋは、実装基板２Ｂの一面２ａとＬＥＤ素子３の下面との間に埋め込まれた状態で、側面樹脂部５ｂと埋込樹脂部５ｊとの間で埋込樹脂部５ｊと連続した側面を形成している。

ここで、中継樹脂部５ｋの高さ（Ｔ）は、実装基板２Ｂの一面２ａとＬＥＤ素子３の下面との間の間隔（Ｇ）よりも小さい（Ｔ＜Ｇ）ことが好ましい。これにより、側面樹脂部５ｂから中継樹脂部５ｋ及び埋込樹脂部５ｊを介して実装基板２Ｂの他面２ｂ側に光が抜けてしまうこと（いわゆる光抜け）を抑制することができる。

また、中継樹脂部５ｋの第２の方向Ｙにおける幅は、側面樹脂部５ｂの輪郭から孔部１１ｅ，１１ｆの中心までとし、孔部１１ｅ，１１ｆと平面視で重なる位置では、孔部１１ｅ，１１ｆの第２の方向Ｙにおける端部までとすることが好ましい。これにより、後述する一対の孔部１１ｅ，１１ｆを通して溶融した封止樹脂５を流れ易くすることができ、溶融した封止樹脂５のキャビティ空間Ｓ３における流動抵抗を低く抑えることによって、上面樹脂部５ａ及び側面樹脂部５ｂの厚みムラの発生を抑制することが可能である。

一方、実装基板２Ｂの他面２ｂ側には、一対の孔部１１ｅ，１１ｆの間で封止樹脂５が分断して設けられている。具体的に、この実装基板２Ｂの他面２ｂには、一対の孔部１１ｅ，１１ｆの間で封止樹脂５を分断する隔壁１５が設けられている。

隔壁１５は、端子電極７ｅ，７ｆと同じ材料からなり、これら端子電極７ｅ，７ｆの間に位置して、第２の方向Ｙに延長して設けられている。また、隔壁１５は、実装基板２Ｂの一面２ａ側に設けられたＬＥＤ素子３と平面視で重なる位置に設けられている。

また、隔壁１５は、上述した中間配線１３ｃ及びビア極１４ｅ，１４ｆを介してＬＥＤ素子３側と熱的に接続されている。これにより、ＬＥＤ素子３が発する熱を隔壁１５を介して外部へと放熱させることができる。

封止樹脂５は、実装基板２Ｂの他面２ｂ側において、一対の端子電極７ｃ，７ｄと隔壁１５との各間に埋め込まれた第１のランナー樹脂部５ｍ及び第２のランナー樹脂部５ｎを有している。第１のランナー樹脂部５ｍは、一方の孔部１１ａと平面視で重なる位置に、この孔部１１ａに埋め込まれた埋込樹脂部５ｊと連続して設けられている。第２のランナー樹脂部５ｎは、他方の孔部１１ｂと平面視で重なる位置に、この孔部１１ｂに埋め込まれた埋込樹脂部５ｊと連続して設けられている。

ここで、孔部１１ｅ，１１ｆの第１の方向Ｘにおける幅（Ｒ）は、封止樹脂５の第１の方向Ｘにおける半値幅（Ｌ／２）に対して同じかそれ以下（Ｒ≦Ｌ／２）ことが好ましい。これにより、側面樹脂部５ｂから中継樹脂部５ｋ及び埋込樹脂部５ｊを介して実装基板２Ｂの他面２ｂ側に光が抜けてしまうこと（光抜け）を抑制することができる。

また、第１のランナー樹脂部５ｍと第２のランナー樹脂部５ｎとは、隔壁１５を挟んだ両側において分断された状態で、第２の方向Ｙに延長して設けられている。したがって、実装基板２Ｂの他面２ｂ側において封止樹脂５を分断する方向は、一対の端子電極７ｃ，７ｄが並ぶ第１の方向Ｘとは交差（本実施形態では直交）する第２の方向Ｙとなっている。また、本実施形態では、第１及び第２のランナー樹脂部５ｍ，５ｎのＸＺ平面における断面積（以下、「ランナー樹脂部５ｍ，５ｎの断面積」という。）が、埋込樹脂部５ｊのＸＹ平面における断面積（以下、埋込樹脂部５ｊの断面積」という。）より大きくなっている。

