JP2003017443A - 半導体ウェーハのブレーキング方法及びブレーキング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体チップの未分離発生率を低く押さえる
ことのできる半導体ウェーハのブレーキング方法及びブ
レーキング装置を提供する。 【解決手段】 ブレーキング部材２０のエッジ部２０ａ
を、ブレーキング部材２０の長手方向３３が半導体ウェ
ーハＷの溝の形成方向と異なるように、半導体ウェーハ
Ｗの主裏面に向かって粘着シート１側から押し当てる。
そして、その状態で、ブレーキング部材２０のエッジ部
２０ａを粘着シート１に対して摺動させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は半導体ウェーハを
個々の半導体チップに分離する半導体ウェーハのブレー
キング方法及びブレーキング装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウェーハから微小な個々の半導体
集積回路や発光素子等（以下、これらを総称して半導体
チップという）を得るために、通常、前記半導体ウェー
ハに対し、ダイサー等により個々の半導体チップにダイ
シングする工程を行う。このダイシング工程の際、例え
ば、分離された半導体チップが離散しないように、半導
体ウェーハの主裏面に合成樹脂製等の粘着テープを貼り
つけておき、半導体ウェーハの主表面に対してダイシン
グするようにしている。なお、ダイシングにより半導体
ウェーハは個々の半導体チップに分割されるが、以下、
本明細書においては、粘着テープに貼りつけられたまま
の分割後の半導体チップの集合体も半導体ウェーハと称
する。

【０００３】次に、ダイシングされた半導体ウェーハが
貼りつけられたままの粘着テープを放射状に引張って、
半導体チップ同士の間隔をひろげるエキスパンド工程を
行い、半導体チップのピックアップ作業性を向上させ
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このエ
キスパンド工程において、半導体チップ同士が完全に分
離できない場合がある。エキスパンド操作により半導体
チップ同士が分離できないと、ダイシング歪みを除去す
るためのエッチングや、ダイボンディング時のピックア
ップ作業において支障をきたす場合もある。

【０００５】本発明は上記の課題を解決するために成さ
れたものであり、半導体チップの未分離発生率を低く抑
えることのできる半導体ウェーハのブレーキング方法及
びブレーキング装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段及び作用・効果】上記課題
を解決するために、本発明の半導体ウェーハのブレーキ
ング方法は、主表面にダイシングによる格子状の溝が形
成されており、主裏面が粘着テープに貼りつけられてい
る半導体ウェーハを、前記溝にて半導体チップに分離す
る半導体ウェーハのブレーキング方法において、ブレー
キング部材のエッジ部を、該ブレーキング部材の長手方
向が前記溝の形成方向と異なるように、前記半導体ウェ
ーハの主裏面に向かって前記粘着シート側から押し当て
るとともに、その状態で、前記ブレーキング部材のエッ
ジ部を前記粘着シートに対して摺動させることを特徴と
する。

【０００７】また、上記半導体ウェーハのブレーキング
方法を実施するための半導体ウェーハのブレーキング装
置は、主表面にダイシングによる格子状の溝が形成され
ており、主裏面が粘着テープに貼りつけられている半導
体ウェーハを前記溝にて半導体チップに分離する半導体
ウェーハのブレーキング装置において、前記半導体ウェ
ーハを前記粘着テープとともに保持するウェーハフレー
ムを、所定位置に配置するフレームテーブルと、前記半
導体ウェーハの主裏面と対向して位置するとともに、エ
ッジ部を有するブレーキング部材と、前記ブレーキング
部材のエッジ部を、該ブレーキング部材の長手方向が前
記溝の形成方向と異なるように、前記半導体ウェーハの
主裏面に向かって前記粘着テープ側から押し当てるブレ
ーキング部材当接機構と、前記ブレーキング部材のエッ
ジ部を前記粘着テープに対して摺動させるブレーキング
部材摺動機構と、を備えることを特徴とする。

