JP2017054856A - 電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性を向上させた電子部品を提供する。【解決手段】実施形態の電子部品は、基板と、前記基板に対向する蓋部であり、第１領域部と、前記第１領域部に隣接する第２領域部と、を有し、前記第２領域部は前記第１領域部に囲まれ、前記第１領域部の厚さは前記第２領域部の厚さよりも厚い蓋部と、前記第１領域部と前記基板との間に設けられた半田材と、前記半田材と前記基板との間に設けられた第１金属膜と、前記半田材と前記第１領域部との間に設けられた第２金属膜と、前記第２領域部と前記基板との間において、前記基板に設けられた配線と、前記第１金属膜と前記配線との間において、前記基板に設けられた第３金属膜と、を備える。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、電子部品に関する。

素子、配線回路等が回路基板と蓋部とによって封止された電子部品がある。このような電子部品では、例えば、回路基板の外周部と蓋部の外周部とが対向し、回路基板の外周部と蓋部の外周部との間に、接合材としての半田材が設けられている。

しかし、回路基板と蓋部とを半田材によって接合するときに、半田材が回路基板の外周部と蓋部の外周部との間から電子部品の内部にはみ出ると、半田材が素子、配線回路等に接触する可能性がある。半田材が素子、配線回路等に接触すると、電子部品内で、例えば電気的短絡が起き、電子部品の信頼性が低下する。

特開２０１４−１８７３５４号公報

本発明が解決しようとする課題は、信頼性を向上させた電子部品を提供することである。

実施形態の電子部品は、基板と、前記基板に対向する蓋部であり、第１領域部と、前記第１領域部に隣接する第２領域部と、を有し、前記第２領域部は前記第１領域部に囲まれ、前記第１領域部の厚さは前記第２領域部の厚さよりも厚い蓋部と、前記第１領域部と前記基板との間に設けられた半田材と、前記半田材と前記基板との間に設けられた第１金属膜と、前記半田材と前記第１領域部との間に設けられた第２金属膜と、前記第２領域部と前記基板との間において、前記基板に設けられた配線と、前記第１金属膜と前記配線との間において、前記基板に設けられた第３金属膜と、を備える。

図１（ａ）は、第１実施形態に係る電子部品を表す模式的断面図である。図１（ｂ）は、第１実施形態に係る電子部品の蓋部等を表す模式的下面図である。図１（ｃ）は、第１実施形態に係る電子部品の基板等を表す模式的上面図である。 図２は、第１実施形態に係る電子部品の一部を表す模式的断面図である。 図３（ａ）〜図３（ｂ）は、第１実施形態に係る電子部品の製造過程の一部を表す模式的断面図である。 図４（ａ）〜図４（ｂ）は、第１実施形態に係る電子部品の製造過程の一部を表す模式的断面図である。 図５（ａ）〜図５（ｂ）は、第１実施形態に係る電子部品の製造過程の一部を表す模式的断面図である。 図６（ａ）は、参考例の作用を表す模式的断面図である。図６（ｂ）は、第１実施形態の作用を表す模式的断面図である。 図７（ａ）は、第２実施形態に係る電子部品を表す模式的断面図である。図７（ｂ）は、第２実施形態に係る電子部品の蓋部等を表す模式的下面図である。図７（ｃ）は、第２実施形態に係る電子部品の基板等を表す模式的上面図である。 図８は、第２実施形態に係る電子部品の一部を表す模式的断面図である。 図９（ａ）〜図９（ｃ）は、第２実施形態に係る電子部品の製造過程の一部を表す模式図である。 図１０（ａ）は、第３実施形態に係る電子部品を表す模式的断面図である。図１０（ｂ）は、第３実施形態に係る電子部品の蓋部等を表す模式的下面図である。図１０（ｃ）は、第３実施形態に係る電子部品の基板等を表す模式的上面図である。 図１１は、第３実施形態に係る電子部品の一部を表す模式的断面図である。 図１２（ａ）は、第４実施形態に係る電子部品を表す模式的断面図である。図１２（ｂ）は、第４実施形態に係る電子部品の蓋部等を表す模式的下面図である。図１２（ｃ）は、第４実施形態に係る電子部品の基板等を表す模式的上面図である。 図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、第４実施形態に係る電子部品の製造過程の一部を表す模式図である。 図１４（ａ）は、第５実施形態に係る電子部品の蓋部等を表す模式的下面図である。図１４（ｂ）は、第５実施形態に係る電子部品の基板等を表す模式的上面図である。 図１５は、第６実施形態に係る電子部品の一部を表す模式的断面図である。

以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。各図には、ＸＹＺ座標が導入される場合がある。

（第１実施形態）
図１（ａ）は、第１実施形態に係る電子部品を表す模式的断面図である。図１（ｂ）は、第１実施形態に係る電子部品の蓋部等を表す模式的下面図である。図１（ｃ）は、第１実施形態に係る電子部品の基板等を表す模式的上面図である。
図１（ａ）には、図１（ｂ）および図１（ｃ）のＡ１−Ａ２線に沿った位置における断面が表されている。図１（ｂ）、（ｃ）には、後述する半田材３０は図示されず、半田材３０が配置される領域が図示されている。

第１実施形態に係る電子部品１は、基板１０と、蓋部２０と、半田材３０と、第１金属膜４１と、第２金属膜４２と、配線１１と、第３金属膜４３と、第４金属膜４４と、素子１００と、を備える。

実施形態において、基板１０から蓋部２０に向かう方向は、上方向、蓋部２０から基板１０に向かう方向は、下方向である。基板１０から蓋部２０に向かう方向に対して直交する方向は、横方向、または水平方向である。実施形態では、基板１０から蓋部２０に向かう方向は、Ｚ方向である。基板１０から蓋部２０に向かう方向に対して直交する方向は、Ｘ方向またはＹ方向である。

基板１０は、蓋部２０に対向する。基板１０は、例えば、シリコン（Ｓｉ）結晶を含む。基板１０は、例えば、シリコンウェーハから個片化されたシリコン板である。基板１０は、シリコンのほか、化合物半導体、樹脂、セラミックのいずれかを含んでもよい。基板１０のＺ方向における厚さは、例えば、５０μｍ〜１００μｍである。Ｘ−Ｙ平面における基板１０の外形は、一例として、矩形である。