以上のような構成を有する本実施形態の半導体発光装置１Ｃでは、上記半導体発光装置１Ａと同様に、ＬＥＤ素子３の上面及び側面を覆う封止樹脂５（上面樹脂部５ａ及び側面樹脂部５ｂ）の厚みをより均一化することができる。これにより、本実施形態の半導体発光装置１Ｃでは、ＬＥＤ素子３の側面から出射される光の損失を抑えつつ、良好な白色光を得ることが可能である。

なお、本実施形態の半導体発光装置１Ｃは、この半導体発光装置１Ｃを駆動する駆動回路が設けられた回路基板（図示せず。）などに実装する場合、回路基板上に設けられた一対のランド部と、一対の端子電極７ｅ，７ｆとの各間をはんだを介して接合することになる。この場合、第１及び第２のランナー樹脂部５ｍ，５ｎの側面及び下面とによって、一方の端子電極７ｅと他方の端子電極７ｆとの間ではんだが濡れ広がることを防ぐことが可能である。

［半導体発光装置の製造方法］
次に、上記半導体発光装置１Ｃの製造方法について、図３１〜図３５を参照しながら説明する。

なお、図３１は、半導体発光装置１Ｃの製造工程を説明するための図であり、（Ａ）は中間体５０Ｂの平面図、（Ｂ）は線分Ｄ−Ｄによる中間体５０Ｂの断面図である。図３２は、半導体発光装置１Ｃの製造工程を説明するための図であり、第１の金型１０１Ｂと第２の金型１０２Ｂとの間で中間体５０Ｂを挟み込む前の状態を示す断面図である。図３３は、半導体発光装置１Ｃの製造工程を説明するための図であり、第１の金型１０１Ｂ及び第２の金型１０２Ｂと中間体５０Ｂとの間に形成されるキャビティ空間Ｓ３、第１のランナー空間Ｓ４及び第２のランナー空間Ｓ５内に封止樹脂５を充填した状態を示す断面図である。図３４は、半導体発光装置１Ｃの製造工程を説明するための図であり、（Ａ）は封止後の中間体５０Ｂの平面図、（Ｂ）は線分Ｄ−Ｄによる封止後の中間体５０Ｂの断面図である。図３５は、半導体発光装置１Ｃの製造工程を説明するための図であり、（Ａ）は切断後の中間体５０Ｂの平面図、（Ｂ）は線分Ｄ−Ｄによる切断後の中間体５０Ｂの断面図である。

上記半導体発光装置１Ｃを製造する際は、先ず、図３１（Ａ），（Ｂ）に示すように、半導体発光装置１Ｃの中間体５０Ｂを準備する。中間体５０Ｂは、実装基板２Ｂとなる部分が第２の方向Ｙに複数（本実施形態では３つ）並んで形成された母基板２０Ｂを備えている。

中間体５０Ｂは、母基板２０Ｂの一面（本実施形態では上面）２０ａ側に、実装基板２Ｂとなる部分毎にＬＥＤ素子３を実装し、母基板２０Ｂの他面（本実施形態では下面）２０ｂ側に、実装基板２Ｂとなる部分毎に隔壁１５を設けることによって作製される。

なお、本実施形態では、実装基板２Ｂとなる部分が第２の方向Ｙに複数並んだ母基板２０Ｂを備えた中間体５０Ｂを例示しているが、１つの中間体５０Ｂから一括して作製される上記半導体発光装置１Ｃの数を増やすため、実装基板２Ｂとなる部分が第２の方向Ｙだけでなく、第１の方向Ｘにも複数並んだ母基板２０Ｂを備えた中間体５０Ｂを準備することも可能である。

