JP2017053764A - ウェーハ検査方法およびウェーハ検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のウェーハ検査方法は、ウェーハ1表面に対して垂直に設置された、リングファイバー照明11および第1受光部12を備える第1光学系10を用いてウェーハ1表面の所定の位置を照射し、ウェーハ1の欠陥に起因する垂直散乱光を受光して、前記所定の位置における輝度情報を測定しつつ、第1光学系10を走査してウェーハ1の欠陥を選出する工程と、前記選出した欠陥からピット候補を選定する工程と、ウェーハ1表面に対して傾斜して設置される、平行光の照射光源21および第2受光部22を備える第2光学系20を用いて、該第2光学系20の焦点位置を変化させて前記ピット候補を撮像し、該撮像したピット候補の、前記焦点位置の変化に伴う明暗に基づき前記ピット候補をピットおよびピット以外の欠陥に分類する工程と、を含むことを特徴とする。
【選択図】図3
Description
前記選出した欠陥からピット候補を選定する工程と、
前記ウェーハ表面に対して傾斜して設置される、平行光の照射光源および第2受光部を備える第2光学系を用いて、該第2光学系の焦点位置を変化させて前記ピット候補を撮像し、該撮像したピット候補の、前記焦点位置の変化に伴う明暗に基づき前記ピット候補をピットおよびピット以外の欠陥に分類する工程と、を含むことを特徴とする。
前記制御部は前記第1光学系を制御して、前記ウェーハ表面の所定の位置を照射し、前記ウェーハの欠陥に起因する垂直散乱光を前記第1受光部で受光させ、さらに、前記第1走査部を制御して、前記第1光学系を走査して前記垂直散乱光の輝度情報を測定しつつ前記ウェーハの面内全域で前記輝度情報を測定して前記ウェーハの欠陥を選出し、該選出した欠陥からピット候補を選定し、前記第2光学系および前記第2走査部を制御して該第2光学系の焦点位置を変化させて前記ピット候補を撮像し、該撮像したピット候補の、前記第2光学系の前記焦点位置の変化に伴う明暗に基づき前記ピット候補をピットおよびピット以外の欠陥に分類することを特徴とする。
図3および図1,4,7に示すように、本発明の一実施形態に従うウェーハ検査方法は、ウェーハ1表面に対して垂直に設置された、リングファイバー照明11および第1受光部12を備える第1光学系10を用いてウェーハ1表面の所定の位置を照射し、ウェーハ1の欠陥に起因する垂直散乱光を受光して、前記所定の位置における輝度情報を測定しつつ、第1光学系10を走査してウェーハ1の欠陥を選出する工程S10と、前記選出した欠陥からピット候補を選定する工程S20と、ウェーハ1表面に対して傾斜して設置される、平行光の照射光源21および第2受光部22を備える第2光学系20を用いて、該第2光学系の焦点位置を変化させて前記ピット候補を撮像し、該撮像したピット候補の、前記焦点位置の変化に伴う明暗に基づき前記ピット候補をピットおよびピット以外の欠陥に分類する工程S30と、を含む。以下、各工程の詳細を順に説明する。
図7に模式的に示すように、本発明の一実施形態に従うウェーハ検査装置100は、ウェーハ1表面に対して垂直に設置される、リングファイバー照明11および第1受光部12を備える第1光学系10と、ウェーハ1表面に対して傾斜して設置される、平行光の照射光源21および第2受光部22を備える第2光学系20と、第1光学系10をウェーハ1表面に平行に走査する第1走査部15と、第2光学系20の前記傾斜を維持しつつ、第2光学系20をウェーハ1表面に平行に走査する第2走査部25と、第1光学系10、第2光学系20、第1走査部15および第2走査部25を制御する制御部50と、を有する。そして、制御部50は第1光学系10を制御して、前記ウェーハ表面の所定の位置を照射し、前記ウェーハの欠陥に起因する垂直散乱光を前記第1受光部で受光させる。さらに、制御部50は第1走査部15を制御して、第1光学系10を走査して前記垂直散乱光の輝度情報を測定しつつウェーハ1の面内全域で前記輝度情報を測定する。制御部50はまた、ウェーハ1の欠陥を選出し、該選出した欠陥からピット候補を選定し、第2光学系20および第2走査部25を制御して該第2光学系20の焦点位置を変化させて前記ピット候補を撮像し、該撮像したピット候補の、前記第2光学系の前記焦点位置の変化に伴う明暗に基づき前記ピット候補をピットおよびピット以外の欠陥に分類する。また、図7では、第2光学系20を一つのみ図示しているが、ウェーハ1の反対側にも設けてもよいし、複数設けてもよい。
10 第1光学系
11 リングファイバー照明
12 第1受光部
15 第1走査部
20 第2光学系
21 平行光の照射光源
22 第2受光部
25 第2走査部
50 制御部
D 欠陥
Pa パーティクル
Pi ピット
Claims (6)
- ウェーハ表面に対して垂直に設置された、リングファイバー照明および第1受光部を備える第1光学系を用いて前記ウェーハ表面の所定の位置を照射し、前記ウェーハの欠陥に起因する垂直散乱光を受光して、前記所定の位置における輝度情報を測定しつつ、前記第1光学系を走査して前記ウェーハの欠陥を選出する工程と、
前記選出した欠陥からピット候補を選定する工程と、