基板１０の下には、絶縁膜１２を介して、配線１３ａ、１３ｂが設けられている。絶縁膜１２は、窒化シリコンおよび酸化シリコンの少なくともいずれかを含む。配線１３ａ、１３ｂのそれぞれの一部は、基板１０の下面１０ｄから上面１０ｕにまで達している。下面１０ｄから上面１０ｕにまで達する配線１３ａ、１３ｂのそれぞれの一部は、ＴＳＶ（Through Silicon Via）と呼ばれる。配線１３ａには、例えば、外部端子１４ａが接続されている。配線１３ｂには、例えば、外部端子１４ｂが接続されている。配線１３ａ、１３ｂのそれぞれは、レジスト層１５に覆われている。

配線１１は、基板１０の上に絶縁膜１６を介して設けられている。配線１１は、配線１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄを含む。図示された配線１１の外形は一例であり、図示された形状に限らない。絶縁膜１６は、窒化シリコンおよび酸化シリコンの少なくともいずれかを含む。図１（ａ）の例では、配線１１ａは、配線１３ａに接続されている。配線１１ｃは、配線１３ｂに接続されている。素子１００は、配線１１ｃ上に実装されている。例えば、配線１１ｃは、半田材１７を介して、素子１００の電極１００ｅに接続されている。

電子部品１では、外部端子１４ｂから素子１００に電力、信号等が供給されたり、素子１００から出力された信号が外部端子１４ｂから取り出されたりする。素子１００と配線１１ａとの間には、一例として、スペーサ部材１８が設けられている。素子１００と配線１１ａとの間に、スペーサ部材１８が設けられていない構造も本実施形態に含まれる。素子１００は、例えば、水晶振動子、センサ、トランジスタ、抵抗、コンデンサ等のいずれかの素子である。

蓋部２０は、第１領域部２０−１と、第２領域部２０−２と、を有する。第１領域部２０−１は、第２領域部２０−２に隣接する。第２領域部２０−２は、第１領域部２０−１に囲まれている。第１領域部２０−１の厚さｄ１は、第２領域部２０−２の厚さｄ２よりも厚い。厚さｄ１は、例えば、８０μｍ〜５００μｍである。厚さｄ２は、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。蓋部２０は、例えば、シリコン（Ｓｉ）結晶を含む。蓋部２０は、例えば、シリコンウェーハから個片化されたシリコン部材である。蓋部２０は、シリコンのほか、化合物半導体、樹脂、セラミックのいずれかを含んでもよい。

蓋部２０においては、第１領域部２０−１と第２領域部２０−２とによって段差が形成される。蓋部２０には、凹部（リセス部）２０ｃが形成されている。Ｘ−Ｙ平面における蓋部２０の外形は、一例として、矩形である。蓋部２０の外形は、一例として、基板１０の外形と同じである。素子１００および配線１１は、第２領域部２０−２（凹部２０ｃ）と基板１０との間に位置する。素子１００と蓋部２０との間、および配線１１と蓋部２０との間には、隙間がある。図１（ｃ）には、基板１０と蓋部２０とを合わせたときに、第１領域部２０−１と第２領域部２０−２との境界の直下に対応する位置が破線１０ｐで表されている。

半田材３０は、蓋部２０の第１領域部２０−１と、基板１０と、の間に設けられている。Ｚ方向から蓋部２０を見た場合、半田材３０は、環状である。Ｚ方向から蓋部２０を見た場合、半田材３０の外形は、矩形である。Ｚ方向から蓋部２０を見た場合、半田材３０は、第２領域部２０−２（凹部２０ｃ）を囲む。Ｚ方向から基板１０を見た場合、半田材３０は、素子１００および配線１１を囲む。

半田材３０は、例えば、Ａｕ−Ｓｎ系半田、Ｃｕ−Ｓｎ系半田、Ａｇ−Ｓｎ系半田、Ｓｂ−Ｓｎ系半田、Ｂｉ−Ｓｎ系半田、Ｉｎ−Ｓｎ系半田等の少なくとも１つを含む。半田材３０は、Ａｕ−Ｓｎ系半田、Ｃｕ−Ｓｎ系半田、Ａｇ−Ｓｎ系半田、Ｓｂ−Ｓｎ系半田、Ｂｉ−Ｓｎ系半田、Ｉｎ−Ｓｎ系半田等の少なくとも１つと、鉛（Ｐｂ）を含んだものでもよい。

第１金属膜４１は、半田材３０と基板１０との間に設けられている。第１金属膜４１は、絶縁膜１６を介して基板１０の上に設けられている。第１金属膜４１は、半田材３０に接合されている。Ｚ方向から、基板１０を見た場合、第１金属膜４１は、環状である。Ｚ方向から、基板１０を見た場合、第１金属膜４１の外形は、矩形である。Ｚ方向から、基板１０を見た場合、第１金属膜４１は、素子１００および配線１１を囲む。第１金属膜４１は、Ｘ方向に延在する２つの領域と、Ｙ方向に延在する２つの領域と、を含む。

第２金属膜４２は、半田材３０と蓋部２０の第１領域部２０−１との間に設けられている。第２金属膜４２は、絶縁膜２５を介して、第１領域部２０−１の下に設けられている。第２金属膜４２は、半田材３０に接合されている。Ｚ方向から蓋部２０を見た場合、第２金属膜４２は、環状である。Ｚ方向から蓋部２０を見た場合、第２金属膜４２の外形は、矩形である。Ｚ方向から蓋部２０を見た場合、第２金属膜４２は、第２領域部２０−２を囲む。第２金属膜４２は、Ｘ方向に延在する２つの領域と、Ｙ方向に延在する２つの領域と、を含む。Ｚ方向から電子部品１を見た場合、配線１１は、半田材３０、第１金属膜４１、および第２金属膜４２に囲まれている。

第３金属膜４３は、絶縁膜１６を介して基板１０の上に設けられている。第３金属膜４３は、半田材３０に対して高い濡れ性を持つ材料を含む。第３金属膜４３は、Ｘ方向またはＹ方向において、第１金属膜４１の横に設けられている。第３金属膜４３は、第１金属膜４１と平行に並んでいる。第３金属膜４３は、第１金属膜４１と配線１１との間に設けられている。