次に、中間体５０Ｂの実装基板２Ｂとなる部分に対して封止工程を連続して実施する。具体的な封止工程については、先ず、図３２に示すように、母基板２０Ｂの一面２０ａ側との間で実装基板２Ｂとなる部分毎にキャビティ空間Ｓ３を形成する第１の金型１０１Ｂと、母基板２０Ｂの他面２０ｂ側との間で第１のランナー空間Ｓ４及び第２のランナー空間Ｓ５を形成する第２の金型１０２Ｂとの間で、母基板２０Ｂを挟み込んだ状態とする。

第１の金型１０１Ｂの母基板２０Ｂと対向する面には、キャビティ空間Ｓ３を形成する複数（本実施形態では３つ）の第１の凹部１０５が設けられている。第１の凹部１０５は、母基板２０Ｂの実装基板２Ｂとなる部分毎に分断された状態で、第２の方向Ｙに並んで設けられている。

第２の金型１０２Ｂの母基板２０と対向する面には、第１のランナー空間Ｓ４及び第２のランナー空間Ｓ５を形成する第２の凹部１０６が第２の方向Ｙに延長して設けられている。また、母基板２０Ｂの他面２０ｂに第２の金型１０２Ｂが突き合わされた際には、隔壁１５が第２の凹部１０４の底面と突き合わされた状態となる。

これにより、隔壁１５は、第２の凹部１０６の内側を、第１のランナー空間Ｓ４を形成する第１の溝部１０６ａと、第２のランナー空間Ｓ５を形成する第２の溝部１０６ｂとに分断することになる。また、第１の溝部１０６ａは、第２の方向Ｙにおいて互いに隣り合う実装基板２Ｂとなる部分の一方の孔部１１ｅの間で連続した第１のランナー空間Ｓ４を形成することになる。第２の溝部１０６ｂは、第２の方向Ｙにおいて互いに隣り合う実装基板２Ｂとなる部分の他方の孔部１１ｆの間で連続した第２のランナー空間Ｓ５を形成することなる。

次に、図３３に示すように、第１の金型１０１Ｂと第２の金型１０２Ｂとの間で母基板２０Ｂを挟み込んだ状態から、キャビティ空間Ｓ３、第１のランナー空間Ｓ４及び第２のランナー空間Ｓ５内に溶融した封止樹脂５を充填する。

具体的には、第２の金型１０２Ｂの第２の方向Ｙの一端側に設けられた注入口１０２ｃから、第１のランナー空間Ｓ４に向けて溶融した封止樹脂５を注入する。このとき、各実装基板２Ｂとなる部分の一方の孔部１１ｅを通して、第１のランナー空間Ｓ４からキャビティ空間Ｓ３に向けて溶融した封止樹脂５が導入される。また、各実装基板２Ｂとなる部分の他方の孔部１１ｆを通して、キャビティ空間Ｓ３から第２のランナー空間Ｓ５に向けて溶融した封止樹脂５が導出される。

これにより、溶融した封止樹脂５は、第２の方向Ｙに並ぶ実装基板２となる部分毎に、キャビティ空間Ｓ３、第１のランナー空間Ｓ４及び第２のランナー空間Ｓ５内に充填されながら、最終的に第２の金型１０２Ｂの第２の方向Ｙの他端側に設けられた排出口１０２ｄから排出されることになる。

なお、溶融した封止樹脂５を注入する場合、この溶融した封止樹脂５を圧送しながら注入する以外にも、真空引きにより溶融した封止樹脂５を注入することも可能である。

次に、図３４（Ａ），（Ｂ）に示すように、キャビティ空間Ｓ３、第１のランナー空間Ｓ４及び第２のランナー空間Ｓ５内に充填された封止樹脂５を加熱することによって、この封止樹脂５を硬化させる。そして、封止樹脂５が硬化した後に、中間体５０Ｂを第１の金型１０１Ｂ及び第２の金型１０２Ｂから離型する。これにより、中間体５０Ｂの実装基板２となる部分に対して封止工程を連続して実施することが可能である。

