JP2017034072A - 発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、基板2の主面上に半導体構造4が設けられたウエハ10を準備する。ウエハ10は、図2の上面図に示すように、上面視が略円形状で、円弧の一部を平坦としたオリエンテーションフラット面OLを設けている。ウエハ10は、基板2と、その上に設けられた半導体構造4とを備える。ウエハ10のサイズは、例えばΦ50〜100mm程度とすることができる。
次に、基板2に、ウエハ10を複数の発光素子1に個片化するための割断起点部12を形成する。割断起点部12は、ウエハ10を所定の大きさに個片化して発光素子1を得るために形成され、ウエハ10の割断を容易にするためのガイドとなる部分である。図3に、レーザ光LBを基板2の内部に照射して割断起点部12を形成する例を示す。レーザ光をウエハ10に対して走査させることで、所望のパターンの割断起点部12を形成することができる。本実施形態では、上面視において、連続した直線状に割断起点部12を形成しているが、波線状やドット状などの離散的なパターンとすることもできる。
次に、ウエハ10を所定の状態に保持するための保持シート30を準備し、図5に示すように、保持シート30にウエハ10を貼り付ける。具体的には、ウエハ10の基板2側の面を保持シート30に貼り付けた状態で、ウエハ10の半導体構造4が設けられた側の面が下向きになるようにウエハ10を保持する。例えば、ウエハ10が貼り付けられた保持シート30の周囲を枠部材などで挟んだ状態で固定し、ウエハ10が下方に向くように保持する。このようにすれば、後述する個片化工程において、ウエハ10を割断するときにウエハ10の半導体構造4が形成されている面が露出された状態であるため、保護シート等で被覆されている場合と比較して、割断したときに半導体構造4が保護シートに接触するといった負荷が抑制される。その結果、個片化された発光素子1の欠けが抑制され、信頼性に優れた発光素子1を生産性良く製造することができる。さらに、割断した際に発光素子1が欠けたとしてもその欠けが落ちてウエハ10上に残留する事態を回避できる。そのため、発光素子1の欠けが残留した状態で個片化工程が行われることがなく、その残留した欠けでさらに発光素子1が欠けてしまうといった2次的な発光素子1の損傷を防止することができる。
次に、ウエハ10を割断し複数の発光素子1に個片化する。基板2には割断起点部12が形成されており、ウエハ10は割断起点部12により割断される。具体的には、図6に示すように、押圧部材20の先端部22を保持シート30に押し当てた状態で保持シート30上を移動させ、割断起点部12を利用してウエハ10を複数の発光素子1に個片化する。
押圧部材20は、図5及び図6に示すように、保持シート30に押し当てる先端部22を曲面としている。先端部22が曲面である押圧部材20を保持シート30に押圧することで、作用点からの応力を分散させながらウエハ10及び保持シート30を撓ませることができるので、ウエハ10が割断起点部12を離れて意図しない方向に割れるリスクを軽減しつつ割断できる。これにより、割断起点部12が折れ線状に形成されている場合であっても、割断起点部12に効率よく応力を作用させつつ割断が可能となり、発光素子1の損傷を抑制することができる。さらに、ウエハ10に対する負荷も軽減できるので、発光素子1の欠けが抑制される。
発光素子1を個片化した後、複数の発光素子1を取り出す。各発光素子1は保持シート30に貼り付けられた状態で保持されている。そして、各発光素子1が割断起点部12に沿って割断された状態から、各発光素子1を保持シート30から取り外して、個片化された発光素子1を得ることができる。
2・・・基板
3・・・電極
3A・・・n電極
3B・・・p電極
4・・・半導体構造
4p・・・p側半導体層
4a・・・活性層
4n・・・n側半導体層
5・・・保護膜
10・・・ウエハ
12・・・割断起点部
20・・・押圧部材
22…先端部
30…保持シート
LB・・・レーザ光
OL・・・オリエンテーションフラット面
SP・・・走査パターン
Claims (7)
- 基板の主面上に半導体構造が設けられたウエハを準備する工程と、
前記基板に、上面視形状が六角形である複数の発光素子に割断するための割断起点部を形成する工程と、
前記ウエハを所定の状態に保持する保持シートを準備する工程と、
前記ウエハの基板側の面を保持シートに貼り付けた状態で、前記ウエハの半導体構造側の面が下向きになるよう前記ウエハを保持する工程と、
先端部が曲面を有する押圧部材を準備する工程と、
前記保持シートに前記先端部を押し当てた状態で、上面視において、前記発光素子を構成するいずれの辺とも平行でない方向に前記先端部を走査することにより前記ウエハを割断し、上面視形状が六角形である複数の発光素子に個片化する工程と、を含む発光素子の製造方法。 - 前記押圧部材の先端部が球面である請求項1に記載の発光素子の製造方法。
- 前記先端部の外径は、前記発光素子の上面視形状の外接円の直径よりも長い請求項2に記載の発光素子の製造方法。
- 前記割断起点部は、前記基板の半導体構造が形成された面と反対側の面に達している請求項1から3のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。
- 前記割断起点部は、前記基板の前記半導体構造の近傍にまで形成される請求項1から4のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。
- 前記割断起点部は、前記基板の内部にレーザ光を集光させて形成される請求項1から5のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。
- 前記基板はサファイア基板であり、
前記割断起点部は、前記発光素子の少なくとも1辺が前記基板のa面に沿うように形成される請求項1から6のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。
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