第４金属膜４４は、絶縁膜２５を介して蓋部２０の第１領域部２０−１の下に設けられている。第４金属膜４４は、半田材３０に対して高い濡れ性を持つ材料を含む。第４金属膜４４は、Ｘ方向またはＹ方向において、第２金属膜４２の横に設けられている。第４金属膜４４は、第２金属膜４２と平行に並んでいる。第４金属膜４４は、第２金属膜４２と第２領域部２０−２との間に設けられている。

第３金属膜４３および第４金属膜４４は、例えば、金（Ａｕ）を含む。金（Ａｕ）は、半田材３０に対して高い濡れ性を有する。また、金（Ａｕ）は、耐酸化性が高い。図１（ａ）〜図１（ｃ）の例では、基板に１０に第３金属膜４３が設けられているとともに、蓋部２０の第１領域部２０−１に第４金属膜４４が設けられている。

第３金属膜４３は、Ｚ方向において、第４金属膜４４に対向している。図１（ａ）〜図１（ｃ）の例では、Ｚ方向から見て、第３金属膜４３および第４金属膜４４は、環状になっている。Ｚ方向から見て、第３金属膜４３の外形および第４金属膜４４外形は、矩形である。第３金属膜４３は、Ｘ方向に延在する２つの領域と、Ｙ方向に延在する２つの領域と、を含む。第４金属膜４４は、Ｘ方向に延在する２つの領域と、Ｙ方向に延在する２つの領域と、を含む。第３金属膜４３および第４金属膜４４のそれぞれは、部分的に途切れてもよく、周期的に分割されてもよい。第３金属膜４３および第４金属膜４４の一方を除いた構造も実施形態に含まれる。

電子部品１では、第１金属膜４１、第２金属膜４２、および半田材３０によって、基板１０と蓋部２０とが接合される。電子部品１では、第１金属膜４１、第２金属膜４２、半田材３０、基板１０、および蓋部２０によって囲まれた閉空間が形成される。閉空間には、素子１００、配線１１、第３金属膜４３、または第４金属膜が設けられている。閉空間は、真空等の減圧下でもよい。また、閉空間には、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、窒素（Ｎ_２）等の不活性ガスが充填されてもよい。

電子部品１では、蓋部２０の側面２０ｗ、第２金属膜４２の外側面４２ｅｗ、半田材３０の外側面３０ｅｗ、第１金属膜４１の外側面４１ｅｗ、および基板１０の側面１０ｗは、平坦になっている。半田材３０は、第１金属膜４１の内側面４１ｉｗおよび第２金属膜４２の内側面４２ｉｗに接している。

図２は、第１実施形態に係る電子部品の一部を表す模式的断面図である。
図２には、半田材３０の付近の断面が模式的に表されている。

第１金属膜４１は、膜４１ａ、膜４１ｂ、膜４１ｃ、膜４１ｄ、および膜４１ｅを含む。膜４１ａ、膜４１ｂ、膜４１ｃ、膜４１ｄ、および膜４１ｅは、基板１０の側からこの順に積層されている。膜４１ａは、例えば、チタン（Ｔｉ）を含む。膜４１ｂは、例えば、銅（Ｃｕ）を含む。膜４１ｃは、例えば、ニッケル（Ｎｉ）を含む。膜４１ｄは、例えば、パラジウム（Ｐｄ）を含む。膜４１ｅは、例えば、金（Ａｕ）を含む。

第２金属膜４２は、膜４２ａ、膜４２ｂ、および膜４２ｃを含む。膜４２ａ、膜４２ｂ、および膜４２ｃは、蓋部２０の側からこの順に積層されている。膜４２ａは、チタン（Ｔｉ）を含む。膜４２ｂは、銅（Ｃｕ）を含む。膜４２ｃは、ニッケル（Ｎｉ）を含む。

第３金属膜４３は、膜４３ａ、膜４３ｂ、膜４３ｃ、膜４３ｄ、および膜４３ｅを含む。膜４３ａ、膜４３ｂ、膜４３ｃ、膜４３ｄ、および膜４３ｅは、基板１０の側からこの順に積層されている。膜４３ａは、例えば、チタン（Ｔｉ）を含む。膜４３ｂは、例えば、銅（Ｃｕ）を含む。膜４３ｃは、例えば、ニッケル（Ｎｉ）を含む。膜４３ｄは、例えば、パラジウム（Ｐｄ）を含む。膜４３ｅは、例えば、金（Ａｕ）を含む。

第４金属膜４４は、膜４４ａ、膜４４ｂ、および膜４４ｃを含む。膜４４ａ、膜４４ｂ、および膜４４ｃは、蓋部２０の側からこの順に積層されている。膜４４ａは、チタン（Ｔｉ）を含む。膜４４ｂは、銅（Ｃｕ）を含む。膜４４ｃは、ニッケル（Ｎｉ）を含む。膜４４ｃは、金（Ａｕ）を含んでもよい。

第１金属膜４１の幅Ｗ４１は、第２金属膜の幅Ｗ４２と異なってもよい。一例として、第１金属膜４１の幅Ｗ４１は、第２金属膜の幅Ｗ４２と同じである。ここで、幅Ｗ４１は、第１金属膜４１がＸ方向またはＹ方向において延在する方向およびＺ方向に対して直交する方向における幅である。実施形態で「同じ」とは、完全に同一または実質的に同一を意味する。幅Ｗ４２は、第２金属膜４２がＸ方向またはＹ方向において延在する方向およびＺ方向に対して直交する方向における幅である。

第３金属膜４３の幅Ｗ４３は、第４金属膜の幅Ｗ４４と異なってもよい。一例として、第３金属膜４３の幅Ｗ４３は、第４金属膜の幅Ｗ４４と同じである。幅Ｗ４３は、第３金属膜４３がＸ方向またはＹ方向において延在する方向およびＺ方向に対して直交する方向における幅である。幅Ｗ４４は、第４金属膜４４がＸ方向またはＹ方向において延在する方向およびＺ方向に対して直交する方向における幅である。