上記封止工程の後には、母基板２０Ｂの一面２０ａ側において、実装基板２Ｂとなる部分毎に、ＬＥＤ素子３の上面を覆う上面樹脂部５ａと、上面樹脂部５ａに連続してＬＥＤ素子３の４つの側面を覆う側面樹脂部５ｂと、一対の孔部１１ｅ，１１ｆに埋め込まれた埋込樹脂部５ｊと、側面樹脂部５ｂと埋込樹脂部５ｊとの間で連続して設けられた中継樹脂部５ｋとが形成されることになる。一方、母基板２０Ｂの他面２０ｂ側には、一対の端子電極７ｅ，７ｆと隔壁１５との間に埋め込まれた第１及び第２のランナー樹脂部５ｍ，５ｎが、実装基板２Ｂとなる部分の間で連続して形成されることになる。また、第１及び第２のランナー樹脂部５ｍ，５ｎの下面は、一対の端子電極７ｅ，７ｆの下面と面一に形成されている。

ここで、本実施形態における第１及び第２のランナー空間Ｓ４，Ｓ５のＸＺ平面における断面積（以下、「ランナー空間Ｓ４，Ｓ５の断面積」という。）と、各孔部１１ｅ，１１ｆのＸＹ平面における断面積（以下、「孔部１１ｅ，１１ｆの断面積」という。）との関係について説明する。

なお、ランナー空間Ｓ４，Ｓ５の断面積は、このランナー空間Ｓ４，Ｓ５に充填されるランナー樹脂部５ｍ，５ｎの断面積に相当し、孔部１１ｅ，１１ｆの断面積は、この孔部１１ｅ，１１ｆに充填される埋込樹脂部５ｊの断面積に相当する。

ランナー空間Ｓ４，Ｓ５の断面積は、孔部１１ｅ，１１ｆの断面積より大きいことが好ましい。これにより、溶融した封止樹脂５のランナー空間Ｓ４，Ｓ５における流動抵抗を低く抑えることができる。また、溶融した封止樹脂５のキャビティ空間Ｓ３への充填を安定させることができる。したがって、作製される半導体発光装置１Ｃにおいて、封止樹脂５の上面樹脂部５ａ及び側面樹脂部５ｂにおける厚みムラの発生を抑制することが可能である。

なお、上面樹脂部５ａ及び側面樹脂部５ｂの厚みムラを抑えるためには、少なくとも溶融した封止樹脂５の第１のランナー空間Ｓ４からキャビティ空間Ｓ３への供給が良好となればよい。したがって、少なくとも第１のランナー空間Ｓ４の断面積は、一方の孔部１１ｅの断面積より大きいことが好ましい。一方、第２のランナー空間Ｓ５の断面積は、第１ランナー空間Ｓ４の断面積より小さくてもよい。また、他方の孔部１１ｆの断面積は、一方の孔部１１ｅの断面積より小さくてもよい。

また、孔部１１ｅ，１１ｆの直径については、これら孔部１１ｅ，１１ｆの形状が長円形状であることから、孔部１１ｅ，１１ｆの短径が実装基板２Ｂの厚みの０．５倍以上、孔部１１ｅ，１１ｆの長径が実装基板２Ｂの厚みの２倍以下であることが好ましい。これにより、溶融した封止樹脂５による孔部１１ｅ，１１ｆを形成する実装基板２Ｂの変形を抑制すると共に、実装基板２Ｂの変形に伴う側面樹脂部５ｂの剥離を防止することが可能である。

また、端子電極７ｅ，７ｆの厚みを実装基板２Ｂの厚みと同じかそれ以上とし、且つ、孔部１１ｅ，１１ｆの直径を実装基板２Ｂの厚みと同じかそれ以上とすることが好ましい。なお、本実施形態では、例えば、実装基板２Ｂの厚みを１２０μｍとし、端子電極７ｅ，７ｆの厚みを１３５μｍとし、孔部１１ｅ，１１ｆの直径を１２０μｍとしている。

次に、図３４（Ａ），（Ｂ）に示すように、上述した封止工程の後に、個片化工程として、ダイシングブレード３００を用いて、カットラインＣＬに沿って中間体５０Ｂを実装基板２Ｂとなる部分毎に切断する。これにより、図３５（Ａ），（Ｂ）に示すように、中間体５０Ｂを個々の半導体発光装置１Ｃに分割（個片化）することができる。

