JP2014078606A

JP2014078606A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP2014078606A
Application number: JP2012225531A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Makino; 豊牧野; Yoshiaki Shinjo; 嘉昭新城
Original assignee: Fujitsu Semiconductor Ltd
Current assignee: Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority date: 2012-10-10
Filing date: 2012-10-10
Publication date: 2014-05-01

Abstract

【課題】半導体基板に形成される改質層の破断を容易に行う技術を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板に、線状に延在する改質層を形成する工程と、ダイシングテープの第１の面に前記半導体基板を張り付ける工程と、前記半導体基板を貼り付ける工程の後、前記ダイシングテープの前記第１の面の反対の第２の面に、一の方向に延在する押し上げ部を接触させながら、前記ダイシングテープ及び前記半導体基板を、前記押し上げ部が延在する方向と異なる方向に移動させることで、前記押し上げ部が前記改質層を押し上げることにより前記改質層を破断する工程と、を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。

半導体基板を粘着性のダイシングテープに貼り付け、ブレードダイシング又はステルスダイシング（登録商標）を用いて半導体基板を個片化することにより、半導体チップが得られる。ブレードダイシングは、ダイシングブレードによりスクライブラインに沿って半導体基板を切断し、半導体基板を個片化する技術である。スクライブラインは、ダイシングラインとも呼ばれ、半導体基板を個片化する場合の切断予定線である。ステルスダイシングは、半導体基板の内部にレーザーを照射して改質層（変質層）を形成し、外部応力を加えることにより改質層を起点として半導体基板を切断し、半導体基板を個片化する技術である。

ブレードダイシングを用いて半導体基板の個片化を行う場合、半導体基板に形成された各半導体チップの間に１００μｍ程度のスクライブラインの幅を設けている。これに対して、ステルスダイシングを用いて半導体基板の個片化を行う場合、半導体基板に形成された各半導体チップの間に１０μｍ程度のスクライブラインの幅を設けている。したがって、ステルスダイシングを用いて半導体基板の個片化を行う場合、半導体基板に対してより多くの半導体チップを配置することができる。また、ブレードダイシングを用いて半導体基板の個片化を行う場合、個片化された半導体チップの端部に欠損部分が発生する場合がある。これに対して、ステルスダイシングを用いて半導体基板の個片化を行う場合、個片化された半導体チップの端部における欠損部分の発生が少ない。

特開２００６−６６５３９号公報特開２００６−１３０００号公報

ステルスダイシングを用いて半導体基板の個片化を行う場合、ブレードダイシングを用いて半導体基板の個片化を行う場合よりもメリットが多い。そのため、近年、半導体基板の個片化を行う場合、ステルスダイシングを用いる場合が増える傾向にある。

ここで、ステルスダイシングを用いて半導体基板を個片化する一例を以下に示す。図２５に示すように、ウェハリング９１の内側に半導体基板９２を設置し、半導体基板９２の裏面にダイシングテープ９３を貼り付ける。次に、図２６に示すように、半導体基板９２を反転した後、レーザー９４を半導体基板９２のスクライブラインに沿って半導体基板９２の内部に照射する。半導体基板９２の内部にレーザー９４が照射されることにより、半導体基板９２の内部に改質層９５が形成される。

次に、図２７に示すように、ウェハリング９１を押し下げることにより、ダイシングテープ９３を面方向に拡張する。ダイシングテープ９３を面方向に拡張することにより、半導体基板９２に対して応力を加え、半導体基板９２の内部に形成された改質層９５を破断する。半導体基板９２の内部に形成された改質層９５を起点として半導体基板９２が切断され、半導体基板９２が個片化され、半導体チップ９６が製造される。

しかしながら、図２８に示すように、半導体基板９２の内部に形成された改質層９５において、破断されない箇所が発生する場合がある。半導体基板９２に形成された半導体チップ９６の数が多い場合、すなわち、スクライブラインの本数が多い場合、半導体基板９２の内部に形成された改質層９５において、破断されない箇所が発生しやすい傾向にある。

半導体基板９２に形成された半導体チップ９６の数が多い場合、半導体基板９２の内部に形成された改質層９５において破断されない箇所が発生する要因として、以下の様なことが挙げられる。半導体基板９２に対して加える応力は、半導体基板９２に形成された半導体チップ９６の数が多くなるに従って大きくなる。したがって、半導体基板９２の内部に形成された全部の改質層９５を破断させるために、半導体基板９２に対して加える応力は大きくなる。ダイシングテープ９３を更に拡張することにより、半導体基板９２に対して加える応力が大きくなる。しかし、ダイシングテープ９３の拡張には限度があるため、半導体基板９２に対して際限なく応力を加えることはできない。そのため、半導体基板９２に形成された半導体チップの数が多い場合、半導体基板９２の内部に形成された改質層９５において、破断されない箇所が発生し易くなる。

本件は、半導体基板に形成される改質層の破断を容易に行う技術を提供することを目的とする。

本件の一観点による半導体装置の製造方法は、半導体基板に、線状に延在する改質層を形成する工程と、ダイシングテープの第１の面に前記半導体基板を張り付ける工程と、前記半導体基板を貼り付ける工程の後、前記ダイシングテープの前記第１の面の反対の第２の面に、一の方向に延在する押し上げ部を接触させながら、前記ダイシングテープ及び前記半導体基板を、前記押し上げ部が延在する方向と異なる方向に移動させることで、前記押し上げ部が前記改質層を押し上げることにより前記改質層を破断する工程と、を備える。

本開示によれば、半導体基板に形成される改質層の破断を容易に行うことができる。

図１は、実施例１に係る半導体装置の製造方法のフローを示す図である。図２は、半導体ウェハを示す図である。図３は、半導体ウェハの表面に表面保護テープを貼り付ける工程を示す図である。図４は、半導体ウェハの裏面を研磨する工程を示す図である。図５は、ダイシングテープに半導体ウェハに貼り付ける工程を示す図である。図６は、半導体ウェハ及びダイシングテープの上面図である。図７は、半導体ウェハの表面に貼り付けた表面保護テープを剥がす工程を示す図である。図８は、レーザーを半導体ウェハの内部に照射する工程を示す図である。図９は、図８の点線Ａ−Ａ’における部分拡大断面図である。図１０は、ダイシングテープ及び破断部の上面図である。図１１は、半導体ウェハを切断する工程を示す図である。図１２は、ダイシングテープに対して引っ張り応力を加える工程を示す図である。図１３は、ダイシングテープに対して引っ張り応力を加える工程を示す図である。図１４は、ダイシングテープにウェハリングを貼り付ける工程を示す図である。図１５は、ＵＶ照射工程を示す図である。図１６は、チップピックアップ工程を示す図である。図１７は、図１のステップＳ１０４に示す工程から図１のステップＳ１０９に示す工程までの側面図である。図１８は、ダイシングテープ及び破断部の斜視図である。図１９は、半導体ウェハを切断する工程を示す図である。図２０は、実施例３に係る半導体装置の製造方法のフローである。図２１は、図２０のステップＳ２０４に示す工程から図２０のステップＳ２０９に示す工程までの側面図である。図２２は、半導体ウェハ及びダイシングテープの上面図である。図２３は、半導体ウェハを切断する工程を示す図である。図２４は、半導体ウェハを切断する工程を示す図である。図２５は、半導体基板を個片化する一例を示す図である。図２６は、半導体基板を個片化する一例を示す図である。図２７は、半導体基板を個片化する一例を示す図である。図２８は、半導体基板を個片化する一例を示す図である。