前記ウェーハ表面に対して傾斜して設置される、平行光の照射光源および第2受光部を備える第2光学系を用いて、該第2光学系の焦点位置を変化させて前記ピット候補を撮像し、該撮像したピット候補の、前記焦点位置の変化に伴う明暗に基づき前記ピット候補をピットおよびピット以外の欠陥に分類する工程と、を含むことを特徴とするウェーハ検査方法。 - 前記分類する工程において、前記焦点位置をリバース位置にした場合に暗く撮像され、かつ、フォワード位置にした場合に明るく撮像される前記ピット候補をピットと判定して、前記分類を行う、請求項1に記載のウェーハ検査方法。
- 前記ピット候補がパーティクルを含む、請求項1または2に記載のウェーハ検査方法。
- 前記選定する工程において、前記欠陥の内、長径または長辺が20μm以下の欠陥を前記ピット候補とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載のウェーハ検査方法。
- 前記ウェーハは、鏡面加工されたシリコンウェーハである、請求項1〜4に記載にウェーハ検査方法。
- ウェーハ表面に対して垂直に設置される、リングファイバー照明および第1受光部を備える第1光学系と、
前記ウェーハ表面に対して傾斜して設置される、平行光の照射光源および第2受光部を備える第2光学系と、
前記第1光学系をウェーハ表面に平行に走査する第1走査部と、
前記第2光学系の前記傾斜を維持しつつ、該前記第2光学系をウェーハ表面に平行に走査する第2走査部と、
前記第1光学系、前記第2光学系、前記第1走査部および前記第2走査部を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は前記第1光学系を制御して、前記ウェーハ表面の所定の位置を照射し、前記ウェーハの欠陥に起因する垂直散乱光を前記第1受光部で受光させ、さらに、前記第1走査部を制御して、前記第1光学系を走査して前記垂直散乱光の輝度情報を測定しつつ前記ウェーハの面内全域で前記輝度情報を測定して前記ウェーハの欠陥を選出し、該選出した欠陥からピット候補を選定し、前記第2光学系および前記第2走査部を制御して該第2光学系の焦点位置を変化させて前記ピット候補を撮像し、該撮像したピット候補の、前記第2光学系の前記焦点位置の変化に伴う明暗に基づき前記ピット候補をピットおよびピット以外の欠陥に分類することを特徴とするウェーハ検査装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2015178699A JP6531579B2 (ja) | 2015-09-10 | 2015-09-10 | ウェーハ検査方法およびウェーハ検査装置 |
KR1020187006435A KR102038478B1 (ko) | 2015-09-10 | 2016-08-03 | 웨이퍼 검사 방법 및 웨이퍼 검사 장치 |
TW105124574A TWI617801B (zh) | 2015-09-10 | 2016-08-03 | 晶圓檢查方法以及晶圓檢查裝置 |
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PCT/JP2016/003585 WO2017043012A1 (ja) | 2015-09-10 | 2016-08-03 | ウェーハ検査方法およびウェーハ検査装置 |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2015178699A JP6531579B2 (ja) | 2015-09-10 | 2015-09-10 | ウェーハ検査方法およびウェーハ検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017053764A true JP2017053764A (ja) | 2017-03-16 |
JP6531579B2 JP6531579B2 (ja) | 2019-06-19 |
Family
ID=58239306
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015178699A Active JP6531579B2 (ja) | 2015-09-10 | 2015-09-10 | ウェーハ検査方法およびウェーハ検査装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10161883B2 (ja) |
JP (1) | JP6531579B2 (ja) |
KR (1) | KR102038478B1 (ja) |
CN (1) | CN108351311B (ja) |
DE (1) | DE112016004097B4 (ja) |
TW (1) | TWI617801B (ja) |
WO (1) | WO2017043012A1 (ja) |
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US10161883B2 (en) | 2018-12-25 |
JP6531579B2 (ja) | 2019-06-19 |
KR20180037258A (ko) | 2018-04-11 |
TWI617801B (zh) | 2018-03-11 |
KR102038478B1 (ko) | 2019-10-30 |
US20180328859A1 (en) | 2018-11-15 |
CN108351311B (zh) | 2021-08-06 |
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