個片化工程では、実装基板２Ｂとなる部分毎に、母基板２０Ｂ、一対の端子電極７ｅ，７ｆ、第１及び第２のランナー樹脂部５ｍ，５ｎが分断されることになる。また、切断面からは、実装基板２Ｂ、一対の端子電極７ｅ，７ｆ、第１及び第２のランナー樹脂部５ｍ，５ｎの各側面が面一で露出することになる。なお、端子電極７ｅ，７ｆの切断面には、メッキを施してもよい。その場合、例えば、フラッシュめっきで金めっきを施すことができる。
以上のような工程を経ることによって、複数の半導体発光装置１Ｃを一括して製造することが可能である。

以上のように、本実施形態の半導体発光装置１Ｃの製造方法では、ＬＥＤ素子３の上面及び側面を覆う封止樹脂５（上面樹脂部５ａ及び側面樹脂部５ｂ）の厚みをより均一化した半導体発光装置１Ｃを効率良く製造することが可能である。

また、本実施形態の半導体発光装置１Ｃの製造方法では、上述した比較例となる半導体発光装置１００のように、封止樹脂５（側面樹脂部５ｂ）の側面にランナー樹脂部５ｆが形成されることがない。したがって、本実施形態の半導体発光装置１Ｃの製造方法によれば、ＬＥＤ素子３の上面及び側面を覆う封止樹脂５（上面樹脂部５ａ及び側面樹脂部５ｂ）の厚みをより均一に形成することが可能である。

（半導体発光装置の第３の変形例）
次に、上記半導体発光装置の第３の変形例について、図３６〜図３９を参照しながら説明する。

なお、図３６は、上記半導体発光装置１Ｃにレンズ体３０を取り付けた第３の変形例を示す上面図である。図３７は、図３６に示す半導体発光装置１Ｃの下面図である。図３８は、図３６中に示す線分Ｃ−Ｃによる半導体発光装置１Ｃの断面図である。図３９は、図３６中に示す線分Ｄ−Ｄによる半導体発光装置１Ｃの断面図である。

第３の変形例として示す半導体発光装置１Ｃは、図３６〜図３９に示すように、上記半導体発光装置１Ｃの構成に加えて、レンズ体３０を備えている。レンズ体３０は、実装基板２Ｂの一面２ａ側において、封止樹脂５により封止されたＬＥＤ素子３を覆った状態で、球面凸状のレンズ面３０ａを構成している。

第３の変形例として示す半導体発光装置１Ｃでは、このようなレンズ体３０を備えることで、この半導体発光装置１Ｃが出射する光（白色光）をレンズ体３０により集光しながら、その配光を制御することが可能である。また、第３の変形例として示す半導体発光装置１Ｃでは、ＬＥＤ素子３の上面及び側面を覆う封止樹脂５（上面樹脂部５ａ及び側面樹脂部５ｂ）の厚みがより均一化されているため、このレンズ体３０による配光制御を精度良く行うことが可能である。

（半導体発光装置の第４の変形例）
次に、上記半導体発光装置の第４の変形例について、図４０〜図４３を参照しながら説明する。

なお、図４０は、上記半導体発光装置１Ｃに枠体４０を取り付けた第４の変形例を示す上面図である。図４１は、図４０に示す半導体発光装置１Ｃの下面図である。図４２は、図４０中に示す線分Ｃ−Ｃによる半導体発光装置１Ｃの断面図である。図４３は、図４０中に示す線分Ｄ−Ｄによる半導体発光装置１Ｃの断面図である。

第４の変形例として示す半導体発光装置１Ｃは、図４０〜図４３に示すように、上記半導体発光装置１Ｃの構成に加えて、枠体４０を備えている。枠体４０は、実装基板２Ｂの一面２ａ側において、封止樹脂５により封止されたＬＥＤ素子３の周囲を囲んだ状態で、その開口端に向かって傾斜する反射面４０ａを構成している。