【０００８】上記本発明の構成では、ブレーキング部材
のエッジ部を、粘着シートに押し当て、そして摺動させ
るようにしている。これにより、ダイシング後の隣接す
る半導体チップ同士が相対的に変位して、該半導体チッ
プ同士を効果的に分離することができる。また、端部が
長手方向を有する形状としているので、一度に粘着テー
プのより広い面積を摺動させることができ、短時間でよ
り多くの半導体チップを分離することが可能となる。

【０００９】さらに、ブレーキング部材の長手方向が半
導体ウェーハの溝の形成方向と異なるように、ブレーキ
ング部材を粘着テープに押し当て、その状態で、粘着シ
ートに対して摺動させれば、半導体ウェーハの分離がよ
り確実に行なわれる。これは、ブレーキング部材の長手
方向が半導体ウェーハの溝の形成方向と異なる状態を保
ちながら摺動することによって、隣接する半導体チップ
同士において、その相対的な変位の方向の自由度が増す
ためである。つまり、端部の長手方向と溝の形成方向と
を一致させるよりも、これらの方向を異なるようにする
ことで、隣接する半導体チップ間により多くの向きの力
が働いて、半導体チップの分離が行われ易くなる。

【００１０】このように、エッジ部を有するブレーキン
グ部材を使用し、さらに、該ブレーキング部材の長手方
向を、半導体ウェーハに形成されている溝の形成方向か
ら若干ずらして、該ブレーキング部材を粘着テープに対
して摺動させることで、半導体チップ同士を分離させる
のに、より効果的な力が働いて、半導体チップの分離が
さらに促進されるものである。

【００１１】本発明者らの鋭意検討の結果によれば、ブ
レーキング部材の長手方向と、溝の形成方向とのなす角
（以下、シフト角αとする）が０°より大きく４５°以
下であることが好ましく、さらには、５°以上１５°以
下である場合に、より効果的に半導体チップの分離が行
なわれる。

【００１２】また、ブレーキング部材の長手方向と垂直
な方向に、該ブレーキング部材を移動させ、粘着テープ
に対して摺動させるのがよい。これによれば、一度のブ
レーキング部材の移動により、粘着テープ側で摺動され
る部分の面積が最大となり、ひいては単位時間に分離さ
れる半導体チップの量も増加する。

【００１３】また、上記のような方法を実現するため
に、本発明のブレーキング装置は、粘着テープにブレー
キング部材を当接させるためのブレーキング部材当接機
構（以下、単に当接機構とする）を有する。該当接機構
は、半導体ウェーハを間接的に保持するフレームテーブ
ルとブレーキング部材とを半導体ウェーハの軸線方向に
沿って相対的に接近・離間させるものである。

【００１４】さらに本発明のブレーキング装置は、ブレ
ーキング部材を粘着テープに対して摺動させるブレーキ
ング部材摺動機構（以下、単に摺動機構とする）を有す
る。該摺動機構は、ブレーキング部材のエッジ部を粘着
テープに押し当てた状態で、例えば、長手方向と垂直な
方向にブレーキング部材を移動させる。

【００１５】また、半導体ウェーハを保持するウェーハ
フレームとブレーキング部材とを、該半導体ウェーハの
軸線を中心に相対的に回転させるウェーハ回転機構を有
するものとしてもよい。これにより、ブレーキング部材
の長手方向と、半導体ウェーハの溝の形成方向との関係
を、該ウェーハ回転機構を駆動することにより調節する
ことができる。さらに、ブレーキング前に半導体ウェー
ハの主表面を観察し、溝の形成方向を検出する検出装置
を備えるとともに、その検出結果に基づいてウェーハ回
転機構の駆動を制御する制御装置を備えるようにしても
よい。これにより、ブレーキング部材の摺動方向の調節
を自動化することが可能となる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態について説明する。図２は粘着テープ１に貼りつ
けられたダイシング後の半導体ウェーハＷを、主表面Ｗ
1側からみた概略図である。粘着テープ１は、例えば、
塩化ビニル等に代表される合成樹脂等の伸縮性を有する
材質により構成されている。そして、その少なくとも片
面は粘着性を有しており、半導体ウェーハＷの主裏面Ｗ
2がその粘着性を有する面に貼りつけられている。該粘
着テープ１は第一ウェーハフレーム２２及び第二ウェー
ハフレーム２１（これらが、ウェーハフレーム１２を形
成している）によりその外周部が挟みこまれており、中
央部分にたるみが殆ど形成されていない状態で保持され
ている。