以下、図面を参照して、実施形態に係る半導体装置の製造方法及び製造装置について説明する。以下の実施例１から実施例４の構成は例示であり、実施形態に係る半導体装置の製造方法及び製造装置は実施例１から実施例４の構成に限定されない。

〈実施例１〉
実施例１に係る半導体装置の製造方法について説明する。図１は、実施例１に係る半導体装置の製造方法のフローを示す図である。実施例１に係る半導体装置の製造方法では、まず、図１のステップＳ１０１において、半導体ウェハ１の表面に表面保護テープ２を貼り付ける工程を行う。

図１のステップＳ１０１に示す工程では、図２に示すように、半導体ウェハ１を用意する。図２は、半導体ウェハ１の上面図である。半導体ウェハ１は、例えば、シリコンウェハである。半導体ウェハ１は、半導体基板の一例である。半導体ウェハ１の表面（上面）には、トランジスタ等の機能素子、コンデンサ等の受動素子及び配線層等によって電子回路３が形成されている。半導体ウェハ１の表面には、Ｘ軸方向の複数の第１スクライブライン１１と、Ｙ軸方向の複数の第２スクライブライン１２とが直交して設けられている。複数の第１スクライブライン１１及び複数の第２スクライブライン１２によって画定された複数の領域に電子回路３が形成されている。スクライブラインは、ダイシングラインとも呼ばれ、半導体ウェハ１を個片化する場合の切断予定線（分割予定線）である。Ｘ軸方向の第１スクライブライン１１は、第１方向の第１切断予定線の一例である。Ｙ軸方向の第２スクライブライン１２は、第２方向の第２切断予定線の一例である。

図３に示すように、半導体ウェハ１の表面（上面）に表面保護テープ２を貼り付ける。表面保護テープ２は、半導体ウェハ１の裏面（下面）の研磨（Back Grind）の際に半導体ウェハ１の表面を保護するテープである。表面保護テープ２を半導体ウェハ１の表面に貼り付けることにより、半導体ウェハ１の表面の損傷、研磨水及び研磨屑の浸入による半導体ウェハ１の表面の汚染を抑止する。

次に、図１のステップＳ１０２において、表面保護テープ２を切り取る工程を行う。図
１のステップＳ１０２に示す工程では、半導体ウェハ１の表面に貼り付けた表面保護テープ２を、半導体ウェハ１の表面形状とほぼ同等の形状で切り取る。

次いで、図１のステップＳ１０３において、半導体ウェハ１の裏面を研磨する工程を行う。図１のステップＳ１０３に示す工程では、図４に示すように、半導体ウェハ１を反転し、砥石４を用いて、半導体ウェハ１の裏面を研磨することにより、半導体ウェハ１を所定の厚さにする。

次に、図１のステップＳ１０４において、半導体ウェハ１をダイシングテープ５の表面（上面）に貼り付ける工程を行う。ダイシングテープ５の表面は、ダイシングテープ５の第１の面の一例である。図１のステップＳ１０４に示す工程では、図５に示すように、供給ロール６から供給されるダイシングテープ５に半導体ウェハ１を貼り付ける。この場合、半導体ウェハ１の裏面をダイシングテープ５の表面に貼り付ける。

図５に示すように、ダイシングテープ５は、供給ロール６から供給される。図５に示すように、供給ロール６から供給されるダイシングテープ５は、巻き取りロール７に収容される。供給ロール６がダイシングテープ５を供給し、巻き取りロール７がダイシングテープ５を巻き取ることにより、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５が、ダイシングテープ５が巻き取られる方向に移動する。

図６は、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５の上面図である。半導体ウェハ１の複数の第１スクライブライン１１が、ダイシングテープ５の縁辺（エッジ）５Ａに対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度４５°傾くようにして、半導体ウェハ１がダイシングテープ５に貼り付けられている。したがって、半導体ウェハ１の複数の第１スクライブライン１１が、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度４５°傾くようにして、半導体ウェハ１がダイシングテープ５に貼り付けられている。半導体ウェハ１の複数の第２スクライブライン１２が、ダイシングテープ５の縁辺５Ａに対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度１３５°傾くようにして、半導体ウェハ１がダイシングテープ５に貼り付けられている。したがって、半導体ウェハ１の複数の第２スクライブライン１２が、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度１３５°傾くようにして、半導体ウェハ１がダイシングテープ５に貼り付けられている。なお、図６では、表面保護テープ２の図示を省略している。

半導体ウェハ１の第１スクライブライン１１が、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度θ１（０°＜θ１＜９０°）傾くようにして、半導体ウェハ１をダイシングテープ５に貼り付けてもよい。この場合、半導体ウェハ１の第２スクライブライン１２が、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度θ２（θ２＝θ１＋９０°）傾くようにして、半導体ウェハ１をダイシングテープ５に貼り付けてもよい。

次いで、図１のステップＳ１０５において、表面保護テープ２を剥がす工程を行う。図１のステップＳ１０５に示す工程では、図７に示すように、半導体ウェハ１の表面に貼り付けた表面保護テープ２を剥がす。

次に、図１のステップＳ１０６において、レーザー９を照射する工程を行う。図１のステップＳ１０６に示す工程では、図８に示すように、レーザー９を、半導体ウェハ１の表面から半導体ウェハ１の第１スクライブライン１１及び第２スクライブライン１２に沿って半導体ウェハ１の内部に照射する。

図９は、図８の点線Ａ−Ａ’における部分拡大断面図である。図９に示すように、半導体ウェハ１にレーザー９が照射されることにより、半導体ウェハ１の内部に、線状に延在する改質層（変質層）８が形成される。

第１スクライブライン１１及び第２スクライブライン１２に沿ってレーザー９が照射されることにより、半導体ウェハ１の第１切断予定領域及び第２切断予定領域に改質層８が形成される。半導体ウェハ１の第１切断予定領域は、第１スクライブライン１１における半導体ウェハ１の内部領域である。半導体ウェハ１の第２切断予定領域は、第２スクライブライン１２における半導体ウェハ１の内部領域である。

改質層８は、第１の方向に延在する第１の改質層８及び第１の方向と異なる第２の方向に延在する第２の改質層８を有する。第１の方向は、例えば、Ｘ軸方向である。第２の方向は、例えば、Ｙ軸方向である。半導体ウェハ１の第１スクライブライン１１に沿ってレーザー９が照射されることにより、半導体ウェハ１の第１スクライブライン１１に沿って半導体ウェハ１に第１の改質層８が形成される。すなわち、半導体ウェハ１の第１スクライブライン１１に沿ってレーザー９が照射されることにより、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に第１の改質層８が形成される。第１の改質層８は、第１改質部の一例である。半導体ウェハ１の第２スクライブライン１２に沿ってレーザー９が照射されることにより、半導体ウェハ１の第２スクライブライン１２に沿って半導体ウェハ１に第２の改質層８が形成される。すなわち、半導体ウェハ１の第２スクライブライン１２に沿ってレーザー９が照射されることにより、半導体ウェハ１の第２切断予定領域に第２の改質層８が形成される。第２の改質層８は、第２改質部の一例である。

次いで、図１のステップＳ１０７において、半導体ウェハ１を切断する工程を行う。図１のステップＳ１０７に示す工程では、ダイシングテープ５に引っ張り応力を加えた状態で、半導体ウェハ１が貼り付けられたダイシングテープ５を破断部２０の上を通過させる。半導体ウェハ１を貼り付けたダイシングテープ５が破断部２０の上を通過する際、半導体ウェハ１の内部に形成された改質層８が破断し、半導体ウェハ１の第１スクライブライン１１及び第２スクライブライン１２に沿って半導体ウェハ１が切断される。半導体ウェハ１の第１スクライブライン１１及び第２スクライブライン１２に沿って半導体ウェハ１を切断（分割）することにより、半導体ウェハ１が個片化される。