膜４１ａ、膜４１ｂ、膜４２ａ、膜４２ｂ、膜４３ａ、膜４３ｂ、膜４４ａ、および膜４４ｂは、例えば、スパッタリング法により形成される。膜４１ｃ、膜４１ｄ、膜４１ｅ、膜４３ｃ、膜４３ｄ、および膜４３ｅは、例えば、無電界鍍金により形成される。膜４２ｃおよび膜４４ｃは、例えば、電界鍍金により形成される。

図３（ａ）〜図５（ｂ）は、第１実施形態に係る電子部品の製造過程の一部を表す模式的断面図である。

例えば、図３（ａ）には、蓋部２０と基板１０とがＺ方向において対向した状態が表されている。ここで、蓋部２０と基板１０とは、個片化される前のウェーハ状になっている。例えば、蓋部２０と基板１０とは、ともに静電チャックなどのステージ（図示しない）に支持されている。

蓋部２０には、基板１０と対向させる側に凹部２０ｃが形成されている。凹部２０ｃは、例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）により形成される。蓋部２０の第１領域部２０−１には、基板１０と対向させる側に、第２金属膜４２と第４金属膜４４とがパターニングされている。第２金属膜４２と第４金属膜４４とは、同じ製造工程で形成される。

第２金属膜４２には、層状の半田材３０Ｌが形成されている。半田材３０Ｌは、例えば、電界鍍金により形成される。半田材３０Ｌの材料は、半田材３０の材料と同じである。

基板１０には、絶縁膜１６を介して配線１１が形成されている。配線１１ｃには、半田材１７を介して素子１００が実装されている。基板１０の第１領域部２０−１に対向する領域には、絶縁膜１６を介して第１金属膜４１と第３金属膜４３とが形成されている。第１金属膜４１と第３金属膜４３とは、同じ製造工程で形成される。

第３金属膜４３と第４金属膜４４とについては、どちらかの一方を形成してもよい。

次に、図３（ｂ）に表すように、半田材３０Ｌを第１金属膜４１に接触させる。図３（ｂ）に表された雰囲気は、減圧雰囲気または不活性ガス雰囲気である。続いて、半田材３０Ｌの温度が融点以上になるように半田材３０Ｌを加熱する。続いて、上から圧力Ｐ１を、蓋部２０に与えるとともに、下から圧力Ｐ１を、基板１０に与える。具体的には、減圧雰囲気下において、ステージに支持された蓋部２０と基板１０とを接触させずに、半田材３０Ｌと第１金属膜４１との間の距離が１００μｍ程度、離れた状態で蓋部２０および基板１０を加熱する。ここで、加熱温度は、半田材３０Ｌの融点以上の温度である。この状態をしばらく保持することにより、半田材３０Ｌに含まれるガスが排気され、または、半田材３０Ｌに内包されているボイドが除去される。この後、半田材３０Ｌと第１金属膜４１とを接触させ、蓋部２０と基板１０とに荷重Ｐ１を与える。または、手順としては、上から圧力Ｐ１を、蓋部２０に与えるとともに、下から圧力Ｐ１を、基板１０に与えた後、半田材３０Ｌの温度が融点以上になるように半田材３０Ｌを加熱してもよい。この後、半田材３０Ｌの温度が融点よりも低くなるまで半田材３０Ｌが冷却される。

図４（ａ）には、第１金属膜４１と第２金属膜４２とが半田材３０によって接合された後の状態が表されている。半田材３０Ｌが溶融すると、半田材３０Ｌは、上下からの圧力Ｐ１により凹部２０ｃ側にはみ出る。また、第１金属膜４１および第２金属膜４２は、半田材３０に対して高い濡れ性を持つ。これにより、固化した半田材３０は、第１金属膜４１の内側面４１ｉｗおよび第２金属膜４２の内側面４２ｉｗにまで広がる。半田材３０の内側面３０ｉｗは、表面張力によって凸状の曲面になっている。

次に、図４（ｂ）に表すように、基板１０の下面１０ｄを研磨し、基板１０の厚さを薄くする。この後、基板１０には、フォトリソグラフィおよびＲＩＥ等を利用して、ＴＳＶを形成するためのビアホールを形成する。ビアホールは、基板１０の上下面を貫通する。さらに、基板１０の下面１０ｄに絶縁膜１２を介して、配線１３ａ、１３ｂを形成する。配線１３ａ、１３ｂの一部は、ビアホール内を貫通する。この貫通した配線１３ａ、１３ｂの一部がＴＳＶになる。

次に、図５（ａ）に表すように、蓋部２０の上面２０ｕを研磨し、蓋部２０の厚さを薄くする。

次に、図５（ｂ）に表すように、外部端子１４ａ、１４ｂ、およびレジスト層１５を形成する。次いで、ダイシングラインＤＬに沿って、蓋部２０、絶縁膜２５、第２金属膜４２、半田材３０、第１金属膜４１、絶縁膜１６、基板１０、絶縁膜１２、およびレジスト層１５を切断する。これにより、電子部品１が形成される。

第１実施形態の作用を説明する。
図６（ａ）は、参考例の作用を表す模式的断面図である。図６（ｂ）は、第１実施形態の作用を表す模式的断面図である。

図６（ａ）に表す参考例では、第３金属膜４３および第４金属膜４４が設けられていない。

第１金属膜４１と第２金属膜４２とを、半田材３０によって接合するとき、半田材３０Ｌは、例えば、溶融しつつ、減圧雰囲気で圧力Ｐ１が印加される。または、半田材３０Ｌは、例えば、減圧雰囲気で圧力Ｐ１が印加されながら一旦、溶融する。

ここで、ウェーハ面内で圧力Ｐ１がばらついたり、または、半田材３０Ｌの厚さがばらついたりしていると、特定の場所で圧力Ｐ１が相対的に高くなる場合がある。これにより、溶融した半田材３０Ｌは、上下から過剰に押圧され、半田材３０Ｌは、配線１１の側に飛び出す可能性がある。また、半田材３０Ｌには、空気が入り込んでいる場合がある。半田接合時、加熱とともに空気が膨張すると、半田材３０Ｌは急激に膨張する。