第４の変形例として示す半導体発光装置１Ｃでは、このような枠体４０を備えることで、この半導体発光装置１Ｃが出射する光（白色光）を枠体４０により反射しながら、その配光を制御することが可能である。また、第４の変形例として示す半導体発光装置１Ｃでは、ＬＥＤ素子３の上面及び側面を覆う封止樹脂５（上面樹脂部５ａ及び側面樹脂部５ｂ）の厚みがより均一化されているため、この枠体４０による配光制御を精度良く行うことが可能である。

なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記封止樹脂５は、実装基板２Ａ（２Ｂ）の一面２ａ側との間でキャビティ空間Ｓ１（Ｓ３）を形成する第１の金型１０１Ａ（１０１Ｂ）からの離型性を良くするため、上面樹脂部５ａと側面樹脂部５ｂとの間の角部や、埋込樹脂部５ｃ（５ｊ）と中継樹脂部５ｄ（５ｋ）との間の隅部、中継樹脂部５ｄ（５ｋ）の角部などに、Ｃ面やＲ面といった面取り部を設けた構成としてもよい。また、側面樹脂部５ｂ及び中継樹脂部５ｄ（５ｋ）は、ＬＥＤ素子３の上面側から下面側に向かって僅かに傾斜したテーパー形状（抜き勾配）を有していてもよい。

上述した封止樹脂５の厚みの均一性を維持できる範囲（色ムラや色度ズレの発生を抑制できる範囲）であれば、このような面取り部やテーパー形状を設けることが可能である。また、このような面取り部やテーパー形状に対応したキャビティ空間Ｓ１（Ｓ３）を形成する第１の凹部１０３（１０５）を第１の金型１０１Ａ（１０１Ｂ）に設けることが可能である。なお、上記半導体発光装置１Ｂについても同様である。

したがって、本発明では、ＬＥＤ素子３の上面及び側面を略均一な厚みの封止樹脂５（上面樹脂部５ａ及び側面樹脂部５ｂ）で覆うと言った場合、この“略均一な厚み”とは、面取り部やテーパー形状などによる若干の厚みの変化を許容した厚みのことを意味するものとする。

また、上記実施形態では、中間体５０Ａ（５０Ｂ）の実装基板２Ａ（２Ｂ）となる部分に対して封止工程を連続して実施する場合を例示しているが、ＬＥＤ素子３が実装された実装基板２Ａ（２Ｂ）に対して封止工程を実施することも可能である。

この場合、実装基板２Ａ（２Ｂ）の一面２ａ側との間でキャビティ空間Ｓ１（Ｓ３）を形成する第１の金型１０１Ａ（１０１Ｂ）と、実装基板２Ａ（２Ｂ）の他面２ｂ側との間でランナー空間Ｓ２（第１及び第２のランナー空間Ｓ４，Ｓ５）を形成する第２の金型１０２Ａ（１０２Ｂ）との間で、ＬＥＤ素子３が実装された実装基板２Ａ（２Ｂ）を挟み込んだ状態とする。

この状態で、実装基板２Ａ（２Ｂ）の一対の孔部１１ａ，１１ｂ（１１ｅ，１１ｆ）のうち、一方の孔部１１ａ（１１ｅ）を通してランナー空間Ｓ２（第１のランナー空間Ｓ４）からキャビティ空間Ｓ１（Ｓ３）に向けて、溶融した封止樹脂５を導入すると共に、他方の孔部１１ｂ（１１ｆ）を通してキャビティ空間Ｓ１（Ｓ３）からランナー空間Ｓ２（第２のランナー空間Ｓ５）に向けて、溶融した封止樹脂５を導出する。

その後、キャビティ空間Ｓ１（Ｓ３）及びランナー空間Ｓ２（第１及び第２のランナー空間Ｓ４，Ｓ５）内に充填された封止樹脂５を加熱することによって、この封止樹脂５を硬化させる。そして、封止樹脂５が硬化した後に、実装基板２Ａ（２Ｂ）を第１の金型１０１Ａ（１０１Ｂ）及び第２の金型１０２Ａ（１０２Ｂ）から離型する。これにより、ＬＥＤ素子３が実装された実装基板２Ａ（２Ｂ）に対して封止工程を実施することが可能である。なお、上記半導体発光装置１Ｂについても同様である。