図１０は、ダイシングテープ５及び破断部２０の上面図である。図１０に示すように、破断部２０は、第１突起部材２１及び第２突起部材２２を有している。第１突起部材２１及び第２突起部材２２は、突起状の構造物である。第１突起部材２１は、一の押し上げ部の一例である。第２突起部材２２は、別の押し上げ部の一例である。第１突起部材２１及び第２突起部材２２の断面形状は、直角形状、鋭角形状及び鈍角形状の何れの形状であってもよい。第１突起部材２１及び第２突起部材２２は、ステンレス等の金属であってもよい。第１突起部材２１及び第２突起部材２２は、ステンレス等の金属の周囲に樹脂がコーティングされた部材であってもよい。

第１突起部材２１は、ダイシングテープ５の縁辺５Ａに対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度４５°傾いた状態で配置されている。したがって、第１突起部材２１は、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度４５°傾いた状態で延在している。第２突起部材２２は、ダイシングテープ５の縁辺５Ａに対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度１３５°傾いた状態で配置されている。したがって、第２突起部材２２は、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度１３５°傾いた状態で延在している。

半導体ウェハ１の第１スクライブライン１１が、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度４５°傾くようにして、半導体ウェハ１がダイシングテープ５に貼り付けられている。半導体ウェハ１の第１スクライブライン１１に沿って半導体ウェハ１に第１の改質層８が形成されている。したがって、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１の改質層８の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１突起部材２１が延在する方向の傾き角度と一致している。ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１の改質層８の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向を基準として、第１の改質層８がダイシングテープ５の平面方向に傾いている角度である。ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１突起部材２１が延在する方向の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向を基準として、第１突起部材２１が延在する方向がダイシングテープ５の平面方向に傾いている角度である。

半導体ウェハ１の第２スクライブライン１２が、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度１３５°傾くようにして、半導体ウェハ１がダイシングテープ５に貼り付けられている。半導体ウェハ１の第２スクライブライン１２に沿って半導体ウェハ１に第２の改質層８が形成されている。したがって、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２の改質層８の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２突起部材２２が延在する方向の傾き角度と一致している。

ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２の改質層８の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向を基準として、第２の改質層８がダイシングテープ５の平面方向に傾いている角度である。ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２突起部材２２が延在する方向の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向を基準として、第２突起部材２２が延在する方向がダイシングテープ５の平面方向に傾いている角度である。

図１０に示す第１突起部材２１及び第２突起部材２２の配置は、例示である。第１突起部材２１を、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度θ１（０°＜θ１＜９０°）傾いた状態で配置してもよい。すなわち、第１突起部材２１が、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度θ１（０°＜θ１＜９０°）傾いた状態で延在してもよい。また、第２突起部材２２を、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度θ２（θ２＝θ１＋９０°）傾いた状態で配置してもよい。すなわち、第２突起部材２２が、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度θ２（θ２＝θ１＋９０°）傾いた状態で延在してもよい。図１０は、第１突起部材２１を右上方向から左下方向に向かって傾いた状態で配置し、第２突起部材２２を右下方向から左上方向に向かって傾いた状態で配置する例を示している。ただし、この配置例に限らず、第１突起部材２１を右下方向から左上方向に向かって傾いた状態で配置し、第２突起部材２２を右上方向から左下方向に向かって傾いた状態で配置してもよい。

図１１は、破断部２０を用いて半導体ウェハ１を切断する工程を示す図である。図１１では、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１の改質層８の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１突起部材２１が延在する方向の傾き角度と一致している。図１１では、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２の改質層８の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２突起部材２２が延在する方向の傾き角度と一致している。

図１１に示すように、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５を所定方向に移動することにより、半導体ウェハ１を貼り付けたダイシングテープ５が第１突起部材２１の上を通過する。所定方向は、例えば、巻き取りロール７によってダイシングテープ５が巻き取ら
れる方向である。また、所定方向は、第１突起部材２１が延在する方向と異なる方向である。半導体ウェハ１を貼り付けたダイシングテープ５が第１突起部材２１の上を通過する際、第１突起部材２１がダイシングテープ５の裏面に接触する。ダイシングテープ５の裏面は、ダイシングテープ５の第１の面の反対の第２の面の一例である。

ダイシングテープ５の裏面に第１突起部材２１を接触させながら、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５を所定方向に移動させると、第１突起部材２１が、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８を押し上げる。ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１の改質層８の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１突起部材２１が延在する方向の傾き角度と一致している。このため、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８と第１突起部材２１とが重なり合うようにして、第１突起部材２１が、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８を押し上げる。ダイシングテープ５には引っ張り応力が加えられている。したがって、第１突起部材２１の上を通過する半導体ウェハ１の第１切断予定領域全体に曲げ応力が加えられ、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８が破断する。

図１１に示すように、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５を所定方向に移動することにより、半導体ウェハ１を貼り付けたダイシングテープ５が第２突起部材２２の上を通過する。所定方向は、例えば、巻き取りロール７によってダイシングテープ５が巻き取られる方向である。また、所定方向は、第２突起部材２２が延在する方向と異なる方向である。半導体ウェハ１を貼り付けたダイシングテープ５が第２突起部材２２の上を通過する際、第２突起部材２２がダイシングテープ５の裏面に接触する。

ダイシングテープ５の裏面に第２突起部材２２を接触させながら、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５を所定方向に移動させると、第２突起部材２２が、半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の改質層８を押し上げる。ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２の改質層８の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２突起部材２２が延在する方向の傾き角度と一致している。このため、半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の改質層８と第２突起部材２２とが重なり合うようにして、第２突起部材２２が、半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の改質層８を押し上げる。ダイシングテープ５には引っ張り応力が加えられている。したがって、第２突起部材２２の上を通過する半導体ウェハ１の第２切断予定領域全体に曲げ応力が加えられ、半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の改質層８が破断する。

図１２に示すように、破断部２０の前後に第１ローラー３１及び第２ローラー３２を設けることにより、ダイシングテープ５に対して引っ張り応力を加えるようにしてもよい。第１ローラー３１は、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、破断部２０の前段に設けられている。第２ローラー３２は、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、破断部２０の後段に設けられている。第１ローラー３１及び第２ローラー３２は、ダイシングテープ５を上下に挟むことによりダイシングテープ５を抑える。第２ローラー３２によるダイシングテープ５を引っ張る力は、第１ローラー３１によるダイシングテープ５を送る力よりも大きい。そのため、半導体ウェハ１を貼り付けたダイシングテープ５が破断部２０の上を通過する際、ダイシングテープ５に対して引っ張り応力が加わる。

図１２に示すように、第１ローラー３１及び第２ローラー３２は、ダイシングテープ５の両端部を抑えている。半導体ウェハ１は、ダイシングテープ５の中央部分に貼り付けられており、ダイシングテープ５の両端部には貼り付けられていない。したがって、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５が破断部２０の上を通過する際、半導体ウェハ１と第１
ローラー３１及び第２ローラー３２とが接触することなく、ダイシングテープ５に対して引っ張り応力を加えることができる。