これにより、例えば、膨張した半田材３０Ｌが配線１１にまで到達する可能性がある。配線１１は、Ｘ−Ｙ平面において複数、設けられている（図１（ｃ））。隣り合う配線１１間が半田材３０Ｌを経由して電気的に繋がると、電子部品内で電気的な短絡が起きる。これにより、電子部品の信頼性が低下する。

また、参考例のように、半田材３０Ｌが配線１１にまで達すると、第１金属膜４１と第２金属膜４２との間の半田材の層厚が減る。これにより、第１金属膜４１と第２金属膜４２との間の接合が不十分になったり、蓋部２０と基板１０との間の距離が定格よりも極端に短くなったりする。

これに対し、図６（ｂ）に表す第１実施形態では、半田材３０Ｌが飛び出る先に、第３金属膜４３または第４金属膜４４が設けられている。第３金属膜４３または第４金属膜４４は、半田材３０Ｌに対して高い濡れ性を持つ。これにより、半田材３０Ｌが第３金属膜４３または第４金属膜４４によって捕捉される。第３金属膜４３または第４金属膜４４により半田材３０Ｌの捕捉効果は、第３金属膜４３の幅Ｗ４３または第４金属膜４４の幅Ｗ４４が広くなるほど増す。つまり、半田材３０Ｌは配線１１にまで到達し難くなり、隣り合う配線１１間において、電気的な短絡が起き難くなる。半田材３０Ｌは、素子１００にも付着し難くなる。これにより、電子部品１の信頼性は、向上する。

ここで、半田材３０は、第３金属膜４３または第４金属膜４４のいずれか一方で捕捉される。つまり、第３金属膜４３または第４金属膜４４のいずれか一方を取り除いても、同じ効果が得られる。

また、第１実施形態では、半田材３０Ｌが第１金属膜４１または第２金属膜４２によって確実に捕捉される。これにより、第１金属膜４１と第２金属膜４２との間の半田材の層厚が減り難くなる。つまり、電子部品１では、半田材３０による第１金属膜４１と第２金属膜４２との間の接合が確実になる。また、電子部品１では、蓋部２０と基板１０との間の距離は、定格よりも短くなることなない。

（第２実施形態）
図７（ａ）は、第２実施形態に係る電子部品を表す模式的断面図である。図７（ｂ）は、第２実施形態に係る電子部品の蓋部等を表す模式的下面図である。図７（ｃ）は、第２実施形態に係る電子部品の基板等を表す模式的上面図である。
図７（ａ）には、図７（ｂ）および図７（ｃ）のＡ１−Ａ２線に沿った位置における断面が表されている。図７（ｂ）、（ｃ）には、半田材３０は図示されず、半田材３０が配置される領域が図示されている。
図８は、第２実施形態に係る電子部品の一部を表す模式的断面図である。
図８には、半田材３０の付近の断面が模式的に表されている。図８には、図７（ｂ）および図７（ｃ）のＢ１−Ｂ２線に沿った位置における断面が表されている。

第２実施形態に係る電子部品２は、電子部品１と同じ構成要素を有する。但し、電子部品２には、第３金属膜４３と第４金属膜４４とが設けられていない。また、電子部品２においては、蓋部２０の第１領域部２０−１は凸部２０ａを有する。凸部２０ａは、基板１０に向かって延在する。凸部２０ａは基板１０に接している。

凸部２０ａは、電子部品２における支柱である。凸部２０ａは、第１領域部２０−１の一部である。凸部２０ａは、第１領域部２０−１と同じ材料で構成されている。蓋部２０において、リセス状の凹部２０ｃと、突状の凸部２０ａと、は２段階のＲＩＥ、または２段階のサンドブラストによって形成される。

また、凸部２０ａの材料は、第１領域部２０−１の材料と異なってもよい。例えば、凸部２０ａは、銅（Ｃｕ）等の金属を含んでもよい。この場合、凸部２０ａは、例えば、鍍金により形成される。鍍金後、凸部２０ａの高さは、サーフェスプレーナ等で高精度に調整される。

Ｘ−Ｙ平面における蓋部２０の外形は、矩形である。例えば、Ｚ方向に対し直交する方向に第１領域部２０−１および第２領域部２０−２を切断した切断面は矩形である。図７（ｂ）、（ｃ）の例では、一例として、矩形の４角の全てに凸部２０ａが配置されている。矩形の４角の少なくともいずれかに配置されてもよい。

図８に表すように、半田材３０は、第１領域部２０−１と基板１０との間に設けられている。例えば、半田材３０は、凸部２０ａが設けられていない第１領域部２０−１と基板１０との間に設けられている。第１金属膜４１は、半田材３０と基板１０との間に設けられている。第１金属膜４１は、半田材３０に接合している。第２金属膜４２は、半田材３０と第１領域部２０−１との間に設けられている。第２金属膜４２は、半田材３０に接合している。半田材３０、第１金属膜４１、および第２金属膜４２は、凸部２０ａと配線１１との間に設けられている。凸部２０ａは、半田材３０の外側に位置している。

第２実施形態では、半田接合時に凸部２０ａが基板１０に接触する。これにより、第１金属膜４１と第２金属膜４２との間の距離は、凸部２０ａの高さ（Ｚ方向における長さ）に応じて固定される。

半田接合時、上述した圧力Ｐ１がウェーハ面内の特定の場所で相対的に高くなったり、半田材３０Ｌの厚さがばらついたりしても、この特定の場所では、第１金属膜４１と第２金属膜４２との間の距離は、凸部２０ａによって所望の距離に固定される。これにより、第１金属膜４１と第２金属膜４２との間に挟まれた半田材３０Ｌには、過剰な圧力が印加されない。この結果、半田材３０Ｌの過剰なはみ出しが抑制される。

図９（ａ）〜図９（ｃ）は、第２実施形態に係る電子部品の製造過程の一部を表す模式図である。

図９（ａ）〜図９（ｃ）には、蓋部２０に、半田材３０Ｌを電界鍍金により形成した後の様子が表されている。半田材３０Ｌは、蓋部２０に凹部２０ｃを形成した後に形成される。図９（ａ）〜図９（ｃ）には、ダイシングラインＤＬに沿ってウェーハ状の蓋部２０等を切断する前の蓋部２０等の様子が表されている。図９（ａ）には、図９（ｃ）のＡ１−Ａ２線に沿った位置での断面が表されている。図９（ｂ）には、図９（ｃ）のＢ１−Ｂ２線に沿った位置での断面が表されている。図９（ｃ）は、ウェーハ状の蓋部２０等の下面が模式的に表されている。