【００１７】図３は、図２に示す半導体ウェーハＷ、粘
着テープ１及びウェーハフレーム１２を側方から観察し
たものである。ダイシング工程により、半導体ウェーハ
Ｗには溝４が形成されている。該溝４は、図２のように
格子状に形成される。図３の拡大図に示すように、半導
体ウェーハＷの主裏面Ｗ2には電極２３が格子状に形成
されており、例えば、半導体チップＰ1及びＰ2の間にお
いて、ダイシングにより電極２３が完全に切断されない
と、半導体チップＰ１及びＰ２が未分離状態となってし
まう。

【００１８】このため、以下のような方法により半導体
ウェーハＷのブレーキングを行い、半導体チップＰの未
分離状態を解消する。まず、図４（ａ）のように半導体
ウェーハＷの主裏面Ｗ2に向かってブレーキング部材２
０を接近させ、（ｂ）のように粘着テープ１にブレーキ
ング部材２０のエッジ部２０ａを主裏面Ｗ2に対して垂
直に押し当てる。このとき、粘着テープ１は、例えば、
塩化ビニル等の伸縮性を有する合成樹脂により形成され
ているため、エッジ部２０ａを押し当てることによっ
て、粘着テープ１が押し当てられた方向に変位する。ブ
レーキング部材２０は、例えば図４（ｃ）に示すような
エッジ部２０ａを有する板状部材である。

【００１９】上記のようなブレーキング部材２０のエッ
ジ部２０ａを粘着テープ１に押し当てた状態で、図４
（ｂ）のようにブレーキング部材２０を方向３２に摺動
させる。すると、図４（ｃ）に示すように、粘着テープ
１が押し当てられた方向に変位して隣接する半導体チッ
プＰ同士の間隔が拡がるとともに、剪断力が働くことに
より、未分離状態の半導体チップＰの間にまたがって形
成されていた電極２３が切断され、半導体チップＰが完
全に分離される。

【００２０】ブレーキング部材２０は、その長手方向３
３がダイシングによる格子状の溝４の形成方向と異なる
ように、粘着テープ１に押し当てられる。図１（ａ）は
図４に示す工程を半導体ウェーハＷの主裏面Ｗ2側から
みたものである。格子状に形成されている溝４の形成方
向をそれぞれ、ｘ、ｙ方向としたとき、ブレーキング部
材２０は、エッジ部２０ａにおいて、その長手方向３３
が、ｘ、ｙ方向と異なるように押し当てられる。そし
て、該長手方向３３と直行する方向（摺動方向３２）に
該ブレーキング部材２０を粘着テープ１に対して摺動さ
せる。これにより、半導体チップＰがより確実に分離さ
れる。

【００２１】上記のように、ブレーキング部材２０のエ
ッジ部２０ａを、その長手方向が溝４の形成方向と異な
るように粘着テープ１に押し当て、摺動させることによ
り半導体チップＰがより確実に分離されるのは、以下の
ことに起因する。図５に、ブレーキング部材２０を粘着
テープ１に対して摺動させたときの、半導体チップＰの
変位形態の一例を示す。図５（ａ）は、ダイシング後の
半導体ウェーハＷの主表面Ｗ１の一部を拡大したもので
ある。ここで、図１に示す本発明の方法により、ブレー
キング部材２０の長手方向３３を溝４の形成方向と異な
るようにしてを摺動させると、図５（ｂ）、（ｃ）に示
すように、隣接する半導体チップＰ同士の間隔をひろげ
る力ｆ1が働いたり（図５（ｂ））、半導体チップＰ同
士を相対的にずらすような力ｆ2が働いたりする（図５
（ｃ））。一方、溝４の形成方向と、ブレーキング部材
２０の端部の長手方向３３とを一致させてブレーキング
部材２０を摺動させる方法では、図５（ｂ）に示すよう
な半導体チップＰ同士の間隔をひろげるような力しか加
わりにくい。このように、本発明にあっては、半導体チ
ップＰに働く力の方向の自由度が多く、そのため半導体
チップＰが効果的に分離されるのである。