図１３に示すように、破断部２０の前後に第１ローラー４１、４２及び第２ローラー４３、４４を設けることにより、ダイシングテープ５に対して引っ張り応力を加えるようにしてもよい。第１ローラー４１、４２は、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、破断部２０の前段に設けられている。第２ローラー４３、４４は、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、破断部２０の後段に設けられている。第１ローラー４１、４２及び第２ローラー４３、４４は、ダイシングテープ５を上下に挟むことによりダイシングテープ５を抑える。第２ローラー４３、４４によるダイシングテープ５を引っ張る力は、第１ローラー４１、４２によるダイシングテープ５を送る力よりも大きい。そのため、半導体ウェハ１を貼り付けたダイシングテープ５が破断部２０の上を通過する際、ダイシングテープ５に対して引っ張り応力が加わる。

半導体ウェハ１が第１ローラー４１に接近すると、上側の第１ローラー４１Ａが上昇し、上側の第１ローラー４１Ａと下側の第１ローラー４１Ｂとの間を半導体ウェハ１が通過する。上側の第１ローラー４１Ａと下側の第１ローラー４１Ｂとの間を半導体ウェハ１が通過すると、上側の第１ローラー４１Ａが下降し、第１ローラー４１は、ダイシングテープ５を再び抑える。第１ローラー４２及び第２ローラー４３、４４についても、第１ローラー４１と同様に動作する。

上側の第１ローラー４１Ａが上昇している場合、第１ローラー４２によってダイシングテープ５は抑えられた状態となる。また、上側の第２ローラー４３Ａが上昇している場合、第２ローラー４４によってダイシングテープ５は抑えられた状態となる。したがって、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５が破断部２０の上を通過する際、半導体ウェハ１と第１ローラー４１、４２及び第２ローラー４３、４４とが接触することなく、ダイシングテープ５に対して引っ張り応力を常時加えることができる。

また、供給ロール６によるダイシングテープ５を送る力よりも、巻き取りロール７によるダイシングテープ５を巻き取る力を大きくすることにより、ダイシングテープ５に対して引っ張り応力を加えるようにしてもよい。

次に、図１のステップＳ１０８において、ダイシングテープ５にウェハリング（フレーム）５１を貼り付ける工程を行う。図１のステップＳ１０８に示す工程では、図１４に示すように、ウェハリング５１の内側に半導体ウェハ１が配置されるように、ダイシングテープ５にウェハリング５１を貼り付ける。ウェハリング５１は、環状形状をなしている。ウェハリング５１は、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５を支持する。すなわち、ウェハリング５１の内側に半導体ウェハ１が配置されるように、ダイシングテープ５にウェハリング５１を貼り付けることにより、ウェハリング５１により半導体ウェハ１及びダイシングテープ５が支持される。ウェハリング５１は、支持リングの一例である。ウェハリング５１は、例えば、ステンレス等の金属を材料としてもよい。

図１のステップＳ１０８に示す工程は、ダイシングテープ５に引っ張り応力を加えた状態で行ってもよい。図１のステップＳ１０７と同様の方法で、ダイシングテープ５に対して引っ張り応力を加えるようにしてもよい。

次いで、図１のステップＳ１０９において、ダイシングテープ５を切り抜く工程を行う。図１のステップＳ１０９に示す工程では、ダイシングテープ５を、ウェハリング５１の外形サイズと同等のサイズで切り抜く。

次に、図１のステップＳ１１０において、ＵＶ（ultraviolet）照射工程を行う。図１
のステップＳ１１０に示す工程では、図１５に示すように、紫外線ランプ（図示せず）を用いてダイシングテープ５の裏面からＵＶを照射する。ＵＶタイプのダイシングテープ５を用いる場合、ダイシングテープ５にＵＶを照射すると、ダイシングテープ５の粘着力が低下し、次工程におけるピックアップが容易となる。

次いで、図１のステップＳ１１１において、チップピックアップ工程を行う。図１のステップＳ１１１に示す工程では、図１６に示すように、個片化された半導体チップ６１がピックアップされる。半導体チップ６１は、半導体装置の一例である。

図１７は、図１のステップＳ１０４に示す工程（半導体ウェハ１をダイシングテープ５に貼り付ける工程）から図１のステップＳ１０９に示す工程（ダイシングテープ５を切り抜く工程）までの側面図である。図１７の（１Ａ）から（６Ａ）に示す側面図は、図１のステップＳ１０４〜Ｓ１０９に示す工程に対応している。図１７に示すように、供給ロール６から引き出した１本のダイシングテープ５上において、図１のステップＳ１０４〜Ｓ１０９までの一連の工程を行うことが可能である。供給ロール６から引き出した１本のダイシングテープ５上において、図１のステップＳ１０４〜Ｓ１０９までの一連の工程を行う場合、各工程においてダイシングテープ５を支持部材（図示せず）によって支えるようにしてもよい。支持部材は、線状であってもよいし、メッシュ状であってもよい。

実施例１によれば、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５を所定方向に移動することにより、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５が破断部２０の上を通過する。半導体ウェハ１が破断部２０の上を通過する際、２方向（例えば、Ｘ軸方向及びＹ軸方向）に延在する第１の改質層８及び第２の改質層８が破断する。すなわち、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５を所定方向に移動することにより、半導体ウェハ１が２方向（例えば、Ｘ軸方向及びＹ軸方向）に切断（分割）される。したがって、半導体ウェハ１に形成される改質層８の破断を容易に行うことができる。

半導体ウェハ１が破断部２０の上を通過する際、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８と第１突起部材２１とが重なり合うようにして、第１突起部材２１が、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８を押し上げる。また、半導体ウェハ１が破断部２０の上を通過する際、半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の改質層８と第２突起部材２２とが重なり合うようにして、第２突起部材２２が、半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の改質層８を押し上げる。したがって、実施例１によれば、個片化される半導体チップ６１の数が多くなる場合であっても、半導体ウェハ１に形成される改質層８の破断を容易に行うことができる。

図２７に示す半導体基板９２を個片化する一例のように、ダイシングテープ９３を面方向に拡張させて、半導体基板９２の内部に形成された改質層９５を破断する場合、半導体基板９２に対して加える応力が大きいと、ダイシングテープ９３が弛む。図２７に示すように、ダイシングテープ９３にはウェハリング９１が貼り付けられているため、半導体基板９２に対して加える応力が大きいと、ダイシングテープ９３が拡張された状態が維持され、ダイシングテープ９３が弛む。また、ダイシングテープ９３の下からスキージを押し当て、半導体基板９２に形成された改質層９５を破断する場合も、半導体基板９２に対して加える応力が大きいと、ダイシングテープ９３が弛む。ダイシングテープ９３が弛む場合、弛んだダイシングテープ９３を元に戻さないと、個片化された半導体チップ９６同士が接触してしまう。

実施例１では、半導体ウェハ１に形成された改質層８を破断した後、ダイシングテープ５にウェハリング５１を貼り付けるため、ダイシングテープ５が弛むことが抑制される。
したがって、実施例１によれば、ダイシングテープ５が弛むことにより個片化された半導体チップ６１同士が接触するという状態が抑止される。ダイシングテープ５に引っ張り応力を加えた状態で、ダイシングテープ５にウェハリング５１を貼り付けることにより、ダイシングテープ５が弛むことがより抑制される。

〈実施例２〉
実施例２に係る半導体装置の製造方法について説明する。実施例１と同一の構成要素については、実施例１と同一の符号を付し、その説明を省略する。実施例１と実施例２との相違点は、図１のステップＳ１０７に示す工程において、破断部７１を用いて半導体ウェハ１を切断する点であるので、実施例２では、当該相違点に着目して説明を行う。図１のステップＳ１０１〜Ｓ１０６に示す工程、及び、図１のステップＳ１０８〜Ｓ１１１に示す工程について、実施例２は、実施例１と同様であるのでその説明を省略する。