半田材３０Ｌは、ウェーハ状の蓋部２０に網目状に形成されている。例えば、Ｘ方向に延在する半田材３０Ｌと、Ｙ方向に延在する半田材３０Ｌとは、凸部２０ａが設けられた位置で交差する。Ｘ方向に延在する半田材３０Ｌは、凸部２０ａの角２０ａｃにおいて、Ｙ方向に延在する半田材３０Ｌに接続されている。

また、半田材３０Ｌと蓋部２０との間には、第２金属膜４２が形成されている。第２金属膜４２は、半田材３０Ｌを鍍金形成するときの下地層である。第２金属膜４２も、ウェーハ状の蓋部２０に網目状に形成されている。例えば、Ｘ方向に延在する第２金属膜４２と、Ｙ方向に延在する第２金属膜４２とは、凸部２０ａが設けられた位置で交差する。Ｘ方向に延在する第２金属膜４２は、凸部２０ａの角２０ａｃにおいて、Ｙ方向に延在する第２金属膜４２に接続されている。

Ｘ方向に延在する複数の第２金属膜４２と、Ｙ方向に延在する複数の第２金属膜４２とが互いに導通している。これにより、電界鍍金によって、網目状に形成された第２金属膜４２の上に半田材３０Ｌを形成することができる。

Ｚ方向における、半田材３０Ｌの厚さｄ４は、凸部２０ａの厚さｄ３以上である。これにより、第１金属膜４１と第２金属膜４２とを半田接合した後、第１金属膜４１と第２金属膜４２との間に隙間が形成されることなく、第１金属膜４１と第２金属膜４２との間に半田材３０が形成される。

（第３実施形態）
図１０（ａ）は、第３実施形態に係る電子部品を表す模式的断面図である。図１０（ｂ）は、第３実施形態に係る電子部品の蓋部等を表す模式的下面図である。図１０（ｃ）は、第３実施形態に係る電子部品の基板等を表す模式的上面図である。
図１０（ａ）には、図１０（ｂ）および図１０（ｃ）のＡ１−Ａ２線に沿った位置における断面が表されている。図１０（ｂ）、（ｃ）には、半田材３０は図示されず、半田材３０が配置される領域が図示されている。
図１１は、第３実施形態に係る電子部品の一部を表す模式的断面図である。
図１１には、半田材３０の付近の断面が模式的に表されている。図１１には、図１０（ｂ）および図１０（ｃ）のＢ１−Ｂ２線に沿った位置における断面が表されている。

第３実施形態に係る電子部品３は、電子部品２と同じ構成要素を有する。さらに、電子部品３は、第３金属膜４３または第４金属膜４４を有する。電子部品３は、第３金属膜４３と第４金属膜４４とをともに有してもよい。

電子部品３では、凸部２０ａによって半田材３０のはみ出しを抑制するほか、第３金属膜４３または第４金属膜４４の捕捉によっても、半田材３０のはみ出しが抑制される。これにより、電子部品３の信頼性は、電子部品１、２に比べてさらに高くなっている。

（第４実施形態）
図１２（ａ）は、第４実施形態に係る電子部品を表す模式的断面図である。図１２（ｂ）は、第４実施形態に係る電子部品の蓋部等を表す模式的下面図である。図１２（ｃ）は、第４実施形態に係る電子部品の基板等を表す模式的上面図である。
図１２（ａ）には、図１２（ｂ）および図１２（ｃ）のＡ１−Ａ２線に沿った位置における断面が表されている。図１２（ｂ）、（ｃ）には、半田材３０は図示されず、半田材３０が配置される領域が破線で図示されている。

第４実施形態に係る電子部品４は、電子部品２と同じ構成を有する。但し、電子部品４は、電子部品２の凸部２０ａに代えて、凸部２０ｂを有する。電子部品４には、第３金属膜４３および第４金属膜４４が設けられていない。

凸部２０ｂは、蓋部２０の第１領域部２０−１に設けられている。凸部２０ｂは、基板１０に向かって延在する。凸部２０ｂは基板１０に接している。凸部２０ｂは、配線１１と、半田材３０、第１金属膜４１、および第２金属膜４２との間に設けられている。凸部２０ｂは、半田材３０の内側に位置している。凸部２０ｂは、Ｘ方向に延在している。凸部２０ｂは、Ｙ方向に延在している。Ｚ方向から蓋部２０をみた場合、凸部２０ｂは、環状である。配線１１は、凸部２０ｂに囲まれている。

凸部２０ｂは、第１領域部２０−１の一部である。凸部２０ｂは、第１領域部２０−１と同じ材料で構成されている。蓋部２０において、リセス状の凹部２０ｃと、突状の凸部２０ｂと、は２段階のＲＩＥ、または２段階のサンドブラストによって形成される。

また、凸部２０ｂの材料は、第１領域部２０−１の材料と異なってもよい。例えば、凸部２０ｂは、銅（Ｃｕ）等の金属を含んでもよい。この場合、凸部２０ｂは、例えば、鍍金により形成される。鍍金後、凸部２０ｂの高さは、サーフェスプレーナ等で高精度に調整される。

半田材３０は、凸部２０ｂが設けられていない第１領域部２０−１と基板１０との間に設けられている。第１金属膜４１は、半田材３０と基板１０との間に設けられている。第１金属膜４１は、半田材３０に接合している。第２金属膜４２は、半田材３０と第１領域部２０−１との間に設けられている。第２金属膜４２は、半田材３０に接合している。凸部２０ｂは、半田材３０、第１金属膜４１、および第２金属膜４２と、配線１１との間に設けられている。

第４実施形態では、半田接合時に凸部２０ｂが基板１０に接触する。これにより、第１金属膜４１と第２金属膜４２との間の距離は、凸部２０ｂの高さ（Ｚ方向における長さ）に応じて固定される。

