JP2017039622A - 化合物半導体基板および化合物半導体基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】化合物半導体基板SRは、(111)面で構成された表面を有する3C−SiC層1を含む。SiC層1の厚さWは2μm以上400μm以下であり、SiC層1の表面に対してX線照射により、(220)回折を検出できる条件で、φが0度から360度の範囲でφスキャンをした場合に、回折強度のφ依存性を示すグラフにおける1〜3番目に大きな回折強度を持つ回折ピークの平均強度を平均強度AV1とし、前記グラフにおける4〜6番目に大きな回折強度を持つ回折ピークの平均強度を平均強度AV2とした場合、2つの平均強度の割合(AV2/AV1)は、0より大きく0.5%以下である。
【選択図】図1
Description
1a SiC層表面
11,111 Si(ケイ素)基板
11a Si基板表面
12 マスク
12a マスクの開口部
51,61 照射源
52,62 検出器
AR101 SiC層の結晶の成長方向
BR101,BR102 DPB(Double Positioning Boundary)が発生する位置
F1 SiC層に生じる収縮力
LN1 Si基板をダイシングする線
M モーメント
P1,P2,P3,P4,P5,P6 回折ピーク
PL101,PL102 斜面
PP1,PP2,PP3,PP4,PP101,PP102,PP103,PP104,PP105,PP106 面
RG1 収縮力が生じる領域
SR 化合物半導体基板
W SiC層の厚さ
Claims (6)
- (111)面で構成された表面を有する3C−SiC層を含む化合物半導体基板であって、
前記3C−SiC層の厚さは2μm以上400μm以下であり、
前記3C−SiC層の表面に対してX線照射により、(220)回折を検出できる条件で、φが0度から360度の範囲でφスキャンをした場合に、回折強度のφ依存性を示すグラフにおける1〜3番目に大きな回折強度を持つ回折ピークの平均強度を平均強度AV1とし、前記グラフにおける4〜6番目に大きな回折強度を持つ回折ピークの平均強度を平均強度AV2とした場合、2つの平均強度の割合(AV2/AV1)は、0より大きく0.5%以下である、化合物半導体基板。 - 前記3C−SiC層の厚さは100μm以上であり、
前記3C−SiC層の断面の表面において、単位長さ当たりに出現する積層欠陥の本数は0より大きく2000本/cm以下である、請求項1に記載の化合物半導体基板。 - 前記3C−SiC層は、2インチ以上8インチ未満の直径を有する平面形状である、請求項1または2に記載の化合物半導体基板。
- 前記3C−SiC層は、4インチ未満の直径を有する平面形状である、請求項3に記載の化合物半導体基板。
- 中央に開口部を有し、環状の平面形状のマスクを、Si(111)基板表面の外周領域を覆うように形成する工程と、
前記マスクを形成する工程の後に、前記Si(111)基板表面における前記マスクが形成されずに露出した領域に、3C−SiC層をヘテロエピタキシャル成長させる工程と、
前記3C−SiC層をヘテロエピタキシャル成長させる工程の後に、剥離液を用いて前記Si(111)基板を除去する工程とを備えた、化合物半導体基板の製造方法。 - 前記開口部は、2インチ以上の直径を有する、請求項5に記載の化合物半導体基板の製造方法。
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