実施例２において、図１のステップＳ１０７に示す工程では、ダイシングテープ５に引っ張り応力を加えた状態で、半導体ウェハ１が貼り付けられたダイシングテープ５を破断部７１の上を通過させる。実施例２において、実施例１と同様の方法で、ダイシングテープ５に対して引っ張り応力を加えるようにしてもよい。

半導体ウェハ１を貼り付けたダイシングテープ５が破断部７１の上を通過する際、半導体ウェハ１の内部に形成された改質層８が破断し、半導体ウェハ１の第１スクライブライン１１及び第２スクライブライン１２に沿って半導体ウェハ１が切断される。半導体ウェハ１の第１スクライブライン１１及び第２スクライブライン１２に沿って半導体ウェハ１を切断することにより、半導体ウェハ１が個片化される。

図１８は、ダイシングテープ５及び破断部７１の斜視図である。図１８に示すように、破断部７１は、ダイシングテープ５の移動する方向と平行な平行面７２と、ダイシングテープ５の移動する方向の反対方向に向かって傾斜する第１傾斜面７３と、ダイシングテープ５の移動する方向に向かって傾斜する第２傾斜面７４と、を有している。平行面７２と第１傾斜面７３との境界部分における第１縁部８１は、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度４５°傾いた状態で延在している。第１縁部８１は、一の押し上げ部の一例である。平行面７２と第２傾斜面７４との境界部分における第２縁部８２は、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度１３５°傾いた状態で延在している。第２縁部８２は、別の押し上げ部の一例である。

半導体ウェハ１の第１スクライブライン１１が、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度４５°傾くようにして、半導体ウェハ１がダイシングテープ５に貼り付けられている。半導体ウェハ１の第１スクライブライン１１に沿って半導体ウェハ１に第１の改質層８が形成されている。したがって、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１の改質層８の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１縁部８１が延在する方向の傾き角度と一致している。ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１縁部８１が延在する方向の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向を基準として、第１縁部８１が延在する方向がダイシングテープ５の平面方向に傾いている角度である。

半導体ウェハ１の第２スクライブライン１２が、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度１３５°傾くようにして、半導体ウェハ１がダイシングテープ５に貼り付けられている。半導体ウェハ１の第２スクライブライン１２に沿って半導体ウェハ１に第２の改質層８が形成されている。したがって、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２の改質層８の傾き角度は、ダイシングテープ
５の移動する方向に対する第２縁部８２が延在する方向の傾き角度と一致している。ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２縁部８２が延在する方向の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向を基準として、第２縁部８２が延在する方向がダイシングテープ５の平面方向に傾いている角度である。

図１８に示す破断部７１の形状は、例示である。第１縁部８１は、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度θ１（０°＜θ１＜９０°）傾いた状態で延在してもよい。第２縁部８２は、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度θ２（θ２＝θ１＋９０°）傾いた状態で延在してもよい。

図１９は、破断部７１を用いて半導体ウェハ１を切断する工程を示す図である。図１９では、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１の改質層８の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１縁部８１が延在する方向の傾き角度と一致している。また、図１９では、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２の改質層８の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２縁部８２が延在する方向の傾き角度と一致している。

図１９に示すように、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５を所定方向に移動することにより、半導体ウェハ１を貼り付けたダイシングテープ５が第１縁部８１の上を通過する。所定方向は、例えば、巻き取りロール７によってダイシングテープ５が巻き取られる方向である。また、所定方向は、第１縁部８１が延在する方向と異なる方向である。半導体ウェハ１を貼り付けたダイシングテープ５が第１縁部８１の上を通過する際、第１縁部８１が、ダイシングテープ５の裏面に接触する。

ダイシングテープ５の裏面に第１縁部８１を接触させながら、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５を移動させると、第１縁部８１が、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８を押し上げる。ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１の改質層８の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１縁部８１が延在する方向の傾き角度と一致している。このため、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８と第１縁部８１とが重なり合うようにして、第１縁部８１が、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８を押し上げる。ダイシングテープ５には引っ張り応力が加えられている。したがって、第１縁部８１の上を通過する半導体ウェハ１の第１切断予定領域全体に曲げ応力が加えられ、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８が破断する。

図１９に示すように、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５を所定方向に移動することにより、半導体ウェハ１を貼り付けたダイシングテープ５が第２縁部８２の上を通過する。所定方向は、例えば、巻き取りロール７によってダイシングテープ５が巻き取られる方向である。また、所定方向は、第２縁部８２が延在する方向と異なる方向である。半導体ウェハ１を貼り付けたダイシングテープ５が第２縁部８２の上を通過する際、第２縁部８２が、ダイシングテープ５の裏面に接触する。

ダイシングテープ５の裏面に第２縁部８２を接触させながら、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５を移動させると、第２縁部８２が、半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の改質層８を押し上げる。ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２の改質層８の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２縁部８２が延在する方向の傾き角度と一致している。このため、半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の改質層８と第２縁部８２とが重なり合うようにして、第２縁部８２が、半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の改質層８を押し上げる。ダイシ
ングテープ５には引っ張り応力が加えられている。したがって、第２縁部８２の上を通過する半導体ウェハ１の第２切断予定領域全体に曲げ応力が加えられ、半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の改質層８が破断する。

実施例２によれば、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５を所定方向に移動することにより、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５が破断部７１の上を通過する。半導体ウェハ１が破断部７１の上を通過する際、２方向（例えば、Ｘ軸方向及びＹ軸方向）に延在する第１の改質層８及び第２の改質層８が破断する。すなわち、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５を所定方向に移動することにより、半導体ウェハ１が２方向（例えば、Ｘ軸方向及びＹ軸方向）に切断（分割）される。したがって、半導体ウェハ１に形成される改質層８の破断を容易に行うことができる。

半導体ウェハ１が破断部７１の上を通過する際、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８と第１縁部８１とが重なり合うようにして、第１縁部８１が、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８を押し上げる。また、導体ウェハ１が破断部７１の上を通過する際、半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の改質層８と第２縁部８２とが重なり合うようにして、第２縁部８２が、半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の改質層８を押し上げる。したがって、実施例２によれば、半導体ウェハ１に形成された半導体チップ６１の数が多くなる場合であっても、半導体ウェハ１に形成される改質層８の破断を容易に行うことができる。

実施例２では、半導体ウェハ１に形成された改質層８を破断した後、ダイシングテープ５にウェハリング５１を貼り付けるため、ダイシングテープ５が弛むことが抑制される。したがって、実施例２によれば、ダイシングテープ５が弛むことにより個片化された半導体チップ６１同士が接触するという状態が抑止される。ダイシングテープ５に引っ張り応力を加えた状態で、ダイシングテープ５にウェハリング５１を貼り付けることにより、ダイシングテープ５が弛むことがより抑制される。

図１８及び図１９では、破断部７１の形状について、第１縁部８１が右上方向から左下方向に向かって傾いた状態で延在し、第２縁部８２が右下方向から左上方向に向かって傾いた状態で延在している例を示している。ただし、図１８及び図１９に示す破断部７１の形状に限らず、第１縁部８１が右下方向から左上方向に向かって傾いた状態で延在してもよく、第２縁部８２が右上方向から左下方向に向かって傾いた状態で延在してもよい。