【００２２】なお、ブレーキング部材２０の長手方向３
３と、溝４の形成方向とのなす角（シフト角α）が０°
より大きく４５°以下となるように、ブレーキング部材
２０は粘着テープ１に押し当てられる。望ましくは、シ
フト角αを５°以上１５°以下とすると、ブレーキング
部材２０の押し当てられた半導体チップ２０同士が相対
的に変位する程度が大きくなるので、該半導体チップ２
０同士をより効果的に分離することができる。

【００２３】また、上記の摺動方向３２にブレーキング
部材２０を数回往復運動させたのち、図１（ｂ）に示す
ように、例えば、ブレーキング部材２０を半導体ウェー
ハＷに対して、半導体ウェーハＷの軸線周りに相対的に
回転移動させたのち、ブレーキング部材２０を摺動方向
３２’に沿って数回摺動させるようにしてもよい。図１
（ｂ）にあっては、ブレーキング部材２０を半導体ウェ
ーハＷに対して９０°相対的に回転させた場合を示して
いる。これにより、図１（ａ）の摺動方向３２に摺動さ
せるだけでは十分に分離ができない半導体チップＰも、
摺動方向３２’に沿って摺動させることにより力の働く
方向を変化させることになり、半導体チップＰがより分
離しやすくなる。

【００２４】ブレーキング部材２０と半導体ウェーハＷ
とを、半導体ウェーハＷの軸線周りに相対的に回転させ
る角度は、上記のように９０°に限られるものではな
く、どのような角度で行ってもよい。ただし、該相対回
転後において、溝４の形成方向（図１においてはｘ、ｙ
方向）とブレーキング部材２０の端部の長手方向３３と
が一致しないように、相対回転させる角度を適宜設定す
る。

【００２５】図６に本発明のブレーキング装置の概要を
示す。該ブレーキング装置１００は、半導体ウェーハＷ
の主裏面Ｗ2が貼り付けられた粘着テープ１を保持する
ウェーハフレーム１２を、所定位置に載置するフレーム
テーブル３５を備えている。そして、エッジ部２０ａを
有するブレーキング部材２０を有し、さらに、該ブレー
キング部材２０を粘着テープ１に当接させるためのブレ
ーキング部材当接機構５１、及びブレーキング部材２０
を摺動方向に摺動させるブレーキング部材摺動機構５０
を有する。該ブレーキング部材当接機構５１には、ブレ
ーキング部材２０を摺動方向３２に移動可能に取り付け
たブレーキング部材摺動機構５０が取り付けられてい
る。さらに、該ブレーキング部材当接機構５１は、これ
らブレーキング部材２０及びブレーキング部材摺動機構
５０をフレームテーブル３５に対して接近・離間させる
ものであって、例えば、エアシリンダ、油圧シリンダ、
電動リニアモータ等のリニアアクチュエータで構成され
ている。また、ブレーキング部材摺動機構５０は、ブレ
ーキング部材２０をある一定の摺動方向３２に沿って往
復運動させるものであって、同様に、エアシリンダ、油
圧シリンダ、電動リニアモータ等のリニアアクチュエー
タで構成することができる。なお、ブレーキング部材当
接機構５１は、精度よく駆動させないと、ブレーキング
部材２０により粘着テープ１を損傷させる場合があるた
め、例えば、ステッピングモータ等のより高精度な駆動
が期待できるアクチュエータを使用してもよい。

【００２６】さらに、半導体ウェーハＷを間接的に保持
するフレームテーブル３５には、半導体ウェーハＷを該
軸線の軸周りに回転させるためのウェーハ回転機構３６
が取り付けられている。該ウェーハ回転機構３６は、フ
レームテーブル３５を半導体ウェーハＷの軸線周りに回
転駆動するものであり、ブレーキング部材２０の端部の
長手方向３３と溝４の形成方向とのなす角（シフト角
α）を適宜変更できるようになっている。また、該ウェ
ーハ回転機構３６においては、シフト角αの駆動精度が
比較的要求されるので、ステッピングモータ等の高精度
な駆動が期待できるアクチュエータを使用するのがよ
い。