半田接合時、上述した圧力Ｐ１がウェーハ面内の特定の場所で相対的に高くなっても、この特定の場所では、第１金属膜４１と第２金属膜４２との間の距離は、凸部２０ｂによって固定される。これにより、第１金属膜４１と第２金属膜４２との間に挟まれた半田材３０Ｌには、過剰な圧力が印加されない。この結果、半田材３０Ｌの過剰なはみ出しが抑制される。

凸部２０ｂは、柱状ではなく、環状になっている。これにより、電子部品４では、圧力Ｐ１に対する耐荷重性も向上している。

また、半田材３０Ｌの内側には、凸部２０ｂが設けられている。これにより、凸部２０ｂが半田材３０Ｌの遮蔽板となって、半田材３０Ｌは凸部２０ｂよりも内側にはみ出すことはない。

図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、第４実施形態に係る電子部品の製造過程の一部を表す模式図である。

図１３（ａ）および図１３（ｂ）には、蓋部２０に、半田材３０Ｌを電界鍍金により形成した後の様子が表されている。半田材３０Ｌは、蓋部２０に凹部２０ｃを形成した後に形成される。図１３（ａ）および図１３（ｂ）には、ダイシングラインＤＬに沿ってウェーハ状の蓋部２０等を切断する前の蓋部２０等の様子が表されている。図１３（ａ）には、図１３（ｂ）のＡ１−Ａ２線に沿った位置での断面が表されている。図１３（ｂ）は、ウェーハ状の蓋部２０等の下面が模式的に表されている。

半田材３０Ｌは、ウェーハ状の蓋部２０に網目状に形成されている。例えば、Ｘ方向に延在する半田材３０Ｌと、Ｙ方向に延在する半田材３０Ｌとは交差する。

また、半田材３０Ｌと蓋部２０との間には、第２金属膜４２が形成されている。第２金属膜４２は、半田材３０Ｌを鍍金形成するときの下地層である。第２金属膜４２も、ウェーハ状の蓋部２０に網目状に形成されている。例えば、Ｘ方向に延在する第２金属膜４２と、Ｙ方向に延在する第２金属膜４２とは交差する。Ｘ方向に延在する複数の第２金属膜４２と、Ｙ方向に延在する複数の第２金属膜４２とが互いに導通している。これにより、電界鍍金によって、網目状に形成された第２金属膜４２の上に半田材３０Ｌを形成することができる。

Ｚ方向における、半田材３０Ｌの厚さｄ４は、凸部２０ｂの厚さｄ３以上である。これにより、第１金属膜４１と第２金属膜４２とを半田接合した後、第１金属膜４１と第２金属膜４２との間に隙間が形成されることなく、第１金属膜４１と第２金属膜４２との間に半田材３０が形成される。

また、凸部２０ｂと基板１０とを接触させる前に、凸部２０ｂおよび基板１０のそれぞれの当接面に、Ｓｉ表面を表出させる処理を行ってもよい。これにより、凸部２０ｂと基板１０とが接触すると、凸部２０ｂと基板１０とが直接接合する。これにより、素子１００、配線１１等は、蓋部２０と基板１０とが一体となったＳｉ部材によって封止され、素子１００、配線１１等は、Ｓｉ部材によって外部から保護される。

（第５実施形態）
図１４（ａ）は、第５実施形態に係る電子部品の蓋部等を表す模式的下面図である。図１４（ｂ）は、第５実施形態に係る電子部品の基板等を表す模式的上面図である。
図１４（ａ）、（ｂ）には、半田材３０は図示されず、半田材３０が配置される領域が図示されている。

第５実施形態に係る電子部品５では、第４金属膜４４は、第２金属膜４２の角部４２ｃｎ付近で分断されている。第４金属膜４４は、角部４２ｃｎ以外の箇所で分断されてもよい。第４金属膜４４は、例えば、少なくとも４つ以上の金属膜を含む。第４金属膜４４は、Ｘ方向に延在する２つの金属膜と、Ｙ方向に延在する２つの金属膜と、を含む。Ｘ−Ｙ平面において、第２領域部２０−２は、Ｘ方向に延在する２つの金属膜の間に設けられている。Ｘ−Ｙ平面において、第２領域部２０−２は、Ｙ方向に延在する２つの金属膜の間に設けられている。

第４金属膜４４が角部４２ｃｎ付近で分断されたことにより、第２金属膜４２の角部４２ｃｎと第４金属膜４４との間の間隔が広がる。これにより、第４金属膜４４を、例えば、ウェット処理によってパターニングするとき、薬液が第２金属膜４２の角部４２ｃｎと第４金属膜４４との間に十分に行き渡る。その結果、角部４２ｃｎ付近における第４金属膜４４のエッチング不良が確実に防止される。

また、第３金属膜４３は、第１金属膜４１の角部４１ｃｎ付近で分断されている。第３金属膜４３は、例えば、少なくとも４つ以上の金属膜を含む。第３金属膜４３は、Ｘ方向に延在する２つの金属膜と、Ｙ方向に延在する２つの金属膜と、を含む。Ｘ−Ｙ平面において、素子１００および配線１１は、Ｘ方向に延在する２つの金属膜の間に設けられている。Ｘ−Ｙ平面において、素子１００および配線１１は、Ｙ方向に延在する２つの金属膜の間に設けられている。

第３金属膜４３が角部４１ｃｎ付近で分断されたことにより、第１金属膜４１の角部４１ｃｎと第３金属膜４３との間の間隔が広がる。これにより、第３金属膜４３を、例えば、ウェット処理によってパターニングするとき、薬液が第１金属膜４１の角部４１ｃｎと第３金属膜４３との間に十分に行き渡る。その結果、角部４１ｃｎ付近における第３金属膜４３のエッチング不良が確実に防止される。

第４金属膜４４が角部４２ｃｎ付近で分断されたことにより、第２金属膜４２の角部４２ｃｎと第４金属膜４４との間の間隔が広がる。これにより、第４金属膜４４を、例えば、ウェット処理によってパターニングするとき、薬液が第２金属膜４２の角部４２ｃｎと第４金属膜４４との間に十分に行き渡る。その結果、角部４２ｃｎ付近における第４金属膜４４のエッチング不良が確実に防止される。