〈実施例３〉
実施例３に係る半導体装置の製造方法について説明する。実施例１、２と同一の構成要素については、実施例１、２と同一の符号を付し、その説明を省略する。実施例１、２と実施例３との相違点は、ダイシングテープ５に半導体ウェハ１を貼り付ける工程の前に、レーザー９を照射する工程を行う点であるので、実施例３では、当該相違点に着目して説明を行う。

図２０は、実施例３に係る半導体装置の製造方法のフローを示す図である。図２０のステップＳ２０１〜Ｓ２０３に示す工程については、図１のステップＳ１０１〜Ｓ１０３に示す工程と同様であるのでその説明を省略する。

図２０のステップＳ２０４において、レーザー９を照射する工程を行う。図２０のステップＳ２０４に示す工程では、レーザー９を、半導体ウェハ１の裏面から半導体ウェハ１の第１スクライブライン１１及び第２スクライブライン１２に沿って半導体ウェハ１の内部に照射する。半導体ウェハ１にレーザー９が照射されることにより、半導体ウェハ１の内部に、線状に延在する改質層（変質層）８が形成される。

半導体ウェハ１の第１スクライブライン１１及び第２スクライブライン１２に沿ってレーザー９が照射されることにより、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に第１の改質層８が形成され、第２切断予定領域に第２の改質層８が形成される。

次に、図２０のステップＳ２０５において、半導体ウェハ１をダイシングテープ５に貼り付ける工程を行う。図２０のステップＳ２０５に示す工程については、図１のステップＳ１０４に示す工程と同様であるのでその説明を省略する。次いで、図２０のステップＳ２０６において、表面保護テープ２を剥がす工程を行う。図２０のステップＳ２０６に示す工程では、半導体ウェハ１の表面に貼り付けた表面保護テープ２を剥がす。図２０のステップＳ２０７〜Ｓ２１１に示す工程については、図１のステップＳ１０７〜Ｓ１１１に示す工程と同様であるのでその説明を省略する。

図２１は、図２０のステップＳ２０４に示す工程（レーザー９を照射する工程）から図２０のステップＳ２０９に示す工程（ダイシングテープ５を切り抜く工程）までの側面図である。図２１の（１Ｂ）から（６Ｂ）に示す側面図は、図２０のステップＳ２０４〜Ｓ２０９に示す工程に対応している。図２１に示すように、供給ロール６から引き出した１本のダイシングテープ５上において、図２０のステップＳ２０５〜Ｓ２０９までの一連の工程を行うことが可能である。供給ロール６から引き出した１本のダイシングテープ５上において、図２０のステップＳ２０５〜Ｓ２０９までの一連の工程を行う場合、各工程においてダイシングテープ５を支持部材（図示せず）によって支えるようにしてもよい。支持部材は、線状であってもよいし、メッシュ状であってもよい。

実施例３では、ダイシングテープ５に半導体ウェハ１を貼り付ける工程の前に、レーザー９を照射する工程を行う。そのため、半導体ウェハ１にレーザー９を照射する照射装置と、図２０のステップＳ２０５〜Ｓ２０９までの一連の工程を行う製造装置とを分離することができる。したがって、実施例１、２に係る半導体装置の製造方法と比較して、図２０のステップＳ２０５〜Ｓ２０９までの一連の工程を行う製造装置を小型化することが可能となる。

実施例３に係る半導体装置の製造方法では、図２０のステップＳ２０４〜Ｓ２０７に示す工程を以下の様に変更してもよい。図２０のステップＳ２０４において、レーザー９を照射する工程を行うことに替えて、半導体ウェハ１の表面に貼り付けた表面保護テープ２を剥がす工程を行う。次いで、図２０のステップＳ２０５において、半導体ウェハ１をダイシングテープ５に貼り付ける工程に替えて、ハーフカットダイシング工程を行う。ハーフカットダイシング工程では、半導体ウェハ１の表面に対してハーフカットダイシングを行うことにより、半導体ウェハ１の第１スクライブライン１１及び第２スクライブライン１２に沿って半導体ウェハ１に溝を形成する。次に、図２０のステップＳ２０６において、表面保護テープ２を剥がす工程に替えて、半導体ウェハ１をダイシングテープ５に貼り付ける工程を行う。

次いで、図２０のステップＳ２０７において、半導体ウェハ１を切断する工程を行う。図２０のステップＳ２０７に示す工程では、ダイシングテープ５に引っ張り応力を加えた状態で、半導体ウェハ１が貼り付けられたダイシングテープ５を破断部２０の上を通過させる。半導体ウェハ１を貼り付けたダイシングテープ５が破断部２０の上を通過する際、半導体ウェハ１に形成された溝の直下部分が破断し、半導体ウェハ１の第１スクライブライン１１及び第２スクライブライン１２に沿って半導体ウェハ１が切断される。半導体ウェハ１の第１スクライブライン１１及び第２スクライブライン１２に沿って半導体ウェハ１を切断することにより、半導体ウェハ１が個片化される。

〈実施例４〉
実施例４に係る半導体装置の製造方法について説明する。実施例１〜３と同一の構成要素については、実施例１〜３と同一の符号を付し、その説明を省略する。実施例１と実施例４との相違点は、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１の改質層８の傾き角度を、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１突起部材２１が延在する方向の傾き角度と異なるようにする点である。実施例１と実施例４との相違点は、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２の改質層８の傾き角度を、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２突起部材２２が延在する方向の傾き角度と異なるようにする点である。また、実施例２と実施例４との相違点は、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１の改質層８の傾き角度を、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１縁部８１が延在する方向の傾き角度と異なるようにする点である。実施例２と実施例４との相違点は、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２の改質層８の傾き角度を、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２縁部８２が延在する方向の傾き角度と異なるようにする点である。実施例４では、当該相違点に着目して説明を行う。

図２２は、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５の上面図である。図２２に示すように、半導体ウェハ１の第１スクライブライン１１が、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度４３°傾くようにして、半導体ウェハ１がダイシングテープ５に貼り付けられている。図１０を参照して説明したように、第１突起部材２１は、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度４５°傾いた状態で延在している。したがって、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１の改質層８の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１突起部材２１が延在する方向の傾き角度と異なっている。

図２２に示すダイシングテープ５の移動する方向に対する第１の改質層８の傾き角度の数値は例示であって、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１の改質層８の傾き角度は他の値であってもよい。例えば、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１の改質層８の傾き角度とダイシングテープ５の移動する方向に対する第１突起部材２１が延在する方向の傾き角度との差分が、１°以上５°以下となるように、半導体ウェハ１をダイシングテープ５に貼り付けてもよい。

図２２に示すように、半導体ウェハ１の第２スクライブライン１２が、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度１３３°傾くようにして、半導体ウェハ１がダイシングテープ５に貼り付けられている。図１０を参照して説明したように、第２突起部材２２は、ダイシングテープ５の移動する方向に対して、ダイシングテープ５の平面方向において角度１３５°傾いた状態で延在している。したがって、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２の改質層８の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２突起部材２２が延在する方向の傾き角度と異なっている。

図２２に示すダイシングテープ５の移動する方向に対する第２の改質層８の傾き角度の数値は例示であって、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２の改質層８の傾き角度は他の値であってもよい。例えば、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２の改質層８の傾き角度とダイシングテープ５の移動する方向に対する第２突起部材２２が延在する方向の傾き角度との差分が、１°以上５°以下となるように、半導体ウェハ１をダイシングテープ５に貼り付けてもよい。