【００２７】また、ブレーキング装置１００にＣＣＤカ
メラ等の検出装置（図示せず）、及びコンピュータ等の
制御装置（図示せず）を備えつけ、自動的に、上記シフ
ト角αを所望の角度に設定することも可能である。ま
ず、該検出装置により半導体ウェーハＷの主表面Ｗ1を
観察し、画像信号として取り込むとともに、得られた画
像信号を画像処理装置（図示せず）に送信して、主表面
Ｗ1に形成されている溝４の形成方向を検出する。そし
て、その検出結果とブレーキング部材２０の端部の長手
方向３３とを比較して、制御装置により該溝４の形成方
向と端部の長手方向３３とが一致しないようにウェーハ
回転機構３６を制御する。

【００２８】本発明に使用されるブレーキング部材２０
の形状をいくつか図７に示す。図７（ａ）に示すブレー
キング部材２０は、その長手方向３３が曲線状となって
いる。一方、図７（ｂ）に示すブレーキング部材２０
は、その長手方向３３がより直線形状に近い形状を有し
ている。このように、長手方向３３を直線形状により近
づけることにより、一度の摺動工程において、半導体チ
ップＰの分離を促進することができ、工程時間の削減が
期待できる。

【００２９】さらに、図７（ｃ）は、ブレーキング部材
２０のエッジ部２０ａを長手方向３３から見た図であ
る。このように、ブレーキング部材２０においては、エ
ッジ部２０ａにアールは付与されていない。これによ
り、半導体チップＰの分離に効果的となる。

【００３０】なお、ブレーキング部材２０を構成する材
料としては、粘着テープ１に十分に押し当てることがで
きるだけの硬さを有するものを使用する。さらに、その
厚さにも関係するが、該ブレーキング部材２０を粘着テ
ープ１に押し当てたときに、該ブレーキング部材２０が
ある程度たわむようなものが好適である。これにより、
粘着テープ１を介して、半導体ウェーハＷに、より複雑
な力が加わることとなり、ブレーキング部材２０を摺動
させたときの、半導体チップＰの変位の自由度がさらに
増すことになる。なお、本実施の形態においては、ステ
ンレス製あるいは樹脂製の板をブレーキング部材２０と
して使用する。

【００３１】以上本実施の形態においては、半導体ウェ
ーハＷの主裏面Ｗ2に電極２３が形成されている場合に
ついて示したが、本発明はこれに限られるものではな
い。例えば、図８に示すような半導体ウェーハＷ’を個
々の半導体チップＰ’に分離する場合でも、効果的に適
用される。図８は主裏面Ｗ’2に電極２３が形成されて
いない半導体ウェーハＷ’に対して、フルダイシングに
より溝４を形成したものである。フルダイシングにより
溝４を形成した場合、基本的には、エキスパンド工程に
おいて完全に個々の半導体チップＰ’に分離する。しか
しながら、ダイシングの精度、ウェーハ厚さの不均一、
ダイシングテーブルの傾き、ダイサーの磨耗等の理由に
よって、半導体ウェーハＷ’に完全に切断しきれていな
い未切断部５５が存在する場合がある。このような未切
断部５５はエキスパンド工程により劈開して、切断され
る場合もあるが、切断されずに半導体チップＰ’の分離
を阻害する場合もある。本発明は、このようなフルダイ
シング後の未切断部５５を有する半導体ウェーハＷ’に
おいて適用しても、上記未切断部５５を劈開・切断する
ことができ、ひいては、半導体チップＰ’の分離を効果
的に行えるものである。