また、上記実施形態では、上述した実装基板２Ａ（２Ｂ）の他面２ｂにおいて、一対の孔部１１ａ，１１ｂ（１１ｅ，１１ｆ）の間でランナー樹脂部５ｅ（第１及び第２のランナー樹脂部５ｍ，５ｎ）（封止樹脂５）を隔壁１２（１５）により分断した構成となっているが、この隔壁１２（１５）を省略した構成とすることも可能である。例えば、実装基板２Ａ（２Ｂ）の他面２ｂ側に隔壁１２（１５）を設ける代わりに、第２の凹部１０４（１０６）の内側において、一対の孔部１１ａ，１１ｂ（１１ｅ，１１ｆ）の間でランナー空間Ｓ２（第１及び第２のランナー空間Ｓ４，Ｓ５）を分断する隔壁を設けた状態で、上記封止工程を実施する。これにより、隔壁１２（１５）を省略した半導体発光装置１Ａ（１Ｃ）を得ることが可能である。なお、上記半導体発光装置１Ｂについても同様である。

なお、本発明が適用可能な半導体発光装置については、上述した青色光（励起光）と黄色光（蛍光光）との混色により白色光（可視光）を得る半導体発光装置に限定されるものではなく、青色光（励起光）と緑色光及び赤色光（蛍光光）との混色により白色光（可視光）を得る半導体発光装置であってもよい。さらに、発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザーダイオード（ＬＤ）などの半導体発光素子と、この半導体発光素子が発する光（励起光）に励起されて光（蛍光光）を発する蛍光体とを組み合わせた半導体発光装置に対して、本発明を幅広く適用することが可能である。

１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…半導体発光装置 ２Ａ，２Ｂ…実装基板（基板） ３…ＬＥＤ素子（半導体発光素子） ４…蛍光体 ５…封止樹脂 ５ａ…上面樹脂部 ５ｂ…側面樹脂部 ５ｃ，５ｇ，５ｊ…埋込樹脂部 ５ｄ，５ｈ，５ｋ…中継樹脂部 ５ｅ，５ｉ…ランナー樹脂部 ５ｍ…第１のランナー樹脂部 ５ｎ…第２のランナー樹脂部 ６ａ，６ｂ、６ｃ，６ｄ、６ｅ，６ｆ…パッド電極 ７ａ，７ｂ、７ｃ，７ｄ、７ｅ，７ｆ…端子電極 ８ａ，８ｂ…貫通電極 ９ａ，９ｂ、９ｃ，９ｄ、９ｅ，９ｆ…素子電極（電極） １０ａ，１０ｂ、１０ｃ，１０ｄ、１０ｅ，１０ｆ…バンプ １１ａ，１１ｂ、１１ｃ，１１ｄ、１１ｅ，１１ｆ…孔部 １２…隔壁 １３ａ，１３ｂ，１３ｃ…中間配線 １４ａ〜１４ｆ…ビア電極 １５…隔壁 ２０Ａ，２０Ｂ…母基板 ３０…レンズ体 ４０…枠体 ５０Ａ，５０Ｂ…中間体 １０１Ａ，１０１Ｂ…第１の金型 １０２Ａ，１０２Ｂ…第２の金型 １０３…第１の凹部 １０４…第２の凹部 １０５…第１の凹部 １０６…第２の凹部 １０６ａ…第１の溝部 １０６ｂ…第２の溝部 Ｓ１…キャビティ空間 Ｓ２…ランナー空間 Ｓ３…キャビティ空間 Ｓ４…第１のランナー空間 Ｓ５…第２のランナー空間

Claims (12)