図２３は、破断部２０を用いて半導体ウェハ１を切断する工程を示す図である。図２３では、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１の改質層８の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１突起部材２１が延在する方向の傾き角度と異な
っている。また、図２３では、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２の改質層８の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２突起部材２２が延在する方向の傾き角度と異なっている。

図２３に示すように、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５を所定方向に移動することにより、半導体ウェハ１を貼り付けたダイシングテープ５が第１突起部材２１の上を通過する。所定方向は、例えば、巻き取りロール７によってダイシングテープ５が巻き取られる方向である。また、所定方向は、第１突起部材２１が延在する方向と異なる方向である。半導体ウェハ１を貼り付けたダイシングテープ５が第１突起部材２１の上を通過する際、第１突起部材２１が、ダイシングテープ５の裏面に接触する。

ダイシングテープ５の裏面に第１突起部材２１を接触させながら、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５を所定方向に移動させると、第１突起部材２１が、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８を押し上げる。ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１の改質層８の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１突起部材２１が延在する方向の傾き角度と異なっている。このため、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８と第１突起部材２１とが交差するようにして、第１突起部材２１が、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８を押し上げる。

半導体ウェハ１の第１切断予定領域が、第１突起部材２１の上を通過する際、半導体ウェハ１の第１切断予定領域の端部に形成された第１の改質層８から押し上げられる。続いて、半導体ウェハ１の第１切断予定領域の中央部に形成された第１の改質層８が押し上げられる。したがって、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８と第１突起部材２１とが交差するようにして、第１突起部材２１が、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８を押し上げることにより、半導体ウェハ１の第１切断予定領域の端部に応力が集中する。半導体ウェハ１の第１切断予定領域の端部に応力が集中することにより、半導体ウェハ１の第１切断予定領域の端部に形成された第１の改質層８が破断し易くなる。半導体ウェハ１の第１切断予定領域の端部に形成された第１の改質層８の破断が、半導体ウェハ１の第１切断予定領域の全体に広がることにより、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８全体が破断し易くなる。半導体ウェハ１の第１切断予定領域の端部に応力をより集中させるため、一本の第１スクライブライン１１（第１切断予定領域）と第１突起部材２１とが交差するようにして、第１突起部材２１が、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８を押し上げることが好ましい。

図２３に示すように、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５を所定方向に移動することにより、半導体ウェハ１を貼り付けたダイシングテープ５が第２突起部材２２の上を通過する。所定方向は、例えば、巻き取りロール７によってダイシングテープ５が巻き取られる方向である。また、所定方向は、第２突起部材２２が延在する方向と異なる方向である。半導体ウェハ１を貼り付けたダイシングテープ５が第２突起部材２２の上を通過する際、第２突起部材２２が、ダイシングテープ５の裏面に接触する。

ダイシングテープ５の裏面に第２突起部材２２を接触させながら、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５を所定方向に移動させると、第２突起部材２２が、半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の改質層８を押し上げる。ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２の改質層８の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２突起部材２２が延在する方向の傾き角度と異なっている。このため、半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の改質層８と第２突起部材２２とが交差するようにして、第２突起部材２２が、半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の
改質層８を押し上げる。

半導体ウェハ１の第２切断予定領域が、第２突起部材２２の上を通過する際、半導体ウェハ１の第２切断予定領域の端部に形成された第２の改質層８から押し上げられる。続いて、半導体ウェハ１の第２切断予定領域の中央部に形成された第２の改質層８が押し上げられる。したがって、半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の改質層８と第２突起部材２２とが交差するようにして、第２突起部材２２が、半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の改質層８を押し上げることにより、半導体ウェハ１の第２切断予定領域の端部に応力が集中する。半導体ウェハ１の第２切断予定領域の端部に応力が集中することにより、半導体ウェハ１の第２切断予定領域の端部に形成された第２の改質層８が破断し易くなる。半導体ウェハ１の第２切断予定領域の端部に形成された第２の改質層８の破断が、半導体ウェハ１の第２切断予定領域の全体に広がることにより、半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の改質層８全体が破断し易くなる。半導体ウェハ１の第２切断予定領域の端部に応力をより集中させるため、一本の第２スクライブライン１２（第２切断予定領域）と第２突起部材２２とが交差するようにして、第２突起部材２２が半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の改質層８を押し上げることが好ましい。

図２４は、破断部７１を用いて半導体ウェハ１を切断する工程を示す図である。図２４では、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１の改質層８の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１縁部８１が延在する方向の傾き角度と異なっている。また、図２４では、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２の改質層８の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２縁部８２が延在する方向の傾き角度と異なっている。

図２４に示すように、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５を所定方向に移動することにより、半導体ウェハ１を貼り付けたダイシングテープ５が第１縁部８１の上を通過する。所定方向は、例えば、巻き取りロール７によってダイシングテープ５が巻き取られる方向である。また、所定方向は、第１縁部８１が延在する方向と異なる方向である。半導体ウェハ１を貼り付けたダイシングテープ５が第１縁部８１の上を通過する際、第１縁部８１が、ダイシングテープ５の裏面に接触する。

ダイシングテープ５の裏面に第１縁部８１を接触させながら、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５を所定方向に移動させると、第１縁部８１が、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８を押し上げる。ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１の改質層８の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第１縁部８１が延在する方向の傾き角度と異なっている。このため、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８と第１縁部８１とが交差するようにして、第１縁部８１が、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８を押し上げる。

半導体ウェハ１の第１切断予定領域が、第１縁部８１の上を通過する際、半導体ウェハ１の第１切断予定領域の端部に形成された第１の改質層８から押し上げられる。続いて、半導体ウェハ１の第１切断予定領域の中央部に形成された第１の改質層８が押し上げられる。したがって、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８と第１縁部８１とが交差するようにして、第１縁部８１が、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８を押し上げることにより、半導体ウェハ１の第１切断予定領域の端部に応力が集中する。半導体ウェハ１の第１切断予定領域の端部に応力が集中することにより、半導体ウェハ１の第１切断予定領域の端部に形成された第１の改質層８が破断し易くなる。半導体ウェハ１の第１切断予定領域の端部に形成された第１の改質層８の
破断が、半導体ウェハ１の第１切断予定領域の全体に広がることにより、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８全体が破断し易くなる。半導体ウェハ１の第１切断予定領域の端部に応力をより集中させるため、一本の第１スクライブライン１１（第１切断予定領域）と第１縁部８１とが交差するようにして、第１縁部８１が、半導体ウェハ１の第１切断予定領域に形成された第１の改質層８を押し上げることが好ましい。

図２４に示すように、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５を所定方向に移動することにより、半導体ウェハ１を貼り付けたダイシングテープ５が第２縁部８２の上を通過する。所定方向は、例えば、巻き取りロール７によってダイシングテープ５が巻き取られる方向である。また、所定方向は、第２縁部８２が延在する方向と異なる方向である。半導体ウェハ１を貼り付けたダイシングテープ５が第２縁部８２の上を通過する際、第２縁部８２が、ダイシングテープ５の裏面に接触する。

ダイシングテープ５の裏面に第２縁部８２を接触させながら、半導体ウェハ１及びダイシングテープ５を所定方向に移動させると、第２縁部８２が、半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の改質層８を押し上げる。ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２の改質層８の傾き角度は、ダイシングテープ５の移動する方向に対する第２縁部８２が延在する方向の傾き角度と異なっている。このため、半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の改質層８と第２縁部８２とが交差するようにして、第２縁部８２が、半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の改質層８を押し上げる。