【００３２】以上のように、半導体ウェーハＷに対して
ブレーキング工程を行った後、以下のような方法により
エキスパンド工程を行う。図９は、エキスパンド行程の
概要を説明する断面模式図である。ブレーキング済みの
半導体ウェーハＷが貼りつけられたウェーハテープ１
は、前述したウェーハフレーム１２に既に取付けられて
いる。そして、まず図９（ａ）のように、該ウェーハフ
レーム１２にフレーム固定リング１４を当接させるとと
もに、該フレーム固定リング１４よりも径の小さいエキ
スパンドリング１３をウェーハテープ１に当接させる。
そして、エキスパンドリング１３とフレーム固定リング
１４とを、エキスパンドリング１３がフレーム固定リン
グ１４の内部を通過する方向に相対移動させて、ウェー
ハテープ１を放射線状に引き伸ばす（図１０（ｂ））こ
とにより、半導体チップＰ同士の間隔を広げ、個々の半
導体チップに分離する（図１０（ｃ））。本発明におい
ては、エキスパンド工程において分離されない半導体チ
ップＰ（未分離チップ）の発生を効果的に抑制すること
ができる。

【００３３】

【実施例】本発明の効果を調べるために以下の実験を行
った。ブレーキングを行う半導体ウェーハＷは、発光ダ
イオードとして使用されるものであって、厚さ２５０μ
ｍのｎ型ＧａＰ単結晶基板上に厚さ１００μｍのｎ型Ｇ
ａＰ層を成長させ、その上にさらに厚さ２０μｍのｐ型
層をエピタキシャル成長させたものを使用する。そして
主裏面Ｗ2側（ｎ型Ｇａｐ単結晶基板側）に電極２３と
して、厚さ０．２μｍ幅２０μｍの格子状及び直径６０
μｍの円状のＡｕ電極を形成する。この際、円状電極
は、格子状電極の中心位置及び該格子状電極上に位置す
るように形成される。このような半導体ウェーハＷの主
裏面Ｗ2を粘着テープ１に貼りつけるとともに、ウェー
ハフレーム１２にて保持し、フルダイシングによって、
縦横０．２６ｍｍ間隔の格子状に切断し、溝４を形成す
る。

【００３４】上記のようにした半導体ウェーハＷに対し
て、図６に示すブレーキング装置１００を使用して、以
下のようなブレーキング工程を行う。ブレーキング部材
２０としては、図７（ｂ）に示す形状のブレーキングブ
レードを使用する。ブレーキングブレード２０は、ブレ
ードの厚さが０．８ｍｍのステンレス鋼にて構成されて
いる。

【００３５】また、シフト角αは１０°となるように粘
着テープ１に対して垂直に当接させ、その状態で、該ブ
レーキングブレード２０を粘着テープ１に対して、その
長手方向３３と垂直な方向に摺動させる。該方向に往復
運動を３０回行った後、フレームテーブル３５に配置さ
れた半導体ウェーハＷを該軸周りに９０°回転させて、
ブレーキングブレード２０をさらに３０回往復運動させ
る。このようなブレーキング工程の後、図１０に示す方
法によりエキスパンド工程を行う。この工程を５０００
枚の半導体ウェーハＷに対して行った。

【００３６】また、比較例として、上記のブレーキング
工程を行なわずに、エキスパンド工程のみを同様に１０
０００枚の半導体ウェーハＷに対して行った。そして、
実施例及び比較例においてエキスパンド工程後に未分離
の半導体チップ（未分離チップ）の発生率を調べた。

【００３７】ブレーキングを行なわない比較例において
は、未分離チップの発生率は約５％であった。実施例の
場合は未分離チップの発生率が約０．０３％であり、殆
どの半導体チップが完全に分離された。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の方法を説明する概略図。