（第６実施形態）
図１５は、第６実施形態に係る電子部品の一部を表す模式的断面図である。

第６実施形態に係る電子部品６においては、蓋部２０に溝２０ｔｒが設けられている。溝２０ｔｒは、第４金属膜４４と凹部２０ｃとの間に位置する。溝２０ｔｒを設けたことにより、半田材３０Ｌが溝２０ｔｒによっても捕捉し易くなる。これにより、半田材３０Ｌの飛び出しがさらに抑制される。

上記の実施形態では、「ＡはＢの上に設けられている」と表現された場合の「の上に」とは、ＡがＢに接触して、ＡがＢの上に設けられている場合の他に、ＡがＢに接触せず、ＡがＢの上方に設けられている場合との意味で用いられる場合がある。また、「ＡはＢの上に設けられている」は、ＡとＢとを反転させてＡがＢの下に位置した場合や、ＡとＢとが横に並んだ場合にも適用される場合がある。これは、実施形態に係る半導体装置を回転しても、回転前後において半導体装置の構造は変わらないからである。

以上、具体例を参照しつつ実施形態について説明した。しかし、実施形態はこれらの具体例に限定されるものではない。すなわち、これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、実施形態の特徴を備えている限り、実施形態の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。

また、前述した各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて複合させることができ、これらを組み合わせたものも実施形態の特徴を含む限り実施形態の範囲に包含される。その他、実施形態の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても実施形態の範囲に属するものと了解される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１、２、３、４、５、６ 電子部品、 １０ 基板、 １０ｄ 下面、 １０ｐ 破線、 １０ｕ、２０ｕ 上面、 １０ｗ 側面、 １１、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１３ａ、１３ｂ 配線、 １２、１６、２５ 絶縁膜、 １４ａ、１４ｂ 外部端子、 １５ レジスト層、 １７、３０、３０Ｌ 半田材、 １８ スペーサ部材、 ２０ 蓋部、 ２０−１ 第１領域部、 ２０−２ 第２領域部、 ２０ａ、２０ｂ 凸部、 ２０ａｃ 角、 ２０ｃ 凹部、 ２０ｔｒ 溝、 ２０ｗ 側面、 ３０ｅｗ、４１ｅｗ、４２ｅｗ 外側面、 ３０ｉｗ、４１ｉｗ、４２ｉｗ 内側面、 ４１ 第１金属膜、 ４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄ、４１ｅ、４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、４３ｄ、４３ｅ、４４ａ、４４ｂ、４４ｃ 膜、 ４１ｃｎ、４２ｃｎ 角部、 ４２ 第２金属膜、 ４３ 第３金属膜、 ４４ 第４金属膜、 １００ 素子、 １００ｅ 電極、 ＤＬ ダイシングライン

Claims (10)

1. 基板と、
   前記基板に対向する蓋部であり、第１領域部と、前記第１領域部に隣接する第２領域部と、を有し、前記第２領域部は前記第１領域部に囲まれ、前記第１領域部の厚さは前記第２領域部の厚さよりも厚い蓋部と、
   前記第１領域部と前記基板との間に設けられた半田材と、
   前記半田材と前記基板との間に設けられた第１金属膜と、
   前記半田材と前記第１領域部との間に設けられた第２金属膜と、
   前記第２領域部と前記基板との間において、前記基板に設けられた配線と、
   前記第１金属膜と前記配線との間において、前記基板に設けられた第３金属膜と、
   を備えた電子部品。
2. 第４金属膜をさらに備え、
   前記第４金属膜は、前記第１領域部に設けられ、前記第２金属膜と前記第２領域部との間に設けられている請求項１記載の電子部品。
3. 基板と、
   前記基板に対向する蓋部であり、第１領域部と、前記第１領域部に隣接する第２領域部と、を有し、前記第２領域部は前記第１領域部に囲まれ、前記第１領域部の厚さは前記第２領域部の厚さよりも厚い蓋部と、
   前記第１領域部と前記基板との間に設けられた半田材と、
   前記半田材と前記基板との間に設けられた第１金属膜と、
   前記半田材と前記第１領域部との間に設けられた第２金属膜と、
   前記第２領域部と前記基板との間において、前記基板に設けられた配線と、
   前記第２金属膜と前記第２領域部との間において、前記第１領域部に設けられた第４金属膜と、
   を備えた電子部品。
4. 基板と、
   前記基板に対向する蓋部であり、第１領域部と、前記第１領域部に隣接する第２領域部と、を有し、前記第２領域部は前記第１領域部に囲まれ、前記第１領域部の厚さは前記第２領域部の厚さよりも厚く、前記第１領域部は前記基板に向かって延在する凸部を有し、前記凸部は前記基板に接する蓋部と、
   前記凸部が設けられていない前記第１領域部と前記基板との間に設けられた半田材と、
   前記半田材と前記基板との間に設けられた第１金属膜と、
   前記半田材と前記第１領域部との間に設けられた第２金属膜と、
   を備えた電子部品。
5. 配線をさらに備え、
   前記配線は、前記基板に設けられ、
   前記配線は、前記第２領域部と前記基板との間に位置し、
   前記凸部と前記配線との間に前記半田材、前記第１金属膜、および前記第２金属膜が設けられている請求項４記載の電子部品。
6. 配線をさらに備え、
   前記配線は、前記基板に設けられ、
   前記配線は、前記第２領域部と前記基板との間に位置し、
   前記配線と、前記半田材、前記第１金属膜、および前記第２金属膜との間に、前記凸部が設けられている請求項４記載の電子部品。
7. 第３金属膜をさらに備え、
   前記第３金属膜は、前記基板に設けられ、
   前記第３金属膜は、前記第１金属膜と前記配線との間に設けられている請求項４〜６のいずれか１つに記載の電子部品。
8. 第４金属膜をさらに備え、
   前記第４金属膜は、前記第１領域部に設けられ、
   前記第４金属膜は、前記第２金属膜と前記第２領域部との間に設けられている請求項４〜７のいずれか１つに記載の電子部品。
9. 前記基板から前記蓋部の方向に対し直交する方向に前記第１領域部および前記第２領域部を切断した切断面は矩形であり、
   前記凸部は、前記矩形の４角の少なくともいずれかに配置されている請求項４〜８のいずれか１つに記載の電子部品。
10. 前記配線は、前記凸部に囲まれている請求項４〜９のいずれか１つに記載の電子部品。

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