1. 半導体発光素子と、
   前記半導体発光素子が実装される基板と、
   前記半導体発光素子を覆うと共に、蛍光体を含有した封止樹脂とを備え、
   前記基板は、前記半導体発光素子が実装される一面側とは反対の他面側に設けられた一対の端子電極と、前記一対の端子電極の間に位置して前記一面と前記他面との間を貫通した一対の孔部とを有し、
   前記封止樹脂は、前記一対の孔部に埋め込まれた状態で、前記基板の一面側と他面側との間に亘って設けられ、
   なお且つ、前記基板の一面側において、前記一対の孔部の間で前記封止樹脂が連続して設けられると共に、前記基板の他面側において、前記一対の孔部の間で前記封止樹脂が分断して設けられていることを特徴とする半導体発光装置。
2. 前記基板の他面側において前記封止樹脂を分断する方向が、前記一対の端子電極が並ぶ方向となっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記基板の他面側に設けられて、前記一対の孔部の間で前記封止樹脂を分断する隔壁を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光装置。
4. 前記一対の孔部は、前記半導体発光素子の輪郭と平面視で重なる位置又はその位置よりも外側に設けられていることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の半導体発光装置。
5. 前記一対の孔部は、前記一対の端子電極が並ぶ方向とは交差する方向に並んで設けられていることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の半導体発光装置。
6. 前記封止樹脂は、前記半導体発光素子の上面を覆う上面樹脂部と、
   前記上面樹脂部に連続して前記半導体発光素子の側面を覆う側面樹脂部と、
   前記一対の孔部に埋め込まれた埋込樹脂部と、
   前記側面樹脂部と前記埋込樹脂部との間で連続して設けられた中継樹脂部とを有することを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の半導体発光装置。
7. 前記封止樹脂は、前記実装基板の他面側において、前記一対の端子電極の間に埋め込まれたランナー樹脂部を有し、
   前記ランナー樹脂部は、前記隔壁により分断された状態で、前記一対の孔部に埋め込まれた前記埋込樹脂部と連続して設けられていることを特徴とする請求項２〜６の何れか一項に記載の半導体発光装置。
8. 半導体発光素子と、
   前記半導体発光素子が実装される基板と、
   前記半導体発光素子を覆うと共に、蛍光体を含有した封止樹脂とを備えた半導体発光装置の製造方法であって、
   前記基板の一面側との間でキャビティ空間を形成する第１の金型と、前記基板の他面側との間でランナー空間を形成する第２の金型との間で、前記半導体発光素子が実装された前記基板を挟み込んだ状態とし、
   前記基板を貫通する一対の孔部のうち、一方の孔部を通して前記ランナー空間から前記キャビティ空間に向けて、溶融した前記封止樹脂を導入すると共に、他方の孔部を通して前記キャビティ空間から前記ランナー空間に向けて、溶融した前記封止樹脂を導出し、
   前記キャビティ空間及び前記ランナー空間に充填された前記封止樹脂が硬化した後に、前記基板を前記第１の金型及び前記第２の金型から離型する封止工程を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
9. 前記基板の他面側において、前記一対の孔部の間で前記ランナー空間を分断する隔壁を設けることを特徴とする請求項８に記載の半導体発光装置の製造方法。
10. 前記基板となる部分が複数並んで形成された母基板の一面側に、前記基板となる部分毎に前記半導体発光素子が複数並んで実装された前記半導体発光装置の中間体を準備する工程と、
    前記中間体の前記基板となる部分に対して前記封止工程を連続して実施する工程と、
    前記中間体を前記基板となる部分毎に切断することによって、個々の前記半導体発光装置に分割する工程とを含むことを特徴とする請求項８又は９に記載の半導体発光装置の製造方法。
11. 前記中間体の前記基板となる部分に対して前記封止工程を連続して実施する際に、
    前記母基板の前記基板となる部分毎に前記キャビティ空間が形成された前記第１の金型と、
    前記母基板の前記溶融した封止樹脂を導入する方向において、互いに隣り合う一方の前記基板となる部分の前記他方の孔部と、他方の前記基板となる部分の前記一方の孔部との間で連続した前記第ランナー空間が形成された前記第２の金型とを用いることを特徴とする請求項１０に記載の半導体発光装置の製造方法。
12. 前記母基板の前記溶融した封止樹脂を導入する方向が、前記基板の前記半導体発光素子が実装される一面側とは反対の他面側に設けられた一対の端子電極が並ぶ方向とは交差する方向であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体発光装置の製造方法。

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