【図２】粘着テープに貼りつけられた半導体ウェーハを
示す図。

【図３】粘着テープに貼りつけられた半導体ウェーハの
軸断面及びその拡大図。

【図４】本発明の方法を説明する概略図。

【図５】本発明の方法の作用を説明する概略図。

【図６】本発明のブレーキング装置を示す概略図。

【図７】本発明に使用されるブレーキング部材の一例を
いくつか示す概略図。

【図８】ダイシング後の半導体ウェーハの形態をいくつ
か示す図。

【図９】エキスパンド工程を説明する概略図。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウェーハ Ｗ１ 半導体ウェーハの主表面 Ｗ２ 半導体ウェーハの主裏面 ４ 溝 Ｐ、Ｐ１、Ｐ２、Ｐ’ 半導体チップ ２０ ブレーキング部材 ２０ａ ブレーキング部材のエッジ部 ３３ ブレーキング部材の長手方向 １２ ウェーハフレーム ３５ フレームテーブル ５１ ブレーキング部材当接機構 ５０ ブレーキング部材摺動機構 ３６ ウェーハ回転機構

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 滝沢 啓 群馬県高崎市上豊岡町571−９ 株式会社 成電半導体内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 主表面にダイシングによる格子状の溝が
   形成されており、主裏面が粘着テープに貼りつけられて
   いる半導体ウェーハを、前記溝にて半導体チップに分離
   する半導体ウェーハのブレーキング方法において、 ブレーキング部材のエッジ部を、該ブレーキング部材の
   長手方向が前記溝の形成方向と異なるように、前記半導
   体ウェーハの主表面に向かって前記粘着シート側から押
   し当てるとともに、 その状態で、前記ブレーキング部材のエッジ部を前記粘
   着シートに対して摺動させることを特徴とする半導体ウ
   ェーハのブレーキング方法。
2. 【請求項２】 前記ブレーキング部材の長手方向と、前
   記溝の形成方向とのなす角が、０°より大きく４５°以
   下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェ
   ーハのブレーキング方法。
3. 【請求項３】 前記ブレーキング部材の長手方向と、前
   記溝の形成方向とのなす角が、５°以上１５°以下であ
   ることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハの
   ブレーキング方法。
4. 【請求項４】 前記ブレーキング部材を、該ブレーキン
   グ部材の長手方向と垂直な方向に摺動させることを特徴
   とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体
   ウェーハのブレーキング方法。
5. 【請求項５】 主表面にダイシングによる格子状の溝が
   形成されており、主裏面が粘着テープに貼りつけられて
   いる半導体ウェーハを前記溝にて半導体チップに分離す
   る半導体ウェーハのブレーキング装置において、 前記半導体ウェーハを前記粘着テープとともに保持する
   ウェーハフレームを、所定位置に配置するフレームテー
   ブルと、 前記半導体ウェーハの主裏面と対向して位置するととも
   に、エッジ部を有するブレーキング部材と、 前記ブレーキング部材のエッジ部を、該ブレーキング部
   材の長手方向が前記溝の形成方向と異なるように、前記
   半導体ウェーハの主裏面に向かって前記粘着テープ側か
   ら押し当てるブレーキング部材当接機構と、 前記ブレーキング部材のエッジ部を前記粘着テープに対
   して摺動させるブレーキング部材摺動機構と、 を備えることを特徴とする半導体ウェーハのブレーキン
   グ装置。
6. 【請求項６】 前記ブレーキング部材当接機構は、前記
   ブレーキング部材の長手方向と、前記溝の形成方向との
   なす角を０°より大きく４５°以下とすることを特徴と
   する請求項５に記載の半導体ウェーハのブレーキング装
   置。
7. 【請求項７】 前記ブレーキング部材当接機構は、前記
   ブレーキング部材の長手方向と、前記溝の形成方向との
   なす角が５°以上１５°以下となるようにすることを特
   徴とする請求項５に記載の半導体ウェーハのブレーキン
   グ装置。
8. 【請求項８】 前記ウェーハフレームと前記ブレーキン
   グ部材とを、相対的に回転させるウェーハ回転機構を備
   えることを特徴とする請求項５ないし７のいずれか１項
   に記載の半導体ウェーハのブレーキング装置。
9. 【請求項９】 前記ブレーキング部材摺動機構は、前記
   ブレーキング部材を、該ブレーキング部材の長手方向と
   垂直な方向に摺動させるものであることを特徴とする請
   求項５ないし８のいずれか１項に記載の半導体ウェーハ
   のブレーキング方法。