半導体ウェハ１の第２切断予定領域が、第２縁部８２の上を通過する際、半導体ウェハ１の第２切断予定領域の端部に形成された第２の改質層８から押し上げられる。続いて、半導体ウェハ１の第２切断予定領域の中央部に形成された第２の改質層８が押し上げられる。したがって、半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の改質層８と第２縁部８２とが交差するようにして、第２縁部８２が、半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の改質層８を押し上げることにより、半導体ウェハ１の第２切断予定領域の端部に応力が集中する。半導体ウェハ１の第２切断予定領域の端部に応力が集中することにより、半導体ウェハ１の第２切断予定領域の端部に形成された第２の改質層８が破断し易くなる。半導体ウェハ１の第２切断予定領域の端部に形成された第２の改質層８の破断が、半導体ウェハ１の第２切断予定領域の全体に広がることにより、半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の改質層８全体が破断し易くなる。半導体ウェハ１の第２切断予定領域の端部に応力をより集中させるため、一本の第２スクライブライン１２（第２切断予定領域）と第２縁部８２とが交差するようにして、第２縁部８２が半導体ウェハ１の第２切断予定領域に形成された第２の改質層８を押し上げることが好ましい。

以上の実施例１〜４を含む実施形態に関し、更に以下の付記を示す。

（付記１）
半導体基板に、線状に延在する改質層を形成する工程と、
ダイシングテープの第１の面に前記半導体基板を張り付ける工程と、
前記半導体基板を貼り付ける工程の後、前記ダイシングテープの前記第１の面の反対の第２の面に、一の方向に延在する押し上げ部を接触させながら、前記ダイシングテープ及び前記半導体基板を、前記押し上げ部が延在する方向と異なる方向に移動させることで、前記押し上げ部が前記改質層を押し上げることにより前記改質層を破断する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

（付記２）
前記改質層は、それぞれ延在する方向の異なる第１改質部と第２改質部とを有し、
前記押し上げ部は、それぞれ延在する方向が異なって複数存在し、
前記改質層を破断する工程は、
一の前記押し上げ部を前記第２の面に接触させながら、前記ダイシングテープ及び前記半導体基板を、一の前記押し上げ部が延在する方向と異なる方向に移動させることで、一の前記押し上げ部が前記第１改質部を押し上げることにより前記第１改質部を破断する工程と、
一の前記押し上げ部とは別の前記押し上げ部を前記第２の面に接触させながら、前記ダイシングテープ及び前記半導体基板を、別の前記押し上げ部が延在する方向と異なる方向に移動させることで、別の前記押し上げ部が前記第２改質部を押し上げることにより前記第２改質部を破断する工程と、を有することを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。

（付記３）
前記半導体基板及び前記ダイシングテープを支持する支持リングを前記ダイシングテープに貼り付ける工程を備え、
前記支持リングを前記ダイシングテープに貼り付ける工程は、前記改質層を破断する工程の後に行われることを特徴とする付記１又は２に記載の半導体装置の製造方法。

（付記４）
前記ダイシングテープの移動する方向に対する前記改質層の傾き角度は、前記ダイシングテープの移動する方向に対する前記押し上げ部が延在する方向の傾き角度と異なり、
前記改質層と前記押し上げ部とが交差するようにして、前記押し上げ部が前記改質層を押し上げることにより前記改質層を破断することを特徴とする付記１又は３に記載の半導体装置の製造方法。

（付記５）
前記ダイシングテープの移動する方向に対する前記改質層の傾き角度は、前記ダイシングテープの移動する方向に対する前記押し上げ部が延在する方向の傾き角度と一致し、
前記改質層と前記押し上げ部とが重なり合うようにして、前記押し上げ部が前記改質層を押し上げることにより前記改質層を破断することを特徴とする付記１又は３に記載の半導体装置の製造方法。

（付記６）
前記改質層を形成する工程は、前記半導体基板にレーザーを照射することにより前記半導体基板の一部を改質する工程を有し、
前記改質層を形成する工程は、前記半導体基板を前記ダイシングテープの前記第１の面に貼り付ける工程の前に行われることを特徴とする付記１から５の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。

（付記７）
前記改質層を形成する工程は、前記半導体基板にレーザーを照射することにより前記半導体基板の一部を改質する工程を有し、
前記改質層を形成する工程は、前記半導体基板を前記ダイシングテープの前記第１の面に貼り付ける工程の後に行われることを特徴とする付記１から５の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。

（付記８）
前記押し上げ部は、突起状の構造物であることを特徴とする付記１から７の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。

（付記９）
前記押し上げ部は、前記ダイシングテープの移動する方向と平行な平行面と、前記ダイシングテープの移動する方向又は前記ダイシングテープの移動する方向の反対方向に向かって傾斜する傾斜面と、を有する破断部における前記平行面と前記傾斜面との境界部分であることを特徴とする付記１から８の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。

１半導体ウェハ
２表面保護テープ
３電子回路
４砥石
５ダイシングテープ
６供給ロール
７巻き取りロール
８改質層
９レーザー光
１１第１スクライブライン
１２第２スクライブライン
２０、７１破断部
２１第１突起部材
２２第２突起部材
５１ウェハリング
６１半導体チップ
７２平行面
７３第１傾斜面
７４第２傾斜面
８１第１縁部
８２第２縁部

Claims

半導体基板に、線状に延在する改質層を形成する工程と、
ダイシングテープの第１の面に前記半導体基板を張り付ける工程と、
前記半導体基板を貼り付ける工程の後、前記ダイシングテープの前記第１の面の反対の第２の面に、一の方向に延在する押し上げ部を接触させながら、前記ダイシングテープ及び前記半導体基板を、前記押し上げ部が延在する方向と異なる方向に移動させることで、前記押し上げ部が前記改質層を押し上げることにより前記改質層を破断する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記改質層は、それぞれ延在する方向の異なる第１改質部と第２改質部とを有し、
前記押し上げ部は、それぞれ延在する方向が異なって複数存在し、
前記改質層を破断する工程は、
一の前記押し上げ部を前記第２の面に接触させながら、前記ダイシングテープ及び前記半導体基板を、一の前記押し上げ部が延在する方向と異なる方向に移動させることで、一の前記押し上げ部が前記第１改質部を押し上げることにより前記第１改質部を破断する工程と、
一の前記押し上げ部とは別の前記押し上げ部を前記第２の面に接触させながら、前記ダイシングテープ及び前記半導体基板を、別の前記押し上げ部が延在する方向と異なる方向に移動させることで、別の前記押し上げ部が前記第２改質部を押し上げることにより前記第２改質部を破断する工程と、を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記半導体基板及び前記ダイシングテープを支持する支持リングを前記ダイシングテープに貼り付ける工程を備え、
前記支持リングを前記ダイシングテープに貼り付ける工程は、前記改質層を破断する工程の後に行われることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
前記ダイシングテープの移動する方向に対する前記改質層の傾き角度は、前記ダイシングテープの移動する方向に対する前記押し上げ部が延在する方向の傾き角度と異なり、
前記改質層と前記押し上げ部とが交差するようにして、前記押し上げ部が前記改質層を押し上げることにより前記改質層を破断することを特徴とする請求項１又は３に記載の半導体装置の製造方法。
前記ダイシングテープの移動する方向に対する前記改質層の傾き角度は、前記ダイシングテープの移動する方向に対する前記押し上げ部が延在する方向の傾き角度と一致し、
前記改質層と前記押し上げ部とが重なり合うようにして、前記押し上げ部が前記改質層を押し上げることにより前記改質層を破断することを特徴とする請求項１又は３に記載の半導体装置の製造方法。